2023第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展報(bào)告

前 言2023逐步建立起相對(duì)明朗的競爭格局。市場方面，2023年全球碳化硅（SiC）（GaN）30.770%（GaN1550%2605G施建設(shè)進(jìn)程放緩，產(chǎn)能產(chǎn)線趨于穩(wěn)定。LED光電子領(lǐng)域仍以Mini/Micro-LED“SiC+GaN”企業(yè)格局方面，SiC襯底環(huán)Coherent、InfineonOnsemiRohm82%，SumitomoQorvo收RFHIC71%SiC相法晶體生長技術(shù)、復(fù)合襯底技術(shù)、激光切割技術(shù)等促進(jìn)成本降低；除全SiCMOSFETSiIGBTGaNGaNFET半橋芯片；3D12GaN-on-SiSiCN-faceW8GaN-on-Si國內(nèi)來看，2023年第三代半導(dǎo)體技術(shù)和產(chǎn)業(yè)化加快發(fā)展。市場方面，SiCGaN153.2（GaN102.916.2%。LED782.20.5%。光電子領(lǐng)域Mini/Micro-LED2023年國內(nèi)SiC襯底產(chǎn)756540萬片（英寸SiC44%IPO。企業(yè)格局方面，產(chǎn)業(yè)化技術(shù)方面，SiC8SiCMOSFET4TO-247-4LGaNMHZ1000wGaNSiGaN0.25μm0.15μmGaNMMIC代LED紅UVC芯片電光5%。SiC襯SiC2024目 錄前 言 I一、形與政策 1（一）相關(guān)產(chǎn)業(yè)發(fā)展態(tài)勢 1（二）半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)相關(guān)政策 1二、市應(yīng)用 4（一）功率電子 41、總體市規(guī)模 42、重點(diǎn)細(xì)應(yīng)用 6（二）射頻電子 1、總體市規(guī)模 2、重點(diǎn)細(xì)應(yīng)用 （三）光電子 12三、生供給 14（一）功率電子 141、總體產(chǎn)值 142、投融資擴(kuò)產(chǎn) 173、整合并購 21（二）射頻電子 241、總體產(chǎn)值 242、投融資擴(kuò)產(chǎn) 243、整合并購 26（三）光電子 261、總體產(chǎn)值 262、投融資擴(kuò)產(chǎn) 283、整合并購 29四、企格局 32（一）功率電子 321、重點(diǎn)企業(yè) 322、競爭格局 35（二）射頻電子 381、重點(diǎn)企業(yè) 382、競爭格局 39（三）光電子 401、重點(diǎn)企業(yè) 402、競爭格局 42五、技進(jìn)展 44（一）功率電子 441、SiC功率電子 442、GaN功率電子 49（二）射頻電子 52（三）光電子 52六、其他 55（一）裝備及原材料進(jìn)展 55（二）超寬禁帶進(jìn)展 57（三）標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)展 58七、發(fā)展望 59八、釋義 61附件2023年三半導(dǎo)體業(yè)大10） 62一、形勢與政策（一）相關(guān)產(chǎn)業(yè)發(fā)展態(tài)勢全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)開始復(fù)蘇。根據(jù)世界半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計(jì)組織48.4%11.6%2024年半導(dǎo)5nm芯片，3nm（TrendForce）數(shù)據(jù)，2023130329.8%，但較202254.2%20232023510GW，太陽能光（約3（negren）數(shù)據(jù)202370%-85%（二）半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)相關(guān)政策2030111.52030年將歐10%K-Chip法2026550（2.97202310108059美日繼續(xù)升級(jí)或擴(kuò)大對(duì)華半導(dǎo)體出口管控。2023年5月，日本23個(gè)202310IP我國對(duì)鎵、鍺、石墨等物項(xiàng)實(shí)施出口管制。2023年，中國商務(wù)部81121二、市場應(yīng)用2023年，受益于電動(dòng)汽車、光儲(chǔ)充、消費(fèi)電源、5G通信基礎(chǔ)設(shè)施等應(yīng)用市場的帶動(dòng)，國內(nèi)第三代半導(dǎo)體功率電子器件模塊市場達(dá)45%；射頻電子器件模塊市場達(dá)102.9202216.2%。LED782.20.5%。（一）功率電子1、總體市場規(guī)模年全球SiCGaN功率電子市場約30.7（EV/HEV）市場占比約70%，是核心市場驅(qū)動(dòng)力。20232302028SiCGaN32%，規(guī)模約109.5億美元。圖表1、2018-2028年Si、SiC、GaN功率電子市場國內(nèi)方面，據(jù)CASAResearch統(tǒng)計(jì)，2023年國內(nèi)SiC、GaN功4率器件模組市場規(guī)模約為153.2億元，同比增長45%。第三代半導(dǎo)體在功率電子領(lǐng)域滲透率超過12%，開始進(jìn)入高速增長階段。工商業(yè)應(yīng)用消費(fèi)電子新能源汽車PFC工業(yè)電機(jī) 光伏及儲(chǔ)能軌道交通 電網(wǎng)工商業(yè)應(yīng)用消費(fèi)電子新能源汽車PFC工業(yè)電機(jī) 光伏及儲(chǔ)能軌道交通 電網(wǎng)UPS其他風(fēng)力發(fā)電0x萬元數(shù)據(jù)來源：CASAResearch功率電子最大的應(yīng)用領(lǐng)域，整體市場占比70.67%。其次是消費(fèi)類電源和PFC，分別占比是11.16%和5.78%。70.670.01PFC5.7870.670.01PFC5.78電網(wǎng)0.031.33光伏及儲(chǔ)能軌道交通0.043.4711.16UPS1.65其他1.90工商業(yè)應(yīng)用數(shù)據(jù)來源：CASAResearch2、重點(diǎn)細(xì)分應(yīng)用車用第三代半導(dǎo)體功率器件市場約104億元根據(jù)中國汽車工業(yè)協(xié)會(huì)數(shù)據(jù)，2023年，我國新能源汽車產(chǎn)銷分別958.7949.535.8%37.9%，市場31.6%CASAResearchSiC、GaN器件模組市場約104.1億元。預(yù)計(jì)到2027年這一市場將達(dá)到347.3800V高壓平臺(tái)規(guī)模應(yīng)用，加速SiC功率器件上車。據(jù)CASAResearch統(tǒng)計(jì)，20233550800V20-30萬元/輛，且“800V+SiC”基本成800VSiC1200V1700VSiC7.580%800VDC-DCOBC等800V400V800V。廠家車型特斯拉已上市車型：Model3、廠家車型特斯拉已上市車型：Model3、ModelY、ModelXPlaid、ModelSPlaid蔚來已上市車型：ES8、ES6、EC6、ET7、ET5、ES7、EC7、ET5T理想待上市車型：MEGA小鵬已上市車型：G9、G6極氪已上市車型：極氪001、極氪009、極氪X、極氪001FR待上市車型：極氪CS1E、極氪007華為已上市車型：智界S7、阿維塔12待上市車型：問界M9小米待上市車型：SU7比亞迪已上市車型：唐EV、漢EV、海豹、仰望U8待上市車型：方程豹豹5、仰望U9上汽已上市車型：智己LS6現(xiàn)代已上市車型：GenesisGV60、GenesisG8、IONIQ5、GenesisGV70EV、IONIQ6待上市車型：IONIQ7、GenesisX起亞已上市車型：起亞EV6待上市車型：起亞EV9大眾已上市車型：保時(shí)捷Taycan、奧迪e-tronGT待上市車型：保時(shí)捷Macan、奧迪RS6（2025年改版）奔馳已上市車型：smart精靈#1豐田已上市車型：Prius、MIRAI、bZ4X、雷克薩斯RZ福特已上市車型：野馬Mach-E路特斯已上市車型：ELETRE待上市車型：EMEYA數(shù)據(jù)來源：新出行，蓋世汽車網(wǎng)，CASAResearch整理充電基礎(chǔ)設(shè)施用第三代半導(dǎo)體功率器件市場超4億元338692.9245.81:2.8據(jù)此測算，2023年，國內(nèi)用于充電基礎(chǔ)設(shè)施的第三代功率電子市場約4.2億元，預(yù)計(jì)到2027年將達(dá)21.8億元。高壓直流快充為SiC功率電子創(chuàng)造市場機(jī)會(huì)。（減少線束成本和重量，提升整車?yán)m(xù)航里程。隨著高端電動(dòng)車型從400V800V功率電子將獲得更多市場機(jī)會(huì)。圖表5、2023國內(nèi)部分SiC充電樁產(chǎn)品進(jìn)展企業(yè)產(chǎn)品詳情歐陸通充電模塊SiC75KW200-1000V、260V-530V97%96.5%的高效率。優(yōu)優(yōu)綠能已推出40kW、60kWSiC液冷充電模塊產(chǎn)品，其中40KWSiC模塊最高轉(zhuǎn)換效率可達(dá)97%。盛弘股份SiCMOS50kW133.3A電流穩(wěn)定輸出，支持50-1000V超寬電壓輸出范圍。鈦芯電子應(yīng)用SiCtron?功率器件，可以將充電樁充電效率提高到96%。南方電網(wǎng)充電樁SiC202.5萬度電/年。巨灣技研SiC8Gwh/1220232025年全面建成。威勝SiC120kWSiC充97%0.3m。數(shù)據(jù)來源：CASAResearch整理光伏與儲(chǔ)能用第三代半導(dǎo)體功率器件市場超過6億元比增長80360萬千瓦702022260%擴(kuò)張，光伏和儲(chǔ)能逆變器市場也呈現(xiàn)高速發(fā)展態(tài)勢。據(jù)此測算，2023年我國光伏逆變器全年出貨量約433GW半導(dǎo)體功率電子市場約6.0520271016%。SiC100kW1000V1500VSiC功率電子DC/DC逆變電路中主要有SiIGBTSiCSBD和SiCMOSFET兩類解SiIGBTSiCSBD5kW及以下消費(fèi)類電源用第三代半導(dǎo)體功率器件市場約17.1億元（包括智12億部/功率器件模組市場約為17.1億元，預(yù)計(jì)到2028年將達(dá)到55.5億元，年均復(fù)合增長率約26.5%。GaN功率電子仍以中小功率的消費(fèi)類快充和適配器為主要應(yīng)用。35-140WGaN已經(jīng)逐步取代硅基Cool。當(dāng)前，GaN以耐壓200V，功率200W及以下產(chǎn)品居多。圖表6、2023年國內(nèi)相關(guān)消費(fèi)類電源出貨量市場領(lǐng)域出貨量數(shù)據(jù)來源智能手機(jī)11.46億國家統(tǒng)計(jì)局平板電腦0.28億洛圖科技筆記本電腦0.59億Canalys顯示器0.25億洛圖科技電動(dòng)工具1.66億國家統(tǒng)計(jì)局?jǐn)?shù)據(jù)來源：CASAResearch整理GaN650V5GDC-DCGaN功率（二）射頻電子1、總體市場規(guī)模全球來看，根據(jù)數(shù)據(jù)，2023年全球GaN射頻電子（GaN市場規(guī)模約為152022年同比增長8.4%GaN國內(nèi)市場方面，根據(jù)工信部數(shù)據(jù)，截至2023年底，我國5G基站總數(shù)達(dá)337.7萬個(gè)，較2022年增加106萬個(gè)。據(jù)此測算，2023年國內(nèi)GaN射頻器件模組市場規(guī)模為102.92022年同比增長GaN動(dòng)力，市場規(guī)模約為59億元，整體市場占比達(dá)57.3%；非民用的國防與航天應(yīng)用2023年整體市場占比約42.7%，其他為射頻能量、衛(wèi)星通信等市場。 無線基礎(chǔ)設(shè)施 移動(dòng)終端設(shè)備 安防與航天 其他數(shù)據(jù)來源：CASAResearch2、重點(diǎn)細(xì)分應(yīng)用無線基礎(chǔ)設(shè)施市場規(guī)模約為59億元5GmMIMO建設(shè)是GaNRF應(yīng)用的第一驅(qū)動(dòng)力。隨著5G基站2×2MIMO64×64MIMO（mMIMO）過(AAS)SiCGaNRF在sub6GHz7GHz頻段80%5G6G基GaNRFSiGeInP國防和航空航天市場占比約為GaNRFGaNRFGaNRFGaNRF衛(wèi)星通信、射頻能量等市場有望增長衛(wèi)星通信應(yīng)用正在成為GaNRF在SpaceXGaNRF因L/C/X頻段到Ku/KaGaNRF/（三）光電子目前，第三代半導(dǎo)體光電子領(lǐng)域最為成熟的應(yīng)用是LED，本報(bào)告重點(diǎn)介紹國內(nèi)LED市場進(jìn)展。第三代半導(dǎo)體光電子領(lǐng)域最為成熟的應(yīng)用是LED，由于應(yīng)用端需求復(fù)蘇緩慢，LED器件市場782.2億元，同比微增0.5%。9%；LEDLEDMini-LED971545971545汽車照明31其他20數(shù)據(jù)來源：CASAResearchAseah23年我國aN激光器的市場規(guī)模約為2億元，預(yù)計(jì)到2028年將增長到4.6億元。三、生產(chǎn)供給2023SiCGaN364.8GaN71.86578SiCGaNIDMSiC功率電子SiC30%LED433為主營50家。（一）功率電子1、總體產(chǎn)值2023SiCGaN364.863.7%60.526.755.522296.9%，63.9%。襯底 外延 器件及模組 裝置 合計(jì)202320222021202020192017 2018201613.90.744.7襯底 外延 器件及模組 裝置 合計(jì)202320222021202020192017 2018201613.90.744.728.423.1500140.6222.8 364.8400350300250200150100×億元資料來源：CASAResearch1國內(nèi)SiCCASAResearch統(tǒng)計(jì)，2023SiC7565萬片、芯片40萬片6），6英寸）300202266%93%63%SiC跌，2023SiC20%-30%SiC二極20222022正為222.8億元。5G2023202261億元。襯底 外延 晶圓2022年2023年產(chǎn)量產(chǎn)能產(chǎn)量產(chǎn)能襯底 外延 晶圓2022年2023年產(chǎn)量產(chǎn)能產(chǎn)量產(chǎn)能120100806040200萬片，6"資料來源：CASAResearch國內(nèi)SiCSiC材料SiCMOSFET產(chǎn)SiC功率電子產(chǎn)品目前主要應(yīng)用于光伏儲(chǔ)能、充電基礎(chǔ)設(shè)施等領(lǐng)GaN功率電子產(chǎn)能保持增長態(tài)勢。GaN66萬片/638.7萬片/34.9萬片/2022年增長40%和38%。2、投融資與擴(kuò)產(chǎn)SiC投資熱情持續(xù)，8英寸是擴(kuò)產(chǎn)重點(diǎn)基于對(duì)SiC功率電子市場前景的樂觀預(yù)期，行業(yè)投資擴(kuò)產(chǎn)熱情持續(xù)高漲。CASAResearch2023121260國內(nèi)擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目97起。圖表11、重點(diǎn)SiC襯底企業(yè)產(chǎn)能規(guī)劃資料來源：CASAResearch整理8英寸仍是龍頭擴(kuò)產(chǎn)重點(diǎn)，但產(chǎn)業(yè)化不及預(yù)期。SiC功率電子大82023118英SiC2023年，SiC86英868SiC國內(nèi)SiC投資增長44%，金額超千億SiC投資熱情持續(xù)，金額超千億元。據(jù)CASAResearch不完全統(tǒng)97SiC64起，45個(gè)項(xiàng)1047.6202244%6英寸SiCST32（220億元）8英寸SiC708SiCCASAResearch預(yù)測，202740%圖表12、2023年國內(nèi)部分重點(diǎn)SiC功率電子擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目序號(hào)企業(yè)項(xiàng)目地區(qū)環(huán)節(jié)金額（億元）1天岳先進(jìn)SiC半導(dǎo)體材料項(xiàng)目上海襯底252晶盛機(jī)電SiC襯底片項(xiàng)目紹興襯底21.23世紀(jì)金光年產(chǎn)70萬片6-8英寸碳化硅單晶襯底項(xiàng)目包頭襯底34.574三安光電8英寸SiC襯底制造廠項(xiàng)目重慶襯底705高金富恒集團(tuán)SiC半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地項(xiàng)目廣州襯底256海納半導(dǎo)體SiC單晶生產(chǎn)基地項(xiàng)目（一期）太原襯底257湖南迪佩斯年產(chǎn)36萬片碳化硅襯底項(xiàng)目焦作襯底208三安光電、ST8英寸SiC合資制造廠項(xiàng)目重慶外延/芯片228.29深圳嘉力豐正特色工藝晶圓制造項(xiàng)目麗水芯片5110杰平方半導(dǎo)體第三代半導(dǎo)體廠房項(xiàng)目香港器件/模塊64.411株洲中車時(shí)代電氣中低壓功率器件產(chǎn)業(yè)化（宜興）一期建設(shè)項(xiàng)目宜興器件/模塊58.2612株洲中車時(shí)代電氣中低壓功率器件產(chǎn)業(yè)化（株洲）建設(shè)項(xiàng)目株洲器件/模塊52.9313清研半導(dǎo)體SiC單晶材料及裝備項(xiàng)目蘇州材料5014盛吉盛武漢碳化硅項(xiàng)目武漢材料2015安世半導(dǎo)體安世半導(dǎo)體封測廠擴(kuò)建項(xiàng)目東莞封測30資料來源：CASAResearch整理GaN市場拓展緩慢，新增投資不超百億GaN功率電子市場拓展較慢，企業(yè)擴(kuò)產(chǎn)動(dòng)力不足，2023年新增投資不足百億元。CASAResearch2023GaN2211起，披53.858.7%。序號(hào)企業(yè)項(xiàng)目地區(qū)環(huán)節(jié)金額（億元）1序號(hào)企業(yè)項(xiàng)目地區(qū)環(huán)節(jié)金額（億元）1上海格晶半導(dǎo)體8英寸GaN功率器件產(chǎn)線項(xiàng)目上饒器件/模塊252鎵谷半導(dǎo)體GaN外延片項(xiàng)目福州外延103立國芯微電子GaN/SiC項(xiàng)目濟(jì)寧芯片74天狼芯半導(dǎo)體天狼芯—功率三代半封裝測試基地臺(tái)州器件/模塊65江西中科半導(dǎo)體江西中科半導(dǎo)體硅基氮化鎵項(xiàng)目吉安外延26精發(fā)半導(dǎo)體新一代半導(dǎo)體材料氮化鎵外襯底及晶圓再生項(xiàng)目撫州外延27納安半導(dǎo)體氮化鎵單晶襯底項(xiàng)目江蘇襯底1.28華研偉?？萍迹ㄖ楹M琴）福建SiC/GaN項(xiàng)目福建器件/模塊0.69珠海方唯成半導(dǎo)體GaN自支撐襯底項(xiàng)目珠海襯底—10西安電子科技大學(xué)、新加坡ICCT氮化鎵器件和集成電路先進(jìn)封裝技術(shù)研究中心項(xiàng)目廣東器件/模塊—11芯干線碳化硅和氮化鎵高功率器件項(xiàng)目南京器件/模塊—資料來源：CASAResearch整理資本市場活躍，國內(nèi)多家企業(yè)籌備IPOIPOIPO。CASAResearch統(tǒng)計(jì)，202389640784402022年披63.271%IPO13538100億元。中，下游整機(jī)廠也紛紛加入，特別是新能源汽車企業(yè)熱情高漲。國內(nèi)第三代功率半導(dǎo)體企業(yè)整體融資情況樂觀。圖表14、2023年國內(nèi)以第三代功率電子為主營業(yè)務(wù)的公司IPO情況產(chǎn)業(yè)鏈環(huán)節(jié)企業(yè)IPO進(jìn)程襯底天岳先進(jìn)已上市天科合達(dá)已問詢同光股份IPO輔導(dǎo)外延瀚天天成已問詢天域半導(dǎo)體已問詢IDM瑞能半導(dǎo)體IPO輔導(dǎo)裝備納設(shè)智能IPO輔導(dǎo)優(yōu)晶科技IPO輔導(dǎo)芯三代IPO輔導(dǎo)配套材料志橙半導(dǎo)體已問詢3、整合并購

資料來源：CASAResearch整理CASAResearch133020229.18億美元大幅增加。其中，國內(nèi)僅有2起。國際龍頭建立“SiC+GaN”雙業(yè)務(wù)引擎GaNUnitedSiC國內(nèi)產(chǎn)業(yè)處于成長期，尚未進(jìn)入大規(guī)模整合并購階段。相較近兩并購階段。2023年主要并購項(xiàng)目是揚(yáng)杰科技增加對(duì)楚微半導(dǎo)體股權(quán)SiC業(yè)務(wù)。戰(zhàn)略合作強(qiáng)化，保障供應(yīng)鏈安全I(xiàn)nfineon流材料供應(yīng)商達(dá)成SiC襯底和外延產(chǎn)能合作。序號(hào)企業(yè)1企業(yè)2詳情序號(hào)企業(yè)1企業(yè)2詳情1STZFGrou簽署多年SiC器件供應(yīng)協(xié)議BorgWarner供應(yīng)第三代750VSiC功率MOSFET芯片2InfineonResonac多年供應(yīng)和合作協(xié)議天科合達(dá)簽訂了SiC襯底和晶錠長期協(xié)議天岳先進(jìn)簽訂了SiC襯底和晶錠長期協(xié)議SolarEdge供應(yīng)SiC/GaN太陽能產(chǎn)品3WolfspeedMercedes-benz供應(yīng)SiC器件Mersen簽署長期供貨協(xié)議SGLCarbon簽署長期供貨協(xié)議RenesasElectronics簽署10年SiC晶圓供應(yīng)協(xié)議4OnsemiVolkswagenSiC產(chǎn)品用于大眾牽引逆變器解決方案Ampt在光伏儲(chǔ)能領(lǐng)域達(dá)成SiC合作極氪簽署SiC功率器件長期供應(yīng)協(xié)議BorgWarner簽訂10億美元SiC合同VitescoTechnologies達(dá)成SiC長期供應(yīng)協(xié)議MagnaInternational達(dá)成一項(xiàng)長期供應(yīng)協(xié)議BMW簽署長期供貨協(xié)議5RohmVitescoTechnologies達(dá)成10億美元SiC產(chǎn)品長期供應(yīng)協(xié)議6Hitachi吉利汽車提供RoadPak?功率模塊7DENSO、MitsubishiElectricCoherent5CoherentSiCDENSOMitsubishiElectricSiC襯底、外延8InfineonStellantis簽訂超10億歐元合同資料來源：CASAResearch整理車企紛紛布局第三代功率電子業(yè)務(wù)。2020年以來，越來越多的充分發(fā)揮半導(dǎo)體企業(yè)的自由度，及時(shí)布局領(lǐng)先產(chǎn)品。模式企業(yè)布局領(lǐng)域模式企業(yè)布局領(lǐng)域自研比亞迪子公司比亞迪半導(dǎo)體SiC外延、SiC器件/模塊蔚來SiC功率模塊工藝實(shí)驗(yàn)線SiC器件/模塊合資上汽集團(tuán)與英飛凌合資成立上汽英飛凌IGBT模塊、SiC器件/模塊與上海微技術(shù)工業(yè)研究院成立上海汽車芯片工程中心車規(guī)級(jí)芯片吉利汽車與芯聚能等合資成立芯粵能SiC芯片東風(fēng)汽車與中車時(shí)代合資成立智新半導(dǎo)體IGBT模塊一汽集團(tuán)一汽基金領(lǐng)投與億馬先鋒合資組建億馬半導(dǎo)體IGBT和SiC模塊理想汽車與三安半導(dǎo)體設(shè)立合資公司SiC芯片、SiC模塊廣汽集團(tuán)與中車時(shí)代合資成立廣州青藍(lán)半導(dǎo)體有限公司IGBT模塊投資廣汽集團(tuán)瀚薪科技、瞻芯電子SiC芯片上汽集團(tuán)積塔半導(dǎo)體、瞻芯電子、瀚薪科技、比亞迪半導(dǎo)體、天岳先進(jìn)SiC襯底、SiC器件/模塊、IGBT長城汽車同光股份SiC襯底小鵬汽車天岳先進(jìn)、瞻芯電子SiC襯底、SiC器件/模塊華為瀚天天成、東微半導(dǎo)體、特思迪、天岳先進(jìn)、北京天科合達(dá)SiC襯底、SiC外延、SiC器件/模塊資料來源：CASAResearch整理（二）射頻電子1、總體產(chǎn)值2023GaN71.817%8.352.912.4億元，裝置約48.2億元。GaN1355GaN射頻電30%。襯底 外延 器件及模組 裝置 合計(jì)202320222020 202110 0.802016 2017 2018 201912.7襯底 外延 器件及模組 裝置 合計(jì)202320222020 202110 0.802016 2017 2018 201912.72020.627.3306050 43.54061.063.37071.980×億元2、投融資與擴(kuò)產(chǎn)

資料來源：CASAResearch2023年，GaN射頻電子相關(guān)擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目共13起。其中，國內(nèi)相關(guān)841.22022177%。RFHICGaN組的研發(fā)與生產(chǎn)。圖表18、2023年GaN射頻電子相關(guān)擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目序號(hào)公司名稱項(xiàng)目地區(qū)產(chǎn)品金額（億元）1中瓷電子GaN微波產(chǎn)品精密制造生產(chǎn)線聊城器件/模塊252國博電子射頻集成產(chǎn)業(yè)化（二期）項(xiàng)目南京器件/模塊143國博電子射頻集成產(chǎn)業(yè)化（一期）項(xiàng)目南京器件/模塊4廣東漢瑞通信第三代半導(dǎo)體5G光通信GaNRF功率器件芯片及新能源功率器件IGBT模塊生產(chǎn)項(xiàng)目襄陽器件/模塊2.25夕心科技（上海）第三代半導(dǎo)體最新材料非極性GaN項(xiàng)目內(nèi)蒙古——6泰新半導(dǎo)體第三代半導(dǎo)體射頻芯片產(chǎn)業(yè)項(xiàng)目貴陽器件/模塊—7優(yōu)鎵科技GaN射頻功放芯片項(xiàng)目成都器件/模塊—8晶能光電硅襯底MicroLED及氮化鎵HEMT射頻器件研發(fā)項(xiàng)目南昌器件/模塊—資料來源：CASAResearch整理2023GaN740.9543.1GaN射5G序號(hào)企業(yè)名稱融資階段金額投資方1浙江星曜半導(dǎo)體戰(zhàn)略融資序號(hào)企業(yè)名稱融資階段金額投資方1浙江星曜半導(dǎo)體戰(zhàn)略融資數(shù)億元浙江省金融控股有限公司、方正和生等2陜西宇騰電子Pre-A輪融資數(shù)千萬銅川高新科技成果轉(zhuǎn)化創(chuàng)業(yè)投資基金獨(dú)家投資3深圳市時(shí)代速信戰(zhàn)略融資——成都華西金智銀創(chuàng)股權(quán)投資基金合伙企業(yè)（有限合伙）、北京瑞合股權(quán)投資基金（有限合伙）、青島善金馳瑞私募股權(quán)投資基金合伙企業(yè)（有限合伙）、海南晟緣企業(yè)管理咨詢中心合伙企業(yè)（有限合伙）4芯百特微電子（無錫）戰(zhàn)略融資近億元揚(yáng)州啟正、無錫惠開、惠之成等5深圳市時(shí)代速信戰(zhàn)略融資數(shù)億元金融街資本領(lǐng)投，老股東國投創(chuàng)業(yè)和善金資本追投，華西證券和深投控等資本跟投3、整合并購

資料來源：CASAResearch整理2023GaN射頻電子領(lǐng)域的并購案主要為MACOM先后并購了法國OMMIC還MACOMSiCGaN-on-SiGaN-on-SiC2023GaN（三）光電子1、總體產(chǎn)值2023LED能利用率不足，行業(yè)整體規(guī)模呈現(xiàn)下滑態(tài)勢。預(yù)計(jì)全年總體產(chǎn)值約65782.6%。中游封裝（億元）總增長率（%）上游外延芯片（億元）下游應(yīng)用（億元）中游封裝（億元）總增長率（%）上游外延芯片（億元）下游應(yīng)用（億元）0-20.00%1000-10.00%20000.00%300010.00%5000400020.00%600030.00%700040.00%數(shù)據(jù)來源：CSAResearch2023年上半年，LED行業(yè)一方面要應(yīng)對(duì)外需疲軟的嚴(yán)峻挑戰(zhàn)，隨著出口市場逐漸回溫的同時(shí)，內(nèi)需市場穩(wěn)步復(fù)蘇。2022LEDLED企Mini-LEDMini-LED直Micro-LEDLED2、投融資與擴(kuò)產(chǎn)光電子LED行業(yè)以Mini/Micro-LED投資擴(kuò)產(chǎn)為主。CSAResearch2023Mini/Micro-LED18150201220222021年Mini/Micro-LEDMini/Micro-LED將愈加激烈。產(chǎn)業(yè)環(huán)節(jié)投資主體項(xiàng)目金額（億元）芯片京東方華燦產(chǎn)業(yè)環(huán)節(jié)投資主體項(xiàng)目金額（億元）芯片京東方華燦京東方華燦南方總部、國際人才中心和Micro-LED/GaN芯片研發(fā)項(xiàng)目—聚燦光電Mini/Micro-LED芯片研發(fā)及制造擴(kuò)建項(xiàng)目15.5乾照光電海信乾照江西半導(dǎo)體基地項(xiàng)目10器件/模組木林森RGBMini-LEDMicro-LED顯示產(chǎn)品項(xiàng)目20兆馳股份1100條COB—海容高科Mini/Micro-LED模組封裝項(xiàng)目1.5長方集團(tuán)330條生產(chǎn)線搬遷，分兩期進(jìn)行紫外LED、紅外LED全光譜LED和Mini-LED封裝20辰顯光電Micro-LED產(chǎn)線項(xiàng)目30東方集團(tuán)Mini/Micro-LED項(xiàng)目10艾斯普光電Mini-LED芯片封裝項(xiàng)目—顯示屏艾比森艾比森東江智造中心項(xiàng)目10大族元亨光電大族元亨光電新型顯示總部制造基地項(xiàng)目4雷曼光電雷曼光電COB超高清顯示改擴(kuò)建項(xiàng)目5.4美亞迪光電戶外全彩屏及Mini-LED顯示項(xiàng)目10上海顯耀顯耀合肥工廠項(xiàng)目15配套材料昇印光電Mini-LED柔性載板產(chǎn)線項(xiàng)目—普加福光電面向Micro-LED和OLED器件開發(fā)量子點(diǎn)色轉(zhuǎn)化—數(shù)據(jù)來源：CSAResearch3、整合并購LED產(chǎn)業(yè)格局成熟，并購方向分散LED產(chǎn)業(yè)基本成熟，產(chǎn)業(yè)競爭格局確定，2023年行業(yè)并購案相對(duì)較少，涉案金額也較小，并購方向多元化。CSAResearch不LED95LED圖表22、2023年國內(nèi)主要LED并購項(xiàng)目序號(hào)收購方出售方拓展領(lǐng)域1陽光照明智易物聯(lián)智能技術(shù)、物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用2湯石照明大峽谷全面整合資源3洲明科技適刻創(chuàng)新消費(fèi)級(jí)照明4佛山照明上海亮舟海洋照明5羅曼股份PREDAPTIVE數(shù)字文旅、AR/VR等6小崧股份佛山普希熱泵產(chǎn)品7晶豐明源凌鷗創(chuàng)芯鷗創(chuàng)芯38.87％股權(quán)，運(yùn)動(dòng)控制芯片8兆馳股份瑞谷光網(wǎng)光通信9中微公司睿勵(lì)科學(xué)儀器（6.7575%股權(quán)）檢測設(shè)備跨界合作頻繁，微顯示是重點(diǎn)方向

數(shù)據(jù)來源：CSAResearchCSAResearch2023LEDMini/Micro-LEDAR/VR、Mini/Micro-LED17以突破Mini/Micro-LED發(fā)展瓶頸。如天馬與三安半導(dǎo)體圍繞車載LEDMini-LED序號(hào)合作方1合作方2合作內(nèi)容1惠特序號(hào)合作方1合作方2合作內(nèi)容1惠特雷杰科技強(qiáng)化MicroLED技術(shù)布局2長虹電子國家新型顯示技術(shù)創(chuàng)新中心高亮度MicroLED投影顯示關(guān)鍵技術(shù)研究3蔚華科南方科技打造MicroLED缺陷檢測系統(tǒng)4芯瑞達(dá)海信、海爾半導(dǎo)體共建顯示與光學(xué)技術(shù)聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室5諾瓦星云兆馳晶顯推動(dòng)Mini/MicroLED顯示的普及應(yīng)用6希達(dá)電子冠捷科技研發(fā)COB顯示技術(shù)產(chǎn)品及行業(yè)解決方案7K&S臺(tái)表科推動(dòng)Mini/MicroLED背光和直顯顯示屏的大批量應(yīng)用8華映科技兆元光電合資成立Mini/MicroLED公司9利亞德沙特投資部、工程控股集團(tuán)合資成立LED顯示企業(yè)10鴻利智匯九洲光電LED半導(dǎo)體產(chǎn)品制造、市場開拓、技術(shù)創(chuàng)新等11希達(dá)電子富晟集團(tuán)推動(dòng)車用Mini/McroLED顯示、照明技術(shù)落地12華為長安機(jī)車成立智能汽車業(yè)務(wù)企業(yè)13天馬三安半導(dǎo)體車載LED芯片技術(shù)研發(fā)14奇景光電晶合集成擴(kuò)大供應(yīng)車用顯示器驅(qū)動(dòng)IC15京東方雷神科技電競顯示聯(lián)合創(chuàng)新實(shí)驗(yàn)室16海目星華南師范大學(xué)新型顯示與光制造科研合作17洲明科技九轉(zhuǎn)棱鏡XR虛擬拍攝合作18洲明科技索貝數(shù)碼XR虛擬拍攝合作19華為云歐普照明在云計(jì)算、智能物聯(lián)、AI等方面的領(lǐng)先技術(shù)和自身數(shù)字化轉(zhuǎn)型20佛照智城科技華中科技大學(xué)中歐清潔與可再生能源學(xué)院、湖北漢江零碳科技有限公司推進(jìn)“熱管理”“能源管理系統(tǒng)”“高光效高顯指量子點(diǎn)照明技術(shù)”等科研成果21洲明科技中煤科工集團(tuán)常州研究院推動(dòng)LED在煤礦行業(yè)的進(jìn)一步發(fā)展22鴻利智匯Yeelight易來達(dá)圍繞智能照明領(lǐng)域建立多主體供給、多渠道保障、產(chǎn)融協(xié)作等合作23茂碩電源華普永明立聯(lián)合共創(chuàng)工作組24立達(dá)信華為鴻蒙系統(tǒng)合作25雅生活銘灝天停車場照明的智能控制、能源管理和安全監(jiān)測數(shù)據(jù)來源：CSAResearch四、企業(yè)格局2023IPOST（一）功率電子1、重點(diǎn)企業(yè)150基本都采用IDMFablessSiC功率電子領(lǐng)域，襯底企業(yè)主要有Wolfspeed、Coherent、SiCrystalSenicSKSiltroncssNorstelResonac、IDMSTNorstel，Onsemi和MitsubishiElectrict投資CoherentSiCRohmIDMYPTClas-SiCLittelfuse、、GeneSiC等。50SiCIDM圖表24、SiC功率電子重點(diǎn)企業(yè)數(shù)據(jù)來源：CASAResearch整理GaNGaN-on-SiIDM企業(yè)主要有InfineonTransphomIQESoitec、X-Fab、BelGan、FujitsuNavitasGaNSystemsRenesas、GaNPowerGanextCGDGaN-on-Sapphire為代工模式，設(shè)計(jì)公司主要是PowerIntegration（PI）Gpower以及GaNrich。20GaN功率電子業(yè)務(wù)，主要采取GaN-on-SiIDM技等。

圖表25、GaN功率電子重點(diǎn)企業(yè)2、競爭格局國內(nèi)SiC

數(shù)據(jù)來源：CASAResearch整理SiC功率電子領(lǐng)域，襯底市場上是最大的供應(yīng)商，CoherentSiCrystal2023InfineonResonacNostel國內(nèi)SiCSiCResonac南京百識(shí)等也在穩(wěn)步擴(kuò)產(chǎn)。Coherent16%14%11%33%Coherent16%14%11%33%SKsiltroncss11%其他6%8%GTAT1%數(shù)據(jù)來源：CASAResearch整理CASAResearch2023年國際重點(diǎn)SiC2022Coherent營收增3SiC10億元，15138.58%；天岳先12.51198.28%10億元。五大器件供應(yīng)商市場占比高達(dá)82%芯片和器件制造環(huán)節(jié)，龍頭企業(yè)業(yè)績均實(shí)現(xiàn)高速增長，ST、Infineon、、Onsemi、RohmSiC52030SiC30-40%2023年企業(yè)財(cái)報(bào)測算，5（CR5）82%中寡占狀態(tài)。

19%Infineon14%11%ROHM10%19%Infineon14%11%ROHM10%STMicroelectronics28%其他18%數(shù)據(jù)來源：CASAResearch整理STOnsemiInfineon2023年SiC82023RohmSiC55GaN功率電子領(lǐng)域，GaN-on-Si外延最大的供應(yīng)商是IQE，國內(nèi)Navitas、、Gansystems、Transporm等。GaN功率電子IDM8GaN-on-Si20238GaN芯片累計(jì)3億顆，營收僅次于PINavitas鎵未來、安世半導(dǎo)體等企業(yè)營收也都在千萬級(jí)別。16%EPC15%Navitas17%GaN16%EPC15%Navitas17%GaN12%PowerIntegrations20%其他20%數(shù)據(jù)來源：CASAResearch整理（二）射頻電子1、重點(diǎn)企業(yè)70GaNIDM為主要有l(wèi)speoernICICpia、otecIM企業(yè)主要有uitoolectio、MitsubishiElectric、等；代工企業(yè)主要有穩(wěn)懋；設(shè)計(jì)公司有ApleonAnalogMicrochipGaN-on-SiCMACOM（并購OMMIC和InfineonGlobalFoundries、30SiC芯等；設(shè)計(jì)企業(yè)主要有芯谷微電、華光瑞芯等。圖表29、GaN射頻電子重點(diǎn)企業(yè)數(shù)據(jù)來源：CASAResearch整理2、競爭格局半絕緣SiC襯底供應(yīng)高度集中半絕緣SiCCoherent三家企業(yè)市場占比高達(dá)85%。由于SiC功率電子市場需求強(qiáng)勁，Coherent和天岳先進(jìn)、爍科晶體正在將產(chǎn)品生產(chǎn)重點(diǎn)從半絕緣轉(zhuǎn)向?qū)щ娦汀Ｎ宕笃骷?yīng)商市場占比71%GaNRF71%集中度較高。根據(jù)CASAResearch對(duì)相關(guān)企業(yè)財(cái)務(wù)報(bào)告的測算，SumitomoElectric22%GaNRFRFHIC1355Macom,Macom,NXP,Qorvo,蘇州能訊,4中國電科,5RFHIC,SumitomoElectric,22其他,（三）光電子

圖表30、2023年主要GaNRF企業(yè)市場占比數(shù)據(jù)來源：CASAResearch整理1、重點(diǎn)企業(yè)LEDLED照明行業(yè)步入成熟期，國際龍頭廠商相繼退出量大面廣的照明業(yè)務(wù)。如LGInnotekPhilipSignify股權(quán)，重CreeSiCOSRAM（歐LEDLED芯片及LED等LED等應(yīng)用，發(fā)力Mini/Micro。LEDLEDLEDLED52圖表31、LED產(chǎn)業(yè)重點(diǎn)企業(yè)數(shù)據(jù)來源：CASAResearch整理GaNSumitomo、Mitsubishi、FurukawaElectric、Kyma，大功率GaN激光器的主要廠商為日本Nichia、SonyGaNSharp和德國Osram2023激光器有望在24年量產(chǎn)；在應(yīng)用方面，海信、長虹、光峰、極米等企業(yè)已經(jīng)開始出貨。2、競爭格局從LED產(chǎn)業(yè)鏈角度看，呈現(xiàn)“金字塔”型產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)。其中，LED芯片/OSARM（器件器件器件（Signify（照明產(chǎn)品）、Samsung（顯示）、LG（顯示）。LEDLEDLEDLED應(yīng)用五、技術(shù)進(jìn)展20238SiCMOSFETGaN1200V3D堆疊技12英寸SiCMOSGaNGaN射頻電子46英寸過渡。Ku/K/Ka0.1μm以下。2023年基于8英寸技術(shù)的GaN-on-SiLEDMini/Micro-LEDLED（一）功率電子1、SiC功率電子（1）8英寸襯底外延加快研發(fā)與量產(chǎn)國內(nèi)外加快8英寸SiC襯底研發(fā)與量產(chǎn)。SiCSi440%SiC88SiC襯底SoitecOnsemi8英寸SiC2025年前后。2022SiCSiC單晶。60mm8SiCSiCPVT制備低位錯(cuò)密度8英寸導(dǎo)電型碳化硅單晶襯底的結(jié)果，其中螺位錯(cuò)(TSD)0.55(BPD)202cm-28英寸SiC單晶襯底位錯(cuò)缺陷控制已經(jīng)達(dá)到國際先進(jìn)水平。廠商產(chǎn)品技術(shù)指標(biāo)進(jìn)程三安集成8英寸SiC廠商產(chǎn)品技術(shù)指標(biāo)進(jìn)程三安集成8英寸SiC襯底將持續(xù)提升良率，加快設(shè)備調(diào)試與工藝天岳先進(jìn)液相法制備8英寸SiC單晶采用液相法制備出厚度為60mm的低缺陷8英寸SiC晶體研發(fā)成功同光股份8英寸SiC襯底將持續(xù)提升良率、優(yōu)化工藝，推進(jìn)量產(chǎn)小批量合盛硅業(yè)8英寸SiC襯底6英寸晶體良率達(dá)到90%小批量科友半導(dǎo)體8英寸SiC襯底0.1個(gè)5000個(gè)/cm2小批量產(chǎn)南砂晶圓及山東大學(xué)8英寸SiC襯底TSD為0.55cm-2，BPD為202cm-2，幾乎“錯(cuò)（BPD）密度小批量浙江大學(xué)科創(chuàng)中心-乾晶半導(dǎo)體聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室8英寸SiC襯底加工獲得了8英寸SiC襯底研發(fā)成功山東粵海金8英寸SiC襯底晶體表面光滑無缺陷，厚度超過20mm研發(fā)成功中科院物理所液相法生長3C-SiC單晶28.832.430.03C-SiC5μm（ED.3×42和13.×1042CS中常見的雙定位邊界（DPBs）。研發(fā)成功數(shù)據(jù)來源：CASAResearch整理SoitecSiCSiCSumitomoMetal并SICOXSHardinge70%。8英寸外延相繼推出。2023年，ST（Norstel）宣布實(shí)現(xiàn)8英寸SiC6Resonac20258英寸SiC外延。6SiC8SiC12μm8.4×1015cm-37.5%陷（Carrot、Triangle、Downfall、Scratch）密度＜0.5cm-2。質(zhì)量達(dá)到國際先進(jìn)水平，并簽署多項(xiàng)長期供貨合約。溝槽柵SiCMOSFET開發(fā)增加SiCMOSFET器件性能指標(biāo)持續(xù)提升，元胞尺寸縮小，溝道密度提升，比導(dǎo)通電阻進(jìn)一步降低。SiCMOSFET降低至45252cSiCMOSFET2.5μm1.4mΩ·cm2，電流密度達(dá)800A/cm2。盡管目前平面柵SiCMOSFET器件是量產(chǎn)主流產(chǎn)品，但越來越多的企業(yè)開始布局或開發(fā)溝槽柵SiCMOSFET。2022MOSFET10MOSFETInfineonFujiElectric、MitsubishiElectricDensoOnsemiBOSCH等ST2025SiCMOSFET。國內(nèi)方面，三安集成、中車時(shí)代，積塔、華為、華潤微、SiCSiCMOSFET2024SiCMOSFET結(jié)構(gòu)將采用2027年。圖表33、國內(nèi)布局平面型和溝槽型的國際主要廠家封裝結(jié)構(gòu)和材料持續(xù)優(yōu)化

資料來源：CASAResearch整理低雜散電感封裝、高溫封裝、多功能集成封裝等是實(shí)現(xiàn)SiC器件高效、高功率的關(guān)鍵。低雜散電感封裝主要是通過單管翻轉(zhuǎn)貼片封裝、DBC+PCBAlNAlSiCSiCSiCSiC模塊封裝中集成EMI濾波器，集成溫度、電流傳感器以及集成微通道散熱等設(shè)計(jì)。三種主要設(shè)計(jì)解決SiC功率器件散熱難題。當(dāng)前，SiC功率器件SiCSiC當(dāng)前主流DTSHPDDTSDCM1000X會(huì)成為未來SiC2、GaN功率電子開發(fā)出GaN新型復(fù)合襯底技術(shù)國際上，Shin-EtsuChemicalQromisQST（QromisGaNGaNGaNShin-EtsuChemical還與OkiElectricIndustryShin-EtsuChemicalQSTGaNGaN的垂直GaN10%GaNDisco2英5mmGaN88%37.5%。國內(nèi)方面，4英寸單晶襯底已經(jīng)開始銷售，6英寸正在開發(fā)中。增強(qiáng)型和耗盡型兩種器件結(jié)構(gòu)并行發(fā)展GaN兩種，E-Mode（D-Mode器件則更簡單并穩(wěn)健，對(duì)于高達(dá)1MHz開關(guān)頻率的需求，共源共柵GaNFETGaNGaNPowerNavitasPanasonicE-ModePINexperiaD-ModeGaNE-ModeMode高壓、高集成和抗輻照是產(chǎn)品發(fā)展趨勢GaN功率器件開發(fā)呈現(xiàn)以下趨勢：一是向中高壓突破。商用化GaNOBCDC-DCTGGaNFETPI1250VGaNIC；Transphorm99%1200VGaNHEMT；TG推出擊穿電壓≥1500VGaNANPC850VDC應(yīng)用電路；并推出開關(guān)頻率MHZ1000wGaN1200VD-ModeGaN器件。GaN集GaNIntel12英寸CMOSGaN2KWDC/DC65WPD150WBuck-Boost4TO-247-4LGaNTO247-4GaN器件。GaN2023EPC7020G和7030G功率晶體管。（二）射頻電子國際上展示新型結(jié)構(gòu)和高效率W波段射頻UCSBSiCN-faceW波段的N-faceGa-faceWHRLAlGaN/Graded-AlGaN/GaN漸W8GaN-on-SiST、UMC和GlobalFoundries國內(nèi)開發(fā)出高功率和低壓器件，并開始提供MMIC代工L射頻100V20W/mm55所研制的SiGaN低壓器件，在Vd=5V5GHz60%GaN600W功放管產(chǎn)2.45GHzMMIC0.25μm0.15μmGaN（三）光電子國內(nèi)硅基LED技術(shù)研發(fā)持續(xù)領(lǐng)先藍(lán)光LED芯片、Si基黃光及Si基綠光LED芯片發(fā)光效率保持SiLED29.1%，LED100lm/W；570nmLEDMicro-LEDCMOSSiGaNMicro-LEDARARMicro-LED研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化快速發(fā)展Micro-LED