2025年高二化學(xué)選擇性必修2（人教版）同步課件 第一章 微專題1 核外電子排布的規(guī)范書寫與應(yīng)用

核外電子排布的規(guī)范書寫與應(yīng)用微專題1第一章<<<1.多電子原子中電子運(yùn)動(dòng)狀態(tài)的描述(1)多電子原子中電子的運(yùn)動(dòng)狀態(tài)應(yīng)從哪些方面描述？一、原子核外電子的運(yùn)動(dòng)狀態(tài)的描述與判斷答案

應(yīng)該從能層、能級(jí)、原子軌道、自旋方向四個(gè)方面進(jìn)行描述。(2)原子中有沒有兩個(gè)運(yùn)動(dòng)狀態(tài)完全相同的電子，為什么？試舉例說明。

2.基態(tài)原子中未成對(duì)電子(單電子)的判斷(1)未成對(duì)電子的含義一個(gè)原子軌道中只有1個(gè)電子時(shí)，該電子即為未成對(duì)電子。一個(gè)原子軌道中有2個(gè)自旋相反的電子，這2個(gè)電子稱為成對(duì)電子。(2)寫出符合下列條件的1~36號(hào)元素的元素符號(hào)：①有1個(gè)未成對(duì)電子：

。②有2個(gè)未成對(duì)電子：

。③有3個(gè)未成對(duì)電子：

。④有4個(gè)未成對(duì)電子：

。⑤有5個(gè)未成對(duì)電子：

。⑥有6個(gè)未成對(duì)電子：

。H、Li、Na、K、B、Al、Ga、F、Cl、Br、Sc、CuC、Si、Ge、O、S、Se、Ti、NiN、P、As、V、CoFeMnCr

跟蹤訓(xùn)練

√

跟蹤訓(xùn)練

跟蹤訓(xùn)練

√

跟蹤訓(xùn)練

跟蹤訓(xùn)練3.(1)碳元素基態(tài)原子的核外未成對(duì)電子數(shù)為

個(gè)，第三周期中有兩個(gè)單電子的元素符號(hào)為

(填一種即可)，M能層上有2個(gè)電子對(duì)的原子最外層共有

種不同運(yùn)動(dòng)狀態(tài)的電子。

(2)1~36號(hào)元素原子中未成對(duì)電子數(shù)為2的元素符號(hào)及價(jià)層電子排布：

_________________________________________________________________________。

2Si(或S)6C：2s22p2、Si：3s23p2、Ge：4s24p2、O：2s22p4、S：3s23p4、Se：4s24p4、Ti：3d24s2、Ni：3d84s2

跟蹤訓(xùn)練(3)某元素的原子序數(shù)為33，該元素原子的價(jià)層電子排布為

，該元素原子核外有

個(gè)能層，

個(gè)能級(jí)，

個(gè)原子軌道，有

個(gè)單電子。

4s24p348183

跟蹤訓(xùn)練4.(1)[2022·海南，19(1)節(jié)選]基態(tài)O原子中未成對(duì)電子有

個(gè)。

(2)[2022·河北，17(4)]將含有未成對(duì)電子的物質(zhì)置于外磁場(chǎng)中，會(huì)使磁場(chǎng)強(qiáng)度增大，稱其為順磁性物質(zhì)，下列物質(zhì)中，屬于順磁性物質(zhì)的是

(填標(biāo)號(hào))。

A.[Cu(NH3)2]Cl B.[Cu(NH3)4]SO4C.[Zn(NH3)4]SO4

D.Na2[Zn(OH)4]2B

跟蹤訓(xùn)練根據(jù)題意，具有順磁性物質(zhì)含有未成對(duì)電子。選項(xiàng)B，[Cu(NH3)4]SO4中的Cu2+價(jià)層電子排布是3d9，有未成對(duì)電子，符合題意。

跟蹤訓(xùn)練(3)[2020·全國(guó)卷Ⅰ，35(1)]基態(tài)Fe2+與Fe3+離子中未成對(duì)的電子數(shù)之比為

。

(4)[2019·海南，19-Ⅱ(1)]Mn位于元素周期表中第四周期第

族，基態(tài)Mn原子核外未成對(duì)電子有

個(gè)。

4∶5ⅦB51.核外電子排布式與原子結(jié)構(gòu)示意圖、軌道表示式(電子排布圖)的關(guān)系原子結(jié)構(gòu)示意圖→電子排布式→軌道表示式逐步細(xì)化核外電子的運(yùn)動(dòng)狀態(tài)。二、核外電子排布的規(guī)范書寫2.核外電子排布表示方法的常見誤區(qū)(1)當(dāng)出現(xiàn)d軌道時(shí)，雖然電子按ns、(n-1)d、np的順序填充，但在書寫電子排布式時(shí)，仍把(n-1)d放在ns前，如Fe：1s22s22p63s23p63d64s2正確，F(xiàn)e：1s22s22p63s23p64s23d6錯(cuò)誤。(2)在畫基態(tài)原子的軌道表示式時(shí)，常出現(xiàn)以下錯(cuò)誤：①

(違反能量最低原理)；②

(違反泡利原理)；③

(違反洪特規(guī)則)；④

(違反洪特規(guī)則)；⑤畫軌道表示式時(shí)，不能省略空軌道。如C的軌道表示式應(yīng)為

，而不是

。

跟蹤訓(xùn)練5.(2024·長(zhǎng)沙高二月考)下列幾種表示電子排布的方法中正確的是A.基態(tài)32Ge原子的電子排布式：4s24p2B.基態(tài)28Ni原子的電子排布式：1s22s22p63s23p63d94s1C.基態(tài)O原子的軌道表示式：D.基態(tài)29Cu+的價(jià)層電子排布：3d94s1√

跟蹤訓(xùn)練基態(tài)32Ge原子的電子排布式：1s22s22p63s23p63d104s24p2，A錯(cuò)誤；28Ni原子的電子排布式為1s22s22p63s23p63d84s2，B錯(cuò)誤；能層高的電子先失去，即先失去4s電子，后失去3d電子，Cu+的價(jià)層電子排布為3d10，D錯(cuò)誤。

跟蹤訓(xùn)練√

跟蹤訓(xùn)練電子的能量與能層、能級(jí)有關(guān)，ns電子的能量一定高于(n-1)p電子的能量，A錯(cuò)誤；根據(jù)洪特規(guī)則知，2p能級(jí)上的兩個(gè)電子應(yīng)排在兩個(gè)不同軌道上，B正確；根據(jù)能量最低原理知，電子先排能量低的軌道，后排能量高的軌道，故應(yīng)先排4s軌道，即電子排布式應(yīng)為1s22s22p63s23p63d14s2，C正確；根據(jù)泡利原理知，3p能級(jí)最多容納6個(gè)電子，D正確。

7.(2021·天津，5)下列化學(xué)用語表達(dá)正確的是A.F-的離子結(jié)構(gòu)示意圖：B.基態(tài)碳原子的軌道表示式：C.丙炔的鍵線式：D.H2O分子的球棍模型：跟蹤訓(xùn)練√

跟蹤訓(xùn)練F-最外層有8個(gè)電子，離子結(jié)構(gòu)示意圖