材料化學(xué)知到智慧樹章節(jié)測試課后答案2024年秋武漢科技大學(xué)

材料化學(xué)知到智慧樹章節(jié)測試課后答案2024年秋武漢科技大學(xué)第一章單元測試

以下材料屬于燒煉材料的是（）

A:陶

B:陶瓷

C:鐵器

D:青銅器

答案:陶

；陶瓷

；鐵器

；青銅器

以下材料屬于合成材料的是（）

A:先進陶瓷材料

B:塑料

C:陶

D:有色金屬材料

答案:先進陶瓷材料

；塑料

；有色金屬材料

找化學(xué)組成分類，材料可以分為（）

A:無機非金屬材料

B:復(fù)合材料

C:金屬材料

D:高分子材料

答案:無機非金屬材料

；復(fù)合材料

；金屬材料

；高分子材料

北斗導(dǎo)航系統(tǒng)是材料。（）

A:對B:錯

答案:錯材料是具有使其能夠用于機械、結(jié)構(gòu)、設(shè)備和產(chǎn)品中具有有用性能的物質(zhì)。（）

A:錯B:對

答案:對化學(xué)是在分子、原子層次上研究物質(zhì)的組成、結(jié)構(gòu)、性質(zhì)與變化規(guī)律。（）

A:錯B:對

答案:對材料化學(xué)的特點主要在于跨學(xué)科性和實踐性。（）

A:對B:錯

答案:對將材料學(xué)與化學(xué)結(jié)合起來，可以從分子水平到宏觀尺度認(rèn)識結(jié)構(gòu)與性能的相互關(guān)系，從而調(diào)節(jié)改良材料的組成、結(jié)構(gòu)和合成技術(shù)，并發(fā)展出新型的/具有優(yōu)異性質(zhì)與性能的先進材料。（）

A:錯B:對

答案:對材料的性能是指材料在一定的條件下對外部作用的反應(yīng)的定量表述。（）

A:對B:錯

答案:對材料的合成與制備就是將原子、分子聚合起來并最終變?yōu)橛杏卯a(chǎn)品的一系列連續(xù)過程。（）

A:錯B:對

答案:對

第二章單元測試

材料合成中，溶劑的選擇應(yīng)該遵循（）。

A:使反應(yīng)物充分溶解形成均相溶液

B:溶劑與產(chǎn)物分離

C:反應(yīng)產(chǎn)物不能與溶劑作用

D:使副反應(yīng)最少

答案:使反應(yīng)物充分溶解形成均相溶液

；溶劑與產(chǎn)物分離

；反應(yīng)產(chǎn)物不能與溶劑作用

；使副反應(yīng)最少

無機材料尤其是功能材料的性能在很大程度上取決于材料的顆粒大小和形貌。（）

A:對B:錯

答案:對影響熱力學(xué)過程自發(fā)進行方向的因素有兩個，一個是熱量因素，另一個是系統(tǒng)混亂度因素。（）

A:錯B:對

答案:對真空度的高低用氣體壓強表示。()

A:對B:錯

答案:對氣體凈化方法有（）。

A:吸收

B:化學(xué)催化

C:吸附

D:冷凝

答案:吸收

；化學(xué)催化

；吸附

；冷凝

凝膠是指內(nèi)部呈網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu),網(wǎng)絡(luò)間隙中含有液體的固體。（）

A:對B:錯

答案:對對于吸熱反應(yīng)，平衡向正方向移動，溫度越（），反應(yīng)速率增加，轉(zhuǎn)化率也越（）；對于放熱反應(yīng)，平衡向逆方向移動，溫度越（），反應(yīng)速率增加，但轉(zhuǎn)化率（）。（）

A:低、高、高、低

B:高、低、高、低

C:高、低、高、高

D:高、高、高、低

答案:高、高、高、低

CVD法可用于制造覆膜、粉末、纖維等材料，它是半導(dǎo)體工業(yè)中應(yīng)用最為廣泛的沉積多種材料的技術(shù)，包括大范圍的絕緣材料、大多數(shù)金屬材料和合金材料。（）

A:對B:錯

答案:對PECVD包含化學(xué)和物理過程。（）

A:錯B:對

答案:對溶膠-凝膠法制備的材料化學(xué)純度高，均勻性好，此法易于控制化學(xué)劑量比，適合制備多組分材料。（）

A:對B:錯

答案:對

第三章單元測試

決定分子識別過程的兩個關(guān)鍵原則（）。

A:互補性與鍵合性

B:選擇性和預(yù)組織

C:互補性和預(yù)組織

D:選擇性和鍵合性

答案:互補性和預(yù)組織

非整比相是否能夠形成，與下列哪些因素?zé)o關(guān)？（）。

A:元素組成

B:晶體結(jié)構(gòu)

C:原子的電子結(jié)構(gòu)

D:晶界密度

答案:晶界密度

超分子化學(xué)的重要手段（）。

A:分子遷移

B:位點鍵合

C:自組裝

D:分子識別

答案:自組裝

；分子識別

根據(jù)有機微孔聚合物結(jié)構(gòu)特點以及合成方式的不同,又可以分為（）。

A:共價有機框架

B:超交聯(lián)聚合物

C:固有微孔聚合物

D:共軛微孔聚合物

答案:共價有機框架

；超交聯(lián)聚合物

；固有微孔聚合物

；共軛微孔聚合物

屬于非整比化合物結(jié)構(gòu)特點的有（）

A:晶胞參數(shù)隨組成連續(xù)變化

B:X射線衍射花樣始終與母晶胞一致

C:組成在較寬范圍變化

D:存在缺陷

答案:晶胞參數(shù)隨組成連續(xù)變化

；X射線衍射花樣始終與母晶胞一致

；組成在較寬范圍變化

；存在缺陷

非化學(xué)計量缺陷可能導(dǎo)致材料的（）性質(zhì)發(fā)生變化。

A:磁學(xué)性質(zhì)

B:電學(xué)性質(zhì)

C:機械加工性能

D:光學(xué)性質(zhì)

答案:磁學(xué)性質(zhì)

；電學(xué)性質(zhì)

；機械加工性能

；光學(xué)性質(zhì)

1987年萊恩在其諾貝爾獎獲獎演說中將超分子化學(xué)定義為“超越分子的化學(xué)”。（）

A:對B:錯

答案:對有機微孔聚合物是通過一些能夠形成分子間C-C雙鍵的反應(yīng)得到的。（）

A:錯B:對

答案:錯起初，科學(xué)家們判定每一種化合物各組成元素的重量比不應(yīng)隨它的來源、制備方法、存在形態(tài)和測定方法等變化。（）

A:對B:錯

答案:對根據(jù)組成范圍可以將非整比化合物分為寬限非整比化合物和窄限非整比化合物。（）

A:錯B:對

答案:對

第四章單元測試

半導(dǎo)體材料的電導(dǎo)率范圍（）。

A:10-8~103S/cm

B:103~108S/cm

C:10-18~10-8S/cm

D:10-5~105S/cm

答案:10-8~103S/cm

太陽光的能量分布絕大部分集中在哪些區(qū)域（）。

A:紫外光和紅外光

B:可見光和近紅外光

C:紅外光和微波

D:近紫外光和可見光

答案:可見光和近紅外光

電導(dǎo)率大小與材料的下列哪些因素相關(guān)（）。

A:載流子的密度

B:光電轉(zhuǎn)換效率

C:載流子的電荷數(shù)

D:載流子遷移率

答案:載流子的密度

；載流子的電荷數(shù)

；載流子遷移率

半導(dǎo)體材料按照成分分類可分為（）。

A:元素半導(dǎo)體

B:有機高分子半導(dǎo)體

C:固溶半導(dǎo)體

D:化合物半導(dǎo)體

答案:元素半導(dǎo)體

；固溶半導(dǎo)體

；化合物半導(dǎo)體

p-型半導(dǎo)體摻雜原子的價電子多于背景純元素的價電子。（）

A:錯B:對

答案:錯對半導(dǎo)體的材料施加應(yīng)力時，除產(chǎn)生變形外，能帶結(jié)構(gòu)也相應(yīng)地發(fā)生變化。（）

A:錯B:對

答案:對PN結(jié)的最大特性是單向?qū)щ娦浴＃ǎ?/p>

A:對B:錯

答案:對III-V族化合物半導(dǎo)體材料與傳統(tǒng)的半導(dǎo)體Si材料相比，具有的特點包括：帶隙較大、直接躍遷型能帶、電子遷移效率高。（）

A:對B:錯

答案:對光敏電阻工作原理是基于內(nèi)光電效應(yīng)。（）

A:錯B:對

答案:對半導(dǎo)體材料常見的重要應(yīng)用主要包括：熱阻器、壓力傳感器、光敏電阻器、磁敏電阻、光電倍增管、發(fā)光二極管、整流器、齊納二極管、晶體管等。（）

A:錯B:對

答案:對

第五章單元測試

為了獲得高的光輸出，我們希望輻射躍遷的概率要（）于非輻射躍遷。

A:遠(yuǎn)低于

B:略低于

C:相等

D:遠(yuǎn)高于

答案:遠(yuǎn)高于

吸收光譜，指對應(yīng)的吸收系數(shù)隨（）變化的光譜，一個有效的發(fā)光材料必須要有好的吸收本領(lǐng)。

A:吸收峰

B:溫度

C:波長

D:頻率

答案:波長

；頻率

石英光纖裸纖一般分為同軸三層結(jié)構(gòu)，包括：（）

A:折射率相同的玻璃纖芯和硅玻璃包層

B:樹脂涂層

C:中心高折射率石英纖芯

D:低折射率硅玻璃包層

答案:樹脂涂層

；中心高折射率石英纖芯

；低折射率硅玻璃包層

光纖可以按照（）進行分類。

A:傳輸方式

B:按材料

C:按折射率分布

D:按性能

答案:傳輸方式

；按材料

；按折射率分布

；按性能

光電轉(zhuǎn)換效率是人們在比較兩塊電池好壞時最常使用的參數(shù)。（）

A:錯B:對

答案:對第二代電池以薄膜太陽電池為代表，包括了非晶硅薄膜太陽電池，化合物薄膜太陽電池。（）

A:錯B:對

答案:對光子學(xué)涉及光子的吸收、產(chǎn)生、傳輸、探測、控制、轉(zhuǎn)換、存儲、顯示等。（）

A:錯B:對

答案:對光在光纖的傳導(dǎo)損耗比電在電線傳導(dǎo)的損耗高得多（）

A:對B:錯

答案:錯光纖常被用作短距離的信息傳遞。（）

A:錯B:對

答案:錯光纖的抗電磁干擾性能好。（）

A:對B:錯

答案:對

第六章單元測試

分子電子學(xué)研究體系中的分子數(shù)目只能是單個分子。（）

A:錯B:對

答案:錯分子電子學(xué)中單分子體系的研究是針對單個分子的研究。（）

A:對B:錯

答案:對分子電子學(xué)可以研究聚集態(tài)分子體系。（）

A:錯B:對

答案:錯分子電子學(xué)中分子聚集體研究的只能是有機小分子。（）

A:錯B:對

答案:錯掃描隧道顯微鏡基于原子導(dǎo)電針尖與導(dǎo)電樣品表面的隧穿電流大小來實現(xiàn)納米尺度的研究。（）

A:錯B:對

答案:對分子電子學(xué)的研究方法不包括下面那一項？（）

A:激光切割技術(shù)

B:掃描隧道顯微鏡裂解技術(shù)

C:導(dǎo)電原子力顯微鏡裂結(jié)技術(shù)

D:機械可控裂結(jié)技術(shù)

答案:激光切割技術(shù)

下面那一項是研究一個分子能否成為分子電子器件的最核心要素？（）

A:大小

B:形狀

C:力學(xué)性能

D:電子傳輸特性

答案:電子傳輸特性

分子電子學(xué)研究的范圍通常在下列哪個尺寸級別？（）

A:微米

B:納米

C:米

D:厘米

答案:納米

下列哪一項工作可借助于分子電子學(xué)技術(shù)開展研究？（）

A:研究升高的腳大小的關(guān)系

B:研究頭發(fā)為什么變白

C:研究兩個DNA單堿基分子之間的電子傳輸特性

D:研究性格與性別的關(guān)系

答案:研究兩個DNA單堿基分子之間的電子傳輸特性

下列哪一項和分子電子學(xué)有直接關(guān)聯(lián)的？（）

A:分子馬達(dá)

B:礦山挖掘

C:西氣東輸

D:南水北調(diào)

答案:分子馬達(dá)

第七章單元測試

按空間維度分類，納米材料可以分為（）

A:一維納米材料

B:二維納米材料

C:零維納米材料

D:三維納米材料

答案:一維納米材料

；二維納米材料

；零維納米材料

；三維納米材料

球形顆粒的表面積與直徑的（）成（）。（）

A:立方、反比

B:平方、正比

C:立方、正比

D:平方、反比

答案:平方、正比

隨著顆粒尺寸減小到與光波波長、德布羅意波長以及超導(dǎo)態(tài)的相干長度或透射深度等物理特征尺寸相當(dāng)或更小時，非晶態(tài)納米粒子表面層附近原子密度（）

A:無關(guān)系

B:增加

C:減小

D:不變

答案:減小

當(dāng)粒子尺寸下降到某一值時，金屬費米能級附近的電子能級由準(zhǔn)連續(xù)變?yōu)殡x散能級的現(xiàn)象和納米半導(dǎo)體微粒存在不連續(xù)的最高被占據(jù)分子軌道和最低未被占據(jù)的分子軌道能級，能隙變寬現(xiàn)象均稱為量子尺寸效應(yīng)。（）

A:錯B:對

答案:對濺射法通常是用來鍍膜的，通過一些改進，也可以用來制備納米微粒。（）

A:對B:錯

答案:對1993年，中國科學(xué)院北京真空物理實驗室自如地操縱原子成功寫出“中國”二字，標(biāo)志著我國開始在國際納米科技領(lǐng)域占有一席之地。（）

A:對B:錯

答案:對通常界