2023年半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)洞察報(bào)告

2023年半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)研究2024.031

行業(yè)概述

23

行業(yè)特征

45

二級(jí)市場(chǎng)表現(xiàn)

67

總結(jié)及行業(yè)展望行業(yè)規(guī)模產(chǎn)業(yè)鏈分析半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)投資事件分析目錄資料來(lái)源：創(chuàng)咖資本整理半導(dǎo)體設(shè)備可分為前道設(shè)備（晶圓制造）和后道設(shè)備（封裝與測(cè)試）兩大類。前道設(shè)備涉及硅片加工、光刻、刻蝕、離子注入、薄膜沉積、

清洗、拋光、金屬化等工藝，所對(duì)應(yīng)的核心專用設(shè)備包括硅片加工設(shè)備、光刻設(shè)備、刻蝕設(shè)備、清洗設(shè)備、離子注入設(shè)備、薄膜沉積設(shè)備、機(jī)械拋光設(shè)備、量測(cè)設(shè)備等。后道設(shè)備則包括封裝設(shè)備和測(cè)試設(shè)備。半導(dǎo)體設(shè)備是用于半導(dǎo)體生產(chǎn)流程中使用的各種設(shè)備的統(tǒng)稱，這些設(shè)備不僅具有高度的技術(shù)含量和復(fù)雜性，

而且要求高度穩(wěn)定性、高效率和

高度自動(dòng)化。半導(dǎo)體設(shè)備的出現(xiàn)和改進(jìn)對(duì)于半導(dǎo)體工業(yè)的發(fā)展和技術(shù)的進(jìn)步起到了至關(guān)重要的作用。1、行業(yè)概述——行業(yè)定義隨著中美貿(mào)易摩擦的加速，半導(dǎo)體全供應(yīng)鏈國(guó)產(chǎn)化勢(shì)在必行。在需求拉動(dòng)和國(guó)產(chǎn)替代浪潮的推動(dòng)下，伴隨著國(guó)家政策和產(chǎn)業(yè)投資基金不斷的落實(shí)與實(shí)施，如加大資金支持、出臺(tái)稅收優(yōu)惠政策、加強(qiáng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)保護(hù)等，這些都有助于半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)的持續(xù)發(fā)展，半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)迎來(lái)巨大的發(fā)展契機(jī)。未來(lái)幾年我國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)仍將保持高速增長(zhǎng),

未來(lái)半導(dǎo)體設(shè)備技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)主要有以下兩個(gè)、個(gè)方面:

向高精密化與高集成化方向發(fā)展?隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷進(jìn)步，半導(dǎo)體器件集成度不斷提高。

一方面，芯片工藝節(jié)點(diǎn)不斷縮小，且還在向更先進(jìn)

的方向發(fā)展，另

一方面晶圓的尺寸卻不斷擴(kuò)大。?

半導(dǎo)體署件的結(jié)構(gòu)也趨于復(fù)雜，通過(guò)增加立體層數(shù)，解決平面上難以微縮的工藝問(wèn)題。這些對(duì)半導(dǎo)體專用設(shè)備的精密度與穩(wěn)定性的要求越來(lái)越高，未來(lái)半導(dǎo)體設(shè)備將

向高精密化與高集成化方向發(fā)展。各技術(shù)等級(jí)設(shè)備并存?

考慮到半導(dǎo)體芯片的應(yīng)用極其廣泛，不同應(yīng)用領(lǐng)域?qū)π酒男阅芤蠹凹夹g(shù)參數(shù)要求差異較大，不同技術(shù)等級(jí)的芯片需求大量并存，這決定了不同技術(shù)等級(jí)的半導(dǎo)體專用設(shè)備均存在市場(chǎng)需求。?未來(lái)隨著半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)的持續(xù)發(fā)展，適用于

12

英寸晶圓以及更先進(jìn)工藝的半導(dǎo)體專用設(shè)備需求將以更快的速度成長(zhǎng)，但高、中、低各類技術(shù)等級(jí)的設(shè)備均有其對(duì)應(yīng)

的市場(chǎng)空間，短期內(nèi)將持續(xù)并存發(fā)展。1

、

行業(yè)概述——發(fā)展背景發(fā)布日期政策名稱主要內(nèi)容2022年10月《虛擬現(xiàn)實(shí)與行業(yè)應(yīng)用融合發(fā)展行動(dòng)

計(jì)劃(2022

2026年)》重點(diǎn)推動(dòng)Fast-LCD、硅基0LED

、MicroLED等微顯示技術(shù)升級(jí)，

發(fā)展言性能自由曲面、

BirdBath光學(xué)模組、陣列與衍射光波導(dǎo)等器件，開展輻

揍調(diào)節(jié)沖突緩解、光場(chǎng)顯示等前瞻領(lǐng)域研發(fā)，加快近眼顯示向高分辨率、大視場(chǎng)角、輕薄小型化方向發(fā)展。2022年6月《深圳市培育發(fā)展半導(dǎo)體與集成電路

產(chǎn)業(yè)集群行動(dòng)計(jì)劃（2022-2025年)》大力引進(jìn)技術(shù)領(lǐng)先的半導(dǎo)體設(shè)備企業(yè),推進(jìn)檢測(cè)設(shè)備、清洗設(shè)備等高端設(shè)備部件和系統(tǒng)集成開展持續(xù)研發(fā)和技術(shù)攻關(guān)，支持探索行業(yè)前匯技術(shù)

。對(duì)進(jìn)入知名集成電路制造企業(yè)供應(yīng)鏈.

進(jìn)行量產(chǎn)應(yīng)用的國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體材料、設(shè)備及零部件給子支持。2021年12月《

“

十四五

”

數(shù)字經(jīng)濟(jì)發(fā)展規(guī)劃》在“

數(shù)字技術(shù)創(chuàng)新突破工程

”

方面,提出要搶先布局前治技術(shù)融合創(chuàng)新，推進(jìn)前治學(xué)科和交叉研究平臺(tái)建設(shè),

重點(diǎn)布局下一代移動(dòng)通信技術(shù)、量

子信息、第三代半導(dǎo)體等新興技術(shù)。推動(dòng)信息、生物、材料、能源等領(lǐng)域技術(shù)融合和群體性突破。2021年12月《十四五

“

國(guó)家信息化規(guī)劃》完成信息領(lǐng)域核心技術(shù)突破，加快集成電路關(guān)鍵技術(shù)攻關(guān)。推動(dòng)計(jì)算芯片、存儲(chǔ)芯片等創(chuàng)新,加快集成電路設(shè)計(jì)工具、重點(diǎn)裝備和高純郭材等

關(guān)鍵材料研發(fā),推動(dòng)絕緣柵雙極型晶體管、微機(jī)電系統(tǒng)等特色工藝突破。2021年3月《中華人民共和國(guó)國(guó)民經(jīng)濟(jì)和社會(huì)發(fā)

展第十四個(gè)五年規(guī)劃和2035年遠(yuǎn)景目標(biāo)綱要》攻關(guān)集成電路領(lǐng)域:集成電路設(shè)計(jì)工具、重點(diǎn)裝備和高純靶材等關(guān)錢材料研發(fā):集成電路先進(jìn)工藝和絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)

、微機(jī)電系統(tǒng)

(EmS)等特色工藝突破,

先進(jìn)存儲(chǔ)技術(shù)升級(jí),碳化硅、氮化稼等賓禁帶半導(dǎo)體發(fā)展。2020年8月《國(guó)務(wù)院關(guān)于印發(fā)新時(shí)期促進(jìn)集成電

路產(chǎn)業(yè)和軟件產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展若干政策的通知》提出為進(jìn)一步優(yōu)化集成電路產(chǎn)業(yè)和軟件產(chǎn)業(yè)發(fā)展環(huán)境.

深化產(chǎn)業(yè)國(guó)防合作,提升產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新能力和發(fā)展質(zhì)量,制定出臺(tái)了關(guān)于財(cái)稅、投融資、研究開

發(fā)、進(jìn)出口、人才、知識(shí)產(chǎn)權(quán)、市場(chǎng)應(yīng)用、國(guó)際合作等八個(gè)方面的政策措施。2020年7

月《新時(shí)期促進(jìn)集成電路產(chǎn)業(yè)和軟件產(chǎn)

業(yè)高質(zhì)量發(fā)展若干政策》繼續(xù)實(shí)施集成電路企業(yè)和軟件企業(yè)增值稅優(yōu)惠及企業(yè)所得稅政策，包括設(shè)計(jì)、裝備、材料、封裝、測(cè)試企業(yè)和軟件企業(yè)。近年來(lái)，中國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)受到各級(jí)政府的高度重視和國(guó)家產(chǎn)業(yè)政策的重點(diǎn)支持。國(guó)家陸續(xù)出臺(tái)了多項(xiàng)政策，鼓勵(lì)半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)發(fā)展與創(chuàng)新，為企業(yè)提供了良好的生產(chǎn)經(jīng)營(yíng)環(huán)境。具體情況列示如下：1

、

行業(yè)概述——政策助力資料來(lái)源：創(chuàng)咖資本整理?2023年中國(guó)大陸半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到創(chuàng)紀(jì)錄的342億美元，增長(zhǎng)8%，全球占比達(dá)到30.3%。預(yù)計(jì)2024年中國(guó)大陸半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模將

達(dá)到375億美元，增長(zhǎng)9.6%。?在全球其他地區(qū)設(shè)備市場(chǎng)陷入停滯甚至下滑的情況下，

中國(guó)大陸市場(chǎng)成為全球半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)主要增長(zhǎng)引擎。

一方面各大設(shè)備廠商營(yíng)收中，中國(guó)市場(chǎng)占比顯著提升；另一方面國(guó)產(chǎn)設(shè)備廠商營(yíng)收大增，且主要供應(yīng)國(guó)內(nèi)市場(chǎng)。受國(guó)際環(huán)境影響，預(yù)計(jì)2024年大陸頭部晶圓廠擴(kuò)產(chǎn)將更加積極。60%

342318269168

31%20202021202220232024F

市場(chǎng)規(guī)模

增長(zhǎng)率數(shù)據(jù)來(lái)源：

SEMI、創(chuàng)咖資本整理18%8%2、行業(yè)規(guī)模中國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模（億美元）60%50%40%30%20%10%0%3503002502001501005009.60%70%40037535030025020015010050032413.60%11.70%10.70%9.30%

2847.20%1565140251220202021

202220232024F16.00%14.00%12.00%10.00%8.00%6.00%4.00%2.00%0.00%

進(jìn)口設(shè)備

國(guó)產(chǎn)設(shè)備

國(guó)產(chǎn)化率?2023年國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備公司總體營(yíng)收增長(zhǎng)超17.6%，達(dá)到40億美元，設(shè)備國(guó)產(chǎn)化率達(dá)到11.7%；創(chuàng)咖資本預(yù)計(jì)2024年中國(guó)設(shè)備廠商營(yíng)收將進(jìn)一步增長(zhǎng)至51億美元，國(guó)產(chǎn)化率達(dá)到13.6%。?在國(guó)產(chǎn)替代的大趨勢(shì)下，

國(guó)內(nèi)設(shè)備廠商將從點(diǎn)式突破向縱、橫兩個(gè)維度加速拓展，設(shè)備產(chǎn)業(yè)將進(jìn)入全面高速發(fā)展的新階段。中國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備國(guó)產(chǎn)化率規(guī)模（億美元）前道設(shè)備：2023年晶圓廠設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模將較上年同期下降18.8%至764.3億美元，2024年晶圓廠設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模將增長(zhǎng)至878億美元，前道設(shè)備將成為半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)反彈的主要驅(qū)動(dòng)力。后道設(shè)備：受到宏觀經(jīng)濟(jì)環(huán)境的挑戰(zhàn)，半導(dǎo)體行業(yè)整體需求疲軟，2023年半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備市場(chǎng)較上年同期下降15%，到64億美元；封裝設(shè)備預(yù)計(jì)同比下降20.5%，達(dá)到46億美元。2021-2024年全球半導(dǎo)體設(shè)備環(huán)節(jié)市場(chǎng)規(guī)模及預(yù)測(cè)（億美元）■

mm

m2021年2022年2023年2024E

封裝設(shè)備

測(cè)試設(shè)備晶圓設(shè)備制造2、行業(yè)規(guī)?！袊?guó)和全球視角??14001200100080060040020001075925數(shù)據(jù)來(lái)源：

SEMI、創(chuàng)咖資本整理11551170244302342021年11月美國(guó)政府否決了英特爾中國(guó)的擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃美國(guó)政府阻止韓國(guó)存儲(chǔ)大廠海力士引進(jìn)EUV光刻機(jī)2022年7月美國(guó)禁止LAM（世界上最大的刻蝕公司）和科磊（世界

上最大的量測(cè)公司）兩家公司向中國(guó)出售14納米以下的設(shè)備2022年8月美國(guó)：美國(guó)簽署《芯片法案》，禁止受資助的企業(yè)10年內(nèi)向中國(guó)增產(chǎn)先進(jìn)制程半導(dǎo)體，同時(shí)對(duì)先進(jìn)制程的半導(dǎo)體設(shè)備進(jìn)行了限制。

其中美國(guó)的應(yīng)用材料和泛林分別是世界第一、第三大半導(dǎo)體設(shè)備公司，科磊是世界上最大的量測(cè)公司，對(duì)先進(jìn)制程生產(chǎn)線建設(shè)影響較大，尤其在刻蝕、薄膜沉

積、量測(cè)等領(lǐng)域2023年3月日本：2023年3月日本政府份發(fā)布了半導(dǎo)體設(shè)備出口管制政策，針對(duì)23類設(shè)備進(jìn)行管控，包括最核心的薄膜沉積、刻蝕和光刻設(shè)備。對(duì)中國(guó)影響大的主要是TEL的ALD等設(shè)備（刻蝕因?yàn)橹形⒑捅狈饺A創(chuàng)已有相當(dāng)?shù)幕A(chǔ)，光刻日本已經(jīng)落后于ASML，此兩部分影響相對(duì)較小）2023年6月荷蘭：2023年6月，荷蘭政府頒布先進(jìn)半導(dǎo)體設(shè)備出口管制新條例，管制范圍包括光刻機(jī)、ALD、外延設(shè)備及其附屬軟件和技術(shù)。主要限制類別如下：ALD

設(shè)備：部分ALD

設(shè)備受限（沉積Al

前驅(qū)體、TiAlC

和功函數(shù)高于4.0eV

的

金屬設(shè)備）外延（Epi）設(shè)備：具備特定參數(shù)的用于生長(zhǎng)硅、碳摻雜硅、硅鍺或碳摻雜硅鍺的外延設(shè)備2018年以來(lái)，美國(guó)對(duì)華半導(dǎo)體管制不斷加碼，從華為、中興、中芯國(guó)際等下游不斷向上游延伸。2022年7

月美國(guó)禁止LAM（世界上最大的刻蝕公

司）和科磊（世界上最大的量測(cè)公司）

兩家公司向中國(guó)出售14納米以下的設(shè)備。3

、

行業(yè)特征——美日荷半導(dǎo)體設(shè)備封鎖，倒逼國(guó)產(chǎn)化率快速提升美國(guó)及其盟友對(duì)半導(dǎo)體設(shè)備供應(yīng)相關(guān)管控政策數(shù)據(jù)來(lái)源：創(chuàng)咖資本整理半導(dǎo)體設(shè)備研發(fā)難度大，

涉及多個(gè)學(xué)科領(lǐng)域，

由成千上萬(wàn)個(gè)零部件組成，

同時(shí)產(chǎn)品驗(yàn)證周期較長(zhǎng)?！?/p>

制程變小

”+“硅片尺寸變大

”驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體技術(shù)進(jìn)步，帶動(dòng)半導(dǎo)體設(shè)備向先進(jìn)工藝制程迭代

。

其核心邏輯包括：

制程越小→

晶體管越小→相同面積上的元件數(shù)越多→性能越高→

產(chǎn)品越好

硅片直徑越大→硅片面積越大→

單個(gè)晶圓上芯片數(shù)量越多→

效率越高→

成本越低3

、

行業(yè)特征——半導(dǎo)體設(shè)備技術(shù)壁壘高，不斷向先進(jìn)工藝制程迭代?全球硅晶圓行業(yè)完成了從4英寸到12

英寸的迭代，目前以12寸晶圓為主從半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)鏈來(lái)看，其產(chǎn)業(yè)鏈上游主要是零部件及系統(tǒng)。中游主要是半導(dǎo)體設(shè)備，主要分為前道設(shè)備用于晶圓制造環(huán)節(jié)，

和后道設(shè)備用于封裝和測(cè)試環(huán)節(jié)。下游主要是半導(dǎo)體制造，主要公司包括華潤(rùn)微電子、水晶光電、賽微電子、士蘭微等。量測(cè)設(shè)備清洗設(shè)備熱處理設(shè)備刻蝕設(shè)備薄膜沉積設(shè)備

光刻設(shè)備

涂膠/顯影設(shè)備半導(dǎo)體制造商電源及氣體反應(yīng)系統(tǒng)后道設(shè)備核心子系統(tǒng)前道設(shè)備零部件4、產(chǎn)業(yè)鏈分析烘烤設(shè)備包裝設(shè)備打標(biāo)設(shè)備測(cè)試設(shè)備劃片設(shè)備封裝設(shè)備上游制程診斷系統(tǒng)氣液流量控制系統(tǒng)中游下游射頻發(fā)生器泵晶圓傳送系統(tǒng)反應(yīng)腔噴淋頭真空系統(tǒng)熱管理系統(tǒng)集成系統(tǒng)光學(xué)系統(tǒng)石英軸承陶瓷件邊緣環(huán)傳感器機(jī)械臂總體來(lái)看產(chǎn)業(yè)布局相對(duì)集中，由于設(shè)備制造對(duì)技術(shù)及資金的要求較高，因此主要分布在科研實(shí)力或生產(chǎn)技術(shù)較強(qiáng)、經(jīng)濟(jì)較發(fā)達(dá)地區(qū)。例如北京、上海、沈陽(yáng)、深圳等地區(qū)。上海:依托海外歸國(guó)技術(shù)人才，在光刻、刻蝕、光學(xué)檢

測(cè)等關(guān)鍵設(shè)備領(lǐng)域形成了一批優(yōu)質(zhì)的公司，同時(shí)也帶

動(dòng)了江蘇、浙江等地封測(cè)設(shè)備的發(fā)展北京:依托國(guó)有大型國(guó)資背景企業(yè)與科研院所，發(fā)力關(guān)鍵設(shè)備

的技術(shù)攻關(guān)中薇公司

盛美股份

凱世通至純科技

上海微電子

上海睿勵(lì)深圳：依托電子加工制造技術(shù)基礎(chǔ)，

發(fā)展起一批配套加工設(shè)備供應(yīng)商4、產(chǎn)業(yè)鏈分析——本土半導(dǎo)體設(shè)備廠商區(qū)域分布情況?

京創(chuàng)先進(jìn)

(蘇州)?

和林微納(蘇州）?

艾科瑞思(蘇州?

微導(dǎo)納米

(無(wú)錫)?

北方華創(chuàng)?

華峰測(cè)控?屹唐股份?

中電科45所?

北京中科信?

冠中集創(chuàng)?

中科飛測(cè)?

先進(jìn)微電子?

華騰半導(dǎo)體?

長(zhǎng)川科技（杭州）?

晶盛機(jī)電（紹興）浙江

深圳?華海清科

?

金海通?精測(cè)電子

天津

北京

武漢

上海沈陽(yáng)江蘇半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)中制造設(shè)備占比重高達(dá)85.6%。前道制造設(shè)備，

光刻機(jī)、刻蝕機(jī)、薄膜沉積設(shè)備是三大主設(shè)備，銷售額占比較高，合計(jì)占據(jù)4、產(chǎn)業(yè)鏈分析——產(chǎn)業(yè)鏈核心環(huán)節(jié)

其他過(guò)程檢測(cè)CMP清洗機(jī)熱處理設(shè)備離子注入機(jī)薄膜沉積設(shè)備刻蝕機(jī)涂膠顯影設(shè)備光刻機(jī)制造設(shè)備中，各設(shè)備占比情況60%以上的市場(chǎng)份額。資料來(lái)源：

SEMI、創(chuàng)咖資本整理代數(shù)對(duì)應(yīng)設(shè)備制程節(jié)點(diǎn)波長(zhǎng)g-line第一代接觸式/接近式光刻

機(jī)800-250nm436nm405nmh-line第二代接觸式/接近式光刻

機(jī)800-250nm365nmi-line第三代掃描投影光刻機(jī)180.13nm248nmKrF第四代浸入步入式/步進(jìn)投

影式光刻機(jī)457nm/130-

65nm193nmArF157nmF2193nm(等效

134nm)ArF+immersion第五代極紫外式光刻機(jī)7-3nm13.5nm?

光刻的作用是將電路圖形信息從掩膜板上保真?zhèn)鬏?、轉(zhuǎn)印到半導(dǎo)體材料襯底上。?

光刻基本原理是利用涂抹在襯底表面的光刻膠

的光化學(xué)反應(yīng)作用，記錄掩膜板上的電路圖形，

從而將集成電路圖形轉(zhuǎn)印到襯底上。光源類型汞燈光源汞燈光源DUV光源EOV光源光刻是決定集成電路集成度的核心工序，決定了芯

片關(guān)鍵尺寸。光刻機(jī)是集成電路制造中難度最高的

設(shè)備。光刻技術(shù)經(jīng)歷五代技術(shù)進(jìn)步，由最早的普通光源到193nm波長(zhǎng)的DUV光，目前最先進(jìn)波長(zhǎng)為13.5nm，制程節(jié)點(diǎn)提高到7-3nm。4、產(chǎn)業(yè)鏈分析——光刻機(jī)決定芯片制程的關(guān)鍵表：光刻設(shè)備發(fā)展歷程圖：光刻原理示意圖設(shè)備類型

相關(guān)國(guó)產(chǎn)企業(yè)干法刻蝕CCP中國(guó)電科、北方華創(chuàng)、中微公司、屹唐半導(dǎo)體ICP中國(guó)電科、北方華創(chuàng)、中微公司、屹唐半導(dǎo)體、

東方中科、北京創(chuàng)世威納濕法刻蝕/中國(guó)電科、北方華創(chuàng)、芯源微、華林科納?

刻蝕分為濕法刻蝕和干法刻蝕。濕法刻蝕各向異性較差，側(cè)壁容易產(chǎn)生橫向刻蝕造成刻蝕偏差，通常用于工藝尺寸較大的應(yīng)用，

或用于干法刻蝕

后清洗殘留物等。?

干法刻蝕是目前主流的刻蝕技術(shù)，其中以等離子體干法刻蝕為主導(dǎo)。干法刻蝕是指用氣態(tài)的化學(xué)刻蝕劑與多余部分材料發(fā)生反應(yīng)，形成可揮發(fā)物

質(zhì)從而去掉多余部分。國(guó)內(nèi)刻蝕設(shè)備是我國(guó)相對(duì)有優(yōu)勢(shì)的半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)

域，是國(guó)產(chǎn)替代占比最高的重要半導(dǎo)體設(shè)備之一?？涛g的目的是把圖形從光刻膠轉(zhuǎn)移到待刻蝕的薄膜上，即有選擇性地去掉薄層上不需要的部分。4、產(chǎn)業(yè)鏈分析——形成立體結(jié)構(gòu)的核心設(shè)備，干法刻蝕是主流圖：刻蝕技術(shù)分類及優(yōu)劣勢(shì)圖：國(guó)內(nèi)刻蝕設(shè)備典型企業(yè)沉積原理物理氣相沉積化學(xué)氣相反應(yīng)化學(xué)表面飽和反應(yīng)沉積過(guò)程成核生長(zhǎng)成核生長(zhǎng)逐層飽和反應(yīng)沉積速度快

快慢均勻性控制能力5nm左右0.5-2nm0.07-0.1nm薄膜質(zhì)量化學(xué)配比一般，針孔數(shù)量高，應(yīng)力控制有限具有很好的化學(xué)配比，針孔數(shù)量少，具有應(yīng)力控

制能力具有很好的化學(xué)配比，針孔數(shù)量較少，具有應(yīng)力控制能力階梯覆蓋能力弱

中強(qiáng)工藝環(huán)境（溫度、壓強(qiáng)、劉暢等）對(duì)真空度的要求較高，鍍膜是有方向性對(duì)工藝參數(shù)的變化較為敏感基于表面化學(xué)飽和反應(yīng)，工藝參數(shù)可調(diào)節(jié)范圍較大PVD是指采用物理的方法，如真空蒸發(fā)、濺射鍍膜、離子體鍍膜和分子束外延等，其中濺

射鍍膜應(yīng)用最廣。CVD是指采用化學(xué)的方法，多種氣相狀態(tài)反應(yīng)物在一定溫度和氣壓下發(fā)生化學(xué)反應(yīng)生成固態(tài)物質(zhì)沉積在襯底材料表面。廣泛應(yīng)用于絕緣介質(zhì)薄膜

(如SiO2

、

Si3N4

、SiON等)

和金屬薄膜

(如鎢)的生長(zhǎng)。ALD是化學(xué)氣相沉積中一種特殊的工藝。通過(guò)將兩種或多種前驅(qū)物交替通過(guò)襯底表面，發(fā)生化學(xué)吸附反應(yīng)逐層沉積在襯底表面，能對(duì)復(fù)雜形貌基底表面全覆蓋成膜?？梢詫?shí)現(xiàn)高深

寬比、極窄溝槽開口的優(yōu)異臺(tái)階覆蓋率及精確薄膜厚度控制。薄膜沉積：

采用物理或化學(xué)的方法使物質(zhì)附著于襯底表面，形成薄膜。根據(jù)工作原理不同，可以分為化學(xué)氣相沉積

(CVD)和物理氣相沉積

(PVD)。此外還會(huì)少量使用電鍍、蒸發(fā)等其他工藝。根據(jù)

工藝特性，ALD（原子層沉積）

屬于CVD技術(shù)的

一種，用于精細(xì)度要求較高的沉積。4、產(chǎn)業(yè)鏈分析——薄膜沉積設(shè)備形成膜層的關(guān)鍵資料來(lái)源:微導(dǎo)納米公告，創(chuàng)咖資本整理技術(shù)路線對(duì)比ALDCVDPVD公司名稱市值（2023/12/29）市值（2023/01/03）變化幅度北方華創(chuàng)1302.61217.27.01%中微公司951.2615.654.51%盛美上海454.9351.829.30%長(zhǎng)川科技236.8275.2-13.95%拓荊科技433.0282.753.17%華海清科298.3248.719.93%富創(chuàng)精密163.7239.1-31.54%芯源微184.2148.524.08%華峰測(cè)控166.2253.2-34.36%至純科技99.4124.9-20.43%微導(dǎo)納米177.2124.742.04%易天股份58.327.5111.78%由于篇幅限制，以下所

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感興趣的

融資信息和PDF版完整分析報(bào)告小伙伴可以選取A股19家2023年以前上市的半導(dǎo)體設(shè)備上市公司，從2023年第一個(gè)交易日的收盤市值，到2023年最后一個(gè)交易日，有9家公司的市值出現(xiàn)

下滑，占比達(dá)到31.6%。個(gè)別公司市值出現(xiàn)超過(guò)50%的上漲，這部分公司數(shù)量占比達(dá)到21%。5、二級(jí)市場(chǎng)表現(xiàn)機(jī)會(huì)——市值變化公司名稱2023E營(yíng)收2023E凈利潤(rùn)P/SP/E北方華創(chuàng)209.8837.666.234.6中微公司62.2616.615.357.3盛美上海39.688.7511.552.0長(zhǎng)川科技22.381.0410.6227.7拓荊科技28.415.0415.285.9華海清科26.757.611.239.3富創(chuàng)精密21.332.57.765.5芯源微18.982.879.764.2華峰測(cè)控8.473.5819.646.4至純科技38.124.22.623.7微導(dǎo)納米16.562.1210.783.6由于篇幅限制，

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完整融資信息和PDF版完整分析報(bào),感興趣的小伙伴可以告平均數(shù)12.173.1中位數(shù)11.364.8選取A股18家半導(dǎo)體設(shè)備賽道可獲取2023年?duì)I收和凈利潤(rùn)預(yù)測(cè)數(shù)據(jù)的上市公司，根據(jù)這些上市公司的營(yíng)收和凈利潤(rùn)算動(dòng)態(tài)P/S和P/E，

經(jīng)計(jì)算，P/S的區(qū)間在11.3-12.1倍，P/E的區(qū)間在64.8-73.1倍。5、二級(jí)市場(chǎng)表現(xiàn)機(jī)會(huì)?2023年1月1日到12月31日，據(jù)不完全統(tǒng)計(jì)，半導(dǎo)體設(shè)備投資事件超百起，

其中前道設(shè)備共23起分別為：薄膜沉積設(shè)備

3起、測(cè)量設(shè)備2起、光刻設(shè)備2起、刻蝕設(shè)備10起、清洗設(shè)備2起、顯影設(shè)備4起。后道設(shè)備共85起分別為：封裝設(shè)備54起、測(cè)試設(shè)備29起、劃片設(shè)備2起。?根據(jù)數(shù)據(jù)研究發(fā)現(xiàn)，天使輪占比4%，A輪占比58%，B輪占比12%。占整個(gè)融資事件比例超二分之

一

。C輪及后期占比17%其中上市占比4%A

、B輪占比達(dá)到70%，說(shuō)明投資機(jī)構(gòu)今年更傾向于成長(zhǎng)期半導(dǎo)體設(shè)備項(xiàng)目進(jìn)行投資布局。C輪13%A輪B輪

58%11%6

、2023年半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)投資事件分析

天使/種子

A輪

B輪備注：

其中A輪包括A,A+,Pre-AD輪

4%IPO4%其他天使/種

子6%項(xiàng)目名稱行業(yè)領(lǐng)域投資輪次投資時(shí)間投資金額投資方傳芯半導(dǎo)體光刻設(shè)備A輪2023.7.31未披露正業(yè)宏源,

吉六零基金,

臨港科創(chuàng)投,

燕創(chuàng)資本,

易科匯資本,衍盈投資,超越摩爾投

資,

中芯聚源,

紅榕資本,

方富創(chuàng)投圖雙精密裝備光刻設(shè)備B輪2023.1.16未披露十月資本,

國(guó)金鼎興,

蘇民投,

海通開元,

斐懷投資,上海知識(shí)產(chǎn)權(quán)基金單色科技刻蝕設(shè)備A輪2023.9.5數(shù)千萬(wàn)人民幣知識(shí)城集團(tuán),

沁泉資本稷以科技刻蝕設(shè)備E輪2023.10.9數(shù)億人民幣拓荊科技,金鼎資本,

合肥產(chǎn)投集團(tuán),

盛石資本,

馮源資本,

晶凱資本,銀泰華盈,

翌昕

投資,

中芯聚源,上海仁毅原磊納米刻蝕設(shè)備A輪2023.11.13未披露豐年資本,彬復(fù)資本,

源來(lái)資本,

尚頎資本微蕓半導(dǎo)體刻蝕設(shè)備A輪2023.2.2數(shù)千萬(wàn)人民幣諾延資本,

臨芯投資嘉芯半導(dǎo)體刻蝕設(shè)備Pre-A輪2023.7.10未披露比亞迪君原電子刻蝕設(shè)備B+輪2023.7.26未披露國(guó)方創(chuàng)新B輪2023.3.10未披露石溪資本,

深重投,三行資本眾能光電刻蝕設(shè)備A++輪2023.11.2未披露九變資產(chǎn)A+輪2023.9.27未披露華夏恒天,永石資本A輪2023.3.22未披露銀華基金優(yōu)睿譜測(cè)量設(shè)備A+輪2023.12.26未披露上海采邑,

曦晨資本A輪2023.7.7近億人民幣基石資本,

渾璞投資,

中南創(chuàng)投,

泓湖投資,

星河資本,杭州盟合,景寧?kù)`岸?2023年1月1日到12月31日半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域投資事件我們按照前/后道設(shè)備進(jìn)行分類?前道設(shè)備是半導(dǎo)體制造過(guò)程中最重要的設(shè)備主要用于晶圓制造。市場(chǎng)規(guī)模占整個(gè)設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模的

80%以上。2023年融資事件達(dá)到32起。中國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域融資案例（已披露）

單位：元人民幣6

、2023年半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)投資事件分析——前道設(shè)備項(xiàng)目名稱行業(yè)領(lǐng)域投資輪次投資時(shí)間投資金額投資方亞電科技清洗設(shè)備A輪2023.9.4未披露建信國(guó)貿(mào),

江蘇高科產(chǎn)業(yè)投,

云暉資本,

中天匯富若名芯清洗設(shè)備C輪2023.1.13未披露火眼投資,銀企投資陛通半導(dǎo)體薄膜沉積設(shè)備D輪2023.11.23近5億人民幣君桐資本,金浦投資,上?？苿?chuàng),發(fā)展資產(chǎn),賽富投資基金,三

元資本,力合資本,

長(zhǎng)江國(guó)弘投資首芯半導(dǎo)體薄膜沉積設(shè)備天使輪2023.7.24未披露臨芯投資,

斐懷投資,新潮集團(tuán),建發(fā)新興投資,

閑庭基金,錫

創(chuàng)投衍梓裝備薄膜沉積設(shè)備A輪2023.4.28未披露中國(guó)中車,金浦投資,

亦莊國(guó)投,亞商資本,深創(chuàng)投索斯?；?/p>

金,

方信資本,金沙江聯(lián)合資本全芯微電顯影設(shè)備A輪2023.10.23未披露中益仁資本,

燕創(chuàng)資本,

寶鼎投資由于篇

加小編幅限制，以下微信索取完整所有融資信息僅融資信息和PDF展示部分案例，感興版完整分析報(bào)告趣的小伙伴可以中國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域融資案例（已披露）

單位：元人民幣

公司亮點(diǎn)

公司技術(shù)能力和技術(shù)資源覆蓋ASML、Nikon兩家公司的光刻機(jī)，技術(shù)水平可以達(dá)到193nm波長(zhǎng)90nm的8寸/12寸光刻機(jī)。公司針對(duì)不同特性的產(chǎn)品（如MEMS

、COMS

、PSS

、IC等）在關(guān)鍵工藝技術(shù)方面具備相深刻理解設(shè)備的工藝人才資源和技術(shù)基礎(chǔ)，能夠按照不同的產(chǎn)品特性進(jìn)行設(shè)備選型、技術(shù)匹配及工藝試驗(yàn)。公司能夠根據(jù)市場(chǎng)實(shí)際產(chǎn)品指標(biāo)需求進(jìn)行快速工藝設(shè)備參數(shù)的調(diào)

整與匹配。日期融資輪次融資金額投資機(jī)構(gòu)2023.01.16B輪近5億人民

幣十月資本，國(guó)金鼎興，蘇民投，海通開元，斐懷投資，上海知識(shí)產(chǎn)權(quán)基金2020.08.01A輪數(shù)千萬(wàn)人民

幣同創(chuàng)偉業(yè)，磐石資本青浦引導(dǎo)基金，聯(lián)想之星上海共正，斐懷投資?

成立時(shí)間：2017年?

行業(yè)領(lǐng)域：

光刻設(shè)備?核心優(yōu)勢(shì)：

公司擁有光刻設(shè)備翻新改造的核心技術(shù)和能力。針對(duì)8寸及以下的不同硅片尺寸（包括特殊材質(zhì)襯底如碳

化硅、氮化鎵、藍(lán)寶石等）、不同掩模版尺寸的要求，

可實(shí)現(xiàn)自主設(shè)計(jì)、加工制造、集成調(diào)整的改造能力?核心產(chǎn)品：

公司產(chǎn)品覆蓋自研全自動(dòng)對(duì)準(zhǔn)光刻設(shè)備和翻新光刻設(shè)備企業(yè)案例

一：

前道光刻設(shè)備制造—雙圖精密裝備雙圖精密裝備過(guò)往融資情況董事長(zhǎng)——宋維聰畢業(yè)院校：?

加州州立大學(xué)微電子材料學(xué)碩士學(xué)位+

職業(yè)經(jīng)歷：?1993-2006年在美國(guó)應(yīng)材公司工作13年期間，曾擔(dān)任應(yīng)材刻蝕

產(chǎn)品部、CMP產(chǎn)品部和全球技術(shù)服務(wù)部AGS商務(wù)總監(jiān)。?2006年2月回國(guó)第一次創(chuàng)立了北京海微芯儀集成電路設(shè)備制造有限公司（簡(jiǎn)稱海微）擔(dān)任行政副總裁一職。?2008年11月在上海張江創(chuàng)辦陛通，并擔(dān)任陛通的董事長(zhǎng)、總經(jīng)理。日期融資輪次融資金額投資機(jī)構(gòu)2023.11.23D輪近5億人民幣君桐資本，金浦投資，上?？苿?chuàng)，發(fā)展資產(chǎn)，賽富投資基金，三元資本，力合資本，長(zhǎng)江國(guó)弘投資2023.09.01C輪未披露君桐資本，上?？苿?chuàng)，力合資本2021.05.19B輪未披露浦科投資，華睿投資，中青芯鑫2020.10.30股權(quán)融資未披露張江火炬創(chuàng)投2018.09.18定向增發(fā)3000萬(wàn)人民幣力合科創(chuàng)2015.11.20A輪未披露清源投資，長(zhǎng)江國(guó)弘投資?

成立時(shí)間：2008年?

行業(yè)領(lǐng)域：

薄膜沉積設(shè)備?核心優(yōu)勢(shì)

：公司獨(dú)有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的“

小亮旋轉(zhuǎn)

”技術(shù)，這是基于CVD、UVCure和PVD磁控濺射腔的成功應(yīng)用，該技

術(shù)已使用在陛通的多款產(chǎn)品上?核心產(chǎn)品：公司產(chǎn)品有12寸和8寸薄膜沉積設(shè)備，包括12寸PECVD

、SACVD、磁控濺射PVD、射頻濺射PVD、反應(yīng)離子濺射PVD

、ThermalALD產(chǎn)品，

可以應(yīng)用SiC

、GaN

、IGBT

、MOSFET等功率芯片制造企業(yè)案例

二：

前道薄膜沉積設(shè)備研發(fā)制造商—陛通半導(dǎo)體團(tuán)隊(duì)情況陛通半導(dǎo)體過(guò)往融資情況+

核心團(tuán)隊(duì)：?

董事長(zhǎng)——楊平畢業(yè)院校：

東華大學(xué)-澳大利亞聯(lián)邦科學(xué)與工業(yè)組織聯(lián)合培養(yǎng)博士?

聯(lián)合創(chuàng)始人——王俊-畢業(yè)于中國(guó)科技大學(xué)博士?

聯(lián)合創(chuàng)始人——彭帆-畢業(yè)于上海大學(xué)碩士+

核心產(chǎn)品線VenusDE（等離子體刻蝕機(jī)）：應(yīng)用于硅基/化合物芯片行業(yè)。適用于:介質(zhì)刻蝕

氧化硅、氮化硅、鎢的刻蝕等VenusSE（等離子體刻蝕機(jī)）：應(yīng)用于硅基/化合物芯片行業(yè)。適用于:硅刻蝕、砷化稼刻蝕氮化嫁刻蝕、碳化硅刻蝕Virgo（等離子體去膠機(jī)）：應(yīng)用于化合物芯片行業(yè)。適用于:光刻膠灰化/殘膠去除和表面處理。日期融資輪次融資金額投資機(jī)構(gòu)2023.10.09E輪數(shù)億人民幣拓荊科技，金鼎資本，合肥產(chǎn)投集

團(tuán)，盛石資本，馮源資本，晶凱資本，銀泰華盈，翌昕投資，

中芯聚源，上海仁毅2022.11.07D輪億級(jí)人民幣臨港科創(chuàng)投，旭諾資產(chǎn)，俱成資本，鵬匯投資，長(zhǎng)江國(guó)弘投資

宇杉資本，物產(chǎn)中大投資2021.08.17C輪數(shù)千萬(wàn)人民幣達(dá)晨財(cái)智，凱璞庭資產(chǎn)，宇杉資本，元禾璞華小苗朗程，海望資本，中芯聚源2020.09.17B輪數(shù)千萬(wàn)人民幣凱璞庭資本，達(dá)晨財(cái)智，至純科技，

小苗朗程2019.07.03A輪未披露宇杉資本2018.05.28Pre-A輪1.5億人民幣品利基金，朗程資本，小苗朗程2016.08.01天使輪未披露品利基金，朗程資本，小苗朗程?

成立時(shí)間：2015年?

行業(yè)領(lǐng)域：刻蝕設(shè)備?核心優(yōu)勢(shì)

：公司獨(dú)有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的“

小亮旋轉(zhuǎn)

”技術(shù)，這是基于CVD、UVCure和PVD磁控濺射腔的成功應(yīng)用，該技

術(shù)已使用在陛通的多款產(chǎn)品上?產(chǎn)品矩陣：公司旗下?lián)碛邪ā癟riton”

、“Hesita”

、“Virgo”

、“Mars”

、“Metis”

、“Kepler”

、“Hesper”等多個(gè)系列的設(shè)備，

可用于LED

芯片制造、化合物芯片制造、芯片封裝、硅基芯片制造等行業(yè)的去膠、清洗、刻

蝕、氮化、爐管式薄膜沉積等多種工藝企業(yè)案例三：

前道刻蝕設(shè)備—稷以科技稷以科技過(guò)往融資情況項(xiàng)目名稱行業(yè)領(lǐng)域投資輪次投資時(shí)間投資金額投資方偉騰半導(dǎo)體劃片設(shè)備A輪2023.3.13未披露合肥產(chǎn)投集團(tuán),

四川產(chǎn)業(yè)振興基金,

中皋私募基金京創(chuàng)先進(jìn)劃片設(shè)備B+輪2023.3.8數(shù)億人民幣啟明創(chuàng)投,深創(chuàng)投,

蘇州國(guó)發(fā)創(chuàng)投,

常熟國(guó)發(fā)創(chuàng)投,

南京新工投

資,

東吳創(chuàng)投,

匯毅資本,

蘇州資管成川科技測(cè)試設(shè)備A+輪2023.10.16數(shù)千萬(wàn)人民幣中科創(chuàng)星,

中新資本,

中博聚力迪克微電子測(cè)試設(shè)備天使輪2023.7.18近千萬(wàn)人民幣為溪資本超元半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備A輪2023.3.14未披露新微資本,

池州經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)搏技光電測(cè)試設(shè)備A輪2023.1.13未披露蘇高新金控,敦行資本奧創(chuàng)普測(cè)試設(shè)備A輪2023.10.19未披露希揚(yáng)資本嘉兆電子測(cè)試設(shè)備B輪2023.2.21數(shù)千萬(wàn)人民幣力合科創(chuàng),

南通科創(chuàng)投資,毅達(dá)資本,邦明資本,力合智匯,

南通

科技創(chuàng)投柯泰光芯測(cè)試設(shè)備A輪2023.10.9未披露啟弘投資領(lǐng)存集成電路測(cè)試設(shè)備A輪2023.6.52億人民幣投控東海銘劍電子測(cè)試設(shè)備Pre-A輪2023.5.30數(shù)千萬(wàn)人民幣毅達(dá)資本,

小苗朗程凌測(cè)電子測(cè)試設(shè)備A輪2023.10.16未披露望眾投資?后道設(shè)備主要分為封裝與測(cè)試兩大類，先進(jìn)封裝應(yīng)用的推動(dòng)下,封裝設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模將大幅增長(zhǎng)，2023年全球封裝設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模約70億元。?全球封裝設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模占全球半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)比例為6.8%

。2023年融資事件達(dá)到85起中國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備融資案例（已披露）

單位：元人民幣6

、2023年半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)投資事件分析——后道設(shè)備項(xiàng)目名稱行業(yè)領(lǐng)域投資輪次投資時(shí)間投資金額投資方聯(lián)訊儀器測(cè)試設(shè)備C輪2023.4.3數(shù)億人民幣國(guó)風(fēng)投基金,

永鑫方舟,

海通創(chuàng)新,恒奕泰資本,

湖北科技投資集團(tuán),

茵聯(lián)創(chuàng)新,

中

科院資本,

架橋資本,

蘇高新金控賽邁測(cè)控測(cè)試設(shè)備A輪2023.4.14未披露金雨茂物,

宏泰科技,

美的資本強(qiáng)一半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備D+輪2023.1.14未披露正心谷資本,聯(lián)和資本,

復(fù)星創(chuàng)富,

湖北科技投資集團(tuán),諾華資本,君海創(chuàng)芯,峰毅

遠(yuǎn)達(dá)基金,

復(fù)星集團(tuán),

清石資產(chǎn)管理集團(tuán),

南鋼股份,信科資本慶鑫科技測(cè)試設(shè)備A+輪2023.1.12未披露涌潮聯(lián)發(fā),

鼎暉百孚鵬武電子測(cè)試設(shè)備A輪2023.11.21數(shù)千萬(wàn)人民幣毅達(dá)資本,

中天匯富派格測(cè)控測(cè)試設(shè)備C輪2023.9.15未披露浦科投資臺(tái)易電子測(cè)試設(shè)備A+輪2023.7.10未披露達(dá)晨財(cái)智,

清石資產(chǎn)管理集團(tuán)韜盛科技測(cè)試設(shè)備B輪2023.5.61.6億人民幣尚頎資本,君信資本,俱成資本,

復(fù)旦創(chuàng)投芯德半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備C輪2023.10.25近6億人民幣昆橋資本,

國(guó)策投資,新潮集團(tuán),

龍投資本,

長(zhǎng)江資本,

宇杉資本,辰韜資本,

龍旗

集團(tuán),卓源資本芯暉裝備測(cè)試設(shè)備A+輪2023.8.15未披露三行資本芯信安電子測(cè)試設(shè)備A輪2023.3.9未披露蘇高新金控,建發(fā)新興投資,

蘇州高新區(qū)科創(chuàng)天使基金芯長(zhǎng)征測(cè)試設(shè)備D輪2023.1.9數(shù)億人民幣國(guó)壽股權(quán),錦浪科技,

申萬(wàn)宏源證券,TCL創(chuàng)投,

國(guó)汽投資,

七晟資本,晨道資本,

云

暉資本,

中車資本,

高榕資本,

芯動(dòng)能投資,

達(dá)泰資本,

南曦創(chuàng)投,

力合科創(chuàng)至千哩測(cè)試設(shè)備A輪2023.6.1未披露高捷資本由于篇幅限制，以下所有融資信息僅展示部分案例,感興趣的小伙伴可以加小編微信索取完整融資信息和PDF版完整分析報(bào)告中國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備融資案例（已披露）

單位：元人民幣輪乾丞投資封裝設(shè)備金鉆科技未披露項(xiàng)目名稱行業(yè)領(lǐng)域投資輪次投資時(shí)間投資金額投資方熾芯微電子封裝設(shè)備Pre-A輪2023.11.14未披露中關(guān)村協(xié)同創(chuàng)新基金,

納川資本,毅達(dá)資本,

恩都法汽車愛(ài)矽科技封裝設(shè)備A輪2023.7.23數(shù)億人民幣金通資本,天通股份,新芯資產(chǎn)超錸封裝設(shè)備A輪2023.5.4未披露時(shí)代伯樂(lè)硅酷科技封裝設(shè)備股權(quán)融資2023.9.28未披露哇牛資本,恒奕泰資本廣州興森封裝設(shè)備戰(zhàn)略融資2023.8.216.05億人民幣國(guó)開制造業(yè)轉(zhuǎn)型升級(jí)基金,建信投資,

國(guó)投聚力,粵科金融度亙激光封裝設(shè)備D輪2023.10.25未披露成就資本,

海通開元,湘江力遠(yuǎn)投資,亞昌富,

長(zhǎng)江資本,

叢蓉投資,元禾

控股,

九仁資本漢芯國(guó)科封裝設(shè)備A輪2023.3.8未披露國(guó)鼎資本,工道創(chuàng)新宏鋼機(jī)械封裝設(shè)備A輪2023.7.27未披露深創(chuàng)投華進(jìn)半導(dǎo)體封裝設(shè)備A+輪2023.7.14未披露中科微投資航思半導(dǎo)體封裝設(shè)備A輪2023.4.20未披露陜投集團(tuán)華潤(rùn)潤(rùn)安封裝設(shè)備A輪2023.6.28未披露國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金健坤精密封裝設(shè)備A輪2023.3.1未披露財(cái)信產(chǎn)業(yè)基金華芯裝備封裝設(shè)備A輪2023.1.30未披露博杰電子金海通封裝設(shè)備IPO上市2023.3.38.79億人民幣公開發(fā)行由于篇

加小編部分案例，感興趣

整分析報(bào)告幅限制，以下所

微信索取完整融有融資信息僅展示

資信息和PDF版完的小伙伴可以中國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備融資案例（已披露）

單位：元人民幣項(xiàng)目名稱行業(yè)領(lǐng)域投資輪次投資時(shí)間投資金額投資方科陽(yáng)半導(dǎo)體封裝設(shè)備C輪2023.4.3超5億人民幣中芯聚源,

臨芯投資,鎮(zhèn)江國(guó)控集團(tuán),財(cái)通創(chuàng)新,

鼎暉投資,

中鑫資本,致道資本,蘇州資管,君子蘭,

潤(rùn)璋創(chuàng)投,

蘇州高鐵新城,

東吳創(chuàng)投,

開平管理,

鼎暉百孚,

龍芯中科景焱智能封裝設(shè)備D輪2023.7.18未披露浙江坤鑫諾頂智能封裝設(shè)備B輪2023.12.22數(shù)千萬(wàn)人民幣深創(chuàng)投,

復(fù)星銳正資本,

中車時(shí)代高新投資,

融昱資本,番禺產(chǎn)投,智盈投資邁鑄半導(dǎo)體封裝設(shè)備Pre-A+輪2023.2.101500萬(wàn)人民幣中杰投資,

潤(rùn)策投資禮鼎半導(dǎo)體封裝設(shè)備A輪2023.1.121.36億人民幣鵬鼎控股頎中科技封裝設(shè)備IPO上市2023.4.2024.2億人民幣公開發(fā)行瑞地測(cè)控封裝設(shè)備C+輪2023.8.9未披露蘇州國(guó)發(fā)創(chuàng)投尚進(jìn)自動(dòng)化封裝設(shè)備A輪2023.4.28未披露文勤資產(chǎn)矽谷半導(dǎo)體封裝設(shè)備股權(quán)轉(zhuǎn)讓2023.3.30250萬(wàn)人民幣深科達(dá)盛合晶微封裝設(shè)備C+輪2023.4.33.4億美元君聯(lián)資本,金石投資,渶策資本,

蘭璞創(chuàng)投,

尚頎資本,

立豐投資,TCL創(chuàng)投,

中芯

熙誠(chéng),元禾厚望,元禾璞華,普建基金微見(jiàn)智能封裝設(shè)備A+輪2023.10.23近億人民幣海通開元,分享投資經(jīng)緯創(chuàng)投,倍特基金,建投投資,

尚頎資本,駱駝基金,成都科創(chuàng)投集團(tuán),

熙誠(chéng)致奕成科技封裝設(shè)備B輪2023.8.18超10億人民幣遠(yuǎn),博普資產(chǎn),佰仕德資本,

長(zhǎng)安匯通,

東方江峽,盈峰投資,拔萃資本,桐曦資本,

鼎興量子中國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備域融資案例（已披露）

單位：元人民幣制，以下所有融索取完整融資信部分案例，感興趣的小伙伴資信息僅展示息和PDF版完加小編微信整分析報(bào)告由于篇幅限可以項(xiàng)目名稱行業(yè)領(lǐng)域投資輪次投資時(shí)間投資金額投資方中科飛測(cè)封裝設(shè)備IPO上市2023.5.1918.88億人民幣公開發(fā)行云天半導(dǎo)體封裝設(shè)備C輪2023.3.14未披露龍鼎投資,深圳資本安牧泉科技封裝設(shè)備C+輪2023.11.7未披露湖南國(guó)創(chuàng)產(chǎn)業(yè)投資C輪2023.8.29超4億人民幣湘江國(guó)投,

華金資本,聯(lián)想創(chuàng)投,深投控,

長(zhǎng)江資本,深智城產(chǎn)投,

東方

富海,乾融控股,

龍芯中科航科創(chuàng)星封裝設(shè)備Pre-A輪2023.12.295000萬(wàn)人民幣東方嘉富,

西安財(cái)金天使輪2023.2.17千萬(wàn)級(jí)人民幣英諾天使基金,合力能源華封科技封裝設(shè)備戰(zhàn)略融資2023.8.4數(shù)千萬(wàn)美元智路資本B++輪2023.5.11未披露深創(chuàng)投B+輪2023.1.11近5000萬(wàn)美元同創(chuàng)偉業(yè),

高瓴資本,

尚頎資本,承創(chuàng)資本芯愛(ài)科技封裝設(shè)備A++輪2023.10.20未披露比亞迪,越秀產(chǎn)業(yè)基金,

融匯資本A+輪2023.4.24超5億人民幣和利資本,君海創(chuàng)芯,聯(lián)和資本,

南京江北新區(qū)發(fā)展基金,泰達(dá)科投,

星睿資本,

昆橋資本,

武岳峰科創(chuàng),

高榕資本,盛世投資,

高遠(yuǎn)投資芯承半導(dǎo)體由于篇

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微信索取完整融資A+輪2023.11.267000萬(wàn)人民幣朝希資本,

海通開元,

龍芯中科A輪2023.6.19未披露中關(guān)村發(fā)展啟航產(chǎn)業(yè)投資基金,

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單位：元人民幣核心團(tuán)隊(duì)：位華中科大、武大、南理、湖大、哈工大等名校畢

業(yè)生董事長(zhǎng)——雷偉莊?為機(jī)械、材料、控制、算法、機(jī)器視覺(jué)、半導(dǎo)體設(shè)備及工藝

領(lǐng)域的資深人士核心產(chǎn)品線：MV-15D同時(shí)具備共晶，蘸膠，點(diǎn)膠，UV等工藝能力。應(yīng)用領(lǐng)域：該設(shè)備可廣泛應(yīng)用于光通信、激光雷達(dá)、是芯片封裝過(guò)程中不可或缺的工藝設(shè)備。高速高精度固晶機(jī)15H雙工位協(xié)同工作，效率提升50%，應(yīng)用領(lǐng)域：光通信、光學(xué)生產(chǎn)及加工設(shè)備,半導(dǎo)體加工/制造,半導(dǎo)體制造高速高精度固晶機(jī)MV-15T，三工位協(xié)同工作，是專為COB及BOX封裝量身定制的膠工藝應(yīng)用高效率專用設(shè)備，在滿足高精度，高效率的同時(shí)兼具靈活性

應(yīng)用領(lǐng)域：光通信、信息處理/存儲(chǔ),

光通信芯片,先進(jìn)制造。日期融資輪次融資金額投資機(jī)構(gòu)2024.01.08A++輪未披露前海中船智慧海洋基金，

普華資本2023.10.23A+輪近億人民幣海通開元，分享投資2022.05.09A輪數(shù)千萬(wàn)人民幣基石資本2021.08.31Pre-A輪數(shù)千萬(wàn)人民幣中芯聚源?