半導體技術導論知到智慧樹章節(jié)測試課后答案2024年秋南京理工大學

半導體技術導論知到智慧樹章節(jié)測試課后答案2024年秋南京理工大學第一章單元測試

現代電子器件大多是基于半導體材料制備的？

A:錯B:對

答案:對

第二章單元測試

p型硅摻雜V族元素，n型硅摻雜III族元素。

A:對B:錯

答案:錯半導體中電流由電子電流和空穴電流構成。

A:對B:錯

答案:對以能帶隙種類區(qū)分，硅屬于直接能帶隙半導體。

A:對B:錯

答案:錯以下哪種結構不是固體常見的微觀結構類型？

A:多晶體B:非晶體

C:結晶體D:單晶體

答案:結晶體從能級角度上看，導體就是禁帶寬度很小的半導體。

A:錯B:對

答案:錯半導體的電導率一般要大于絕緣體的電導率。

A:錯B:對

答案:對在半導體中的空穴流動就是電子流動。

A:對B:錯

答案:錯通常來說，晶格常數較大的半導體禁帶寬度也較大。

A:對B:錯

答案:錯溫度為300K的半導體費米能級被電子占據的幾率為（）？

A:1/4B:1/2C:1D:0

答案:1/2通常對于同種半導體材料，摻雜濃度越高，載子遷移率越低。

A:錯B:對

答案:對

第三章單元測試

通常情況下，pn結p區(qū)和n區(qū)的半導體材料不相同。

A:對B:錯

答案:錯pn結加反偏壓時，總電流為0。

A:對B:錯

答案:錯平衡狀態(tài)下pn結的能帶圖中，p區(qū)和n區(qū)的費米能級是分開的。

A:對B:錯

答案:錯金屬與n型半導體接觸形成歐姆接觸，此時金屬的功函數應當大于半導體的功函數。

A:對B:錯

答案:錯歐姆接觸也稱為整流接觸。

A:錯B:對

答案:錯通常，超晶格結構是基于異質結設計的。

A:錯B:對

答案:對n型增強型MOSFET的基底是n型半導體。

A:對B:錯

答案:錯MOSFET的飽和漏極電流大小是由漏極電壓決定的。

A:對B:錯

答案:錯MOSFET的柵極氧化層采用High-K材料的目的是增加柵極電容。

A:錯B:對

答案:錯BJT可用于恒定電流源的設計。

A:錯B:對

答案:對

第四章單元測試

太陽能電池可以吸收太陽光的所有能量。

A:對B:錯

答案:錯Voc是指短路電壓。

A:對B:錯

答案:錯太陽能電池上表面的電極會遮擋電池吸收的陽光。

A:對B:錯

答案:對以下幾種太陽能電池中，效率最高的是（）？

A:有機物太陽能電池B:鈣鈦礦太陽能電池C:GaAs太陽能電池D:硅基太陽能電池

答案:GaAs太陽能電池半導體光探測器本質是一個pn結，這類器件工作在pn結電流電壓特性曲線的第（）象限？

A:IVB:IC:IID:III

答案:III對于同種半導體材料，通常PIN型光探測器的靈敏度要高于APD光探測器。

A:對B:錯

答案:錯光探測器設計的標準是：半導體材料的禁帶寬度只要高于被探測光能量即可。

A:錯B:對

答案:錯以下哪種LED量產最晚？

A:紅光LEDB:藍光LEDC:白光LEDD:綠光LED

答案:藍光LEDLED的壽命通常比白熾燈長。

A:錯B:對

答案:對半導體激光器中沒有諧振腔結構。

A:對B:錯

答案:錯

第五章單元測試

摩爾定律是指集成電路的集成度每12個月提升一倍。

A:錯B:對

答案:錯早期的半導體公司大多成立于美國的硅谷。

A:錯B:對

答案:對目前半導體產業(yè)分工越來越細，主要是由于技術越來越復雜，產品需求量越來越大。

A:對B:錯

答案:對半導體代工廠中主要進行集成電路設計。

A:對B:錯

答案:錯半導體產業(yè)涉及的知識領域主要是物理學和材料學，與化學無關。

A:對B:錯

答案:錯目前量產的半導體器件節(jié)點尺寸是（）？

A:7nmB:5nmC:10nmD:18nm

答案:5nm以下半導體產線上最昂貴的設備是（）？

A:CVD鍍膜機B:封裝機C:曝光顯影機

D:晶片清洗機

答案:曝光顯影機

在CMOS工藝中，通常采用對光刻膠曝光顯影來實現所設計結構的圖案制備。

A:錯B:對

答案:對邏輯電路的基本元件是MOS管。

A:錯B:對

答案:對集成電路中只能制造二極管和三極管，而無法制造電阻。

A:對B:錯

答案:錯

第六章單元測試

利用氫氟酸蝕刻SiO2薄膜具有各向異性。

A:錯B:對

答案:錯利用正光刻膠曝光、顯影、蝕刻的過程中，掩膜版上透光圖案對應的基底部位將被蝕刻掉。

A:錯B:對

答案:對通過擴散方式摻雜對雜質濃度和摻雜深度的控制精度比通過離子注入的方式摻雜要高。

A:對B:錯

答案:錯以下哪種材料無法通過分子束外延生長法制備？

A:GaAs

B:Si

C:GaND:IGZO

答案:IGZO以下哪種不屬于化學氣相沉積法

A:PECVDB:DPCVD

C:MOCVDD:LPCVD

答案:DPCVD

化學氣相沉積法的反應原料是氣體，反應物是固體，副產物也可以是固體

A:錯B:對

答案:錯化學氣相沉積法和物理氣相沉積法最主要的區(qū)別在于前者需要在真空環(huán)境下進行。

A:錯B:對

答案:錯12英寸硅晶片是指硅晶片的（）是12英寸。

A:厚度B:直徑C:器件大小D:半徑

答案:直徑利用液封直拉法得到的晶錠可以直接切割成晶片。

A:錯B:對

答案:錯以下晶體硅生長過程中的產物中哪種是單晶體？

A:晶錠B:電子級硅晶體C:冶金級硅晶體D:石英砂

答案:晶錠

第七章單元測試

通常TEM觀測的分辨率要高于SEM。

A:錯B:對

答案:對SEM觀測的主要原理是搜集入射電子激發(fā)的二次電子進行逐點成像的。

A:對B:錯

答案:對表面不導電的樣品無法用SEM進行觀測。

A:對B:錯

答案:錯TEM可觀測厚度1微米以上的樣品。

A:對B:錯

答案:錯AFM的探針針尖與樣品表面直接接觸，所以測量時會損傷樣品。

A:錯B:對

答案:錯AFM可觀測樣品內部形貌特征。

A:錯B:對

答案:錯以下哪種檢測方式不涉及X射線？

A:XPSB:EDX

C:XRD

D:SIMS

答案:S