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應(yīng)在晶閘管的陽(yáng)極與陰極之間加上正向電壓。要關(guān)斷晶閘管,必須使其陽(yáng)極電流減小到一定數(shù)值以下,或在陽(yáng)極和陰極加反向電壓。答:因?yàn)榫чl管在導(dǎo)通瞬間,電流集中在門極附近,隨著時(shí)間的推移,導(dǎo)通區(qū)才逐漸擴(kuò)大,直到全部結(jié)面導(dǎo)通為止。在剛導(dǎo)通時(shí),如果電流上升率di/dt較大,會(huì)引起門極附近過(guò)熱,造成晶閘管損壞,所以電流上升率應(yīng)限制在通態(tài)電流臨界上升率以內(nèi)。應(yīng)限制在斷態(tài)電壓臨界上升率以內(nèi)。4.額定電流為100A的晶閘管流過(guò)單相全波電流時(shí),允許其最大平均晶閘管在流過(guò)全波電流的時(shí)候,其有效值和正弦交流幅值的關(guān)系為:其平均值與和正弦交流幅值的關(guān)系為:則波形系數(shù)為:則晶閘管在流過(guò)全波電流的時(shí)候,其平均值為:均值、波形系數(shù)及晶閘管額定電流。閘管的回路增益α1+α2常為1.15左右,而GTO得α1+α2略大于GTO處于臨界飽和狀態(tài)時(shí)用抽走陽(yáng)極電流的方法破壞臨界飽和狀態(tài),能使器件關(guān)斷,又GTO得門極和陰極是多元并聯(lián)結(jié)構(gòu),故也能從門極抽走更大的電流使GTO關(guān)斷。而晶閘管導(dǎo)通之后處于深度壓減小到零或反向的方法來(lái)關(guān)斷的??煽啃?。緩沖電路的作用是在電力電子器件開(kāi)通和關(guān)斷的過(guò)程中減應(yīng)力。電路、母線吸收式緩沖電路、開(kāi)通緩沖電路、復(fù)合緩沖電路。關(guān)狀態(tài)。小功率晶體管用于信息處理,注重單管電流放大系數(shù),線性度,頻率響應(yīng)以及噪聲和溫漂等性能參數(shù)。9.導(dǎo)致BJT二次擊穿的因素有哪些?可采取何種措施抑制二次電極電壓、電流、負(fù)載性質(zhì)、導(dǎo)通脈沖寬度、基極電路的配置,以及材料、工藝等因素都對(duì)二次擊穿有一定的影響。為防止BJT二次擊穿,盡量避免采用電抗成分過(guò)大的負(fù)載,并合理選擇工作點(diǎn)及工作狀態(tài),使之不超過(guò)BJT的安全工作區(qū)。擴(kuò)散MOS結(jié)構(gòu),利用兩次擴(kuò)散形成的P型區(qū)和N+型區(qū),在硅片表面處的結(jié)深之差形成溝道,電流在溝道內(nèi)沿表面流動(dòng),然后垂直被漏極接收,具有正溫度系數(shù),故沒(méi)有熱點(diǎn)反饋引起的二次擊穿,輸入阻抗高,跨導(dǎo)的線性度好和工作頻率高。答:功率MOSFET是電壓控制器件,不需要柵極驅(qū)動(dòng)電流。但由于有柵源電容,還是需要很小的一點(diǎn)電流的。答:功率MOSFET可采取3個(gè)方面的靜電保護(hù)措施:引線。接時(shí)電烙鐵功率應(yīng)不超過(guò)25W,最好是用內(nèi)熱式烙鐵,先焊漏且前端作為接地點(diǎn)。全部接入測(cè)試儀器或電路前,不要施加電壓,改換測(cè)試范圍時(shí),電壓和電流都必須先恢復(fù)到零。13.IGBT在何種情況下會(huì)出現(xiàn)擎住效應(yīng)?使用中如何避免出現(xiàn)晶體管的基極與發(fā)射極之間存在一個(gè)體區(qū)短路電阻,P型區(qū)的橫電壓,當(dāng)輸出集電極電流ic大到一定程度時(shí),該正偏置電壓使NPN晶體管導(dǎo)通,進(jìn)而使NPN和PNP晶體管處于飽和狀態(tài),于是寄生晶閘管導(dǎo)通,柵極失去控制作用,這就是所謂的擎住效應(yīng)。所以,IGBT在使用中,應(yīng)注意防止過(guò)高的du/dt和過(guò)大的過(guò)載電流。相同的端電壓,因而通過(guò)并聯(lián)器件的電流是不等的。為了使并聯(lián)器件的電流均勻分配,除了選用特性比較一致的器件進(jìn)行并聯(lián)外,還可采用串聯(lián)電阻法和串聯(lián)電感等均流措施。答:引起過(guò)電壓的原因:(1)操作過(guò)電壓。由斷路器的拉閘、合閘、變壓器的通電、斷電等經(jīng)常性操作中的電磁過(guò)程引起的過(guò)電壓。(2)浪涌過(guò)電壓。由雷擊等偶然原因引起,從電網(wǎng)進(jìn)入變換器的過(guò)電壓,其幅值遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于工作電壓。路電感在電力電子器件上產(chǎn)生的過(guò)電壓。(4)過(guò)電壓和過(guò)電流保護(hù)動(dòng)作引起的過(guò)電壓。某處過(guò)電流過(guò)電壓動(dòng)作時(shí)所產(chǎn)生的電路的過(guò)電流過(guò)電壓抑制過(guò)程,可能引起電路其他部分產(chǎn)生過(guò)電流過(guò)電壓。(5)泵升過(guò)電壓。在電力電子變換器—電動(dòng)機(jī)調(diào)速系統(tǒng)中,由于電動(dòng)機(jī)回饋制動(dòng)造成直流側(cè)過(guò)電壓。對(duì)不同的過(guò)電壓可采取的保護(hù)措施有:(1)雷擊過(guò)電壓可在變壓器初級(jí)接避雷器加以保護(hù)。(2)二次電壓很高或變壓比很大的變壓器,一次側(cè)合閘時(shí),由于一次、二次繞組間存在分布電容,高電壓可能通過(guò)分布電容耦合到二次側(cè)而出現(xiàn)瞬時(shí)過(guò)電壓。對(duì)此可采取變壓器附加屏蔽層接地或變壓器星形中點(diǎn)通過(guò)電容接地的方法來(lái)減小電壓。(3)阻容保護(hù)電路是變換器中用得最多的過(guò)電壓保護(hù)措施。(4)泵升電壓應(yīng)該采用泄放回路或者將能量回饋電網(wǎng)。答:產(chǎn)生過(guò)電流的原因:的過(guò)電流。過(guò)電流。起的誤動(dòng)作引起的過(guò)電流。(4)配線等人為的錯(cuò)誤引起的過(guò)電流。對(duì)不同的過(guò)電流可采取的保護(hù)措施有:(1)交流進(jìn)線電抗器。加入進(jìn)線電抗器或采用漏抗大的整流變壓器,利用電感限制短路電流。(2)電流檢測(cè)裝置和直流過(guò)流繼電器。在交流側(cè)設(shè)置電流檢測(cè)裝置,利用過(guò)電流信號(hào)控制觸發(fā)電路,使觸發(fā)脈沖后移或使晶閘管關(guān)斷,使輸出直流電壓下降,從而抑制過(guò)電流。加過(guò)流繼電器也能實(shí)現(xiàn)過(guò)流保護(hù),但動(dòng)作時(shí)間大(3)快速熔斷器。它是防止變換器過(guò)電流損壞的最后一道防線。(4)直流快速開(kāi)關(guān)。它
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