第四章 固體中的擴(kuò)散課件

4.5擴(kuò)散熱力學(xué)目的：用化學(xué)勢替代濃度作為廣義的擴(kuò)散驅(qū)動力，推導(dǎo)擴(kuò)散方程的廣義形式第四章固體中的擴(kuò)散21.Fick’s定律的普遍形式單個原子在一維方向驅(qū)動力受力作用，原子發(fā)生移動，其速度與力成正比Bi比例系數(shù)為單位力作用下的速度，稱為遷移率擴(kuò)散通量：第四章固體中的擴(kuò)散2分?jǐn)U散系數(shù)為：熱力學(xué)因子對于雙組分體系吉—杜公式得到：第四章固體中的擴(kuò)散2討論（1）理想固溶體：γi=1

無限稀釋固溶體，γi=a為常數(shù)

f=1，Di°=Bi°kT（2）均勻固溶體的自擴(kuò)散Di*=Bi*kT（3）擴(kuò)散系數(shù)與熱力學(xué)因子的關(guān)系

f＞0，下坡擴(kuò)散→形成均勻的固溶體f＜0，上坡擴(kuò)散→形成兩相混合物（4）達(dá)肯公式Ag+AuAg+(Au+Au*)50%50%50%50%第四章固體中的擴(kuò)散24.6影響擴(kuò)散系數(shù)的因素

從擴(kuò)散系數(shù)的關(guān)系式可以看到，影響因素有：溫度、組分、結(jié)構(gòu)、原子種類、擴(kuò)散機(jī)制等。（1）溫度與活化能：

lnD=lnD0-Q/RT影響擴(kuò)散活化能的因素：結(jié)構(gòu)、擴(kuò)散方向、擴(kuò)散原子、機(jī)制等擴(kuò)散系數(shù)對溫度非常敏感：固相線附近10-8—10-9（空位），10-5—10-6（間隙），常溫下降很大10-20—10-50（空位）。lnD～1/T作圖為一直線，斜率為-Q/R。實際上，空位擴(kuò)散有轉(zhuǎn)折。高溫時為本征擴(kuò)散，即通過本征空位進(jìn)行擴(kuò)散，活化能為△H*+△Hv；低溫為非本征擴(kuò)散，活化能為△H*。lnD1/T第四章固體中的擴(kuò)散2

例如：含微量CaCl2的NaCl晶體中，Na+的自擴(kuò)散系數(shù)D與溫度T的關(guān)系。主要原因是兩種擴(kuò)散活化能不同；彎曲或轉(zhuǎn)折相當(dāng)于從雜質(zhì)控制的非本征擴(kuò)散向本征擴(kuò)散的轉(zhuǎn)化。

高溫

區(qū)為本征擴(kuò)散;低溫區(qū)為非本征擴(kuò)散。第四章固體中的擴(kuò)散2表1NaCl單晶中自擴(kuò)散活化能Patterson等人測定了NaCl單晶中Na+離子和C1-離子的本征與非本征擴(kuò)散系數(shù)以及由實測值計算出的擴(kuò)散活化能。第四章固體中的擴(kuò)散2（2）組分的影響達(dá)肯公式俁野公式第三組分影響(Fe-C:Mo、W,D↓,Co,D↑)a)高價雜質(zhì)形成空位，D↑；

b)非本征擴(kuò)散轉(zhuǎn)變溫度提高；

c)形成化合物，擴(kuò)散系數(shù)↓（3）晶體結(jié)構(gòu)對擴(kuò)散系數(shù)的影響同一材料不同晶型:Dα-Fe/Dγ-Fe=280（910℃）擴(kuò)散方向—各向異性（a和Q不同）固溶體類型第四章固體中的擴(kuò)散2（4）氣氛的影響除了摻雜點缺陷引起非本征擴(kuò)散外，非本征擴(kuò)散亦發(fā)生于一些非化學(xué)計量氧化物晶體材料中，特別是過渡金屬氧化物。例如FeO、NiO、CoO或MnO等。擴(kuò)散系數(shù)依賴于環(huán)境中的氣氛。①、金屬離子空位

考慮平衡時[MM·]=2[VM’’]，因此非化學(xué)計量空位濃度[VM’’]:第四章固體中的擴(kuò)散2

將[VM’’]代入式中的空位濃度項，則得非化學(xué)計量空位對金屬離子擴(kuò)散系數(shù)的貢獻(xiàn)：

顯然，若溫度不變，對1nDM與lnPO2作圖所得直線斜率為1／6；若氧分壓PO2不變，lnD~1/T作圖，則直線斜率負(fù)值為(ΔHM+ΔH/3)／R。第四章固體中的擴(kuò)散2

右圖為實驗測得氧分壓與CoO中鈷離子擴(kuò)散系數(shù)的關(guān)系圖,斜率為1／6。說明理論分析與實驗結(jié)果是一致的。Co2+的擴(kuò)散系數(shù)與氧分壓的關(guān)系第四章固體中的擴(kuò)散2②、氧離子空位反應(yīng)平衡常數(shù)：

以ZrO2-x為例，在高溫下，氧分壓的降低將導(dǎo)致如下缺陷反應(yīng)發(fā)生:電荷平衡時[e’]=2[Vo’’]，非化學(xué)計量空位對氧離子擴(kuò)散系數(shù)貢獻(xiàn)為：第四章固體中的擴(kuò)散2非化學(xué)計量氧化物中，除了本征缺陷空位、雜質(zhì)缺陷空位，還有氣氛改變所引起的非化學(xué)計量空位

對擴(kuò)散系數(shù)的貢獻(xiàn)，因此lnD～1/T曲線，含兩個轉(zhuǎn)折點構(gòu)成。如圖所示：圖中有三條直線段，高溫段與低溫段分別為本征空位和雜質(zhì)空位所致，而中溫段則為非化學(xué)計量空位所致。在缺氧的氧化物中擴(kuò)散與溫度關(guān)系示意圖第四章固體中的擴(kuò)散24.7.高擴(kuò)散的路徑在晶體中，缺陷集中之地：位錯、晶界、及表面等，原子or離子在此擴(kuò)散更快，所以叫短路擴(kuò)散or高擴(kuò)散的路徑。如多晶樣品在低溫時擴(kuò)散系數(shù)比單晶樣品快，就是由于短路擴(kuò)散引起的。多晶樣品的擴(kuò)散系數(shù)大于單晶樣品的擴(kuò)散系數(shù)，由于多晶樣品有晶界的存在。一般：D表面>D晶界>D體

見下頁圖。Why？應(yīng)用:體樣品（單晶、大的晶粒）多晶、薄膜。1/TlnDDpolyDsingal銀單晶與多晶的自擴(kuò)散系數(shù)示意圖第四章固體中的擴(kuò)散2第四章固體中的擴(kuò)散2晶粒大小對晶界擴(kuò)散、體擴(kuò)散的影響晶粒為正方形（L×L），晶界寬度為δ對應(yīng)的體相擴(kuò)散的面積為L2，晶界擴(kuò)散的面積為2δL體相擴(kuò)散通量和晶界擴(kuò)散通量如右式δLL體相晶界相對大小比值第四章固體中的擴(kuò)散2以兩者相對大小為1（貢獻(xiàn)相當(dāng)），對logL~Tm/T作圖例如：按上法作圖，從圖上可以看出:a)當(dāng)T/Tm=1時，熔點附近，L=2μmb)T/Tm=0.6,L=440μm,c)多晶樣品，晶界貢獻(xiàn)大d）L↓，晶界貢獻(xiàn)↑；T↑,體相貢獻(xiàn)↑Tm/TlogL晶界體相第四章固體中的擴(kuò)散24.8形成化合物A+B--→C假設(shè)1）ABC之間不互溶，且C由一個A和一個B組成2）反應(yīng)物和產(chǎn)物要致密，接觸良好3）只有一種反應(yīng)產(chǎn)物C4）在等溫下進(jìn)行5）在反應(yīng)層中及在物相界面保持局域穩(wěn)態(tài)6）反應(yīng)截面不變第四章固體中的擴(kuò)散2以化學(xué)勢為梯度：CABμBμoBμoAμAOx對(3)微分由1、2、4得第四章固體中的擴(kuò)散2對（5）進(jìn)行移項，積分得：

x2=2LA(μA-μoA)Vct=kt這里L(fēng)A、μA-μoA為常數(shù)，生成化合物的厚度符合拋物線規(guī)律。討論：1）金屬的氧化銹蝕反應(yīng)2）固相反應(yīng)3）生成多種化合物第四章固體中的擴(kuò)散21）金屬的氧化銹蝕反應(yīng)

M(S)+n/2X2→MXn反應(yīng)速度遵守什么規(guī)律和以下因素有關(guān)：a）金屬種類b）反應(yīng)的時間階段c）產(chǎn)物的致密程度d）等溫e）相分壓等對于薄層時(<100nm)：有立方規(guī)律、對數(shù)、及拋物線規(guī)律對于厚層時(>100nm):直線規(guī)律（如表面控制）拋物線規(guī)律(體擴(kuò)散控制）第四章固體中的擴(kuò)散2銹蝕反應(yīng)機(jī)理(a)沒有反應(yīng)時狀態(tài)(b)標(biāo)記面在金屬的界面處，如Fe1-yO、Cu2-yS等，金屬離子移動(c)標(biāo)記面在氣體的界面處，如TiO2-y，氧離子移動界面在化合物中，兩種離子都會移動。MX2MX2MX2(a)(b)(c)第四章固體中的擴(kuò)散22）固相反應(yīng)MgO+Al2O3→MgAl2O4Al2O3MgOAl2O3MgOx/43x/43Mg2++4Al2O3→3MgAl2O4+3Mg2++2Al3+MgAl2O4←2Al3++4MgO+第四章固體中的擴(kuò)散23)生成多種化合物Fe中摻碳第四章固體中的擴(kuò)散2二元合金擴(kuò)散不形成兩相混合區(qū)1．在一定的溫度下相律：f=c-p2．?dāng)U散過程進(jìn)行中，系統(tǒng)沒有達(dá)到平衡，f>03．C=2

p<2即存在相數(shù)

p=1原因說法一原因說法二

擴(kuò)散能夠不斷向內(nèi)進(jìn)行，是因為材料內(nèi)存在連續(xù)分布的化學(xué)位梯度，如果出現(xiàn)兩相平衡，則此區(qū)域內(nèi)的化學(xué)位梯度為０，擴(kuò)散就不能進(jìn)行，這將與事實相矛盾。第四章固體中的擴(kuò)散2Fe中摻N第四章固體中的擴(kuò)散24.9離子電解質(zhì)擴(kuò)散離子晶體的缺陷結(jié)構(gòu)（四種類型及補(bǔ)償方式）離子運(yùn)動的溫度依賴性本征擴(kuò)散和非本征擴(kuò)散離子擴(kuò)散的微觀機(jī)制

a)機(jī)制:空位、間隙及亞晶格間隙機(jī)制

b)化合物，對應(yīng)的兩套格點，兩種離子擴(kuò)散

c)離子擴(kuò)散可以用兩種表示方法：

---電流電學(xué)方法處理

---物質(zhì)物質(zhì)輸運(yùn)處理第四章固體中的擴(kuò)散2電學(xué)公式動力學(xué)公式1、動力學(xué)公式：第四章固體中的擴(kuò)散22.電學(xué)公式mol為單位第四章固體中的擴(kuò)散23、離子遷移率和遷移數(shù)離子遷移率：μ=Vi/E---單位電場作用下離子的遷移速度遷移率:Bi---單位力作用下速度離子遷移數(shù)：ti---離子電導(dǎo)在總電導(dǎo)中占的份數(shù)如YSZ中ti=0.99，即是純的離子導(dǎo)體。>>>>第四章固體中的擴(kuò)散24.相關(guān)因子f’=D*/Dr---相關(guān)因子（系數(shù)）,f’≤1D*--示蹤擴(kuò)散系數(shù)（沒有濃度梯度下示蹤原子的擴(kuò)散）Dr---無規(guī)擴(kuò)散，原子的躍遷是獨立的，與歷史無關(guān)（Dσ--電導(dǎo)擴(kuò)散可以看成為無序擴(kuò)散）。討論a）間隙機(jī)制：f’=1

間隙位置占據(jù)率極低，當(dāng)原子移動時，周圍是空的幾率為1，每一步都可以看作是獨立的，與歷史無關(guān)。b）空位機(jī)制：f’＜1

（1）離子運(yùn)動總是順著電場方向運(yùn)動，與歷史無關(guān)。（2）示蹤原子運(yùn)動與歷史有關(guān)，回跳的幾率最大，也叫記憶效應(yīng)，所以D*＜Dσ。第四章固體中的擴(kuò)散2擴(kuò)散機(jī)理結(jié)構(gòu)配位數(shù)相關(guān)系數(shù)空位金剛石40.5空位簡單立方60.6531空位體心立方80.7272空位面心立方120.7815空位六方密堆積120.78120.7815(fz)記憶效應(yīng)，隨可跳位置越多，回跳的幾率就會減小，相關(guān)因子f就變大。第四章固體中的擴(kuò)散2雙極擴(kuò)散雙極擴(kuò)散：氧離子從高氧分壓端流向低氧分壓端，而電子擴(kuò)散方向相反，表觀沒有電流產(chǎn)生。擴(kuò)散機(jī)理材料體系

La1-xSrxCo1-yFeyO3-δBa1-xSrxCoO3-δYBa2Cu3O7-δLa2NiO4+δYSZ-AgO2-ePO2(h)PO2(l)雙極擴(kuò)散第四章固體中的擴(kuò)散2擴(kuò)散方程質(zhì)量守恒電荷守恒離子擴(kuò)散方程(3)和(4)代人(2)得第四章固體中的擴(kuò)散2表面反應(yīng)：按局域穩(wěn)態(tài)處理（6、7）平衡時：兩表面反應(yīng)相減(5)代人(10)(11)代人(4)第四章固體中的擴(kuò)散2(1)(8)代人(12)當(dāng)膜厚度為L

？？？表面擴(kuò)散起作用時:L’=L+Lc,這里當(dāng)L遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于Lc時，體相擴(kuò)散控制，反之表面擴(kuò)散控制，當(dāng)兩者相當(dāng)時，兩種都起作用。第四章固體中的擴(kuò)散2討論透氧量與厚度成反比，還與離子、電子電導(dǎo)率及兩邊氧分壓有關(guān)；當(dāng)te=1時，雙極擴(kuò)散流量：與氧離子電導(dǎo)率成正比當(dāng)透氧膜的厚度降低到一定的時候，表面擴(kuò)散就會起作用:

當(dāng)L>>Lc