模擬集成電路設(shè)計學(xué)習(xí)通超星期末考試答案章節(jié)答案2024年

模擬集成電路設(shè)計學(xué)習(xí)通超星期末考試章節(jié)答案2024年/star3/origin/ac9759bb2641c5f135ae320ab688627c.png

答案:代表襯底和源之間的電壓對漏極電流的影響/star3/origin/bca944c0578b17ec59babe9f0d635ce1.jpg

答案:增加在制作CMOS器件時,PMOS器件常常被做在“局部襯底”中,這個“局部襯底”結(jié)構(gòu)被稱為()。

答案:阱/star3/origin/7ec582dd53664085b371b2637ff4b181.png

答案:溝道長度調(diào)制效應(yīng)/star3/origin/e1f17a0d4ee2ec667e498b57bbb56d18.jpg

答案:向溝道區(qū)注入雜質(zhì),改變溝道處雜質(zhì)濃度關(guān)于溝道長度調(diào)制效應(yīng)闡述正確的是()。

答案:MOS的柵下溝道預(yù)夾斷后,若繼續(xù)增大VDS,夾斷點會向源極方向移動,導(dǎo)致夾斷點到源極之間的有效溝道長度略有減小,從而使更多電子自源極漂移到夾斷點,導(dǎo)致在耗盡區(qū)漂移電子增多,使ID增大,這種效應(yīng)稱為溝道長度調(diào)制效應(yīng)。/star3/origin/236e47f862f0ce6b6fd260d3a107fce2.png

答案:折疊結(jié)構(gòu)(b)的畫法中漏端面積減小一半,漏電容明顯減小,有利于提升電路的工作速度。/star3/origin/adf36e990e58eabd8c313fb296b4015e.png

答案:并聯(lián),增大至2倍/star3/origin/206a99cf181a368791c6c7ccf46ed716.png

答案:三極管區(qū)保持電流恒定,降低MOSFETs的溝道長度,會使工作在飽和區(qū)的MOSFETs的等效小信號輸出電阻()。

答案:降低/star3/origin/02ed68083f27ea11b49e3353aca32029.png

答案:增加/star3/origin/d53f49211e433eb7db797a6243d16c68.png

答案:線性區(qū)下列哪個參數(shù)不是飽和區(qū)MOS的小信號模型參數(shù)()。

答案:導(dǎo)通電阻/star3/origin/3f1f01e6e9617e123fba9203b391234d.png

答案:從截止區(qū)→飽和區(qū)→線性區(qū)(三極管區(qū))下列關(guān)于MOS管寄生電容描述正確的是()。

答案:MOS管柵源和柵漏電容的大小與晶體管的工作狀態(tài)有關(guān)器件的長度、寬度和氧化層厚度都影響MOS管的性能,電路設(shè)計者通過電路參數(shù)指標(biāo)設(shè)計晶體管的()。

答案:溝道長度與溝道寬度對閾值電壓的形成過程描述正確的是()。

答案:柵壓由0上升時,在溝道區(qū)形成耗盡層。繼續(xù)增加,柵氧下面就形成載流子溝道,界面反型。當(dāng)溝道表面的少數(shù)載流子濃度等于襯底多子濃度時,證明發(fā)生強反型,此時所對應(yīng)的電壓就是閾值電壓。/star3/origin/f75d72874f198d6589e53e28f3562482.png

答案:跨導(dǎo)/star3/origin/22deea7d41c99072d1f99c01df93cd86.jpg

答案:截止區(qū)→飽和區(qū)→線性區(qū)(三極管區(qū))/star3/origin/800ff569a6eca2c949b22c80ba107697.png

答案:////下列四種負載結(jié)構(gòu),哪種可以等效為恒流源()。

答案:工作在飽和區(qū)的MOS為負載/star3/origin/9cf3c94f1042e82299ee4f210d139a25.png

答案:增加/star3/origin/b74b288ebafc30899c330dc4a6f41050.png

答案:提高輸入電壓與電流的線性度4.采用二極管連接的MOSFET,晶體管不可能工作在()。

答案:三極管區(qū)共源共柵結(jié)構(gòu)中,共源共柵器件可以保護輸入器件,使它不受輸出結(jié)點電壓變化的影響,這種特性被稱為()。

答案:屏蔽效應(yīng)/star3/origin/bc711c6aab1e0071b440cfbe5e129abf.png

答案:輸出電阻變小對于MOS器件,如果進入三極管區(qū)(線性區(qū)),跨導(dǎo)將(B)。

答案:增加下面哪種放大器的增益一定小于1()。

答案:源跟隨器下列哪種放大器的主要作用是緩沖隔離()。

答案:源跟隨器/star3/origin/d903993a78606d79d9b6ad9364e372de.jpg

答案:驅(qū)動管M1M2失配;負載RD失配;尾電流源的輸出阻抗有限全差動運放相對于單端輸出的運放來說,具有的優(yōu)勢主要包括:()

答案:更高的線性度;更大的輸出擺幅;更簡單的電路結(jié)構(gòu)/star3/origin/4555f2e34bf57eead4da3d97fc1d48d4.jpg

答案:驅(qū)動管M1與M2之間的失配降低;尾電流源等效阻抗增大;負載RD的失配降低/star3/origin/41e333bfe014ec061b269c299ef38e21.jpg

答案:疊加法;半邊電路法/star3/origin/d15f9dfb9f3887cc5cb5367e4b542379.jpg

答案:更大的輸出擺幅;更強的噪聲抑制能力;更簡單的偏置電路/star3/origin/ffdf3480bf8f8e65079b57f3df3b7e94.jpg

答案:變寬且ΔVin1的值增加/star3/origin/dc1bd72d5ab6678e72fb36bb8e87de84.png

答案:從線性區(qū)→飽和區(qū)→截止區(qū)/star3/origin/06d9763859d30bccc7f9b81e1d718555.jpg

答案:(平衡狀態(tài))/star3/origin/ca8e7c100