《光伏器件和制造工藝原理》課程考試復(fù)習(xí)題庫（含答案）

PAGEPAGE1《光伏器件和制造工藝原理》課程考試復(fù)習(xí)題庫（含答案）判斷題1.鑄造多晶硅中位錯(cuò)密度高的區(qū)域，少子的壽命短。（）A、正確B、錯(cuò)誤答案：A2.當(dāng)n個(gè)參數(shù)不同的太陽電池并聯(lián)時(shí)，電池組的短路電流為各子電池短路電流之和。（）A、正確B、錯(cuò)誤答案：A3.運(yùn)載電荷的粒子稱為載流子。（）A、正確B、錯(cuò)誤答案：A4.薄膜的折射率隨氣體壓力的增大而減小，薄膜的厚度隨沉積時(shí)間的增加而成正比增加。（）A、正確B、錯(cuò)誤答案：A5.分凝系數(shù)小于1，說明雜質(zhì)在固相中的濃度大于在液相中的濃度（）A、正確B、錯(cuò)誤答案：B6.硅片切割液的作用是攜帶碳化硅磨料進(jìn)入加工區(qū)域，起著懸浮和分散碳化硅顆粒的作用。（）A、正確B、錯(cuò)誤答案：A7.腐蝕速率會(huì)受到硅片的電阻率，導(dǎo)電類型的影響，電阻率越小，載流子越少。（）A、正確B、錯(cuò)誤答案：B8.在使用較差材料的情況下，一般會(huì)采用縮短多晶硅熔料時(shí)間來達(dá)到降低某些雜質(zhì)濃度的目的（）A、正確B、錯(cuò)誤答案：B9.PSG是含有磷的硅層（）A、正確B、錯(cuò)誤答案：B10.現(xiàn)代硅烷的制備采用歧化法。（）A、正確B、錯(cuò)誤答案：A11.異丙醇可以影響氫氧化鈉溶液對硅片的腐蝕速度（）A、正確B、錯(cuò)誤答案：A12.Keff為有效分凝系數(shù)，其中Keff=Cl/Cs（）A、正確B、錯(cuò)誤答案：B13.多晶硅片化學(xué)中硝酸的作用是將硅氧化為二氧化硅，氫氟酸能腐蝕二氧化硅。（）A、正確B、錯(cuò)誤答案：A14.在直拉單晶硅過程中，當(dāng)熔體的溫度梯度越小，而晶體中的溫度梯度越小時(shí)，生長速率越高。（）A、正確B、錯(cuò)誤答案：B15.腐蝕速率隨溫度的變化呈單線性關(guān)系，溫度越高，腐蝕速率越快。（）A、正確B、錯(cuò)誤答案：A16.擴(kuò)散室環(huán)境衛(wèi)生和石英管及管內(nèi)石英制品的潔凈是確保硅片擴(kuò)散制結(jié)質(zhì)量的基本條件。（）A、正確B、錯(cuò)誤答案：A17.提高晶體中的溫度梯度，不能提高晶體生長速率（）A、正確B、錯(cuò)誤答案：B18.晶體硅太陽電池的受光面柵線是正極（）A、正確B、錯(cuò)誤答案：B19.緩沖劑的作用是控制腐蝕過程中的反應(yīng)速率，不使腐蝕速率過快。（）A、正確B、錯(cuò)誤答案：A20.單晶硅制絨遵循大而均勻，布滿整個(gè)硅片表面的原則。（）A、正確B、錯(cuò)誤答案：B21.單晶硅直徑的變化是通過熱流和提拉速度控制的（）A、正確B、錯(cuò)誤答案：A22.收尾的長度要小于或者至少等于晶棒的直徑尺寸（）A、正確B、錯(cuò)誤答案：B23.晶體硅太陽能電池制備工藝流程是先制絨再擴(kuò)散制結(jié)。（）A、正確B、錯(cuò)誤答案：A24.等離子體刻蝕太陽電池周邊的方法屬于濕法刻蝕（）A、正確B、錯(cuò)誤答案：B25.冷氫化技術(shù)的作用是處理HCl。（）A、正確B、錯(cuò)誤答案：B26.在籽晶能夠承受晶體質(zhì)量的情況下，細(xì)頸應(yīng)盡可能細(xì)長一些，一般直徑長度地達(dá)到1:10。（）A、正確B、錯(cuò)誤答案：A27.當(dāng)n個(gè)參數(shù)不同的太陽電池串聯(lián)時(shí)，電池組的開路電壓為各子電池開路電壓之和，其電流大小卻決于子電池電流最小的一個(gè)。（）A、正確B、錯(cuò)誤答案：A28.擴(kuò)散源總量恒定的條件下進(jìn)行的擴(kuò)散屬于有限源擴(kuò)散（）A、正確B、錯(cuò)誤答案：A29.晶硅的電阻率受到微量摻雜劑的精確控制（）A、正確B、錯(cuò)誤答案：A30.在籽晶熔接后應(yīng)用縮頸工藝，可以使位錯(cuò)消失而進(jìn)入無位錯(cuò)生長狀態(tài)（）A、正確B、錯(cuò)誤答案：A31.在氧化還原反應(yīng)中，凡是得到電子的物質(zhì)或元素都被稱為氧化劑，凡是失去電子的物質(zhì)或元素都被稱為還原劑。（）A、正確B、錯(cuò)誤答案：A32.工業(yè)硅的制備方法很多，通常使用還原二氧化硅。（）A、正確B、錯(cuò)誤答案：A33.擴(kuò)散和溫度有關(guān)，溫度越高，擴(kuò)散越快。（）A、正確B、錯(cuò)誤答案：A34.晶體旋轉(zhuǎn)引起的強(qiáng)制對流具有促進(jìn)熱對流的作用。（）A、正確B、錯(cuò)誤答案：B35.替位式雜質(zhì)原子的擴(kuò)散比間隙式雜質(zhì)原子擴(kuò)散快。（）A、正確B、錯(cuò)誤答案：B36.溫度梯度越大，多晶硅中的熱應(yīng)力越小。（）A、正確B、錯(cuò)誤答案：B37.氫雜質(zhì)對熱施主的形成有抑制作用。（）A、正確B、錯(cuò)誤答案：B38.硅片中硼氧濃度越高，在光照或電流注入條件下產(chǎn)生的硼氧復(fù)合體越多，少子壽命降低幅度越大。（）A、正確B、錯(cuò)誤答案：A39.晶體最大的生長速率取決于晶體中溫度梯度的大小（）A、正確B、錯(cuò)誤答案：A40.在移定時(shí)擴(kuò)散產(chǎn)生的單位面積擴(kuò)散物質(zhì)粒子的擴(kuò)散流密度J為J=-DN，其中擴(kuò)散系數(shù)越大，擴(kuò)散得快。（）A、正確B、錯(cuò)誤答案：A41.澆鑄法制備多晶硅采用一個(gè)坩堝。（）A、正確B、錯(cuò)誤答案：B42.有機(jī)溶劑清洗遵循結(jié)構(gòu)類似者相容原理。（）A、正確B、錯(cuò)誤答案：A43.方塊電阻的大小不僅僅與結(jié)深有關(guān)，還與邊長有關(guān)。（）A、正確B、錯(cuò)誤答案：B44.一般情況下，刮刀材料的硬度越大，印刷成的漿料圖形精度越高。（）A、正確B、錯(cuò)誤答案：A45.增加?xùn)啪€的高度可降低柵線的電阻（）A、正確B、錯(cuò)誤答案：A46.位錯(cuò)對單晶太陽電池的轉(zhuǎn)換效率有明顯的負(fù)作用，可導(dǎo)致漏電流，PN結(jié)擊穿。（）A、正確B、錯(cuò)誤答案：A47.分凝系數(shù)決定單晶硅中的雜質(zhì)濃度。（）A、正確B、錯(cuò)誤答案：A48.方塊電阻越小，摻雜濃度越大，缺陷越多。（）A、正確B、錯(cuò)誤答案：B49.進(jìn)行再分部的目的是為了得到預(yù)定的結(jié)深（）A、正確B、錯(cuò)誤答案：A50.如果形成了熱施主或氧沉淀，其本身就會(huì)成為復(fù)合中心或引入復(fù)合中心的二次缺陷，導(dǎo)致硅材料少子壽命的縮短，影響電池轉(zhuǎn)化效率。（）A、正確B、錯(cuò)誤答案：A51.上海處在太陽輻射資源分布的最豐富帶。（）A、正確B、錯(cuò)誤答案：B52.王水可以溶解二氧化硅。（）A、正確B、錯(cuò)誤答案：B53.直拉單晶硅最大生長速率取決于晶體中（溫度梯度）的大小。（）A、正確B、錯(cuò)誤答案：A54.硅晶體中的初始氧濃度越高，熱施主濃度越高，其形成速率越慢。（）A、正確B、錯(cuò)誤答案：B55.刮刀材料硬度越小，溫度就越大，柵極線高會(huì)增加，線寬也會(huì)變大。（）A、正確B、錯(cuò)誤答案：A56.少子壽命隨流量比的增高而增大，隨沉積溫度和沉積壓力的提高而增大。（）A、正確B、錯(cuò)誤答案：A57.收尾的作用是防止位錯(cuò)反延。（）A、正確B、錯(cuò)誤答案：A填空題1.PN結(jié)的內(nèi)電場阻礙（），促進(jìn)（）。答案：多子擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)|少子漂移運(yùn)動(dòng)2.SiHCl3采用（）提純答案：精餾法3.沉積參數(shù)直接影響著SiNx膜層的沉積質(zhì)量，沉積參數(shù)分別為（）、（）、（）、（）、（）。答案：頻率|射頻功率|硅片溫度|氣體流量|反應(yīng)氣體濃度4.直拉單晶硅中對于P型摻雜，（）是最常用的摻雜劑。答案：B5.擴(kuò)散形成的PN結(jié)的幾何位置與擴(kuò)散層表面的距離稱為（）。答案：結(jié)深6.影響晶片切割的四個(gè)因素：（）、（）、（）、（）。答案：鋼線張力|鋼線的運(yùn)動(dòng)速度|工件的進(jìn)給速度|砂漿切割能力7.石英陶瓷坩堝的性能特點(diǎn)：（）、（）、（）、（）、（）答案：熱學(xué)性能|力學(xué)性能|石英在高溫下的晶型轉(zhuǎn)換|石英的高純度|易于實(shí)現(xiàn)尺寸大型化8.化學(xué)腐蝕的速率主要取決于整個(gè)酸性腐蝕系統(tǒng)的性質(zhì)，腐蝕系統(tǒng)包括（）和（）。答案：腐蝕材料|腐蝕劑9.利用太陽能的三大技術(shù)領(lǐng)域：（）、（）、（）。答案：光電轉(zhuǎn)換|光熱轉(zhuǎn)換|光化學(xué)轉(zhuǎn)換10.硅片清洗常用的有機(jī)溶劑有（）答案：甲苯或丙酮或乙醇。11.目前，晶體硅太陽電池組件封裝普遍采用TPT膜作為背板材料，TPT膜至少應(yīng)該有三層結(jié)構(gòu)，此結(jié)構(gòu)是（），中間層所起的作用是（），外層所起的作用是（）答案：PVF/PET/PVF|絕緣、|抗環(huán)境侵蝕能力12.與直拉單晶硅相比，鑄造多晶硅的主要優(yōu)勢是（），能耗低。制備成本低，而且其晶體（），易于大尺寸生長。答案：材料利用率高|生長簡便13.燒結(jié)也是高溫下對硅片進(jìn)行（）的過程，是使金屬電極和硅片合金化形成（）。答案：擴(kuò)散摻雜|歐姆接觸14.生長界面的形狀對單晶的（）和（）有直接影響。答案：均勻性|完整性15.鑄造多晶硅晶體生長時(shí)解決石英坩堝問題的方法：（）。答案：利用Si3N4作為涂層16.在制備鑄造多晶硅時(shí)，通過控制凝固坩堝周圍的加熱裝置，使得凝固坩堝的（）答案：底部溫度最低17.刮刀按刀刃形狀分為（）和（）兩種，其作用是以適合的（）和（）將漿料壓入絲網(wǎng)的漏孔中。答案：角刀|平刀|速度|角度18.（）是根據(jù)化學(xué)氣相沉積原理生產(chǎn)多晶硅的技術(shù)。答案：.改良西門子法19.原生鑄造多晶硅中的氧包括：（）、（）、（）。答案：氧施主|氧沉淀|硼氧復(fù)合體20.電極設(shè)計(jì)原則：（）。答案：使電池的輸出最大21.砂漿是（）和（）按照一定比例均勻混合制成的。答案：聚乙二醇|碳化硅微粉22.多晶硅生產(chǎn)過程中的副產(chǎn)品SiCl4轉(zhuǎn)化為SiHCl3主要采用（）答案：冷氫化技術(shù)。23.坩堝脫離加熱區(qū)的方法：（）、（）。答案：石英坩堝向下移動(dòng)|隔熱裝置逐漸上升24.位錯(cuò)具有（）和（）的特點(diǎn)。答案：位錯(cuò)遺傳|位錯(cuò)增殖25.堿制絨后硅片用氫氟酸漂洗，可以去除（）。答案：SiO2氧化層26.太陽電池生產(chǎn)工藝流程：（）、（）答案：硅片清洗制絨|擴(kuò)散制結(jié)、等離子刻蝕、去磷硅玻璃、減反射膜制備、絲網(wǎng)印刷、燒結(jié)、檢測分級。27.制作太陽能電池電極漿料通常由銀、鋁等導(dǎo)電金屬粉體組成的（）、低熔點(diǎn)玻璃等材料組成的（）和（）混合而成。答案：功能材料|粘結(jié)組分|有機(jī)載體28.硅材料具有典型的半導(dǎo)體材料的電學(xué)特性：（）答案：電阻率特性、PN結(jié)特性、光電特性。29.鑄造多晶硅的工藝包括，（）。答案：裝料加熱，熔料，長晶，退火和冷卻30.晶體硅中的氧可用（）測試。答案：紅外光譜技術(shù)31.大氣對太陽輻射的減弱方式：（）、（）、（）。答案：吸收作用|散射作用|反射作用32.化學(xué)腐蝕的效果有（）和（）兩個(gè)方面。答案：腐蝕速率|表面質(zhì)量33.太陽能電池用硅片主要考慮（）等性能要求。答案：導(dǎo)電類型、電阻率、位錯(cuò)、少子壽命和厚度34.絲網(wǎng)印刷的印刷頭組件將進(jìn)行（）和（）兩項(xiàng)操作。答案：溢流行程|印刷行程35.吸雜技術(shù)可分為：（）和（）。答案：內(nèi)吸雜|外吸雜36.歐姆接觸是指金屬與半導(dǎo)體接觸時(shí)不呈現(xiàn)（）的接觸。答案：整流效應(yīng)37.多晶硅的制絨是利用硅的（）腐蝕特性，單晶硅的制絨是利用硅的（）腐蝕特性；答案：各向同性|各向異性38.擴(kuò)散時(shí)一般是通（），其中，氮?dú)庥脕頂y帶臨雜質(zhì)蒸汽進(jìn)入石英管稱為（）。答案：氮?dú)夂脱鯕鈢通源39.制絨的目的是為了（）答案：減少硅片表面光的反射，增加光的吸收率，祛除硅片表面雜質(zhì)損傷層。40.光電導(dǎo)效應(yīng)，是指由輻射引起被照射材料（）改變的一種物理現(xiàn)象。答案：電導(dǎo)率41.熱交換法定向凝固鑄造多晶硅的工藝包括（）、（）、（）、（）、（）、和（）。答案：裝料|加熱|熔料|長晶|退火|冷卻42.影響碳化硅切割能力的主要參數(shù)是：（）其中（）對切割的影響最為明顯。答案：粒度、硬度，寬度|粒度43.晶體硅太陽電池刻蝕的方法包括（）和（）兩種。答案：濕法刻蝕|干法刻蝕44.燒結(jié)工序中，通常采用（）或（）的快速燒結(jié)方式。答案：紅外線加熱|電阻加熱45.鋼線驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)由（）、（）、（）和（）組成。答案：收線輪|放線輪|張力控制器|滑輪46.鑄造多晶硅的晶粒大小與其所在位置相關(guān)，也與晶體的（）有關(guān)。答案：冷卻速率47.P型半導(dǎo)體摻入（）元素，多子為（），少子為（）。答案：三價(jià)|空穴|電子48.太陽能光伏發(fā)電的最基本元件是：（）。答案：太陽電池49.PECVD氮化硅膜的質(zhì)量主要有（）和（）等參數(shù)確定。答案：折射率|膜厚50.生長成的單晶硅中的（）則是由生長界面上熔體中的雜質(zhì)濃度以及（）共同決定的答案：雜質(zhì)濃度|分凝效應(yīng)51.直拉單晶硅中對于N型摻雜，（）是最常用的摻雜劑。答案：P52.直拉單晶生長系統(tǒng)中的熱量傳輸過程對（）、（）、（），（）都起著決定性的作用答案：晶體的直徑|生長速率|固液界面的形狀|晶體缺陷的形成和生長53.直拉單晶硅中氧的存在形式：（）、（）、（）、（）。答案：間隙氧|氧熱施主|氧團(tuán)簇|氧沉淀54.多晶硅鑄錠用石英坩堝未來的發(fā)展趨勢：（）、（）、（）、（）答案：尺寸的大型化|純度的提高|強(qiáng)度的提高|高效坩堝的研究55.單晶絨面形成最終取決于（）和（）兩個(gè)因素。答案：腐蝕速率|各向異性56.硼氧復(fù)合體的影響因素：（）、（）、（）、（）。答案：硼濃度|氧濃度|溫度|光照強(qiáng)度57.一般我們將硅片的織構(gòu)表面稱為（），將硅片表面織構(gòu)化稱為（）答案：絨面|制絨。58.（）冷坩堝連續(xù)拉晶法（）其原理是利用電磁感應(yīng)來熔化硅原料。答案：電磁感應(yīng)|EMC59.擴(kuò)散是物質(zhì)分子從（）區(qū)域向較（）區(qū)域轉(zhuǎn)移，直到均勻分布的現(xiàn)象；答案：較高濃度|低濃度60.砂漿是由（）和（）混合而成的答案：切割液|碳化硅微粉61.直拉單晶爐主要包括：（）答案：爐體、真空和充氣系統(tǒng)、晶體和坩堝的升降旋轉(zhuǎn)傳動(dòng)系統(tǒng)、熱場和電氣控制裝置62.PECVD沉積設(shè)備按結(jié)構(gòu)可分為平板式和（）；按反應(yīng)方式可分為直接式和（）；答案：管式|間接式63.多晶硅片化學(xué)腐蝕制絨的腐蝕液是（），包含（）和（）兩部分。答案：酸性腐蝕液|氧化劑|絡(luò)合劑64.減反射膜的作用（）和（）。#答案：減少光的反射|表面鈍化65.直拉單晶爐加熱器的內(nèi)徑取決于（）、（）和（）；坩堝的直徑由（）。答案：坩堝的直徑|坩堝托的壁厚|與加熱器之間的間隙|單晶硅棒的直徑?jīng)Q定66.方塊電阻與（）、（）及（）有關(guān)，測量方塊電阻常用（）。答案：結(jié)深|載流子遷移率|雜質(zhì)分布|四探針測試法67.切割液的作用是起著（）和（）的作用，使碳化硅顆粒均勻懸浮在切割中。答案：懸浮|分散碳化硅顆粒68.直拉單晶硅棒的氧雜質(zhì)在低溫?zé)崽幚頃r(shí)，會(huì)出現(xiàn)施主效應(yīng)，使得N型硅晶體的電阻率（），P型硅晶體的電阻率（）答案：下降|上升69.（）印刷的網(wǎng)板由（）絲網(wǎng)和（）圖形構(gòu)成。答案：絲網(wǎng)|網(wǎng)框|掩膜70.硅片的清洗包括（）和（）。答案：化學(xué)清洗|物理清洗71.干法刻蝕的影響因素有（）、（）和（）。答案：射頻功率|刻蝕時(shí)間|反應(yīng)氣體壓力72.硅太陽電池工藝中主要有兩種類型的擴(kuò)散，即（）和（）。答案：恒定表面源擴(kuò)散|有限表面源擴(kuò)散73.對切割液的要求是（）、（）、（）。答案：合適的黏度|適宜的液膜厚度|不錯(cuò)的降溫能力74.（）印刷的五個(gè)要素：（）（）、（）、（）。答案：絲網(wǎng)|絲網(wǎng)|刮刀|漿料|工作臺以及基片75.直拉單晶硅和鑄造多晶硅都采用（）作為容器來盛放融化的多晶硅。答案：石英坩堝76.多線切割機(jī)的碳化硅的（）必須比較高。答案：集中度77.污染物質(zhì)的微觀結(jié)構(gòu)類型（）、（）、（）。答案：分子型污染|離子型污染|原子型污染78.在光照晶體硅太陽電池的情況下，在P-N結(jié)內(nèi)建電場的作用下，N區(qū)的（）向P區(qū)運(yùn)動(dòng)，P區(qū)的（）向N區(qū)運(yùn)動(dòng)；答案：空穴|電子79.晶體中的金屬雜質(zhì)一般以（）、（）、（）和（）存在。答案：間隙態(tài)|替位態(tài)|復(fù)合態(tài)|沉淀80.短路電流隨入射光的光強(qiáng)增加呈（）上升。開路電壓隨光強(qiáng)增加呈（）上升。答案：線性|指數(shù)81.碳化硅的外形是（）答案：比較圓而且有很多棱角的。82.鑄造多晶硅中的主要缺陷是（）。答案：位錯(cuò)83.光譜分為：（）、（）、（）。答案：紅外光區(qū)|可見光區(qū)|紫外光區(qū)84.擴(kuò)散方法可以分為：（）、（）、（）。答案：氣-固擴(kuò)散|固-固擴(kuò)散|液-固擴(kuò)散85.王水的構(gòu)成：（）答案：三份濃鹽酸和一份濃硝酸1：1混合而成。86.硅片表面的腐蝕加工分（）腐蝕和（）腐蝕兩種。答案：濕法|干法87.太陽電池封裝過程中，太陽電池分選的目的是為了（）。答案：減少分配損失88.太陽電池的測量必須在標(biāo)準(zhǔn)條件（）下“歐洲委員會(huì)”定義的101號標(biāo)準(zhǔn)，其條件是光譜輻照度為（）W/m2、光譜為（）、電池溫度為25℃。答案：STC|1000|AM1.589.摻雜的方法有（）、（）、（）三種。答案：擴(kuò)散|離子注入|中子嬗變90.標(biāo)稱工作溫度是組件與水平面夾角成45度，輻照度為（），環(huán)境溫度為（）度，風(fēng)速為（）情況下，開路時(shí)的太陽電池的平均平衡結(jié)溫；答案：800W/m2|20|1米每秒91.磁控直拉單晶硅生長需要注意（）的影響。答案：熱對流92.單晶硅的電阻率與摻雜濃度CS的關(guān)系式：（）答案：93.絲網(wǎng)印刷的金屬電極漿料主要有（）等組成答案：鋁漿、銀漿和銀鋁漿94.（）與二氧化硅作用生成易揮發(fā)的四氟化硅氣體。答案：氫氟酸95.目前最主要的太陽能電池是（）答案：晶體硅太陽能電池96.氣體攜帶法擴(kuò)散分為：（）、（））和（）三種，其中國內(nèi)使用最多的是（）液態(tài)源擴(kuò)散法。答案：氣態(tài)源|（液態(tài)源|固態(tài)源|POCl397.絲網(wǎng)印刷的漿料是由（）組成的一種流體。答案：功能組份、粘結(jié)組份和有機(jī)載體98.CVD的分類：（）。答案：APCVD、LPCVD、PECVD99.用（），生長成的（）是晶體硅太陽電池的基礎(chǔ)原材料。答案：高純度原生多晶硅|晶體硅100.硅烷法制備多晶硅包含了（）、（）、（）三個(gè)步驟答案：硅烷的制備|硅烷的提純|硅烷熱分解101.表面為正方形的半導(dǎo)體薄層在電流方向上所呈現(xiàn)的電阻為（）。答案：方塊電阻102.有機(jī)溶劑清洗硅片的次序：（）答案：甲苯→丙酮→乙醇→水。103.雜質(zhì)原子的擴(kuò)散方式分為（）和（）。答案：間隙式擴(kuò)散|替位式擴(kuò)散104.制備多晶的方法：（）和（）。答案：澆鑄法|直熔法105.采用PECVD沉積SiNx膜時(shí)，是以（）和（）作為反應(yīng)氣體。#答案：硅烷|氨106.切片過程中存在的影響因素：（）答案：線速、張力、桌面移動(dòng)速度、砂漿粘度、溫度和研磨特性、線徑、碳化硅數(shù)目、密度。107.光照到平面的硅片上，會(huì)有一部分光從硅表面被反射，反射率的大小取決于硅和外界透明物質(zhì)的（）。答案：折射率108.多晶硅制絨清洗工藝步驟分為制絨（）（）吹干。答案：堿洗|酸洗109.厚膜電極中各金屬顆粒之間通過（）和（）等方式導(dǎo)電。答案：接觸|隧穿110.高純多晶硅制備常用的方法：（）。答案：西門子法111.由于空位能使氫分子分解，并能增強(qiáng)氫的擴(kuò)散，導(dǎo)致氫原子及氫的空位對在硅中快速擴(kuò)散，并能與其懸掛鍵結(jié)合，產(chǎn)生（）。答案：鈍化作用112.直拉單晶硅的工藝包括：（）、（）、（）、（）、（）、（）、（）。答案：裝料|熔化|縮頸|放肩|轉(zhuǎn)肩|等徑生長|收尾113.硅片腐蝕工序主要是為了去除（）和超聲波清洗未去凈的（）。答案：硅片表面的損傷層|部分雜質(zhì)114.SiC在多線（）中的作用是切割，硅片切割三大耗材分別是（）、（）和（）。答案：切割|鋼線|切割液|碳化硅115.制絨的原理：（）答案：陷光原理116.太陽電池中沉積的SiNx膜是一種（），既是（），又是（），還是（）。答案：多功能膜|減反射膜|掩蔽膜|鈍化氫源117.硅片線切割所需的砂漿是由硬度極高的顆粒料和（）（）組成；常用的磨蝕材料是金剛石或（）答案：懸浮液|/切割液|碳化硅118.制備單晶硅的方法：（）、（），常用的是直拉法。答案：區(qū)熔法|直拉法119.直拉單晶爐的熱場系統(tǒng)包括：（）、（）、（）、（）、（）和（）答案：石墨加熱器|坩堝|石墨托|保溫罩|保溫蓋|石墨電極120.N型半導(dǎo)體摻入（）元素，多子為（），少子為（）。答案：五價(jià)|電子|空穴121.擴(kuò)散形成的PN結(jié)的（）與（）稱為結(jié)深。答案：幾何位置|擴(kuò)散層表面的距離122.砂漿是（）和（）按照一定比例均勻混合。答案：切割液|碳化硅123.鹽酸在清洗液中起酸性介質(zhì)作用和（）。答案：絡(luò)合作用124.切割液的功能：（）、（）、（）、（）。答案：高懸浮|高潤滑|高分散|高冷卻125.保溫罩的作用是（）；理想的保溫材料是（）答案：減少熱量的損失|碳?xì)?26.位于電池上表面柵線電極形狀設(shè)計(jì)應(yīng)考慮電池（）和（）兩方面因素，應(yīng)盡量提高金屬電極的（）。答案：電學(xué)損失|化學(xué)損失|高寬比127.冶金法提純多晶硅的兩種典型工藝：（）、（）。答案：熱交換定向凝固|電磁感應(yīng)等離子技術(shù)128.擴(kuò)散制結(jié)的主要擴(kuò)散條件：（）、（）、（）和（）。答案：擴(kuò)散方法|擴(kuò)散雜質(zhì)源|擴(kuò)散溫度|擴(kuò)散時(shí)間129.連續(xù)加料直拉單晶硅生長的技術(shù)有（）三種。答案：連續(xù)固態(tài)加料，連續(xù)液態(tài)加料和雙坩堝液態(tài)加料130.太陽能電池發(fā)電原理：（）答案：光生伏特效應(yīng)131.擴(kuò)散的目的是在P（）型襯底上擴(kuò)散N（）型雜質(zhì)形成（）。答案：N|P|PN結(jié)132.多晶硅和單晶硅可從外觀上加以區(qū)別，但真正的鑒別須通過分析測定晶體的（），（）和（）等才能確定。答案：晶面方向|導(dǎo)電類型|電阻率133.刻蝕的目的：去（）和（）。答案：除磷硅玻璃層|去除周邊的PN結(jié)134.高純多晶硅的制作流程：（）答案：石英砂→冶金砂→中間產(chǎn)物→硅135.在多晶硅的制絨過程中，腐蝕是硅的氧化過程和氧化物的溶解過程，硅的氧化過程由（）實(shí)現(xiàn)，氧化物的溶解過程是由（）實(shí)現(xiàn)；答案：氧化劑/硝酸/雙氧水|HF136.多晶硅的生產(chǎn)技術(shù)：（））、（）、（）答案：改良西門子法（三氯氫硅氫還原法也對|硅烷法|四氯化氫硅還原法137.含醇添加劑的（）溶液主要成分包括NaOH、（））、（）。答案：NaOH|IPA異丙醇|Na2SiO3138.晶體硅太陽電池的背電極是（）。答案：正極139.切削液三大特性：（）、（）、（）。答案：冷卻|潤滑|吸附140.在晶體硅太陽電池的制備過程中，常采用兩步擴(kuò)散法來制備pn結(jié)，第一步是（），第二步是（）。答案：預(yù)沉積|推進(jìn)擴(kuò)散/再分布141.晶體硅太陽電池整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈包括（）、（）、（）、（）。答案：硅的提純|硅棒的制備和切片|電池片的制備|光伏系統(tǒng)142.線切割多需輔材主要是（）答案：鋼線、切割液、砂漿。143.太陽電池和組件的制造包括（）、（）答案：太陽電池材料的制造|太陽電池器件的制造簡答題1.在直拉單晶硅的制備過程中，最后為什么要進(jìn)行收尾。答案：單晶硅生長完成時(shí)，如果晶體硅突然脫離硅熔體液面，其中斷處受到很大的熱應(yīng)力，超過硅中位錯(cuò)產(chǎn)生的臨界應(yīng)力，導(dǎo)致大量位錯(cuò)在界面處產(chǎn)生，同時(shí)位錯(cuò)向上部單晶部分方向延伸，延伸的距離一般能達(dá)到一個(gè)直徑。因此，在晶體硅生長結(jié)束時(shí)，要逐漸縮小晶體硅的直徑，直至很小的一點(diǎn)，然后脫離液面，完成單晶硅生長2.光生伏特效應(yīng)答案：當(dāng)光照射PN結(jié)，只要入射光子能量大于材料禁帶寬度，就會(huì)在結(jié)區(qū)激發(fā)電子—空穴對。這些非平衡載流子在內(nèi)建電場的作用下，空穴順著電場運(yùn)動(dòng)，在開路狀態(tài)，最后在N區(qū)邊界積累光生電子，在P區(qū)邊界積累光生空穴，產(chǎn)生一個(gè)與內(nèi)建電場方向相反的光生電場。即在P區(qū)和N區(qū)之間產(chǎn)生了光生電壓UOC，這就是PN結(jié)的光生伏特效應(yīng)。3.鑄造多晶硅的優(yōu)缺點(diǎn)：答案：優(yōu)點(diǎn)：成本相對低，光電轉(zhuǎn)換效率高，生長簡便，易于大尺寸生長和自動(dòng)化生長和控制，材料損耗小。缺點(diǎn)：具有晶界，高密度的位錯(cuò)，微缺陷和相對較高的雜質(zhì)濃度。因而鑄造多晶硅太陽電池的轉(zhuǎn)換效率比單晶硅太陽電池低。4.p-n結(jié)的制備方法有哪些？晶體硅太陽電池制備p-n常采用哪種方法？答案：合金法、擴(kuò)散法、離子注入法和薄膜生長法；常用擴(kuò)散法。5.酸性腐蝕液中硝酸和氫氟酸的作用。答案：硝酸的作用是將硅氧化為二氧化硅，反應(yīng)：3Si+4HNO3→3SiO2+2H2O+4NO↑氫氟酸能腐蝕二氧化硅：SiO2+6HF→H2[SiF6]+2H2O。6.銀電極與硅接觸的形成機(jī)理答案：①有機(jī)物揮發(fā)②玻璃料在減反射膜表面聚焦③玻璃料腐蝕穿過減反射膜④玻璃料通過與硅發(fā)生氧化還原反應(yīng)產(chǎn)生腐蝕坑⑤Ag晶粒在冷卻過程中腐蝕坑處結(jié)晶7.恒定雜質(zhì)總量擴(kuò)散的主要特點(diǎn)：答案：（1）在整個(gè)擴(kuò)散過程中，雜質(zhì)總量QT保持不變。（2）擴(kuò)散時(shí)間越長，擴(kuò)散溫度越高，則雜質(zhì)擴(kuò)散越深，表面濃度越低。（3）表面雜質(zhì)濃度可控。8.麗娜設(shè)備濕法刻蝕每個(gè)槽的作用及工藝控制答案：刻蝕槽：所用溶液為HF+HNO3+H2SO4，邊緣刻蝕，除去邊緣PN結(jié)，使電流朝同一方向流動(dòng)堿洗槽：KOH噴淋中和前道刻蝕后殘留在硅片表面的酸液，去除硅片表面的多孔硅及其雜質(zhì)，去除擴(kuò)散形成的染色，KOH溶液依靠冷卻水降溫保持在20℃左右酸洗槽：HF循環(huán)沖刷噴淋中和前道堿洗后殘留在硅片表面的堿液，去除硅片表面的磷硅玻璃。9.多晶硅太陽電池清洗制絨的工序過程？答案：酸腐蝕（硝酸和氫氟酸）制絨、水洗、堿洗（KOH溶液）、水洗、Hcl和HF溶液浸泡、水洗、風(fēng)刀吹干10.簡述區(qū)熔單晶硅和直拉單晶硅的優(yōu)缺點(diǎn)答案：區(qū)熔單晶硅：優(yōu)點(diǎn)：純度高，電學(xué)性能均勻，光電轉(zhuǎn)換效率高缺點(diǎn)：直徑小，機(jī)械加工性差，成本高。直拉單晶硅：優(yōu)點(diǎn)：電池效率高，工藝穩(wěn)定成熟。缺點(diǎn)：成本相對較高。11.太陽電池制造中的‘兩步擴(kuò)散’工藝過程，答案：（1）采用恒定表面源擴(kuò)散的方式，在硅片表面淀積一定數(shù)量Q的雜質(zhì)原子，擴(kuò)散溫度較低，擴(kuò)散時(shí)間較短，雜質(zhì)原子在硅片表面的擴(kuò)散深度極淺。相當(dāng)于淀積在表面，稱為預(yù)擴(kuò)散。（2）是有限表面源擴(kuò)散，經(jīng)預(yù)淀積的硅片在擴(kuò)散爐內(nèi)再加熱，使雜質(zhì)向硅片內(nèi)部擴(kuò)散，重新分布達(dá)到所要求的表面濃度和擴(kuò)散深度，稱為主擴(kuò)散或再分布。12.#簡述太陽電池組件的封裝工藝。答案：（1）太陽電池分類和分選（2）材料裁剪（3）電極焊接（4）組件疊層（5）組件層壓（6）組件修邊、安裝外框和接線盒13.鑄造多晶硅生長時(shí)，防止溫度梯度的方法？答案：（1）生長系統(tǒng)必須很好地隔熱，以便保持熔硅內(nèi)溫度的均勻性。（2）應(yīng)保證在晶體部分凝固，熔體體積減小后，溫度沒有變化。14.半導(dǎo)體的導(dǎo)電特征答案：（1）導(dǎo)帶上的電子參與導(dǎo)電（2）價(jià)帶上的空穴參與導(dǎo)電（3）半導(dǎo)體具有電子和空穴兩種載流子（4）金屬只有電子一種載流子15.干法刻蝕的影響因素答案：射頻功率：功率過高，對硅片損傷變大，增加結(jié)區(qū)復(fù)合；功率過小，等離子體不穩(wěn)定，分布不均，刻蝕不均勻刻蝕時(shí)間：刻蝕時(shí)間越長，對硅片造成損傷影響越大；刻飾時(shí)間過短，導(dǎo)致并聯(lián)電阻下降工藝壓力：壓力取決于通氣量和泵的抽速，合理的壓力設(shè)定值可以增加對反應(yīng)速率的控制、增加反應(yīng)氣體的有效利用率等。氣體流量：合適的流量和氣體通入的時(shí)間比會(huì)很大程度上影響刻蝕面的側(cè)壁形貌、反應(yīng)速率等16.鑄造多晶硅中氫的鈍化作用：答案：（1）氫與氧結(jié)成復(fù)合體，氫促進(jìn)氧的擴(kuò)散，對氧沉淀和氧施主有促進(jìn)作用。（2）氫可鈍化晶界，位錯(cuò)和電活性雜質(zhì)的電學(xué)性能。（3）氫原子與雜質(zhì)、缺陷的未飽和的懸掛鍵結(jié)合，導(dǎo)致雜質(zhì)、缺陷電學(xué)性質(zhì)的鈍化。（4）氫可鈍化晶體硅的表面。17.為什么用PECVD方法制備的SiNx膜可適用反射膜？答案：(1)折射率大(2)掩蔽作用好(3)沉積溫度低(4)增強(qiáng)鈍化效果18.內(nèi)外吸雜技術(shù)的比較：答案：（1）內(nèi)吸雜不用附加的設(shè)備（2）不引入額外的金屬雜質(zhì)（3）吸雜效果能保持到最后19.鑄造多晶硅生長時(shí)需要解決的主要問題？答案：（1）盡量均勻的固液界面溫度（2）盡量小的熱應(yīng)力（3）盡量大的晶粒（4）盡可能少的來自于坩堝的污染20.直拉單晶硅的制備工藝流程是什么；在保持晶體直徑不變的這個(gè)階段，哪些因素可能影響單晶硅的質(zhì)量。答案：多晶硅的裝料→熔化→種晶→縮頸→放肩→等徑→收尾①晶體硅徑向的熱應(yīng)力；②單晶爐內(nèi)的細(xì)小顆粒。21.燒結(jié)原理與目的答案：原理：銀漿，銀鋁漿，鋁漿印刷過的硅片，經(jīng)過烘干使有機(jī)溶劑完全揮發(fā)，膜層收縮成為固狀物緊密物黏附在硅片上，此時(shí)金屬電極材料層和硅片接觸在一起，即燒結(jié)。目的：干燥硅片上的漿料，燃盡漿料的有機(jī)組分，使?jié){料和硅片形成良好的歐姆接觸。22.碳化硅具有足夠的切割能力的綜合要素：答案：（1）集中度或微分分布。（2）等效粒徑的大小。（3）圓度系數(shù)。（4）表面較為潔凈SiC的類型及含量。23.簡述磷吸雜的缺陷答案：（1）多晶硅體內(nèi)含有高密度的亞晶界或小角晶界，吸雜效果差。（2）當(dāng)材料本身位錯(cuò)密度大于106時(shí)，磷吸雜可能無效。（3）存在一個(gè)臨界氧濃度，高于此濃度吸雜效果不明顯。（4）對晶體硅中金屬含量較多時(shí)，吸雜效果不是特別有效。（5）成本考慮，吸雜時(shí)間不能長。24.刮刀的功能答案：①壓迫絲網(wǎng)使絲網(wǎng)接觸印刷基板②擠壓漿料使?jié){料透過絲網(wǎng)印刷到基板上③把多余的漿料推到絲網(wǎng)前部25.濕法刻蝕與等離子體干法刻蝕相比的優(yōu)缺點(diǎn)。答案：優(yōu)點(diǎn)：（1）能避免等離子刻蝕對電池邊緣的損傷，有效保護(hù)了正面PN結(jié)，增大了電池受光面積。（2）提高電池的短路電流和開路電壓。（3）硅片清潔度高。（4）節(jié)水缺點(diǎn)：（1）硅片水平運(yùn)行，機(jī)碎高。（2）傳動(dòng)滾軸易變形。（3）成本高。26.減反射膜的作用和目的#答案：在硅片表面沉積一層氮化硅薄膜，利用光學(xué)增透原理，減少光線反射，并同時(shí)起到硅片表面的鈍化作用，有利于提高轉(zhuǎn)換效率。27.晶體硅太陽電池組件的制備過程及所需的主要材料？答案：1）備料，電池分選，單焊，串焊，檢驗(yàn)，疊層，層壓，檢驗(yàn)，去毛邊，裝框，安裝接線盒，測試，包裝入庫；2）鋼化玻璃、EVA、TPT、鋁邊框、接線盒、焊帶。28.直拉法的基本原理答案：將原生多晶硅料放在石英坩堝中加熱熔化，并獲得一定的過熱度，待溫度達(dá)到平衡后，將固定在提拉桿上的籽晶浸人熔體中，發(fā)生部分熔化后，緩慢向上提拉籽晶，并通過籽晶和上部籽晶桿散熱，與籽晶接觸的熔體首先獲得一定的過冷度而發(fā)生結(jié)晶，不斷提升籽晶拉桿，使結(jié)晶過程連續(xù)進(jìn)行。29.單晶與多晶制絨的區(qū)別：答案：（1）單晶是堿制絨，利用單晶片各向異性的腐蝕特性由強(qiáng)堿對硅片表面進(jìn)行一系列的腐蝕。（2）多晶是堿制絨，利用強(qiáng)酸腐蝕性酸混合液的各向同性的腐蝕特性對硅片表面進(jìn)行腐蝕。30.金屬粉體材料的選擇必備條件。答案：能與硅形成歐姆接觸，接觸電阻小，可焊性強(qiáng)，成本低廉，污染小，導(dǎo)電率高，接觸牢固和化學(xué)穩(wěn)定性好，材料本身純度高。31.CZ法單晶硅熔硅中雜質(zhì)的引入主要由幾種機(jī)制共同作用？答案：（1）原生多晶硅料中所含的雜質(zhì)在熔化時(shí)熔入硅料。（2）在高溫下，坩堝直接接觸熔硅發(fā)生反應(yīng)產(chǎn)生各種雜質(zhì)。（3）石墨和保溫材料中的碳和其他雜質(zhì)在高溫下也極易揮發(fā)出來。（4）硅中的SiO2從熔硅自由表面揮發(fā)，氣氛中的CO再熔入熔硅中。32.晶體硅太陽電池制備的工藝流程是。答案：清洗制絨、擴(kuò)散制備pn結(jié)、去邊與去磷硅玻璃、沉積氮化硅鈍化減反射層、絲網(wǎng)印刷前后電極和烘干、燒結(jié)、測試分選。33.影響單晶硅制絨面的主要因素：答案：（1）腐蝕液中酸或NaOH的溶液。（2）緩沖劑無水乙醇或異丙醇的濃度。（3）制絨槽內(nèi)硅酸鈉的累計(jì)量。（4）制絨腐蝕的溫度及時(shí)間。（5）槽體密封性能和乙醇或異丙醇的揮發(fā)程度。34.熱對流對直拉單晶硅的影響？答案：（1）在晶體硅生長時(shí)。由于熔體中存在熱對流，將導(dǎo)致在晶體硅生長界面處溫度的波動(dòng)和起伏，在晶體硅中形成雜質(zhì)條紋和缺陷條紋。（2）熱對流加劇熔體硅與石英坩堝作用，使得熔體硅雜質(zhì)中氧濃度增加，最終熔進(jìn)晶體硅中。35.晶體硅太陽電池的基本結(jié)構(gòu)從上往下依次是什么？答案：柵線（正電極），減反射層、絨面、N型層（N區(qū)）、pn結(jié)、P型層（p區(qū)）、Al背場及背電極。36.簡述單晶爐熱場滿足的三個(gè)條件答案：（1）在生長界面附近的熔體有一定的過冷度，而界面附近以外的熔體必須高于熔點(diǎn)。（2）在熔硅中徑向溫度梯度應(yīng)盡可能小，而縱向溫度梯度應(yīng)盡可能大。（3）為保證硅材料能夠全部熔化，加熱器應(yīng)該有合適的電阻值來確保加熱功率的輸出，以及滿足拉晶需求的徑向溫度梯度和縱向溫度梯度。因此加熱器的總電阻必須與主電源變壓器的額定電流和額定電壓相匹配，以達(dá)到最佳輸出功率。37.互連條和匯流條的作用。答案：互連條和匯流條也稱為焊帶，都是在電極之間起電連接作用，互連條是收集單個(gè)電池片上的電荷并將電池片互相連接成電池片：匯流條是搜集電池片的電流并連接到組件接線盒和銅合金。38.硅烷的制備方法答案：SiCl4氫化法，硅合金分解法，氫化物還原法，硅的直接氫化法，SiCl4氧化法39.什么是流化床答案：利用氣體或者液體通過顆粒狀固體層而使固體顆粒處于懸浮運(yùn)動(dòng)狀態(tài)，進(jìn)行氣固相反應(yīng)或者液固相反應(yīng)過程的反應(yīng)器。40.鑄造多晶硅的兩種制備方法：答案：（1）澆鑄法：在一個(gè)坩堝內(nèi)將硅原料熔化，然后澆鑄在另一個(gè)經(jīng)過預(yù)熱的坩堝內(nèi)冷卻，通過控制冷卻速率，采用定向凝固技術(shù)制備大晶粒的鑄造多晶硅。（2）直熔法：在坩堝內(nèi)直接將多晶硅熔化，然后通過坩堝底部的熱交換等方式，使得熔化體冷卻，采用定向凝固技術(shù)制造多晶硅。41.硅片表面沾污的雜質(zhì)類型有哪些？答案：①油脂、松香、蠟、聚乙二醇等有機(jī)物；②金屬、金屬離子及一些無機(jī)化合物；③塵埃及其他顆粒（硅，碳化硅）等。42.什么是方塊電阻，結(jié)深，死層？答案：方塊電阻也叫擴(kuò)散薄層電阻，是指表面為正方形的半導(dǎo)體薄層在電流方向上所呈現(xiàn)的電阻。擴(kuò)散形成的PN結(jié)的幾何位置與擴(kuò)散層表面的距離稱為結(jié)深。硅太陽電池的發(fā)射區(qū)n+是磷擴(kuò)形成的高濃度淺結(jié)區(qū)域。在這種擴(kuò)散區(qū)中，由于不活潑磷原子處于晶格間隙位置，會(huì)引起晶格缺陷，而且，由于磷和硅的原子半徑不匹配，高濃度的磷還會(huì)造成晶格匹配。因此，在硅電池表層中，少數(shù)載流子的壽命極低，表層吸收短波光子所產(chǎn)生的光生載流子對電池的光電流輸出貢獻(xiàn)甚微，此表層稱為‘死層’。43.單晶硅太陽電池清洗制絨的工序和制絨的目的？答案：工序流程：堿腐蝕（氫氧化鈉）制絨、水洗、酸洗（Hcl溶液）、水洗、HF溶液浸泡、水洗、風(fēng)刀吹干（4分）；制絨目的：減小光的反射。（2分）44.簡述影響酸性腐蝕液腐蝕速率的因素？答案：（1）決定腐蝕速率的首要因素是被腐蝕材料及腐蝕劑的性質(zhì)。（2）腐蝕劑的溫度。（3）被腐蝕材料的表面狀況，攪拌等因素。45.恒定表面濃度擴(kuò)散的特點(diǎn)：答案：（1）表面雜質(zhì)濃度可近似地取其擴(kuò)散溫度下的固溶度。（2）擴(kuò)散時(shí)間越長或擴(kuò)散溫度越高，雜質(zhì)擴(kuò)散越深。（3）擴(kuò)散時(shí)間越長，擴(kuò)散溫度越高，擴(kuò)散到硅片中的雜質(zhì)量越多。46.什么是摻雜？答案：摻雜是用一定的方式將所需的雜質(zhì)摻入硅基片的特定區(qū)域內(nèi)，并有規(guī)定的數(shù)量和合適的分布，形成PN結(jié)。47.硅片清洗制絨的目的（作用）答案：（1）去除硅片表面有機(jī)物和金屬雜質(zhì)，消除硅片表面機(jī)械損傷層。（2）減少太陽電池表面對太陽光反射，增加光能吸收，提高短路電流。48.主要檢測項(xiàng)目及標(biāo)準(zhǔn)答案：刻蝕主要檢測硅片的減薄量、上升的方阻、硅片邊緣的PN型方阻上升標(biāo)準(zhǔn)：方阻上升5個(gè)以內(nèi)減薄量標(biāo)準(zhǔn)：多晶0.05-0.1克邊緣PN型：顯示P49.絲網(wǎng)印刷形成鋁背場的作用答案：（1）背電場能產(chǎn)生與電池PN結(jié)光生電壓，從而提高了電池的開路電壓。（2）由于光生載流子受到背光電場加速，增加了載流子的有效擴(kuò)散長度。（3）驅(qū)使少數(shù)載流子離開表面，降低復(fù)合率，既增加了短路電流，又降低了暗電流。50.坩堝內(nèi)涂層的作用答案：（1）隔離了熔硅體和石英坩堝的直接接觸，解決了黏滯問題，而且可以降低多晶硅中的氧、碳雜質(zhì)濃度。（2）可使坩堝重復(fù)利用，降低生產(chǎn)成本。51.電極漿料燒結(jié)的原理答案：原理：燒結(jié)可看作是原子從系統(tǒng)中不穩(wěn)定的高能狀態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)樽杂赡茏畹蜖顟B(tài)的過程。固體顆粒具有很大的比表面積，具有極不規(guī)則的復(fù)雜表面狀態(tài)以及在顆粒的制造、細(xì)化處理等加工過程中受到的機(jī)械、化學(xué)、熱作用所造成的嚴(yán)重結(jié)晶缺陷等而使系統(tǒng)具有很高的自由能。52.如何防止硅片的金屬污染？答案：（1）防止任何金屬工具與硅晶體直接接觸，應(yīng)使用特種塑料夾具，并避免長時(shí)間使用（2）盡量使用高純度的清洗劑，金屬雜質(zhì)濃度越低越好，并嚴(yán)格控制清洗頻次（3）部分重要的金屬雜質(zhì)易于吸附在硅片表面，可在清洗劑中放置些無用的破損硅片來除去或者減少清洗劑的金屬雜質(zhì)。（4）在進(jìn)行高溫處理的爐腔內(nèi)，最好采用雙層石英玻璃以隔絕來自金屬加熱不見的污染。53.使用HF的原因答案：生產(chǎn)中常使用氫氟酸溶液濕法化學(xué)腐蝕除去這層厚度為20-40nm的氧化層。氫氟酸對磷硅玻璃和硅具有選擇性反應(yīng)，只腐蝕主要成分為SiO2的磷硅玻璃，而不會(huì)腐蝕硅，磷硅玻璃被腐蝕完后會(huì)自動(dòng)停止反應(yīng)。54.多線切割基本原理答案：通過一根高速運(yùn)動(dòng)的鋼線帶動(dòng)附著在鋼絲上的切割刃料（砂漿）對硅棒進(jìn)行摩擦，從而達(dá)到切割效果。55.絲網(wǎng)印刷的作用。答案：（1）制備太陽電池接觸電極。（2）通過電極收集并輸送電池的電流。（3）燒穿SiNx膜，進(jìn)行氫鈍化，在電池背面形成背面場。56.簡述等離子體刻蝕基本作原理：答案：等離子體刻蝕是在低壓狀態(tài)下，反應(yīng)氣體CF4的母體分子在射頻功率源的激發(fā)下產(chǎn)生電離，并形成等離子體。等離子體由帶電的電子和離子所組成，反應(yīng)腔體中的氣體在電子的撞擊下，分解成多種中性基團(tuán)和離子，并形成大量活性基團(tuán)。57.原子態(tài)的金屬雜質(zhì)從哪方面影響太陽電池的性能：答案：（1）影響載流子濃度（2）影響少數(shù)載流子的壽命58.晶體中氧濃度的影響因素答案：（1）固溶度隨溫度變化（2）分凝系數(shù)（3）對流（4）熔硅和坩堝接觸面積（5）氧從液態(tài)硅表面的蒸發(fā)59.擴(kuò)散方程的物理意義。答案：存在濃度梯度的情況下，隨著時(shí)間的推移，某點(diǎn)x處雜質(zhì)原子濃度的增加（或減少）是擴(kuò)散雜質(zhì)原子粒子在該點(diǎn)積累（或流失）的結(jié)果對應(yīng)于不同的初始條件和邊界條件，擴(kuò)散方程通式有不同形式的解。60.晶體硅太陽電池的電極采用絲網(wǎng)印刷的方法制備，制備工藝流程是什么？答案：工藝流程：絲印背銀、烘干、絲印背鋁、烘干、絲印正銀、烘干、燒結(jié)61.簡述單晶制絨絨面形成機(jī)理：答案：（1）金字塔從硅片缺陷處產(chǎn)生。（2）缺陷和表面玷污造成金字塔形成。（3）化學(xué)反應(yīng)產(chǎn)生的硅水合物不易溶解，從而導(dǎo)致金字塔形成。（4）異丙醇和硅酸鈉是產(chǎn)生金字塔的原因。62.為什么采用HF區(qū)PSG？答案：氫氟酸對磷硅玻璃和硅具有選擇性反應(yīng)，只腐蝕主要成分為SiO2的磷硅玻璃而不會(huì)腐蝕硅，磷硅玻璃被腐蝕完后會(huì)自動(dòng)停止反應(yīng)。63.簡述擴(kuò)散工藝過程的原理？答案：POCl3在高溫下（>600℃）分解生成PCl5和P2O5：O2充足的情況下，PCl5進(jìn)一步分解成P2O5并放出Cl2：O2不足的情況下，POCl3熱分解時(shí)不充分，生成的PCl5不易分解，對硅有腐蝕作用，破壞硅片的表面狀態(tài)。P2O5在擴(kuò)散溫度下與硅反應(yīng)，生成SiO2和P原子，并在硅片表面形成一層磷-硅玻璃（PSG），然后磷原子再向硅中進(jìn)行擴(kuò)散所以在磷擴(kuò)散時(shí)，為了促使POCl3充分的分解和避免腐蝕硅片，必須保證O2流量。64.高純多晶硅采用西門子法的制備工藝過程？答案：西門子法主要利用金屬硅和氯化氫反應(yīng)，生成化合物三氯氫硅，其化學(xué)反應(yīng)式為：Si+3HCl=SiHCl3+H2將原始高純多晶硅（直徑約為5mm）通電加熱至1100℃以上，通入中間化合物和高純氫氣，發(fā)生還原反應(yīng)，采用化學(xué)氣相沉積技術(shù)生成新的高純硅沉積在硅棒上，使得硅棒不斷長大，直到硅棒的直徑達(dá)到150-200mm，制成半導(dǎo)體高純多晶硅。反應(yīng)方程式：SiHCl3+H2=Si+3HCl或2（SiHCl3）=Si+2HCl+SiCl465.PSG是如何形成答案：在P型硅片上制備PN結(jié)的擴(kuò)散過程中，POCL3分解產(chǎn)生的P2O5淀積在硅片表面，P2O5與Si反應(yīng)生成SiO2和磷原子，形成了磷硅玻璃。66.防止正面pn結(jié)被腐蝕的方法答案：掩蔽正面PN結(jié)是采用涂黑膠并烘干的方法。67.磷吸雜的特點(diǎn)答案：（1）由于費(fèi)米能級的影響而在重磷擴(kuò)散的區(qū)域引起固溶度的提高。（2）磷擴(kuò)散產(chǎn)生的位錯(cuò)具有吸雜作用。（3）硅自間隙原子的注入吸雜。68.刻蝕的目的及方法答案：目的：刻蝕作為太陽電池生產(chǎn)中的第三道工序，其主要作用是去除擴(kuò)散后硅片四周的N型硅，防止漏電。方法：干法刻蝕，濕法刻蝕69.簡述PECVD方法制備SiNx膜的原理。答案：PECVD沉積技術(shù)的原理是利用輝光放電產(chǎn)生低溫等離子體，在低氣壓下將硅片置于輝光發(fā)電的陰極上，借助于輝光發(fā)電加熱或另加發(fā)熱體加熱硅片，是硅片達(dá)到預(yù)定溫度，然后通入適量反應(yīng)氣體，氣體經(jīng)過一系列反應(yīng)，在硅片表面形成固態(tài)薄膜，反應(yīng)式為：3SiH4+4NH3Si3N4+12H270.什么是冷氫化技術(shù)答案：主要把多晶硅生產(chǎn)過程中的副產(chǎn)物SiCl4轉(zhuǎn)化為SiHCl3的技術(shù)。71.砂漿回收工藝答案：在線砂漿回收，首先是用高速離心機(jī)將切片過程中產(chǎn)生的廢砂漿中的有效成分（碳化硅、聚乙二醇）和無效成分（硅粉和微粉）進(jìn)行分離，匹配合適的工藝，可使回收碳化硅，具有粒徑分布