歷年高考化學(xué)知識清單-專題17 物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)（原卷+解析版）

專練

1.(1)元素的第一電離能：N0(填“〉”或“

(2)基態(tài)Fe2+的電子排布式為______________________________________________________

(3)在N、Mg、Al、Si四種元素中，有一種元素的電離能數(shù)據(jù)如下：

電離能/ihhh???

UkJ-mor1578\8i7274511575???

則該元素的元素符號是o

(4)NO3的空間構(gòu)型(用文字描述)，SOi中硫原子的雜化方式為

(5)硅烷(Si〃H2>2)的沸點(diǎn)與其用對分子質(zhì)量的變化關(guān)系如圖所示，呈現(xiàn)這種變化關(guān)系的原因是

相對分子質(zhì)量

(6)金屬銅原子的堆枳方式為面心立方最密堆枳，銅的原子半徑為rnm,則銅晶胞的體枳表達(dá)式為

________cm匕

2.氟在自然界中常以CaF2的形式存在。

(1)下列有關(guān)CaF2的表述正確的是。

a.Ca"與父間僅存在靜電吸引作用

-

b.F的離子半徑小于CP，則CaF2的熔點(diǎn)高于CaCh

c.陰陽離子比為2：1的物質(zhì)，均與CaF?晶體構(gòu)型相同

d.CaF?中的化學(xué)鍵為離子鍵，因此CaF2在熔融狀態(tài)下能導(dǎo)電

(2)CaF2難溶于水，但可溶于含AH+的溶液中，原因是(用離子方程式表示)。已知A1F『在溶液

中可穩(wěn)定存在。

(3)F2通入稀NaOH溶液中可生成OF?,OF?分子構(gòu)型為，其中氧原子的雜化方式為。

(4舊與其他鹵素單質(zhì)反應(yīng)可以形成鹵素互化物，例如C1F”BrF3等。已知反應(yīng)Ch(g)+3F2(g)===2ClF3(g)

1_11

AH=-313kJmor，F(xiàn)—F鍵的犍能為159kJmol，Cl—Cl鍵的鍵能為242kJmor，則C1F3中Cl—F鍵

的平均鍵能為kJmol-LCIF3的熔、沸點(diǎn)比BrF3的(填“高”或"低

3.我國從國外進(jìn)口某原料經(jīng)測定主要含有A、B、C、D、E五種前四周期元素，且原子序數(shù)依次增大。

元素A、B、C、D、E的原子結(jié)杓等信息如下：

元素元素性質(zhì)或原子結(jié)構(gòu)

A周期表中原子半徑最小的元素

B原子核外有三種不同的能級且各個(gè)能級所填充的電子數(shù)相同

C最外層P軌道半充滿

D位于短周期，其原子的核外成對電子數(shù)是未成對電子數(shù)的3倍

E位于ds區(qū)且原子的最外層電子數(shù)與A的相同

請答下列問題：(用A、B、C、D、E所對應(yīng)的元素符號作答)

(1)B、C、D第一電離能由大到小為“

(2)E的二價(jià)離子的電子排布式為。

(3)A?B2D4常用作除銹劑，該分子中B的雜化方式為：ImolA2B2D4分子中含有.。鍵數(shù)目為

(4)與化合物BD互為等電子體的陰離子化學(xué)式為等。

(5)B2A6、C2A4分子中均含有18個(gè)電子，它們的沸點(diǎn)相差較大，主要原因是

(6)BD?在高溫高壓下所形成晶體的晶胞如圖所示，一個(gè)該晶胞中含個(gè)D原子。

4.原子序數(shù)依次增大的A、B、C、D、E、F六種元素。其中A的基態(tài)原子有3個(gè)不同的能級，各能

級中的電子數(shù)相等：C的基態(tài)原子2p能級上的未成對電子數(shù)與A原子的相同：D為它所在周期中原子半徑

最大的主族元素；E和C位于同一主族，F(xiàn)的原子序數(shù)為290

(DF原子基態(tài)的核外電子排布式為o

(2)在A、B、C三種元素中，第一電離能由小到大的順序是(用元素符號回答)。

(3)元素B的簡單氣態(tài)氫化物的沸點(diǎn)遠(yuǎn)高于元素A的簡單氣態(tài)氫化物的沸點(diǎn)，其主要原因是

(4)由A、B、C形成的離子CAIT與AC2互為等電子體，則CAB一的結(jié)構(gòu)式為

2

(5)在元素A與E所形成的常見化合物中，A原子軌道的雜化類型為。

(6)由B、C、D三種元素形成的化合物晶體的晶胞如圖所示，則該化合物的化學(xué)式為

5.FC?%、Fe3+與。2一、CNJF一有機(jī)分子等形成的化合物具有廣泛的應(yīng)用。

(DC.N、。原子的第一電離能由大到小的順序是

(2)Fez-基態(tài)核外電子排布式為.

(3)乙?；F是常用汽油抗震劑，其結(jié)構(gòu)如圖1所示。

此物質(zhì)中碳原子的雜化方式是。

(4)配合物K3Fe(CN)6可用于電子傳感器的制作。與配體互為等電子體的一種分子的化學(xué)式為

0已知(CN"是直線型分子，并具有對稱性，則(CNX中幾鍵和°鍵的個(gè)數(shù)比為

(5萬一不僅可與Fe"形成［FeF/z還可以與Mg?入K+形成一種立方晶系的離子晶體，此晶體應(yīng)用于激

光領(lǐng)域，結(jié)構(gòu)如圖2所示。

6.現(xiàn)有A、B、C、D、E、F原子序數(shù)依次增大的六種元素，它們位于元素周期表的前四周期。B元素

3

含有3個(gè)能級，且每個(gè)能級所含的電子數(shù)相同；D的原子核外有8個(gè)運(yùn)動狀態(tài)不同的電子；E元素與F元素

處于同一周期相鄰的族，它們的原子序數(shù)相差3,且E元素的基態(tài)原子有4個(gè)未成對電子。

請回答下列問題：

(1)請寫出：D基態(tài)原子的價(jià)層電子排布圖：：

F基態(tài)原子的價(jià)電子排布式：°

(2)下列說法錯(cuò)誤的是。

A.二氧化硅的相對分子質(zhì)量比二氧化碳大，所以沸點(diǎn)：Si02>CO2

B.電負(fù)性順序：B<C<D

C.N2與CO為等電子體，結(jié)構(gòu)相似

D.穩(wěn)定性：H2OH2S,水分子更穩(wěn)定的原因是水分子間存在氫鍵

(3)F離子是人體內(nèi)多種酶的輔因子，人工模擬酶是當(dāng)前研究的熱點(diǎn)。向F的硫酸鹽溶液中通入過量的C

與A形成的氣體X可生成［F(X)4產(chǎn),該離子的結(jié)構(gòu)式為(用元素

符號表示)。

(4)某化合物與F(I)(I表示化合價(jià)為+1)結(jié)合形成圖I所示的離子,該離子中碳原子的雜化方式有

(5)B單質(zhì)的一種同素異形體的晶胞如圖2所示，則一個(gè)晶胞中所含B原子數(shù)為。

(6)D與F形成離子個(gè)數(shù)比為I：1的化合物，晶胞與Na。類似，設(shè)D離子的半徑為apm,F離子的半

徑與pm,求該晶胞的空間利用率。

7.(1)①Cu元素基態(tài)原子的外圍電子排布式為。

②元素C、N、O的第一電離能由大到小的排列順序?yàn)椤?/p>

(2)下列說法正確的是(填序號)。

A.第一電離能：As>Ga

B.電負(fù)性：As>Ga

C.原子半徑：As>Ga

(3)①褚(Gc)是用途很廣的半導(dǎo)體材料，基態(tài)錯(cuò)原子的外圍電子排布式為。

②在第二周期中，第一電離能位于硼元素與氮元素之間的元素有種。

(4)硼(B)及其化合物在化學(xué)中有重要的地位。請問答下列問題：Ga與B同主族，Ga的基態(tài)原子的核外

電子排布式為，B、C、0三種元素的第一電離能由大到小的順序是。

4

8.(1)乙酸的沸點(diǎn)明顯高于乙醛的主要原因是。

(2)己知元索X位于第四周期，其基態(tài)原子的內(nèi)層軌道全部排滿電子，且最外層電子數(shù)為2,元素Y基

態(tài)原子的3p軌道上有4個(gè)電子，元素Z的最外層電子數(shù)是其內(nèi)層的3倍。

則①與YZT互為等電子體的分子的化學(xué)式(任寫一種)。

②X的氯化物與氨水反應(yīng)可形成配合物［X(NH3)4］C12,Imol該配合物中含有o鍵的數(shù)目為o

③Z的氫化物(H?Z)在乙醉中的溶解度大于H?Y,其原因是

(3)已知苯酚(OH)具有弱酸性，其Ka=l.lx|0—。；水楊酸第一級電離形成的離子

能形成分子內(nèi)氫鍵。據(jù)此判斷，相同溫度下電離平衡常數(shù)K4水楊酸)_Ka(苯酚)(填

“/或“<”)，其原因是____________________________________

6自然界存在豐富的碳、氮、硅、磷、鐵等元素，它們可形成單質(zhì)及許多化合物。按要求回答下列問題；

(1)鐵能與CO形成配合物Fe(CO)5,其熔點(diǎn)為一20.5C,沸點(diǎn)為102℃,易溶于CCL,據(jù)此判斷Fe(CO)5

晶體屬于(填晶體類型)。

(2)鐵在元素周期表中位置是,

亞鐵離子具有強(qiáng)還原性，從電子排布的角度解釋，其原因是

(3)南海海底蘊(yùn)藏著大量的人然氣水化合物，俗稱“可燃冰可燃冰是一種晶體，晶體中平均每46個(gè)

H2O分子通過氫鍵構(gòu)成8個(gè)籠，每個(gè)籠內(nèi)可容納1個(gè)CH4分子或1個(gè)游離的H2O分子。若晶體中每8個(gè)籠

有6個(gè)容納了CH4分子，另外2個(gè)籠被游離的H2O分子填充。可燃冰的平均組成可表示為o

(4)亞磷酸(H3Po3)與過量NaOH充分反應(yīng)生成亞磷酸氫二鈉［Na2HpO3),則亞磷酸氫二鈉屬于

鹽(填“正”、“酸式”)。

(5)金剛石晶胞結(jié)構(gòu)模型如下圖，立方BN結(jié)構(gòu)與金剛石相似，硬度與金剛石相當(dāng)。在立方BN晶體中，

B原子與N原子之間共價(jià)鍵與配位鍵數(shù)目比為:每個(gè)N原子周圍最近且等距離的N原子數(shù)為

；如果阿伏加德羅常數(shù)近似取6xKPmoL,立方BN的密度為ag.cm3,摩爾質(zhì)量為踵.mol1,計(jì)

算昂體中最近的兩個(gè)N原子間距離是nm(用含〃、5代數(shù)式表示)。

5

10.黃銅礦(CuFeS?)是煉銅的最主要礦物，在野外很容易被誤會為黃金，又稱愚人金。(1)火法冶煉黃銅

礦的過程中，利用了Cu?O與Cu2s反應(yīng)生成Cu單質(zhì)，反應(yīng)的化學(xué)方程式是

(2)S位于周期表中族，該族元素氫化物中，H?Te比H2s沸點(diǎn)高的原因是

____________________________________________________________________________,

H2O比H2Te沸點(diǎn)高的原因是。

(3)S有+4和+6兩種價(jià)態(tài)的氧化物，回答下列問題：

①下列關(guān)于氣態(tài)SO3和SO2的說法中，正確的是o

A.中心原子的價(jià)層電子對數(shù)目相等

B.都是極性分子

C.中心原子的孤電子對數(shù)目相等

D.都含有極性鍵

②將純液態(tài)SO3冷卻到289.8K時(shí)凝固得到一種螺旋狀單鏈結(jié)構(gòu)的固體，其結(jié)構(gòu)如圖，此固態(tài)SO.中S

原子的雜化軌道類型是o

OO

Os

(4)Cu有+1和+2兩種價(jià)態(tài)的化合物，回答下列問題：

@Cu+的價(jià)電子排布圖為,

Cu＞有個(gè)未成對電子。

②新制的CU(OH)2能夠溶解于過量濃堿溶液中，反應(yīng)的離子方程式是

(5)CuFeS2的晶細(xì)胞如圖所示,晶胞參數(shù)a=0.524nm,c=1.032nm；CuFeSz的晶胞中每個(gè)Cu原子與

個(gè)S原子相連，列式計(jì)算晶體密度,=g-cm3。

6

OcuO0s

11.金屬鈦(Ti)被譽(yù)為21世紀(jì)金屬，具有良好的生物相容性，它兼具鐵的高強(qiáng)度和鋁的低密度。其單質(zhì)

和化合物具有廣泛的應(yīng)用價(jià)值。氮化鈦(Ti3N4)為金黃色晶體，由于具有令人滿意的仿金效果，越來越多地成

為黃金的代替品。以TiCL為原料，經(jīng)過一系列反應(yīng)可以制得Ti3N4和納米TiO2(如圖1)。

|TiClt|——-----2gl熱米TiO,

圖1

上圖中的M是短周期金屬元素，M的部分電離能如下表:

71hhh15

電離能/kJ-moL738145177331054013630

請回答下列問題；

(l)Ti的基態(tài)原子價(jià)電子排布式;為o

(2)M是(填元素符號)，該金屬晶體的堆積模型為六方最密堆積，配位數(shù)為。

(3)納米TiO2是一種應(yīng)用廣泛的催化劑，納米TiO2催化的一個(gè)實(shí)例如圖2所示?；衔锛椎姆肿又胁扇?/p>

SF方式雜化的碳原子有個(gè)，化合物乙中采取Sp3方式雜化的原子對應(yīng)的元素的電負(fù)性由大到

圖2

7

(4)有一種氮化鈦晶體的晶胞與NaCl品胞相似，如圖3所示，該晶胞中N、Ti之間最近距離為apm,則

該氮化鈦的密度為gem-3

(NA為阿伏加德羅常數(shù)的值，只列計(jì)算式)。該晶體中與N原子距離相等且最近的N原子有個(gè)。

(5)科學(xué)家通過X-射線探明KC1、MgO、CaO、TiN的晶體與NaCl的晶體結(jié)構(gòu)相似。且知三種離了?晶體

的晶格能數(shù)據(jù)如下：

離子晶體NaClKC1CaO

晶格能/kJmol-7867153401

KCI、CaO、TiN三種離子晶體熔點(diǎn)由高到低的順序?yàn)椤?/p>

12.安徽省具有豐富的銅礦資源，請回答下列有關(guān)銅及其化合物的問題：

(1)請寫出基態(tài)Cu原子的價(jià)電子排布式o焰火中的綠色是銅的焰色，基態(tài)銅原子在灼燒時(shí)價(jià)電

子發(fā)生了而變?yōu)榧ぐl(fā)態(tài)。

(2)新型農(nóng)藥松脂酸銅具有低殘留的特點(diǎn)，下圖是松脂酸銅的結(jié)構(gòu)簡式：

請分析1個(gè)松脂酸銅中幾鍵的個(gè)數(shù);力11"*"碳原子的雜化方式為。

(3)下圖是某銅礦的晶胞圖，請推算出此晶胞的化學(xué)式(以X表示某元素符號)：與X等距離且

(4)黃銅礦在冶煉的時(shí)候會產(chǎn)生副產(chǎn)品SCh,SO2分子的立體構(gòu)型，比較第一電離能，S(填

"＞，，或y，)0。

8

(5)黃銅合金可以表示為Cu3Zn,為面心立方晶胞，晶體密度為8.5g-cm-3,求晶胞的邊長(只寫計(jì)算式,

不求結(jié)果)o

13.太陽能電池的發(fā)展經(jīng)歷了三代。笫一代為單晶硅太陽能電池，笫二代為多晶硅、非晶硅太陽能電

池，第三代就是銅錮像硒CIGS(CIS中摻入Ga)等化合物薄膜太陽能電池以及薄膜Si系太陽能電池。請回答

下列問題：

(1)晶體硅中Si原子采用的軌道雜化方式是。

(2)銅的原子序數(shù)為,亞銅離子(Cd)基態(tài)時(shí)的電子排布式為。

(3)硒為第四周期元素，相鄰的元素有神和澳，則三種元素的第?電離能從大到小的順序?yàn)?用

元素符號表示)。AsH?的沸點(diǎn)比NH3的低，其原因是o

(4)與錢元素處于同一主族的硼元素具有缺電子性，其化合物往往具有加合性，硼酸(HaB6)在水溶液中

能與水反應(yīng)生成|B(OH”「而體現(xiàn)一元弱酸的性質(zhì)。

①Na[B(OH)"中存在的化學(xué)鋌類型有。

②[B(OH)J的立體構(gòu)型為。

(5)單晶硅的結(jié)構(gòu)與金剛石的結(jié)構(gòu)相似，若將金剛石晶體中?半的C原子換成Si原子且同種原子間不成

鍵，則得如圖所示的金剛砂(SiC)結(jié)構(gòu)；若在晶體硅中所有Si—Si鍵中插入0原子即得SiOz晶體。

①判斷

a.SiOib.干冰c.冰

三種晶體的熔點(diǎn)從小到大的順序是(用字母表示)。

②在SiC晶體中，每個(gè)C原子周圍最近的C原子數(shù)為0

③在SiCh品體中，每個(gè)Si原子被個(gè)最小環(huán)所共有，

14.回答下列問題：

(1)過渡金屬元素鐵能形成多種配合物，如：[Fe(H2NCONH2)6](NCh)3[三硝酸六尿素合鐵(HI)]和Fe(CO).(

等。

9

①基態(tài)氟原子的價(jià)電子排布式為0

②尿素(H2NCONH2)分子中C、N原子的雜化方式分別是、。

③配合物Fe(CO).，.的中心原子價(jià)電子數(shù)與配體提供電子數(shù)之和為18,則.》=。Fe[CO)x常溫下

呈液態(tài)，熔點(diǎn)為-20.5℃,沸點(diǎn)為103℃,易溶于非極性溶劑，據(jù)此可判斷Fe(CO)x晶體屬于(填

晶體類型)。

(2)0和Na形成的一種只含有離子鍵的離子化合物的晶胞結(jié)構(gòu)如圖，距一個(gè)陰離子周圍最近的所有陽離

子為頂點(diǎn)構(gòu)成的幾何體為。已知該晶胞的密度為〃g/cnP,阿伏加德羅常數(shù)為NA,求晶胞邊長

emo(用含/、NA的計(jì)算式表示)

(3)下列說法正確的是o

a.第一電離能大小:S>P>Si

b.甩負(fù)性順序：C<N<O<F

c.因?yàn)榫Ц衲蹸aO比KC1高，所以KC1比CaO熔點(diǎn)低

d.SO2與CO2的化學(xué)性質(zhì)類似，分子結(jié)構(gòu)也都呈直線形，相同條件下SO2的溶解度更大

(4)圖(a)是Na、Cu、Si、H、C、N等元素單質(zhì)的熔點(diǎn)高低的順序，其中c、d均是熱和電的良導(dǎo)體。

3500

3000

2000

1000

100

0

圖⑷ffl(b)

①圖中d單質(zhì)的晶體堆積方式類型是。

②單質(zhì)a、b、f對應(yīng)的元素以原子個(gè)數(shù)比1：1：1形成的分子中含個(gè)O鍵，個(gè)孔鍵。

③圖(b)是上述六種元素中的一種元素形成的含氧酸的結(jié)構(gòu)，請簡要說明該物質(zhì)易溶于水的原因：

15.X、Y、Z、W是元素周期表前四周期中的常見元素。其相關(guān)信息如表:

元素相關(guān)信息

XX的一種核素的質(zhì)量數(shù)為18,中子數(shù)為10

10

YY與X同主族，且它的一種氧化物是形成酸雨的主要物質(zhì)之一

ZZ的單質(zhì)常溫下為黃綠色氣體

WW的基態(tài)原子核外有4個(gè)未成對電子

請回答下列問題：

(DY位于元素周期表的________區(qū)。

(2)X的一種氫化物H2X2,其分子中極性鍵和非極性鍵數(shù)目之比為o

(3)Y的電負(fù)性比Z的(填“大”或“小”)；X和Y的簡單氣態(tài)氫化物中，較穩(wěn)定的是(寫

化學(xué)式)。

(4)試推測下列含Z元素的微粒的空間構(gòu)型：

ZOJ

微粒zo2

空間構(gòu)型

根據(jù)物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的關(guān)系，解釋上述兩種離子對應(yīng)酸酸性強(qiáng)弱的原因：

(5)W的晶體在不同溫度下有兩種堆積方法，晶胞分別如圖所示，面心立方晶胞和體心立方晶胞中實(shí)際

含有的W原子個(gè)數(shù)之比為

16.原子序數(shù)小于36的X、Y、Z、W、Q五種元素，X原子核外電子運(yùn)動狀態(tài)是所有原子中最少的，

Y原子基態(tài)時(shí)最外層電子數(shù)是其內(nèi)層電子數(shù)的2倍，Z原子基態(tài)時(shí)2P原子軌道上有3個(gè)未成對的電子，W

是第三周期中電負(fù)性最大的元素，Q的原子序數(shù)為33?；卮鹣铝袉栴}：

(1)鏈狀化合物YSX6分子中。鍵與兀鍵的數(shù)目比為。

(2)ZX3極易溶于水而YX4難溶于水的主要原因是

(3)元素Y的一種氧化物與元素Z的一種氧化物互為等電子體，這兩種氧化物的分子式分別是.

(4)W與Q能形成兩種分子，其中屬于非極性分子的是,另一種分子的空間構(gòu)型是o

(5)W可以分別與Z、Q形成原子個(gè)數(shù)比為1：3的兩種化合物，則這種化合物沸點(diǎn)的相對高低為

17.鹵族元素是典型的非金屬元素，鹵素單質(zhì)及其化合物在工農(nóng)業(yè)生產(chǎn)和生活中都有重要的用途。請

回答下列問題：

(1)下列物質(zhì)性質(zhì)遞變規(guī)律F確的是0

11

a.熔點(diǎn)：CaF2<CaCh<CaBr2<Cal2

b.穩(wěn)定性：HF>HI>HBr>HCl

c.電負(fù)性：F>Cl>Br>I

d.第一電離能：F<Cl<Br<I

(2)不同鹵素原子之間可形成鹵素互化物，如IBr、BE、BrFs等。鹵素互化物中的化學(xué)鍵類型是。

a.離子鍵b.極性鍵

c.非極性鍵d.。鍵利兀鍵

(3)OF2分子的空間構(gòu)型為：B03分子中鍵角為oChO的中心原子雜化類型為

(4)h晶胞和銅晶胞相似，每個(gè)晶胞含個(gè)碘原子。

(5)由K、M、F三種元素組成的某種晶體的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示，基態(tài)M原子的外圍電子排布式為3s2。

該晶胞邊長為apm,則該晶體的密度為。(用代數(shù)式表示)

18.碳元素不僅能形成種類繁多的有機(jī)化合物，而且還能形成多種無機(jī)化合物，同時(shí)自身可以形成多

種單質(zhì)。碳及其化合物的用途廣泛。請回答下列問題：

回卜山

(1)某同學(xué)畫出基態(tài)碳原子的核外電子排布圖：E,s32、2pI,該電子排布圖違背了

,請你畫出正確的核外目子排布圖：。

(2)富勒烯(C60)的結(jié)構(gòu)如圖所示。

ImolCoo分子中G鍵的數(shù)目為。繼C60后，科學(xué)家又合成了Si6O、N6O。請解釋如下現(xiàn)象；熔點(diǎn):

Si6<>N60>C60>而破壞分子所需要的能量：N6fl>C60>Si60>其原因是

(3)CH3>—C%、Ebb都是重要的有機(jī)反應(yīng)中間體。&3、2H3的空間構(gòu)型分別為、。

(4)含氧酸電離出的氫離子來自羥基，碳酸的結(jié)構(gòu)式為；若碳酸中的碳、氧原子都在同一平面,

則碳原子的雜化類型是。

12

(5)固態(tài)CCh(干冰)的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示，1個(gè)CO2分子周圍等距離且距離最近的CO2分子有

個(gè)。

19.鐵氧體是一種磁性材料，具有廣泛的應(yīng)用。

(1)基態(tài)鐵原子的核外電子排布式為，

(2)工業(yè)制備鐵氧體常使用水解法，制備時(shí)常加入尿素、醋酸鈉等堿性物質(zhì)。尿素分子中匹種不同元素

的電負(fù)性由大至小的順序是;醋酸鈉中碳原子的雜化類型是o

(3)工業(yè)制備鐵氧體也可使用沉淀法，制備時(shí)常加入氨(N%)、聯(lián)皴(N2H4)等弱堿。比較下表中氨(N%)、

聯(lián)氨(N2H4)的熔、沸點(diǎn)，解釋其高低的主要原因：

N2H4NH3

熔點(diǎn)片C2-77.8

沸點(diǎn)/℃113.5-33.5

(4)如圖是從鐵氧體離子晶體Fe^O^中取出的能體現(xiàn)其晶體結(jié)構(gòu)的一個(gè)立方體，則晶體中的氧離子是否

構(gòu)成了面心立方最密堆積(填“是”或“否”)，該立方體是不是Fe.Q的晶胞(填“是”或“否)

立方體中三價(jià)鐵離子處于氧離子圍成的(填空間結(jié)構(gòu))空隙。

。一鐵肉子

?一班鐵離子

。一軻閨子

(5)解釋該Fe3。4晶體能導(dǎo)電的原因：；根據(jù)上圖計(jì)算Fe3(h晶體的密度為

g-cm3(圖中。=0.42nm.計(jì)算結(jié)果保留兩位有效數(shù)字)。

20.周期表中前四周期的元素A、B、C、D,原子序數(shù)依次增大，且A、B、C同周期。A共有兩個(gè)原

子軌道上有電子，且電子數(shù)目相同。B、C相鄰，且C中的未成對電子數(shù)為3個(gè)，D是人類最早使用的元素，

并以這種元素命名了一個(gè)時(shí)代。請回答下面的問題；

(1)A、B、C第一電離能從小到大的順序?yàn)椋?填元素符號)，D的價(jià)層電子排布圖為：。

13

(2)在不同的溫度下，A以ACL和二聚體A2cL兩種形式存在，二聚體的結(jié)構(gòu)式如下圖所示：

C1

/\

Cl—AA—Cl

\/

Cl

①AC12中A的雜化方式為o

②IinolA2CI4中含配位鍵的數(shù)目為o

(3)B元素能形成多種同素異形體，其中一種同素異形體X的晶體結(jié)構(gòu)和品胞結(jié)構(gòu)如圖所示。已知X的

密度是〃g/cn?,B—B鍵的鍵長為rem,阿伏加德羅常數(shù)的值為NA。

X的晶體結(jié)構(gòu)X的晶體品胞

①X中含有的化學(xué)鍵為。

②X晶體的層間距離為。

(4)C元素可以形成兩種含氧酸HCCh和HCO3,酸性是HCO?HCOM填“強(qiáng)于”或者“弱于”)，原

因?yàn)閛

(5)將二維密置層在三維空間內(nèi)堆積，可以得到兩種金屈晶體的最密堆積方式。一種是按照

XYXYXYXY...方式堆積，我們稱這種堆積方式為“甲”方式。另外一種是按照XYZXYZXYZXYZ....方

式堆積，我們稱這種堆積方式為“乙”方式。則金屬D的堆積方式為(填“甲”或"乙

21.如圖是元素周期表的一部分：

(1)陰影部分元素的外圍電子排布式的通式為

(2)氮族元素氫化物RH3(NH3、PH3、AsFh)的某種性質(zhì)隨R的核電荷數(shù)的變化趨勢如圖所示，則Y

軸可表示的氫化物(RH3)性質(zhì)可能有。

14

A.穩(wěn)定性B.沸點(diǎn)C.R—H鍵能D.分子間作用力

（3）如圖EMIM+離子中，碳原子的雜化軌道類型為。分子中的大兀鍵可用符號刑戶表示，其中n

代表參與形成大兀鍵的原子數(shù)，m代表參與形成大兀鍵的電子數(shù)（如苯分子中的大幾鍵可表示為幾?。?，則EMM+

離子中的大兀健應(yīng)表示為o

（4）晶胞有兩個(gè)基本要素：石墨一種晶胞結(jié)構(gòu)和部分晶胞參數(shù)如圖。原子坐標(biāo)參數(shù)描述的是晶胞內(nèi)原

子間的相對位置。石墨晶胞中碳原子A、B的坐標(biāo)參數(shù)分別為A（0,0,0）、B（0,1,1/2）,則C原子的坐

標(biāo)參數(shù)為。

（5）鉆藍(lán)晶體結(jié)構(gòu)如下圖，該立方晶胞由4個(gè)I型和4個(gè)I［型小立方體構(gòu)成，其化學(xué)式為，晶體中

A伊占據(jù)O?形成的_（填“四面體空隙”或“八面體空隙"）。NA為阿伏加德羅常數(shù)的值，鉆藍(lán)晶體的密度為

g?cm列計(jì)算式）。

22.神和銀是重要的材料和化工領(lǐng)域用途廣泛。請回答下列問題:

15

（I）基態(tài)As原子中，價(jià)電子的電子云輪廓圖形狀為。與神同周期的主族元素的基態(tài)原

子中，電負(fù)性最大的為（填元素符號）。

（2）NaaAsO。可用于碘的微量分析。

①Na+的焰色反應(yīng)呈黃色，很多金屬元素能產(chǎn)生焰色反應(yīng)的微觀原因?yàn)閛

②其中陰離子的VSEPR模型為,與其互為等電子體的分子為（只寫一種分子式即可）。

OO

（3）M（II||）可用于合成Ni"的配體，M中C原子的雜化形式為______,。鍵和兀鍵的數(shù)

CH3CCH2CCF3

目之比為。

（4）Ni與Ca處于同一周期，且核外最外層電子構(gòu)型相同，但金屬Ni的熔點(diǎn)和沸點(diǎn)都比金屬Ca高，

原因?yàn)?。區(qū)分晶體Ni和非晶體Ni的最可靠的科學(xué)方法為.

（5）某種銀合金的晶胞如圖所示，設(shè)阿伏加德羅常數(shù)的值為N,、，該晶體的密度p=g-cm\

OA?

?Ni

23.為了紀(jì)念元素周期表誕生150周年，聯(lián)合國將2019年定為“國際化學(xué)元素周期表年”。回答下列問

題：

（1）Ag與Cu在同一族，則Ag在周期表中—（填“s”、"p”、"d”或“ds”）區(qū)。[Ag2（NHs）2]+中Ag+

空的5s軌道和5p軌道以sp雜化成鍵，則該配離子的空間構(gòu)型是—o

（2）下表是Fc和Cu的部分電離能數(shù)據(jù)：請解釋L（Cu）大于h（Fe）的主要原因：。

元素FeCu

第一電離能Ii/kJ-mor1759746

第二電離能h/kJ-mor,15611958

（3）亞鐵氨化鉀是食鹽中常用的抗結(jié)劑，其化學(xué)式為K4[Fe（CN）6].

①CN-的電子式是；1mol該配離子中含。健數(shù)目為—。

②該配合物中存在的作用力類型有（填字母）。

A.金屬鍵B.離子鍵C.共價(jià)鍵D.配位鍵E.氫鍵F.范德華力

（4）MnOz的熔點(diǎn)（1660CC）二匕MnS的熔點(diǎn)（1610℃）高，其主要原因是。

16

(5)第三代太陽能電池利用有機(jī)金屬鹵化物碘化鉛甲胺(CMNH3Pbi3)半導(dǎo)體作為吸光材粘,

CHiNH3Pbi3具有鈣鈦礦(AMX3)的立方結(jié)構(gòu)，其晶胞如圖所示。

①AMX3晶胞中與金屬陽離子(M)距離最近的鹵素陰離子(X)形成正八面體結(jié)構(gòu)，則M處于—位置，X

處于—位置。

③CH3NH3Pbi3晶體的晶胞參數(shù)為anm,其晶體密度為dg-cnN,則阿伏加德羅常數(shù)的值NA的計(jì)算表達(dá)

式為o

24.(1)下列氮原子的電子排布圖表示的狀態(tài)中，能量由低到高的順序是(填字母代號)。

為

A.而面Hl”，］&由質(zhì)］口

i?2，一串.a*i?2?2lm?

C.血由［，|“懼D.由由

(2)P/S3可用于制造火柴，其分子結(jié)構(gòu)如圖所示。

①P4s3分子中硫原子的雜化軌道類型為。

②每個(gè)P4s3分子中含有的孤電子對的數(shù)目為O

(3)科學(xué)家合成了一種陽離子"N5"，其結(jié)構(gòu)是對稱的，5個(gè)N排成"V"形，每個(gè)N都達(dá)到8電子穩(wěn)

定結(jié)構(gòu)，且含有2個(gè)氮氮三鍵;此后乂合成了一種含有“N，"”的化學(xué)式為“Ns”的離子晶體，其電子式為

，，分子(CN)2中健與鍵之間的夾角為180。，并有對稱性，分子中每個(gè)原子的最外層均滿

是8電子穩(wěn)定結(jié)構(gòu)，其結(jié)構(gòu)式為。

(4)直鏈多磷酸根陰離子是由兩個(gè)或兩個(gè)以上磷氧四面體通過共用頂角氧原子連接起來的，如圖所示。

則由〃個(gè)磷氧四面體形成的這類磷酸根離子的通式為。

(5)碳酸鹽中的陽離子不同，熱分解溫度就不同。下表為四種碳酸鹽的熱分解溫度和金屬陽離子半徑

17

碳酸KCamSrt()

―1―1

熱分斛濟(jì)收140290011721360

金屬陽陽6699112135

.

隨著金屬陽離子半徑的增大，碳酸鹽的熱分解溫度逐步升高，原因是。

(6)石墨的晶體結(jié)構(gòu)和晶胞結(jié)構(gòu)如下圖所示。已知石墨的密度為pg?cnF,C—C鍵的鍵長為

阿伏加德羅常數(shù)的值為NA,則石墨晶體的層間距為uiiio

25.鍥及其化合物是重要的合金材料和催化劑。請回答下列問題：

(1)基態(tài)銀原子的價(jià)電子排布式為,排布時(shí)能量最高的電子所占能級的原子軌道有

個(gè)伸展方向。

(2)鍥能形成多種配合物如正四面體形的Ni(CO)4和正方形的［Ni(CN)4產(chǎn)、正八面體形的［Ni(NH3)6p+

等。下列說法正確的有0

A.CO與CN-互為等電子體，其中CO分子內(nèi)。健和兀鍵個(gè)數(shù)之比為1:2-

B.NH3的空間構(gòu)型為平面三角形

C.Ni2+在形成配合物時(shí)，其配位數(shù)只能為4

D.Ni(CO)4和［Ni(CN)4］2-中,鍥元素均是sp3雜化

(3)丁二酮眄常用于檢驗(yàn)Ni2+：在稀級水中，丁二酮后與Ni2+反應(yīng)生成鮮紅色沉淀，其結(jié)構(gòu)如圖所示。

該結(jié)構(gòu)中，除共價(jià)鍵外還存在配位鍵和氮鍵，請?jiān)趫D中用“t”和”???”分別表示出配位鍵和氫鍵。

O0

II一

INiI

O

H

(4)NiO的晶體結(jié)構(gòu)類型與氯化鈉的相同，相關(guān)離子半徑如下表：

18

Na*IG2pmCT18ipm

NF*69pmO2'140pm

NiO晶胞中Ni2+的配位數(shù)為,NiO熔點(diǎn)比NaCI高的原因是。

（5）研究發(fā)現(xiàn)錮鍥合金LaNix是一種良好的儲氫材料。屬六方晶系，其晶胞如圖a中實(shí)線所示，儲氫位

置有兩種，分別是八面體空隙（匚■y）和四面體空隙（口▲y）,見圖b、c,這些就是氫原子存儲處，

有氫

時(shí)，設(shè)其化學(xué)式為LaNixH、.。

頂層和底層中層

「°?4?尸至…一

:。飛將共

i500Pmi??、?,

abc

①LaNix合金中x的值為_____；

②晶胞中和同類的八而體空隙有______個(gè)，和同類的四面體空隙有一個(gè)。

③若H進(jìn)入晶胞后，晶胞的體積不變,H的最大密度是______g/cnW（保留2位有效數(shù)字，NA=6.0X102\

=1.7）

19

高考押題專練

1.(1)元素的第一電離能：N0(填“”或“v”)。

⑵基態(tài)Fe2+的電子排布式為______________________________________________________

(3)在N、Mg、Al、Si四種元素中，有一種元素的電離能數(shù)據(jù)如下：

電離能hhhh???

/,/kJmor15781817274511575???

則該元素的元素符號是。

(4)NCH的空間構(gòu)型_______________________________(用文字描述)，SOI-中硫原子的雜化方式為

(5)硅烷(Si〃H2>2)的沸點(diǎn)與其用對分子質(zhì)量的變化關(guān)系如圖所示，呈現(xiàn)這種變化關(guān)系的原因是

相對分子質(zhì)量

(6)金屬銅原子的堆積方式為面心立方最密堆積，銅的原子半徑為rnm,則銅晶胞的體積表達(dá)式為

________cm3.

【解析】(1)同一周期元素的第一電離能隨著原子序數(shù)的增大而呈增大趨勢，由了第11A族元素和第VA

族元素最外層電子處于穩(wěn)定結(jié)構(gòu)，所以它們的第一電離能大于同周期其他相鄰元素，所以N的第一電離能

大于O。(2)鐵為26號元素，根據(jù)核外電子排布規(guī)律可知基態(tài)Fe?+的電子排布式為1s22s22P63s23P63d。。(3)

根據(jù)同一電子層上電子的電離能相近，比較表中電離能的數(shù)據(jù)可知，力、/2、〃的數(shù)據(jù)與/??的數(shù)據(jù)差別較大，

所以該原了應(yīng)該有3個(gè)電了在同一層，所以該元素為A1。(4)根據(jù)N05的中心原子的價(jià)層電子對數(shù)為彳二

3,所以氮原子雜化方式為sp?雜叱，離子中沒有孤電子對，所以其空間構(gòu)型為平面三角形，S0丁中硫原子

的價(jià)層電子對數(shù)為上尸=4,所以硫原子的雜化方式為sp3雜化。(5)硅烷是分子晶體，結(jié)構(gòu)相似，相對分子

—

質(zhì)量越大，分子間的范德華力越大，沸點(diǎn)越高。(6)金屬銅原子的堆積方式為面心立方最密堆稅，即銅原子

位干晶胞立方體的頂點(diǎn)和面心上，所以晶胞的面對角線等于銅原子半徑的4倍，所以晶胞的邊長應(yīng)為面對

20

角線的W，銅的原子半徑為廣nm,所以銅晶胞的體積為((x"nm)3=1.6\5<l。20/^cm\

【答案】(1)>⑵Is22s22P63s23P63d6

(3)AI(4)平面三角形sp3雜化

(5)硅烷是分子晶體，相對分子質(zhì)量越大，沸點(diǎn)越高

(6)16-^xlO-2or3

2.氟在自然界中常以CaF?的形式存在。

(1)下列有關(guān)CaF2的表述正