【MOOC】半導(dǎo)體物理與器件-南京郵電大學(xué) 中國大學(xué)慕課MOOC答案

【MOOC】半導(dǎo)體物理與器件-南京郵電大學(xué)中國大學(xué)慕課MOOC答案本章測驗1、【單選題】電子的德布羅意波長的數(shù)量級大約為？本題答案：【】2、【單選題】波函數(shù)的模方表示？本題答案：【粒子的概率密度分布函數(shù)】3、【單選題】假設(shè)粒子在一維無限深勢阱中運動，勢阱寬度為a。當粒子處于基態(tài)時，在x=0到x=a之間找到粒子概率最大的地方在（）處。本題答案：【2/a】4、【判斷題】可以同時確定一微觀粒子的坐標和動量？本題答案：【錯誤】5、【判斷題】對微觀粒子，討論其運動軌道是有意義的。本題答案：【錯誤】6、【填空題】根據(jù)德布羅意關(guān)系式，波長越短，能量越?(填“高”或“低”)本題答案：【高】7、【填空題】戴維遜-革末實驗驗證了電子的？（填“波動性”或“粒子性”）本題答案：【波動性】8、【填空題】將波函數(shù)乘上一個常數(shù)后，所描寫的粒子狀態(tài)是否發(fā)生改變？（填“不變”或“改變”）本題答案：【不變】9、【填空題】薛定諤方程是（）方程？（填“常微分”或“偏微分”）本題答案：【偏微分】10、【填空題】自由粒子運動的概率密度分布函數(shù)與時間有關(guān)嗎？（填“有”或“無”）本題答案：【無】第一章測驗1、【單選題】晶體區(qū)別于非晶體的最根本特征是?本題答案：【周期性】2、【單選題】下列不屬于半導(dǎo)體的是?本題答案：【Fe】3、【單選題】下列二維點陣中不屬于原胞的是？本題答案：【4】4、【單選題】半導(dǎo)體Si屬于哪種晶格類型？本題答案：【面心立方】5、【單選題】金剛石晶體的晶胞含有幾個碳原子？本題答案：【8】6、【單選題】有一ABC面，截距為4a、2b、，截距的倒數(shù)為1/4、1/2、0，它的密勒指數(shù)為？本題答案：【(1,2,0)】7、【單選題】簡單立方晶體中最近（110）晶面間的距離為？假設(shè)晶格常數(shù)為a=4.83?。本題答案：【3.42?】8、【填空題】晶格中的最小重復(fù)單元是？（填“原胞”或“晶胞”）本題答案：【原胞】9、【填空題】反映晶格周期性的是？（填“原胞”或“晶胞”）本題答案：【原胞】10、【填空題】原子建中最弱的是？（填“共價鍵”或“范德華鍵”）本題答案：【范德華鍵】第三章本章測驗1、【單選題】準連續(xù)分布的能級在考慮了周期場微擾之后，分裂為一系列的能帶，能帶之間形成（）。本題答案：【帶隙】2、【單選題】下列屬于直接帶隙半導(dǎo)體的是（）。本題答案：【GaAs】3、【單選題】三維自由電子的狀態(tài)密度函數(shù)與（）正比。本題答案：【】4、【判斷題】允帶之間不存在能級，稱為禁帶。本題答案：【正確】5、【判斷題】有效質(zhì)量就是粒子的慣性質(zhì)量。本題答案：【錯誤】6、【判斷題】狀態(tài)密度函數(shù)描述的是單位能量間隔內(nèi)量子態(tài)的數(shù)目。本題答案：【正確】7、【填空題】外層的價電子，軌道交疊多，共有化運動（）。（填“弱”或“強”）本題答案：【強】8、【填空題】E對k的二階導(dǎo)數(shù)與粒子的有效質(zhì)量成（）。（填“正比”或“反比”）本題答案：【反比】9、【填空題】根據(jù)泡利不相容原理，一個量子狀態(tài)只能被（）個電子占據(jù)。（填“1”或“2”）本題答案：【1】10、【填空題】絕對零度時，能量比EF小的量子態(tài)被電子占據(jù)的幾率是（）填“0”或者“1”？本題答案：【1】第四章本章測驗1、【單選題】半導(dǎo)體在熱平衡狀態(tài)下，材料的所有特性均與無關(guān)。本題答案：【時間】2、【單選題】是晶體中不含雜質(zhì)和晶格缺陷的純凈半導(dǎo)體。本題答案：【本征半導(dǎo)體】3、【單選題】本征半導(dǎo)體中，導(dǎo)帶中的電子數(shù)量價帶中的空穴數(shù)量。本題答案：【相等】4、【單選題】對于本征費米能級位置的描述，錯誤的是。本題答案：【電子有效質(zhì)量小于空穴有效質(zhì)量，本征費米能級低于禁帶中央】5、【單選題】T=300K時，計算硅中的本征費米能級相對于禁帶中央的位置。已知硅中載流子有效質(zhì)量分別為mn*=1.08m0,mp*=0.56m0.本題答案：【-12.8meV】6、【單選題】非本征半導(dǎo)體中，當電子濃度高于空穴濃度時，半導(dǎo)體是型，摻入的是雜質(zhì)。本題答案：【n,施主】7、【單選題】熱平衡狀態(tài)非本征半導(dǎo)體，電子濃度n0和空穴濃度p0與本征半導(dǎo)體濃度ni的關(guān)系（）本題答案：【n0*p0=ni2】8、【單選題】補償半導(dǎo)體的形成描述不正確的是()本題答案：【p型半導(dǎo)體中材料中注入受主雜質(zhì)原子】9、【判斷題】T=0K時p型半導(dǎo)體，雜質(zhì)原子不包含任何電子，費米能級一定高于受主能級。本題答案：【錯誤】10、【判斷題】補償型半導(dǎo)體完全電離條件下，熱平衡電子濃度關(guān)系是n0+Na=p0+Nd。本題答案：【正確】第五章測驗1、【單選題】在非本征半導(dǎo)體中，漂移電流密度基本取決于（）本題答案：【多數(shù)載流子】2、【單選題】在半導(dǎo)體中，不影響載流子的遷移率的散射機制是（）本題答案：【固體散射】3、【單選題】不影響電離雜質(zhì)散射的因素有（）本題答案：【半導(dǎo)體晶體形狀】4、【單選題】關(guān)于半導(dǎo)體材料的電導(dǎo)率說法不正確的是（）本題答案：【與半導(dǎo)體材料有關(guān)】5、【單選題】關(guān)于載流子的擴散電流說法不正確的是（）本題答案：【溫度差越大，擴散電流越強】6、【單選題】關(guān)于半導(dǎo)體中總電流密度的描述不正確的是（）本題答案：【遷移率和擴散系數(shù)是相互獨立的，互不相關(guān)】7、【判斷題】遷移率反映了載流子的平均漂移速度與電場的關(guān)系。本題答案：【正確】8、【判斷題】非本征半導(dǎo)體的電導(dǎo)率是多數(shù)載流子的函數(shù)。本題答案：【正確】9、【判斷題】飽和速度指的是強電場區(qū)載流子的漂移速度特性嚴重偏離了弱電場的線性關(guān)系，漂移速度達到飽和，不再隨外加電場變化。本題答案：【正確】10、【填空題】半導(dǎo)體晶體中的兩種基本輸運機制是（）本題答案：【漂移運動，擴散運動】第六章測驗1、【單選題】過剩載流子的復(fù)合描述不正確的是（）本題答案：【電子和空穴的復(fù)合率是時間的函數(shù)】2、【單選題】對于雙極輸運的解釋不正確的是（）本題答案：【以上都不正確】3、【單選題】無電場情況下，不同時刻過剩少子濃度隨空間的變化關(guān)系描述不正確的是（）本題答案：【這過程中，只有復(fù)合過程】4、【單選題】在恒定電場情況下，不同時刻過剩少子濃度隨空間的變化關(guān)系描述不正確的是（）本題答案：【過剩多子的狀態(tài)以多子的參數(shù)為依據(jù)】5、【判斷題】非熱平衡狀態(tài)下，半導(dǎo)體中由于過剩載流子產(chǎn)生，導(dǎo)致費米能級的改變。本題答案：【正確】6、【判斷題】τ趨向無窮時，過剩電子和空穴已穩(wěn)定的速率產(chǎn)生，但過剩載流子濃度恒定。本題答案：【正確】7、【判斷題】內(nèi)建電場的生成是帶電粒子電子和空穴相反方向運動而產(chǎn)生的。本題答案：【正確】8、【填空題】T=300K時，硅中摻入硼原子的濃度為Na=5*1016cm-3。均勻摻雜材料中生成的過剩載流子濃度為1016cm-3，少數(shù)載流子的壽命為5μm。該摻雜半導(dǎo)體材料的少子是（）本題答案：【電子】9、【填空題】本題答案：【0.2984eV】10、【填空題】本題答案：【0.179eV】第7章測試011、【單選題】在pn結(jié)p區(qū)一側(cè)加正壓時，該pn結(jié)空間電荷區(qū)寬度（）。本題答案：【減少】2、【單選題】n結(jié)中，哪個區(qū)域中的空間電荷區(qū)寬度更寬（）。本題答案：【n區(qū)】3、【單選題】pn結(jié)的空間電荷區(qū)是由于（）行為產(chǎn)生的。本題答案：【擴散】4、【單選題】在熱平衡條件下，空間電荷區(qū)邊界附近的載流子受到內(nèi)建電場力和（）的相互平衡。本題答案：【擴散力】5、【單選題】空間電荷區(qū)內(nèi)的電荷是（）。本題答案：【固定的】6、【單選題】pn結(jié)的p區(qū)中的電子是（）。本題答案：【少子】7、【判斷題】pn結(jié)內(nèi)建電場的方向為n區(qū)指向p區(qū)。本題答案：【正確】8、【判斷題】pn結(jié)的空間電荷區(qū)中產(chǎn)生了電子空穴對后將固定在該區(qū)域內(nèi)。本題答案：【錯誤】9、【判斷題】pn結(jié)處于熱平衡狀態(tài)下，可以用統(tǒng)一的費米能級來描述整個pn結(jié)的載流子狀態(tài)。本題答案：【正確】10、【判斷題】按照傳統(tǒng)的半導(dǎo)體物理知識，一塊n型半導(dǎo)體和一塊p型半導(dǎo)體簡單的發(fā)生接觸就能形成pn結(jié)。本題答案：【錯誤】第7章測試021、【單選題】假設(shè)一硅基pn同質(zhì)結(jié)，在形成pn結(jié)之后，n區(qū)能帶通常將（）。本題答案：【下壓】2、【單選題】同時提高p區(qū)和n區(qū)的摻雜濃度，pn結(jié)的空間電荷區(qū)寬度將（）。本題答案：【不確定】3、【單選題】由于外界條件的改變，pn結(jié)的空間區(qū)寬度增加，則內(nèi)建場將（）。本題答案：【變大】4、【判斷題】熱平衡狀態(tài)下，我們可以利用外用表來測量出pn結(jié)內(nèi)建電勢差。本題答案：【錯誤】5、【判斷題】熱平衡狀態(tài)下的pn結(jié)中的費米能級處處相等。本題答案：【正確】6、【判斷題】在形成pn結(jié)之后，p區(qū)和n區(qū)費米能級與導(dǎo)帶和價帶的相對位置發(fā)生改變。本題答案：【錯誤】7、【判斷題】在形成pn結(jié)之后，p區(qū)和n區(qū)的半導(dǎo)體的禁帶寬度發(fā)生改變。本題答案：【錯誤】8、【判斷題】均勻摻雜的pn結(jié)內(nèi)建電場是恒定不變的。本題答案：【錯誤】9、【判斷題】pn結(jié)內(nèi)建電場的最大處出現(xiàn)在冶金結(jié)處。本題答案：【正確】10、【判斷題】假設(shè)一硅基pn同質(zhì)結(jié)，內(nèi)建電勢差的產(chǎn)生是由于統(tǒng)一費米能級的行為而造成的。本題答案：【正確】第7章測試031、【單選題】pn結(jié)反偏時，內(nèi)建電勢差將會（）。本題答案：【變大】2、【單選題】pn結(jié)反偏時，空間電荷區(qū)寬度差將會（）。本題答案：【變大】3、【單選題】由于外加偏壓的改變，pn結(jié)的空間電荷區(qū)寬度發(fā)生變化，該現(xiàn)象稱為pn結(jié)的（）。本題答案：【結(jié)電容】4、【單選題】對于大多數(shù)pn結(jié)而言，占主導(dǎo)地位的擊穿機制是（）。本題答案：【雪崩擊穿】5、【單選題】pn結(jié)在反偏條件下，由于能帶的過度傾斜造成的擊穿類型為（）。本題答案：【齊納擊穿】6、【單選題】pn結(jié)構(gòu)光電器件反偏時，更適合應(yīng)用于（）。本題答案：【光探測器件】7、【單選題】1.當pn結(jié)由正偏轉(zhuǎn)換成反偏時，pn結(jié)內(nèi)存儲的（）載流子會被移走，即為電容放電。本題答案：【過剩少數(shù)】8、【單選題】隧道二極管p區(qū)與n區(qū)都為（）。本題答案：【簡并半導(dǎo)體】9、【單選題】發(fā)生雪崩擊穿時，產(chǎn)生雪崩效應(yīng)的區(qū)域為（）。本題答案：【空間電荷區(qū)】10、【判斷題】pn結(jié)反偏時，正電壓加載在p區(qū)一側(cè)。本題答案：【錯誤】第8章測試1、【單選題】pn結(jié)正偏時，內(nèi)建電勢差將會（）。本題答案：【變小】2、【單選題】pn結(jié)正偏時，空間電荷區(qū)寬度差將會（）。本題答案：【變小】3、【單選題】p區(qū)內(nèi)總的少子電子的濃度符號為（）。本題答案：【】4、【單選題】pn結(jié)正偏下總電流密度等于復(fù)合電流密度和（）密度之和。本題答案：【擴散電流】5、【單選題】由于載流子濃度梯度產(chǎn)生的電流（）。本題答案：【擴散電流】6、【單選題】由于外加電場作用產(chǎn)生的載流子流動稱為（）。本題答案：【漂移電流】7、【單選題】在一定的偏壓條件下，pn結(jié)內(nèi)任意位置的多子電流和少子擴散電流之和為（）。本題答案：【相同】8、【單選題】pn結(jié)構(gòu)光電器件正偏時，更適合應(yīng)用于（）。本題答案：【發(fā)光器件】9、【判斷題】pn結(jié)正偏時，正電壓加載在p區(qū)一側(cè)。本題答案：【正確】10、【判斷題】短二極管的擴散電流密度要小于長二極管的擴散電流密度。本題答案：【錯誤】第10章單元測驗1、【單選題】在MOSFET中，若襯底為p型，柵極加大的___電壓時，形成n型反型層；若襯底為n型，柵極加大的___電壓時，形成p型反型層。本題答案：【正、負】2、【單選題】在MOS器件中，不論半導(dǎo)體是p型還是n型，柵極加負電壓時，半導(dǎo)體表面的能帶向___彎曲；柵極加正的電壓時，半導(dǎo)體表面的能帶向___彎曲。本題答案：【上、下】3、【單選題】MOSFET的跨導(dǎo)與溝道寬度成___，與溝道長度成___，與氧化層厚度成___.本題答案：【正比、反比、反比】4、【單選題】MOS器件中，耗盡層的厚度隨著表面勢的增大而___。本題答案：【增大】5、【單選題】當時，所加的柵電壓稱之為___。本題答案：【閾值電壓】6、【判斷題】對于p型襯底的MOSFET，負閾值電壓表明該器件為耗盡型器件。本題答案：【正確】7、【判斷題】對于p型襯底MOSFET的理想C-V特性而言，當C取值最小時，柵壓為負。本題答案：【錯誤】8、【判斷題】對于p型襯底MOSFET而言，當有效氧化層陷阱電荷數(shù)增大時，其C-V特性曲線往左移動。本題答案：【正確】9、【判斷題】當柵壓等于平帶電壓時，半導(dǎo)體內(nèi)能帶沒有彎曲，凈空間電荷為零，穿過氧化物的電壓也為零。本題答案：【錯誤】10、【判斷題】對于大功率MOSFET而言，柵極要遠離源極，以防漏電壓較大時產(chǎn)生擊穿。本題答案：【錯誤】第九章測試11、【單選題】半導(dǎo)體的導(dǎo)帶底至真空能級之間的能級差異稱為半導(dǎo)體的（）。本題答案：【電子親和能】2、【單選題】半導(dǎo)體費米能級至真空能級之間的能級差異稱為半導(dǎo)體的（）。本題答案：【功函數(shù)】3、【單選題】如果在金屬-半導(dǎo)體之間加一個反偏壓，此時金屬半導(dǎo)體勢壘高度將（）。本題答案：【不變】4、【單選題】當金屬電極直接淀積在半導(dǎo)體表面則會形成（）。本題答案：【肖特基接觸】5、【單選題】通常情況下，金屬的功函數(shù)較大，則形成的肖特基勢壘（）。本題答案：【與半導(dǎo)體的功函數(shù)也有關(guān)系】6、【單選題】肖特基結(jié)的空間電荷區(qū)為（）中。本題答案：【半導(dǎo)體】7、【判斷題】肖特基結(jié)與pn結(jié)一樣，均存在空間電荷區(qū)。本題答案：【正確】8、【判斷題】場效應(yīng)晶體管的柵極極金屬半導(dǎo)體接觸類型為肖特基接觸。本題答案：【正確】9、【判斷題】勢壘的鏡像力會提高肖特基勢壘的高度。本題答案：【錯誤】10、【判斷題】界面態(tài)會降低肖特基勢壘的高度。本題答案：【正確】第十一章單元測驗1、【判斷題】與Si-MESFET相比，GaAs-MESFET的電子遷移率一般要低一些。本題答案：【錯誤】2、【判斷題】對于MESFET而言，當柵壓等于零時，溝道厚度比空間電荷區(qū)要小，那么此種類型為增強型MESFET。本題答案：【正確】3、【判斷題】從降低功耗的角度出發(fā)，F(xiàn)ET的亞閾值擺幅數(shù)值越大越好。本題答案：【錯誤】4、【判斷題】溝道輸運時間是影響JFET低頻特性的主要因素之一。本題答案：【錯誤】5、【判斷題】從晶體管的小信號模型可以看到，源極電阻的影響是降低有效跨導(dǎo)或晶體管增益。本題答案：【正確】6、【填空題】結(jié)型場效應(yīng)晶體管中的“結(jié)”主要是指_____結(jié)和肖特基結(jié)。本題答案：【PN】7、【填空題】對于MOSFET和JFET而言，有效溝道長度的改變以及相應(yīng)漏電流的變化稱為____。本題答案：【溝道長度調(diào)制】8、【填空題】亞閾值電流指的是當柵極電壓低于夾斷電壓或______時的漏電