2024功率半導體行業(yè)深度：發(fā)展歷程、競爭格局、產(chǎn)業(yè)鏈及相關公司深度梳理

行業(yè)研究報告行業(yè)研究報告慧博智能投研行業(yè)|深度|研究報告 功率半導體是電子裝置中電能轉(zhuǎn)換與電路控制的核心，主要用于改變電子裝置中電壓和頻率、直流交流轉(zhuǎn)換等。近年來，功率半導體的應用領域已從工業(yè)控制和消費電子拓展至新能源、軌道交通、智能電網(wǎng)、變頻家電等諸多市場，市場規(guī)模呈現(xiàn)穩(wěn)健增長態(tài)勢。目前國內(nèi)功率半導體產(chǎn)業(yè)鏈正在日趨完善，技術也正在取得突破。圍繞功率半導體行業(yè)，下面我們從其分類及發(fā)展歷程等方面入手，對其產(chǎn)業(yè)鏈及市場現(xiàn)狀進行分析，分析其主要產(chǎn)品及應用前景，并通過對國內(nèi)外競爭格局的分析，了解我國功率半導體相關企業(yè)現(xiàn)狀及突破方向，并對未來發(fā)展趨勢及市場前景進行預測，方便讀者深入了解這一行業(yè)。一、功率半導體概述 1二、發(fā)展歷程及技術更迭 5三、市場現(xiàn)狀及規(guī)模 8四、競爭格局 12五、產(chǎn)業(yè)鏈梳理 15六、相關公司 19七、發(fā)展趨勢 29八、參考研報 31功率半導體是電力電子設備實現(xiàn)電力轉(zhuǎn)換和電路控制的核心元器件。功率半導體又稱作電力半導體，主要用來對電力進行轉(zhuǎn)換，對電路進行控制，用于改變電壓或電流的波形、幅值、相位、頻率等參數(shù)。功率半導體本質(zhì)上是一種電力開關，能夠在低阻狀態(tài)下流過從幾安培到幾千安培的電流，能夠在毫秒甚至微秒時間內(nèi)對高達數(shù)千伏高電壓、數(shù)千安培的大電流進行控制。功率半導體器件可用于整流（交流轉(zhuǎn)換直流）、逆變（直流轉(zhuǎn)換交流）、轉(zhuǎn)換（直流轉(zhuǎn)直流）、變頻（改變交流電頻率）、功率控制等。電力設備采用多個功率半導體器件按照一定的拓撲結(jié)構(gòu)進行組合，就能實現(xiàn)負載電力轉(zhuǎn)換需求。1/312/31行業(yè)|深度|研究報告 早期的功率半導體是以分立器件的形式出現(xiàn)的，被稱為功率分立器件，率先發(fā)展的是功率二極管和三極管，隨后晶閘管（Thyristor）快速發(fā)展，現(xiàn)在MOSFET和IGBT是主流的功率分立器件。功率模塊是由兩個或兩個以上功率分立器件按一定電路連接并進行模塊化封裝，實現(xiàn)功率分立器件功能的模塊。功率IC是將功率分立器件與其控制電路、外圍接口電路及保護電路等功能集成在一體的集成電路，屬于集成電路中的模擬IC。功率IC可進一步分為AC/DC、DC/DC、PMIC、驅(qū)動IC等，在電力電子設備中負責對電能的變換、分配、檢測等。3/31行業(yè)|深度|研究報告 早期的二極管、晶閘管、三極管在結(jié)構(gòu)上都由簡單的PN結(jié)組成，開關速度慢，常用于低頻領域。二極管具有單向?qū)щ娦?，用于整流、檢波以及作為開關元件。晶閘管是一種能在高電壓、大電流條件下工作的開關元件，被廣泛應用于可控整理、交流調(diào)壓、逆變器和變頻器等電路中，是典型的以小電流控制大電流的電子元件。晶體管是電子電路的核心元件，主要包括MOSFET和IGBT，具有高頻率、低損耗特點。MOSFET開關頻率高，更適用于高頻中高壓領域；IGBT耐壓很高，更適用于高壓中低頻領域。按照功率處理能力，可分為低壓小功率器件、中功率器件、大功率器件和高壓特大功率器件。按照驅(qū)動電路加在器件控制端和公共端之間信號的性質(zhì)，可分為電流驅(qū)動型和電壓驅(qū)動型。按照控制電路信號對器件的控制程度，可分為不可控型、半控型和全控型。按照器件內(nèi)部電子和空穴兩種載流子參與導電的情況，可分為單極型器件、雙極型器件和復合型器件。按照功率器件襯底材料的不同，可分為以鍺和硅為代表的第一代半導體材料、以砷化鎵（GaAs）和磷化銦（InP）為代表的第二代化合物半導體材料、以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）為代表的第三代寬禁帶半導體材料。金屬-氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）和絕緣柵雙極型晶體管IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)在電路中常用作開關元件。MOSFET由于場效應管的柵極被絕緣層隔離，又稱絕緣柵場效應管。MOSFET具有輸入阻抗高、開關速度快、熱穩(wěn)定性好、電壓控制電流等特性，在電路中，可以用作4/31行業(yè)|深度|研究報告 放大器、電子開關等用途。IGBT是由晶體三極管和MOSFET組成的復合型半導體器件。IGBT作為新型電子半導體器件，具有輸入阻抗高，電壓控制功耗低，控制電路簡單，耐高壓，承受電流大等特性，在各種電子電路中獲得廣泛應用。相似功率容量的IGBT和MOSFET，由于IGBT存在關斷拖尾時間，死區(qū)時間加長，從而會影響開關頻率，開關速度可能也慢于MOSFET。MOSFET優(yōu)點是高頻特性好，可以工作頻率可以達到幾百kHz、甚至上MHz，但導通電阻大導致高壓大電流場景下的功耗較大。IGBT在低頻及較大功率場合下表現(xiàn)卓越，其導通電阻小，耐壓高。因此IGBT適合應用于如交流電機、變頻器、逆變器、牽引傳動等高壓大電流應用領域，MOSFET適用于開關電源、整流器、高頻感應加熱、通信電源等高頻電源領域。根據(jù)下游場景所需電壓進行劃分，一般認為應用電壓低于300V的MOSFET為中低壓MOSFET,一般用于消費級應用，主要產(chǎn)品形態(tài)為TrenchMOSFET，即溝槽型MOSFET（12V-250V）和SGT（ShieldedGateTransistor，屏蔽柵溝槽）MOSFET（低于300V）；高于500V為高壓MOSFET，產(chǎn)5/31行業(yè)|深度|研究報告 品形態(tài)為SJ-MOSFET，即超級結(jié)MOSFET，主要在高壓（600V-900V）領域，一般用于汽車、航空功率半導體經(jīng)歷了一系列創(chuàng)新發(fā)展過程。1956年，美國通用電氣公司開發(fā)出第一款晶閘管，標志著第一代功率半導體器件的誕生，晶閘管是半控型器件，體積大效率低，工作頻率一般低于400Hz。1962年，通用電氣開發(fā)出門極可關斷的GTO晶閘管，1969年日立開發(fā)出電力場效應晶體管功率MOSFET，GTO、BJT、MOSFET為代表第二代功率半導體器件迅速發(fā)展，工作頻率達到兆赫級。1984年，通用電氣推出絕緣柵極雙極型晶體管IGBT，其結(jié)合了MOSFET的驅(qū)動功率小、開關速度快和BJT通態(tài)壓降小、載流能力大的優(yōu)點，成為現(xiàn)代功率半導體的主要器件。1989年日本三菱推出了搭載控制和保護功能的IGBT-IPM智能功率模塊。1997年日本富士電機推出超結(jié)SJ-MOSFET，從結(jié)構(gòu)上進一步突破硅材料的性能界限。6/31行業(yè)|深度|研究報告 早期的二極管、三極管和晶閘管，其開關速度慢，常用于低頻領域。二極管僅具備單向?qū)?；晶閘管可正向觸發(fā)導通，具備開關特性；三極管依靠小電流控制開關通斷，有線性放大功能。當前主流的功率半導體是MOSFET和IGBT。MOSFET器件開關頻率高，在高耐壓下導通電阻會很高，更適用于高頻中高壓領域（100-1000KHz,20-1200V）；IGBT器件耐壓很高，作為MOSFET+BJT結(jié)構(gòu)的復合型器件，相比MOSFET具有串聯(lián)結(jié)構(gòu)耐壓更高、導通電阻低、能放大電流的優(yōu)勢，更適用于高壓中低頻領域100KHz,600-6500V）。功率半導體器件從不可控制、電流控制到電壓控制，從小功率、中功率、大功率到超大功率，從分立器件、功率模塊、智能功率模塊到雙列直插智能功率模塊的幾條路徑持續(xù)升級。從功率半導體器件結(jié)構(gòu)來看，MOSFET從平面型、溝槽型、超級結(jié)、屏蔽柵器件結(jié)構(gòu)不斷升級，器件耐壓性和開關頻率性能大幅提升；IGBT從穿通、非穿通、場截止和平面柵、溝槽柵兩條路徑升級，器件結(jié)構(gòu)升級帶來耐壓、降低損耗和導通電阻性能不斷提升。7/31行業(yè)|深度|研究報告 相比單個功率分立器件，集成度更高的功率模塊和功率IC能夠?qū)崿F(xiàn)高可靠、高集成、高效率的性能，更適應于高壓大電流應用場景。功率模塊由多個分立的功率單管按特定功能串、并聯(lián)組成，能簡化外部連接電路，可靠性更高。以IGBT為例，IGBT模塊的最高電壓一般會比IGBT單管高1-2個等級。功率IC通常由功率器件及其驅(qū)動電路、保護電路等外圍電路集成而成，主要包括各類電源管理芯片(PMIC)。相比功率分立器件和功率模塊，功率IC集成度更高，但適用電流電壓范圍較低，常應用于消費電子領隨著硅基功率半導體器件工藝結(jié)構(gòu)提升逐漸接近理論極限值，利用寬禁帶材料制造功率半導體器件體現(xiàn)出比硅基材料更優(yōu)異的特性。相比傳統(tǒng)硅基，寬禁帶材料在耐壓和開關頻率上具有更佳的性能，未來將逐步替代硅基功率器件成為高壓高頻應用領域的市場主流。其中，SiC器件在導通電阻、阻斷電壓和結(jié)電容方面的性能顯著優(yōu)于傳統(tǒng)Si基功率器件，更容易實現(xiàn)小型化、更耐高溫工作，更適用于高壓、高能量密度應用場景，未來可以在高壓領域替代IGBT功率器件，在車載應用場景下SiC比IGBT器件在不同工況下效率明顯提升。GaN器件可以實現(xiàn)更小的導通電阻和柵極電荷，具有更高的開關頻率，更適合于高頻應用場景，但是在高壓高功率場景不如SiC器件。GaN器件有望在中低功率領域替代二極管、MOSFET等硅基功率器件。8/31行業(yè)|深度|研究報告 三、市場現(xiàn)狀及規(guī)模全球功率半導體市場穩(wěn)中向好。根據(jù)Omdia的數(shù)據(jù)，全球功率半導體市場規(guī)模由2017年的441億美元增長至2022的年481億美元。2020年受疫情影響功率半導體市場規(guī)模有所下降，但2021年便恢復至459億美元，預計2023年全球功率半導體市場規(guī)模將達到503億美元。中國作為全球功率半導體最大的消費國，2018年以來，國內(nèi)物聯(lián)網(wǎng)、新能源和新一代通信網(wǎng)絡等新興行業(yè)大大拉升了對上游功率半導體產(chǎn)品的需求，2019年貿(mào)易摩擦干擾整體市場收入略微下降，2020年下半年起，國內(nèi)功率半導體需求呈現(xiàn)高景氣特征，疊加產(chǎn)能不足因素，供求出現(xiàn)顯著錯配，相關功率龍頭公司逐步提價。2022年中國功率半導體市場規(guī)模增長至1368.86億元，同比增長4.4%，預計2023年中國功率半導體市場規(guī)模將進一步增長至1519.36億元。9/31行業(yè)|深度|研究報告 從功率半導體細分產(chǎn)品市場結(jié)構(gòu)來看，功率IC是功率半導體市場主要的出貨產(chǎn)品，占比約50%以上；而功率半導體分立器件中，市場對MOSFET、IGBT以及二極管需求較大。據(jù)芯謀研究的數(shù)據(jù)，MOSFET占功率分立器件市場份額最大，達到42.6%，其次是IGBT和功率二極管，三者占據(jù)了90%以上的功率器件市場。由于二極管的行業(yè)技術壁壘較低，市場規(guī)模比較穩(wěn)定，我國份額逐漸增加。據(jù)華經(jīng)產(chǎn)業(yè)研究院的統(tǒng)計，2022年全球二極管行業(yè)市場規(guī)模為55.73億美元，與2021年數(shù)據(jù)基本持平。中國的二極管行業(yè)憑借其低成本的優(yōu)勢，在全球市場中的市場份額占比逐年增加，2022年我國二極管行業(yè)市場規(guī)模為23.23億美元，與2021年數(shù)據(jù)基本持平，預計2023年市場規(guī)模為19.57億元，較2022年下降15.76%，降速遠小于全球平均水平。10/31行業(yè)|深度|研究報告 晶閘管因其大電流大電壓的處理能力，在大功率應用領域仍有優(yōu)勢，作為一種技術相對成熟的產(chǎn)品，其市場成長性趨于穩(wěn)定。根據(jù)華經(jīng)產(chǎn)業(yè)研究院的統(tǒng)計和預測，全球晶閘管市場規(guī)模由2017年7.18億美元增至2021年8.24億美元，2022年全球晶閘管市場規(guī)模達到10.07億美元，2017年到2022年的年均復合增長率達到5.8%。全球晶閘管市場規(guī)模將從2023年的8.31億美元增長至2028年的12.42億美元，期間復合增速達5.9%。而中國市場在2021年就以37%的占比成為了全球晶閘管最大的單一市場，從2019年開始，中國晶閘管的市場規(guī)模開始穩(wěn)定的持續(xù)增長，2017-2022年的年均復合增長率為7.0%，預計到2023年將增長至27.9億元。BJT作為電流控制型分立器件，在消費類電子、網(wǎng)絡通訊、工業(yè)、安防等領域?qū)Ψ至⑵骷暮皖l率要求愈發(fā)嚴格的背景下，其市場空間正逐步被MOSFET等元器件取代。根據(jù)中商產(chǎn)業(yè)研究院的統(tǒng)計，2022年全球BJT市場規(guī)模達9.32億美元，同比減少9.07%，預計2023年將下降至7.38億美元。2022年中國BJT市場規(guī)模達4.5億美元，同比減少5.46%，預計2023年將下降至3.66億美元。11/31行業(yè)|深度|研究報告 （4）MOSFET全球MOSFET行業(yè)市場規(guī)模保持穩(wěn)定擴張，市場前景廣闊。2022年全球MOSFET市場規(guī)模達129.6億美元，同比增長14.49%，預計2023年將達133.9億美元。中國MOSFET行業(yè)市場規(guī)模也保持穩(wěn)定擴張趨勢，增速高于全球市場增速。2022年中國MOSFET市場規(guī)模約為54.0億美元，同比增長15.88%，預計2023年將達56.6億美元。在新能源汽車、風光儲市場帶動下，IGBT市場呈現(xiàn)結(jié)構(gòu)圖表：2020-2025年中國IGBT市場結(jié)構(gòu)性快速增長態(tài)勢，是目前發(fā)展最快的功率半導體器件之一。據(jù)YOLE數(shù)據(jù)顯示，2022年全球IGBT的市場規(guī)模約為68億美元，受益于新能源汽車、新能源、工業(yè)控制等領域的需求大幅增加，預計2026年全球IGBT市場規(guī)模將達到84億美元。中國是全球最大的IGBT市場，約占全球IGBT市場規(guī)模的40%，2022年中國IGBT市場總規(guī)模達321.9億元，預計2025年市場總規(guī)模有望達468.1億元，CAGR為13.3%。12/31行業(yè)|深度|研究報告 中高端產(chǎn)品生產(chǎn)廠商主要集中在歐美、日本和我國臺灣地區(qū)，大部分屬于IDM廠商。全球功率龍頭企業(yè)英飛凌市場份額為13.5%，其次為德州儀器、安森美等。其中，MOSFET市場和IGBT市場仍由英飛凌牢牢壟斷龍頭位置，市場份額占比較大，而其他主要參與者也較為集中。細分市場只有個別國產(chǎn)廠商進入前十。在IDM模式下，1）功率廠商的設計和制造環(huán)節(jié)緊密結(jié)合，能針對客戶定制化需求來優(yōu)化設計與制造環(huán)節(jié)，產(chǎn)品驗證周期速度快，技術迭代優(yōu)勢明顯；2）同時自有產(chǎn)線，可自控產(chǎn)能，保障產(chǎn)品交付能力及成本控制，對于部分車企來說，功率廠商能否自控產(chǎn)線、保障交期成為了首要的考慮因素之一；3）具有較強的產(chǎn)業(yè)鏈整合能力，在面對市場波動的情況下應對更為靈活，不像Fabless受制于晶圓代工廠，有利于擴展整體市場規(guī)模，擠占市場份額。海外的功率IDM巨頭們憑借著這一模式的優(yōu)勢，在功率市場上不斷擴張自己的份額，尤其在高端功率器件領域，占據(jù)技術壁壘更高、利潤空間更大的細分賽道。13/31行業(yè)|深度|研究報告 中國功率市場競爭格局較為分散且勢均力敵，并未出現(xiàn)像英飛凌這樣壟斷性地位的佼佼者。由于海外廠商不斷爭奪高端功率器件市場的份額，轉(zhuǎn)向高壓大功率以及SiC的細分賽道；而部分中低端產(chǎn)品的市場份額釋放給國內(nèi)功率廠商替代入場，國產(chǎn)功率正在快速崛起。從全球功率分立器件產(chǎn)業(yè)排名來看，2022年的數(shù)據(jù)較于2021年，位居全球前20的中國功率廠商總營收持續(xù)增長，排名不斷上升，國內(nèi)廠商正在不斷追趕海外龍頭的份額。相較于海外的IDM模式，國內(nèi)涌現(xiàn)了一大批Fabless模式的廠商。Fabless模式1）集中資源在芯片設計上達到更優(yōu)的研發(fā)技術水平；2）同時由于沒有產(chǎn)線，減少設備和固定成本，減少資本回報時間過長的風險；3）避免下行周期時產(chǎn)能利用率波動帶來的影響。對于仍處于追趕位置的國內(nèi)廠商來說，F(xiàn)abless模式能夠讓國內(nèi)企業(yè)輕裝上陣，借助成熟的晶圓代工，將有限的資本用到刀刃上，快速切入并提高市場份額。國內(nèi)部分功率廠商如揚杰科技采取IDM+Fabless，在MOSFET、IGBT、第三代半導體等新興高端領域委外代工保障良率，在成熟產(chǎn)品領域自建產(chǎn)線保障產(chǎn)能。還有部分功率廠商如斯達半導由Fabless轉(zhuǎn)IDM，在高壓大功率產(chǎn)品方面自建產(chǎn)線以滿足工藝和產(chǎn)能需求，保障下游客戶訂單供應穩(wěn)定。也有部分前身是Foundry的晶圓代工廠如華潤微借助自身產(chǎn)線優(yōu)勢切入功率賽道占據(jù)市場份額前列?？梢奆abless、Foundry和IDM的生產(chǎn)模式并不是固定的，企業(yè)會根據(jù)市場需求進行不斷的調(diào)整。主要原因是：1）功率半導體行業(yè)發(fā)展較為成熟，技術壁壘較低，產(chǎn)品尤其是國內(nèi)廠商聚集的中低端器件差異化較小，較容易替代，廠商獲利空間有限，降本增利成為了主要目的，而IDM生產(chǎn)模式能夠有效控制成本；2）下游客戶對自控產(chǎn)線的重視促使企業(yè)轉(zhuǎn)向IDM，不僅國內(nèi)車企等下游客戶看重產(chǎn)能、交期的保障，海外的下游客戶也格外重視供應的穩(wěn)定性。Fabless有其自身的優(yōu)勢所在，中國臺灣地區(qū)14/31行業(yè)|深度|研究報告 的功率廠商以Fabless為主，主要得益于臺灣晶圓代工的優(yōu)越地位。根據(jù)2023年晶圓代工的市占數(shù)據(jù)，臺灣地區(qū)占約75%的份額，而大陸地區(qū)只占到了11%左右。在晶圓代工方面的不足促使大陸地區(qū)的功率廠商更多地考慮IDM模式。2023年年底至2024年年初以來，有多家功率器件原廠發(fā)布了漲價函，這一消息引起了業(yè)界的廣泛關注。這些原廠包括國際知名廠商和國內(nèi)領先企業(yè)，漲價主要原因有原材料價格上漲、人工成本增加等因素，不得不調(diào)整產(chǎn)品價格。從各家功率器件廠商發(fā)布的漲價函來看，功率半導體市場出現(xiàn)的漲價潮是部分企業(yè)不得已而為之的自救行為。調(diào)價主要集中在中低壓產(chǎn)品，國產(chǎn)化率較高，國產(chǎn)器件廠商面臨市場需求萎靡引發(fā)惡意競爭，導致產(chǎn)品價格不斷下滑。同時疊加上游成本增加等因素推動，相關晶圓廠對晶圓產(chǎn)品實施漲價，部分封測工廠也均有漲價的相關行為。中小企業(yè)面臨經(jīng)營壓力，不得不采取調(diào)整價格進行成本轉(zhuǎn)移。但市場價格整體仍然處于下降趨勢。對于國內(nèi)廠商而言，擺脫沒有意義的中低端價格戰(zhàn)，去搶奪海外廠商的高利潤市場份額，是接下來國內(nèi)功率半導體行業(yè)中生存和發(fā)展的重中之重。功率行業(yè)技術壁壘相對較低，國內(nèi)廠商份額卻仍不及海外廠商。主要原因為：1）海外龍頭布局功率半導體市場較早，具有先發(fā)優(yōu)勢，通過并購快速切入細分賽道占據(jù)份額，國內(nèi)企業(yè)尚欠缺大規(guī)模產(chǎn)業(yè)鏈整合能力；2）高壓及新型材料器件設計、制造核心技術掌握在發(fā)達國家手中，我國材料設備仍依賴進口，海外出口禁令雪上加霜，國內(nèi)在精密制造領域仍處于追趕位置；3）國產(chǎn)功率器件的可靠性和品牌知名度仍需要時間沉淀，海外市場對品牌的認可度和信任度要求較高，國產(chǎn)廠商國際化布局、品牌建設和市場推廣方面相對滯后。未來國內(nèi)功率廠商想要出海搶奪海外市場份額，主要路徑是通過海外并購和市場供給端積極海外并購，近兩年海外并購窗口期。對于已經(jīng)相當成熟的海外功率半導體市場而言，最有效而直接的切入市場的方式便是海外并購擁有一定市場份額、產(chǎn)品穩(wěn)定性可靠性已獲得下游驗證的廠商。在海外設立子公司也是另一個切入海外市場的有效渠道，但相較于設立子公司所需要的長期積累，海外并購則收益更快。例如全球功率龍頭之一安世半導體于2019年被聞泰科技收購后，排名2022年全球第五名，并連續(xù)三年排名國內(nèi)榜首。同時，歷史數(shù)據(jù)顯示，在重大經(jīng)濟危機發(fā)生后的18至24個月內(nèi)，全球并購交易的估值倍數(shù)往往會出現(xiàn)15%至25%的折讓，考慮到疫情帶來的經(jīng)濟下行影響，這意味著國際市場存在近兩年的海外并購窗口期。15/31行業(yè)|深度|研究報告 需求端承接海外廠商放棄市場，產(chǎn)量大、交期短、成本低優(yōu)勢盡顯。海外廠商將更多資源傾斜到第三代半導體，釋放了部分功率器件市場需求給國內(nèi)廠商進行替代。揚杰科技在海外收購的MCC就以交期短的優(yōu)勢成功承接了安森美放棄的消費類市場，并通過控制成本等途徑提高自身毛利率。相比于國內(nèi)廠商來說，海外廠商在功率半導體領域的交期普遍較長，成本也較高，而國內(nèi)廠商交期短、產(chǎn)量大、器件制造成本低，且能快速響應客戶，通過承接海外廠商放棄的部分市場，并以自身優(yōu)勢牢牢占據(jù)市場份額，是未來功率半導體企業(yè)搶占海外功率龍頭市場份額的主要途徑。功率半導體產(chǎn)業(yè)鏈包括上游原材料及設備供應、中游生產(chǎn)制造以及下游終端系統(tǒng)應用。功率半導體上行周期時，市場供不應求，許多廠商紛紛擴建產(chǎn)線。以海外IDM巨頭為代表的各大廠商選擇向投入產(chǎn)出比更高的12英寸晶圓轉(zhuǎn)移。但隨著市場供需關系改善，全球晶圓產(chǎn)能由前兩年的供給不足轉(zhuǎn)向產(chǎn)能過剩。根據(jù)SIA發(fā)布的數(shù)據(jù)，2020年晶圓產(chǎn)能利用率維持在87.5-90%之間。而在2022年Q4，這一數(shù)字已經(jīng)下滑到85%以下。截至2023年底，全球晶圓8英寸利用率為65-70%，12英寸利用率為70-75%，功率半導體所用制程基本在90nm以上，工藝制程更為落后的晶圓廠產(chǎn)能利用率還將走低，許多廠商采取以價換量的策略。2023年晶圓產(chǎn)能預計已到達谷底，2024年將隨著下游訂單的溫和反彈有所改善。16/31行業(yè)|深度|研究報告 以SiC為代表的第三代半導體材料擁有超越Si基的性能優(yōu)點，3倍的禁帶寬度可減少漏電并提高工作溫度；10倍的擊穿場強可提高開關速度并減低損耗；4倍的導熱率支持高功率密度并可降低散熱要求。其中襯底技術壁壘和價值量較高，約占47%。海外功率巨頭紛紛發(fā)展SiC產(chǎn)線，爭奪發(fā)展窗口期，Wolfspeed、Coherent等國外重點襯底廠商產(chǎn)能仍占據(jù)市場應用主流，國內(nèi)以天岳先進及天科合達為代表的領先廠商產(chǎn)能擴張較快，目前仍處于供不應求的狀態(tài)。此前中國SiC材料僅占全球約5%的產(chǎn)能，2023年以來中國在SiC產(chǎn)能上急追，樂觀預計2024年中國SiC晶圓在全球的占比有望達到50%，月產(chǎn)能將達到12萬片。從功率半導體制造環(huán)節(jié)來看，通過區(qū)熔法（CZ）和直拉法（FZ）得到單晶硅，經(jīng)過切割拋光后獲得晶圓襯底，襯底進行外延工藝加工生產(chǎn)外延片，根據(jù)器件結(jié)構(gòu)進行薄膜沉積、涂膠、光刻、刻蝕、離子注17/31行業(yè)|深度|研究報告 入、清洗等多道工藝獲得裸片晶圓，裸片晶圓經(jīng)過封裝成為功率器件，多個裸片按一定電路連接并進行模塊化封裝為功率模塊。最后，再將封裝好的功率單管或功率模塊器件應用到逆變器等電源模塊中。根據(jù)電壓、功率和頻率不同，功率半導體應用于不同行業(yè)場景。功率半導體可廣泛應用于新能源汽車、光伏、風電、儲能、充電樁、電網(wǎng)、鐵路、工業(yè)、電機、智能家電、消費電子、數(shù)據(jù)中心、UPS等領域。其中，IGBT耐壓高，常用于新能源汽車、風光儲逆變器、智能電網(wǎng)、軌道交通等高壓場景；MOSFET的高頻特性優(yōu)、成本低，常用于消費電子、工業(yè)、通訊、汽車電子、電動工具等中低功率場景；SiC具備高耐壓性和高導熱性，在新能源汽車的高電壓平臺和光伏逆變器等領域有望逐步替代IGBT。相比單管功率分立器件，集成度更高的功率模塊和功率IC能夠?qū)崿F(xiàn)高可靠、高集成、高效率，在高壓大電流場景應用廣泛。18/31行業(yè)|深度|研究報告 從功率半導體的下游來看，汽車、工業(yè)和消費電子是功率半導體的前三大終端市場，三者連續(xù)多年合計占比在75%以上。但近年來，光伏儲能等新興應用領域的快速增長，也成為了功率半導體快速成長的市隨著近年來新能源汽車的滲透率不斷提升，內(nèi)部功率半導體使用數(shù)量的快速增加，并隨著電氣化程度的提升，單車功率半導體價值量也不斷增長。據(jù)StrategyAnalytics數(shù)據(jù)統(tǒng)計，純電動車型中的功率半導體價值占比約為55%。2022年新能源汽車的單車功率半導體價值量達458.7美元，約為傳統(tǒng)燃油車的5倍。根據(jù)中國汽車工業(yè)協(xié)會的數(shù)據(jù)，2023年新能源車銷量944.8萬臺，同比增長37.49%，滲透率達到37.74%，預計2024年達到1150萬臺，同比增長21.72%，滲透率將達到40%。從庫存來看，新能源汽車在2024年Q1預計進一步去庫，庫存或降至60萬輛左右水平，2024年Q2新能源汽車有望迎來補庫周期，拉動對功率器件的需求。這將帶來2024年功率半導體應用的量價齊升。19/31行業(yè)|深度|研究報告 IGBT模塊是變頻器、逆變焊機、UPS電源等傳統(tǒng)工業(yè)控制及電源行業(yè)的核心元器件。近年來，受到下游工業(yè)機器人、電子制造設備等產(chǎn)業(yè)擴張的影響，工業(yè)對IGBT的需求還將持續(xù)溫和增長。根據(jù)集邦咨詢的預測，未來工控IGBT市場的年復合增速約為3%，預計到2025年全球工控IGBT市場規(guī)模將達到167億元。從庫存來看，工控行業(yè)需求仍偏弱，庫存整體仍較高。預計2024年對功率半導體需求帶動作用有限。由于消費電子產(chǎn)品生命周期較短，中低壓功率器件價值量較低，消費電子市場以存量替換需求為主。從庫存來看，2023年Q4消費類需求受手機、PC需求及AI產(chǎn)業(yè)升級影響，訂單好轉(zhuǎn)，復蘇明顯。Canalys等機構(gòu)預計智能手機和PC將在2024年實現(xiàn)溫和增長，預計年增長率為3%，2024年消費電子暖流持續(xù)有望帶動功率半導體備貨。根據(jù)國家能源局的數(shù)據(jù)，截至2023年12月底，國內(nèi)光伏新增裝機為216.88GW，同比大增148%。根據(jù)索比光伏網(wǎng)和彭博新能源財經(jīng)的預測，2024年全球市場增速接近30%，國內(nèi)可能在220GW上下，海外市場將貢獻更多利潤。從海關總署出口的數(shù)據(jù)來看，歐洲市場在2023年面臨庫存壓力，需求出現(xiàn)了階段性放緩，預計2023年底歐洲庫存水平將回歸到合理規(guī)模，而新興市場如南非的需求正在增加，拉動出口量環(huán)比逐月改善。IGBT是光伏逆變器的核心零部件，單位成本約0.02元/W，而逆變器又是光伏電站系統(tǒng)中的核心設備，預計IGBT的需求將隨著光伏儲能的需求恢復增長持續(xù)提升。從庫存來看，光伏行業(yè)于2023年Q4進入加速去庫存周期，產(chǎn)業(yè)鏈價格及盈利水平預計逐步見底，2024年Q2隨著光伏行業(yè)需求放量，產(chǎn)業(yè)鏈有望呈現(xiàn)量升價穩(wěn)態(tài)勢；儲能行業(yè)的庫存出清持續(xù)到2023年底，歐洲庫存水平將回歸到合理規(guī)模，疊加2024年Q2歐洲裝機旺季的到來，有望推動戶儲出貨恢復。光伏儲能下游庫存去化進度基本完成，預計在2024年Q2迎來拉貨需求，拉動以IGBT為主的高壓大功率器件需公司成立于2013年，于2020年9月在上交所主板上市。公司是國內(nèi)MOSFET品類最齊全且產(chǎn)品工藝、技術領先的分立器件設計公司之一，是國內(nèi)較早同時擁有溝槽型MOSFET、超級結(jié)MOSFET、屏蔽柵MOSFET及IGBT四大產(chǎn)品平臺的企業(yè)之一，產(chǎn)品電壓覆蓋12V~1700V全系列產(chǎn)品，能夠滿足不同下游市場客戶以及同一下游市場不同客戶的差異化需求。產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)作對于功率半導體Fabless公司至關重要。IGBT、MOSFET相較于其他功率器件具有較為優(yōu)異或差異化的性能特征，因此，IGBT、MOSFET的器件結(jié)構(gòu)、參數(shù)性能需在更為嚴苛的工藝端才能實現(xiàn)或達到最優(yōu)狀態(tài)，因此IGBT、MOSFET主要基于8英寸、12英寸工藝平臺流片，后道封測也需要由具備先進封裝測試工藝的廠商進行代工。20/31行業(yè)|深度|研究報告 公司的芯片代工合作伙伴包含了華虹宏力、華潤上華等國內(nèi)主要的具備MOSFET、IGBT等大尺寸晶圓芯片代工能力的本土芯片代工供應商；尤其是華虹宏力，公司與其建立了長期戰(zhàn)略合作關系，在華虹宏力一廠、二廠、三廠、七廠均實現(xiàn)批量投產(chǎn)。公司已成為國內(nèi)8英寸、12英寸芯片工藝平臺投片量最大的半導體功率器件設計公司之一。公司除了和晶圓代工廠長期保持良好合作關系，保障了自身產(chǎn)能的穩(wěn)定供應，和日月光、長電科技、捷敏電子等行業(yè)頭部的封測企業(yè)合作，同時通過全資子公司電基集成布局先進封測業(yè)務，進一步提升了公司在封測端的能力。子公司建設情況：1）全資子公司電基集成注重車規(guī)級封測產(chǎn)線的建設，于2023年通過SGSIATF16949車規(guī)體系審核；2）控股子公司金蘭功率半導體（無錫）有限公司，主業(yè)為功率模塊的研發(fā)設計、生產(chǎn)與銷售。目前，金蘭半導體已完成建設第一條IGBT模塊封裝測試產(chǎn)線，產(chǎn)線所選用的機器設備均為近兩年世界上先進且技術成熟的封裝測試設備，滿產(chǎn)后可達到產(chǎn)能6萬個模塊/月。金蘭半導體計劃2024年開始按車規(guī)級要求升級產(chǎn)線，并逐步通過車規(guī)質(zhì)量體系IATF16949的審核；3）控股子公司國硅集成電路技術（無錫）有限公司，致力于智能功率集成電路芯片的設計，擁有完整的自主研發(fā)體系并掌握多項國內(nèi)領先的關鍵核心技術，應用市場已涵蓋汽車電子、光伏儲能、數(shù)據(jù)中心和工業(yè)控制等領域。公司與國硅集成聯(lián)合開發(fā)結(jié)合MOSFET創(chuàng)新、封裝創(chuàng)新、IC創(chuàng)新的智能功率集成產(chǎn)品，提高產(chǎn)品的領先性與技術門檻，增強產(chǎn)品的核心競爭力。從公司的主營業(yè)務收入構(gòu)成來看，溝槽型MOSFET和屏蔽柵MOSFET貢獻了公司的主要營收。屏蔽柵MOSFET是公司中低壓產(chǎn)品中替代國際一流廠商產(chǎn)品料號最多的產(chǎn)品工藝平臺，受市場波動影響也較大，2023年公司一方面持續(xù)加大研發(fā)投入，持續(xù)實現(xiàn)產(chǎn)品迭代與型號拓展；另一方面主動參與市場價格競爭，給客戶提供更具性價比的產(chǎn)品方案，提高客戶的黏性，促進在重點領域的銷售規(guī)模和市場份額的擴大。溝槽型MOSFET作為公司量產(chǎn)時間最長的成熟工藝平臺，應用模式多樣、客戶群體廣泛，但市場波動對溝槽型MOSFET影響較大，公司積極采取讓利保市場的策略。根據(jù)公司公告，2023年溝槽型MOSFET和屏蔽柵MOSFET分別收入為4.54億和5.46億元，合計占2023年總營收的比重約68%。根據(jù)公司公告，2023年公司實現(xiàn)第四代高壓超級結(jié)MOSFET的迭代升級，產(chǎn)品系列型號齊全，已經(jīng)開始批量交付，2021~2023年超級結(jié)MOSFET占總收入的比重穩(wěn)定10%左右，2023年超級結(jié)MOSFET實現(xiàn)收入1.84億元，占比12.52%。公司的IGBT業(yè)務下游主要為光伏儲能領域客戶，2023年光伏客戶去庫存，整體處于供大于求的狀態(tài)，公司積極調(diào)整了產(chǎn)品結(jié)構(gòu)應對下游變化，拓寬了更多的應用領域，21/31行業(yè)|深度|研究報告 加大了對于變頻、小家電、工業(yè)自動化、汽車等領域的銷售力度，但受光伏、儲能需求下滑的影響，銷售占比由2022年的22.33%下降至2023年的18.09%，實現(xiàn)收入2.66億元。從下游應用領域來看，2023年，公司在工控自動化領域的銷售占比提升至35%，汽車電子領域的銷售占比提升至15%。光伏儲能領域受海外需求下滑的影響，同時國內(nèi)外IGBT產(chǎn)品供應商的產(chǎn)能增加，市場供需關系發(fā)生變化，銷售占比由2022年的25%下降至17%。2023年公司積極挖掘原有市場客戶的合作機會，增強客戶黏性以促進更多料號導入；另一方面，公司積極探索新的下游應用領域，在新能源汽車、光伏儲能、AI服務器和數(shù)據(jù)中心、無人機等重點新興應用領域加大投入。在新能源汽車領域，公司已覆蓋比亞迪汽車的全系列車型，在國產(chǎn)供應商份額中處于領先地位并不斷放量，與聯(lián)合電子、伯特利等tier1廠商深入合作，導入到哈曼卡頓、法雷奧等國際tier1廠商。同時，公司對理想、蔚來、小鵬、極氪、上汽、吉利等十余家車企的出貨規(guī)模也在穩(wěn)步提升；在22/31行業(yè)|深度|研究報告 AI服務器領域，公司于2H23在行業(yè)頭部大客戶實現(xiàn)批量銷售，預計2024年將進一步放大銷售規(guī)模。在其他新興領域，公司與大疆無人機、臥龍電驅(qū)、商絡電子等客戶也在不斷加強合作。在技術研發(fā)創(chuàng)新方面，2023年公司研發(fā)投入8,731.42萬元，占營收比重5.91%。截至4M24，公司共有專利196項，其中發(fā)明專利86項（不含已到期專利）。2023年全年新增產(chǎn)品600余款，細分產(chǎn)品型號合計達3000余款。華潤微電子有限公司是擁有芯片設計、掩模制造、晶圓制造、封裝測試等全產(chǎn)業(yè)鏈一體化運營能力的IDM半導體企業(yè)。公司是華潤集團旗下負責微電子業(yè)務投資、發(fā)展和經(jīng)營管理的高科技企業(yè)，曾先后整合華科電子、中國華晶、上華科技等中國半導體企業(yè)。華潤微堅持以“長三角+成渝雙城+大灣區(qū)”的兩江三地布局，業(yè)務范圍遍布無錫、上海、重慶、香港、東莞和深圳等地。目前公司有四大事業(yè)群：23/31行業(yè)|深度|研究報告 華潤矽威、華潤矽科、華潤半導體主要從事芯片設計，無錫華潤上華主要從事晶圓制造業(yè)務，華潤安盛、華潤賽美科、矽磐微電子、華潤潤安等主要從事封裝測試業(yè)務。華潤華晶、重慶華微從事功率半導體產(chǎn)品的設計、研發(fā)、制造及銷售服務，其業(yè)務涉及芯片設計、晶圓制造、封裝測試多個環(huán)節(jié)。隸屬華潤集團，大基金為二股東。公司第一大股東是華潤集團（微電子）有限公司，持股66.41%；國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金持股4.45%。華潤集團由國務院國資委直接監(jiān)管，業(yè)務涵蓋大消費、綜合能源、城市建設運營、大健康、產(chǎn)業(yè)金融、科技及新興產(chǎn)業(yè)6大領域。24/31行業(yè)|深度|研究報告 華潤微營收及歸母凈利潤整體增長穩(wěn)健。2018-2023年，公司營收CAGR達9.56%，歸母凈利潤CAGR達28.06%。4Q23盈利能力修復。在行業(yè)景氣度下行階段，公司積極降本增效，同時不斷優(yōu)化產(chǎn)品結(jié)構(gòu)，4Q23公司歸母凈利潤實現(xiàn)環(huán)增52.1%，凈利率環(huán)比提升5.89pct。25/31行業(yè)|深度|研究報告 華潤微重視研發(fā)。根據(jù)公司財報，公司研發(fā)投入從2018年4.5億元增長至2023年11.54億元，研發(fā)費用率從7.2%提升至11.7%。1Q24公司研發(fā)費用達13.5%。截至2023年末，公司已獲得授權的專利共計2202項，其中發(fā)明專利1838項，占專利總數(shù)的83.5%。公司掌握了一系列具有自主知識產(chǎn)權的核心技術。大部分核心技術均為國內(nèi)領先，其中溝槽型SBD設計及工藝技術、光電耦合和傳感系列芯片設計和制造技術及BCD工藝技術國際領先。華潤微產(chǎn)品與方案業(yè)務聚焦于功率半導體（功率器件與功率IC）、智能傳感器與智能控制領域，主要由華潤華晶、重慶華微、華潤矽科、華潤矽威、華潤半導體等子公司運營。公司主要產(chǎn)品包括以MOSFET、IGBT、第三代寬禁帶半導體為代表的功率半導體產(chǎn)品，以光電傳感器、煙報傳感器、MEMS傳感器為主的傳感器產(chǎn)品，和以MCU為代表的智能控制產(chǎn)品等。26/31行業(yè)|深度|研究報告 江蘇捷捷微電子股份有限公司創(chuàng)建于1995年，是一家專業(yè)從事半導體分立器件、電力電子元器件研發(fā)、制造和銷售的江蘇省高新技術企業(yè)，同時也是國內(nèi)生產(chǎn)“方片式”單、雙向可控硅最早及品種最齊全的廠家之一。公司是集功率半導體器件、功率集成電路、新型元件的芯片研發(fā)和制造、器件研發(fā)和封測、芯片及器件銷售和服務為一體的功率半導體器件制造商和品牌運營商，主要采用IDM模式。主要產(chǎn)品包括晶閘管器件和芯片、防護類器件和芯片、二極管器件和芯片、厚膜組件、晶體管器件和芯片、MOSFET器件和芯片、IGBT器件及組件、碳化硅器件等。公司持續(xù)拓寬產(chǎn)品結(jié)構(gòu)、應用領域和客戶結(jié)構(gòu)，積極布局有特色的FRD、高端整流器產(chǎn)品線。公司持續(xù)推進MOSFET、IGBT、碳化硅、氮化鎵等新型電力半導體器件的研發(fā)和推廣。MOSFET產(chǎn)品著力于Trench、SGT、SuperJunction、超高壓PlanarMOSFET等關鍵核心技術，致力于打造低功耗技能節(jié)能環(huán)保和高頻高效功率器件。車規(guī)級芯片聚焦于DFN、LFPACK、TOLL等級大功率器件，持續(xù)推進“功率半導體‘車規(guī)級?封測產(chǎn)業(yè)化項目”。公司加大對SGTMOS、SJMOS、先進整流器等項目研發(fā)，持續(xù)拓寬產(chǎn)品結(jié)構(gòu)、應用領域和客戶結(jié)構(gòu)，逐步擴大市場份額。同時，積極布局有特色的FRD、高端整流器產(chǎn)品線，進一步實現(xiàn)輕薄小、更大電流、更高功率密度和更低功耗等性能，拓展在新能源汽車、光伏、風電、電焊機、各類變頻電源等領域的應用。積極拓展產(chǎn)品型號，海外市場進展順利。公司積極研發(fā)車規(guī)級功率半導體防護器件的產(chǎn)品系列，布局有特色的FRD、高端整流器產(chǎn)品線，進一步擴大在新能源汽車、光伏、風電、通訊設備等領域的應用，打造功率半導體IDM全產(chǎn)業(yè)鏈，多核心技術及強行業(yè)布局有望帶來多條業(yè)績增長曲線。此外，公司產(chǎn)品也得到了國外知名廠商的認可，公司產(chǎn)品現(xiàn)已出口至韓國、日本、西班牙等。公司有多個半導體項目正在穩(wěn)步推進中。公司“高端功率半導體器件產(chǎn)業(yè)化項目”（一期）基礎設施及配套等建設已完成，二期部分設備正在逐步投入。目前該項目每月出片6W片，未來加上二期項目總出片量有望達到8W片/月。公司“功率半導體6英寸晶圓及器件封測生產(chǎn)線”項目正在設備進場及調(diào)試，計劃采用深Trench刻蝕及填充工藝、高壓等平面終端工藝服務晶閘管業(yè)務，擴大現(xiàn)有防護器件產(chǎn)能并計劃生產(chǎn)更高端的二極管和IGBT小信號模塊，項目已于23年三季度投產(chǎn)，產(chǎn)能處于爬坡階段，未來達27/31行業(yè)|深度|研究報告 產(chǎn)預計形成6英寸晶圓100萬片/年及100億只/年功率半導體封測器件的產(chǎn)業(yè)化能力。公司還擁有功率半導體“車規(guī)級”封測產(chǎn)業(yè)化項目，旨在布局車規(guī)級大功率器件的研發(fā)、生產(chǎn)及銷售，目前廠房已封頂，基礎配套建設正在實施中，該項目預計將于24年底完成。項目計劃建設年產(chǎn)1900kk車規(guī)級大功率器件DFN系列產(chǎn)品、120kk車規(guī)級大功率器件TOLL系列產(chǎn)品、90kk車規(guī)級大功率器件LFPACK系列產(chǎn)品以及60kkWCSP電源器件產(chǎn)品的生產(chǎn)能力，項目達產(chǎn)后預計形成20億元的銷售規(guī)模。此外，公司控股子公司致力于硅基IGBT及寬禁帶等新型功率器件的設計研發(fā)，助力功率芯片國產(chǎn)化。目前正在進行650V和1200V兩個電壓平臺的產(chǎn)品研發(fā)，并已實現(xiàn)小批量銷售，2023年預計實現(xiàn)營收1000-2000萬元，后期會進入高端產(chǎn)品的領域，逐步實現(xiàn)國產(chǎn)替代。展望未來，公司多個項目的逆勢布局將有望于上行周期為公司業(yè)績釋放利潤彈性。2024年全球功率半導體市場預計增長20%左右，規(guī)模有望擴大至522億美元，公司打造功率半導體IDM全產(chǎn)業(yè)鏈布局。隨著消費電子市場逐步回暖，晶圓廠商去庫存逐步完成，全球半導體市場在2023年下半年逐漸復蘇。Omdia預測，預計至2024年全球功率半導體市場會逐漸回歸增長軌道，規(guī)模有望擴大至522億美元，增速有望達到20%。公司通過收購捷捷南通科技的少數(shù)股權，增強公司在高端功率半導體芯片的設計和晶圓制造領域的研發(fā)、制造及銷售等方面的協(xié)同，打造功率半導體IDM全產(chǎn)業(yè)精耕高功率應用領域十余年，功率器件產(chǎn)品矩陣逐步豐富。功率器件屬于特色工藝產(chǎn)品，在制程方面不追求極致的線寬，而追求卓越的器件結(jié)構(gòu)設計、工藝開發(fā)能力，公司重視底層器件結(jié)構(gòu)創(chuàng)新，持續(xù)豐富產(chǎn)品矩陣，目前已覆蓋高壓超級結(jié)MOSFET、中低壓屏蔽柵MOSFET、超級硅MOSFET、TGBT、SiC器件等產(chǎn)品。下游應用領域包括以車載、直流充電樁、光伏逆變器、工業(yè)及通信電源為代表的工業(yè)級應用領域，以及以手機快速充電器、電源、電源板為代表的消費電子應用領域。2023年因功率半導體海外龍頭廠商加大中國市場競爭力度，國內(nèi)產(chǎn)能進一步釋放，產(chǎn)品價格呈明顯下降趨勢，行業(yè)競爭加劇。在此行業(yè)背景下，公司持續(xù)豐富應用場景，拓展終端客戶。年報披露，公司2023年在新能源汽車車載充電機、直流充電樁、工業(yè)及通信電源（含5G基站、數(shù)據(jù)中心以及服務器電源等）、光伏逆變及儲能、工業(yè)照明、消費電子等領域持續(xù)發(fā)力，客戶群體不斷拓展。充電樁領域，公司持續(xù)批量出貨給特來電、永聯(lián)科技、高斯寶、英飛源、優(yōu)優(yōu)綠能、陽光電動力等公司，保持在該市場的主導地位；數(shù)據(jù)中心領域，公司批量出貨給維諦技術、金升陽等應用于服務器電源、通信電源和基站電源領域的公司；光伏領域，公司批量出貨給昱能科技、禾邁股份、EnphaseEnergy、固德威、沃太能28/31行業(yè)|深度|研究報告 源、英威騰、愛士惟等公司；高密度電源領域，公司批量進入中車株洲、航嘉馳源、EnphaseEnergy、禾邁股份、首航新能源、拓邦股份、金升陽等客戶。加大研發(fā)投入力度，三代半業(yè)務進展快速：公司積極布局基于第三代功率半導體器件，年報披露，公司已開發(fā)出SiC二極管，并發(fā)明具有自主知識產(chǎn)權的Si2CMOSFET。其中，Si2CMOSFET已通過客戶的驗證并實現(xiàn)小批量供貨，應用領域包括新能源汽車車載充電機、光伏逆變及儲能、高效率通信電源、數(shù)據(jù)中心服務器高效率電源等，實現(xiàn)了對采用傳統(tǒng)技術路線的SiCMOSFET的替代，市場前景廣闊。報告期內(nèi)，公司研究開發(fā)的基于18V~20V驅(qū)動平臺的1200VSiCMOSFET完成自主設計流片和可靠性評估工作，同時，基于15V驅(qū)動平臺的SiCMOSFET已經(jīng)進入內(nèi)部驗證階段。公司致力于發(fā)展全球客戶，目前在歐洲市場進展良好，產(chǎn)品送測認證至電動工具、新能源汽車車載充電機、工業(yè)電源、工業(yè)控制、家電、工業(yè)照明等領域，并實現(xiàn)了批量出貨。29/31行業(yè)|深度|研究報告 2016-2018年周期：2016年末，美國功率制造商Diodes晶圓廠發(fā)生火災，影響了全球二、三極管的供應，疊加2017年指紋識別芯片訂單旺盛，8寸晶圓廠產(chǎn)能緊缺，適逢新能源汽車風口，供不應求，功率半導體交貨周期大幅拉長。2020-2022年周期：2020年下半年起，受光伏市場影響，國內(nèi)功率半導體需求呈現(xiàn)高景氣特征，疊加新冠疫情導致產(chǎn)能不足的因素，供求出現(xiàn)顯著錯配。2021年至2022年，功率半導體市場繁榮，相關功率半導體龍頭公司紛紛宣布提價，國內(nèi)功率廠商順勢而上。2022年以來，由于光伏儲能行業(yè)錯判海外預期，階段性產(chǎn)能過剩，功率半導體市場行情回落，供需反轉(zhuǎn)并大幅降價；加之消費電子市場疲軟大背景下，庫存去化成為功率半導體市場近兩年主旋律。以價換量清庫存，交期縮短趨勢明顯。下行周期各廠商庫存積壓嚴重，以價換量庫存去化策略下整體市場價格持續(xù)走低。芯查查的價格指數(shù)在1-5月高于100基準線，價格高于2022年同期，除10月小幅回漲外，6-12月價格跌破基準線，價格行情低于2022年同期；交期指數(shù)2023年也呈下降趨勢，下降幅度略緩于價格指數(shù)，從2023年2月逐步縮短，貨品流通速度快。30/31行業(yè)|深度|研究報告 行業(yè)估值觸底，上行空間廣闊。對比分立器件（申萬）指數(shù)從2012-2024年的市盈率走勢，從周期低點來看，周期市盈率低點基本徘徊于30倍左右，而功率半導體已于2022年10月觸及低點32倍，目前徘徊于40倍區(qū)間，功率半導體行業(yè)處于周期底部低位。從周期高點來看，2015年市盈率高點166.94倍對比2012年低點29.01倍增長約475.46%，2020年市盈率高點119.73倍對比2018年低點28.95倍增長約313.58%，反彈空間巨大。未來AI對電力的需求飆升，需要更高功率、更高能效的電力電子設備去支撐，AI或?qū)⒊蔀轵?qū)動功率半導體下一輪景氣周期的結(jié)構(gòu)性增長動力，功率半導體行業(yè)未來估值或具備更大上行空間。從海內(nèi)外功率廠商的對比來看，功率廠商的成長發(fā)展路徑極為相似，大力進軍車規(guī)級功率產(chǎn)品和第三代半導體是未來功率企業(yè)的發(fā)展主旋律。隨著新能源車全球普及加速，功率密度標準持續(xù)提