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文檔簡介
1+X集成電路理論復習題與參考答案
1、在集成電路中,將掩膜版上的圖形位置及幾何尺寸轉移到光刻膠上的工
藝是O。
A、薄膜制備
B、光刻
C、刻蝕
D、金屬化
答案:B
在集成電路中,將掩膜版上的圖形位置及幾何尺寸轉移到光刻膠上的工藝
是光刻。
2、晶圓進行扎針測試時,完成晶圓信息的輸入后,需要核對()上的信息,
確保三者的信息一致。
A、MAP圖、探針臺界面、晶圓測試隨件單
B、MAP圖、測試機操作界面、晶圓測試隨件單
C、MAP圖、軟件版本、晶圓測試隨件單
D、MAP圖、軟件檢測程序、晶圓測試隨件單
答案:B
3、在制備完好的單晶襯底上,沿其原來晶向,生長一層厚度、導電類型、
電阻率及晶格結構都符合要求的新單晶層,該薄膜制備方法是()。
A、外延
B、熱氧化
C、PVD
D、CVD
答案:A
外延是在制備完好的單晶襯底上,沿其原來晶向,生長一層厚度、導電類
型、電阻率及晶格結構都符合要求的新單晶層。
4、重力式外觀檢查是在()環(huán)節(jié)之前進行的。
A、編帶
B、測試
C、分選
D、真空包裝
答案:D
重力式分選機設備芯片檢測工藝流程:上料一測試一分選一編帶(SOP)一
外觀檢查一真空包裝。
5、使用化學機械拋光進行粗拋時,拋光區(qū)域溫度一般控制在()
A、3850°C
B、20~50°C
C、20~30°C
D、20~38°C
答案:A
一般拋光區(qū)的溫度控制在38~50。C(粗拋)和20~30。C(精拋)。
6、在版圖設計過程中,N710S管的源極接(),漏極接(),P-M0S管的
源極接(),漏極接()。
A、地、高電位、電源、低電位
B、地、高電位、GND、高電位
C、地、高電位、GND、低電位
D、電源、高電位、GND、低電位
答案:C
7、若遇到需要編帶的芯片,在測試完成后的操作是()。
A、測試
B、上料
C、編帶
D、外觀檢查
答案:C
轉塔式分選機的操作步驟一般為:上料一測試一編帶一外觀檢查一真空包
裝。
8、使用測編一體的轉塔式分選設備進行芯片測試時,如果遇到需要編帶的
芯片,在測試完成后的操作是()。
A、外觀檢查
B、編帶
C、測試
D、上料
答案:B
9、晶圓檢測工藝中,在進行打點之前,需要進行的操作是()。
A、外檢
B、扎針調試
C、打點
D、扎針測試
答案:D
晶圓檢測工藝流程:導片一上片一加溫、扎針調試一扎針測試一打點一烘
烤一外檢一真空入庫。
10、元器件的引線直徑與印刷焊盤孔徑應有()的合理間隙。
A、0.l~0.4mm
B、0.2~0.4mm
C、0.l~0.3mm
D、0.2~0.3mm
答案:B
11、芯片封裝工藝中,下列選項中的工序均屬于前段工藝的是()。
A、晶圓切割、引線鍵合、塑封、激光打字
B、晶圓貼膜、芯片粘接、激光打字、去飛邊
C、晶圓貼膜、晶圓切割、芯片粘接、引線鍵合
D、晶圓切割、芯片粘接、塑封、去飛邊
答案:C
封裝工藝流程中前段工藝包括晶圓貼膜、晶圓切割、芯片粘接以及引線鍵
合,后段工藝則包括塑封、激光打字、去飛邊、電鍍以及切筋成型。
12、晶向為<111〉、8英寸P型半導體材料的定位方式是沿著硅錠長度方向
研磨出()。
A、一個基準面
B、兩個基準面且呈45度角
C、兩個基準面且呈90度角
D、定位槽
答案:D
8英寸的晶圓直徑為200mln,當硅片直徑等于或大于200mm時,往往不再研
磨基準面,而是沿著晶錠長度方向磨出一小溝作為定位槽。
13、封裝工藝中,在完成芯片粘接后需要進行銀漿固化,該環(huán)節(jié)在烘干箱
中進行,一般在()℃的環(huán)境下烘烤1小時。
A、150
B、200
C、225
D、175
答案:D
14、平移式分選機設備分選環(huán)節(jié)的流程是:()。
A、分選一吸嘴吸取芯片一收料
B、吸嘴吸取芯片一分選一收料
C、吸嘴吸取芯片一收料一分選
D、分選一收料一吸嘴吸取芯片
答案:B
平移式分選機設備測試環(huán)節(jié)的流程是:吸嘴吸取芯片一分選一收料。
15、在用萬用表測量晶體管、電解電容等有極性元件的等效電阻時,必須
注意()。
A、選擇歐姆擋位
B、選擇較大量程
C、注意兩支筆的極性
D、以上都是
答案:C
16、晶圓進行扎針測試時,其操作步驟正確的是()。
A、輸入晶圓信息一測試一清零一檢查扎針情況(有異常)一異常情況處理
一繼續(xù)測試一記錄測試結果
B、輸入晶圓信息一檢查扎針情況(無異常)一測試一清零一繼續(xù)測試一記
錄測試結果
C、輸入晶圓信息一清零一測試一檢查扎針情況(無異常)一繼續(xù)測試一記
錄測試結果
D、輸入晶圓信息一測試一檢查扎針情況(有異常)一異常情況處理一清零
一繼續(xù)測試一記錄測試結果
答案:C
17、下列說法錯誤的是()。
A、選擇Tool選項中的Composer-Schematic選項,表示在單元下建立電路
圖視圖
B、在電路編輯窗口中,利用圖標欄可以快速建立、編輯電路圖
C、在cadence軟件界面上,單擊Tools菜單,選擇LibraryManager命令,
出現“庫文件管理器”
D、用戶可以在庫文件里新建單元,但不能在新建的單元下新建視圖
答案:D
18、濕法刻蝕中,()的腐蝕液是以氫氟酸為基礎的水溶液。
A、硅
B、鋁
C、二氧化硅
D、種化錢
答案:C
二氧化硅腐蝕液是以氫氟酸為基礎的水溶液。
19、封裝工藝中,在晶圓切割后的光檢中環(huán)節(jié)發(fā)現的不良廢品,需要做()
處理。
A、修復
B、剔除
C、降檔
D、標記
答案:B
20、下列對重力式分選描述錯誤的是()。
A、重力式分選機為斜背式雙工位或多工位自動測試分選機
B、可以分選BGA封裝芯片
C、測試方式為夾測
D、重力式分選機的上料機構主要由上料槽、上料夾具和送料軌組成
答案:B
21、平移式分選機設備測試環(huán)節(jié)的流程是:()。
A、吸取、搬運芯片一入料梭轉移芯片一壓測一記錄測試結果一搬運、吹放
芯片
B、入料梭轉移芯片一吸取、搬運芯片一壓測一記錄測試結果一搬運、吹放
芯片
C、入料梭轉移芯片一搬運、吹放芯片一壓測一記錄測試結果一吸取、搬運
芯片
D、搬運、吹放芯片一入料梭轉移芯片一吸取、搬運芯片一壓測一記錄測試
結果
答案:B
平移式分選機設備測試環(huán)節(jié)的流程是:入料梭轉移芯片一吸取、搬運芯片
一壓測一記錄測試結果一搬運、吹放芯片。
22、編帶外觀檢查的步驟正確的是()。
A、檢查外觀一歸納放置一固定卷盤一編帶回料一編帶固定
B、歸納放置一固定卷盤一檢查外觀一編帶回料一編帶固定
C、固定卷盤一歸納放置一檢查外觀一編帶回料一編帶固定
D、編帶固定一固定卷盤一歸納放置一檢查外觀一編帶回料
答案:B
編帶外觀檢查的步驟:歸納放置一固定卷盤一檢查外觀一編帶回料一編帶
固定。
23、用四氯化硅氫還原法進行硅提純時,通過()可以得到高純度的四氯化
硅。
A、高溫還原爐
B、精儲塔
C、多晶沉積設備
D、單晶爐
答案:B
用四氯化硅氫還原法進行硅提純時,通常使用精鐳法,精鐳法是在精僧塔
中實現的。
24、該圖是()的版圖。
A、一位全加器
B、與非門
C、D觸發(fā)器
D、傳輸門
答案:C
25、晶圓檢測工藝中,6英寸的晶圓進行晶圓墨點烘烤時,烘烤時長一般
為()分鐘。
A、10
B、1
C、20
D、5
答案:D
26、平移式分選機設備進行芯片檢測的第三個環(huán)節(jié)是()。
A、分選
B、上料
C、測試
D、外觀檢查
答案:A
平移式分選機設備芯片檢測工藝的操作步驟一般為:上料一測試一分選一
外觀檢查一真空包裝。
27、S0P封裝的芯片一般采用()形式進行包裝。
A、卷盤
B、編帶
C、料管
D、料盤
答案:B
SOP封裝因其體積小等特點,一般采用編帶包裝形式。
28、濕度卡的作用是()。
A、去潮濕物質中的水分
B、可以防止靜電
C、起到防水的作用
D、顯示密封空間的濕度狀況
答案:D
濕度卡是用來顯示密封空間濕度狀況的卡片。
29、單晶硅生長完成后,需要進行質量檢驗,其中不是物理性能檢驗的參
數的是()。
A、直徑
B、外觀
C、電阻率
D、晶向
答案:C
30、Cadence中庫管理由高到低分別是()。
A、庫-單元-視圖
B、庫-視圖-單元
C、單元-庫-視圖
D、單元-視圖-庫
答案:A
31、清洗是晶圓制程中不可缺少的環(huán)節(jié),使用SC-2清洗液進行清洗時,可
以去除的物質是()。
A、光刻膠
B、顆粒
C、金屬
D、自然氧化物
答案:C
32、防靜電點檢的目的是()。
A、檢測進入車間人員的體重與身體狀況
B、指紋檢測
C、檢測人體帶有的靜電是否超出進入車間的標準
D、防止灰塵或靜電的產生
答案:C
防靜電點檢的目的是檢測人體帶有的靜電是否超出進入車間的標準,沒有
A、B、D選項所述的功能;規(guī)范著裝的目的是防止人體灰塵的散落或靜電的產
生。
33、{在扎針測試時,需要記錄測試結果,根據以下入庫晶圓測試隨件單的
信息,如果剛測完片號為5的晶圓,那么下列說法正確的是:()。)
A、T0TAL=5968,PASS=5788
B、T0TAL=6000,PASS=5820
C、T0TAL=5820,FAIL=180
D、T0TAL=5788,FAIL=212
答案:B
入庫晶圓測試隨件單中的合格數指的是除去測試不合格及外觀不合格的合
格數量,因此,總數TOTAL="合格數”+“測試不良數”+“外觀剔除數”,測
試合格數PASS="合格數”+“外觀剔除數”,測試不合格數FAIL="測試不良
數”。所以對于片號為5的晶圓,TOTAL=6000,PASS=5820,FAIL=180o
34、編帶過程中,在進行熱封處理后,需要進行()環(huán)節(jié)。
A、芯片放入載帶
B、密封
C、編帶收料
D、光檢
答案:C
轉塔式分選機進行編帶的步驟是:芯片光檢一載帶移動一熱封處理一編帶
收料一清料。
35、使用重力式分選機進行模塊電路的串行測試時,假設A,B軌道測試合
格,C軌道測試不合格,芯片移動的路線是()。
A、A測試軌道一分選梭1-B測試軌道一分選梭2-C測試軌道一分選梭
3-D合格軌道一分選梭4一不良品料管;
B、A測試軌道一分選梭1—B測試軌道一分選梭2—C不合格軌道一分選梭
3-D不合格軌道一分選梭4一不良品料管;
C、A測試軌道一分選梭1一B測試軌道一分選梭2—C不合格軌道一分選梭
3—D不合格軌道一分選梭4一不良品料管
D、A測試軌道一分選梭1-B測試軌道一分選梭2-C測試軌道一分選梭
3—D不合格軌道一分選梭4一不良品料管
答案:D
36、當芯片移動到氣軌()時,旋轉臺吸嘴吸取芯片。
A、首端
B、中端
C、末端
D、任意位置
答案:C
當芯片移動到氣軌末端時,旋轉臺吸嘴的升降電機到達芯片正上方,吸嘴
產生一定負壓將該芯片吸起,升降電機上移并后退進入旋轉臺,上料完成。
37、平移式分選機設備進行分選時,可以根據測試結果將合格芯片分為()。
A、A檔
B、B檔
C、C檔
D、不合格檔
答案:AB
平移式分選機設備進行分選時,可以根據測試結果將芯片分為合格品和不
合格品,其中合格的芯片根據測試條件的不同可分為A/B兩檔。
38、封裝工藝前期的晶圓研磨的主要目的是()和()。
A、減小晶圓體積,節(jié)省空間
B、提高晶圓散熱性
C、降低后續(xù)工藝中的設備損害和原料成本
D、使晶圓表面保持光滑規(guī)整
答案:BC
晶圓磨片后不僅可以提高晶圓散熱性,而且可以降低對切割機造成的損害
以及降低引線鍵合和塑料封裝過程中原材料成本。
39、工業(yè)上用二氧化硅和碳在高溫下以一定的比例混合發(fā)生置換反應得到
的單質硅純度約為98%,主要含有的雜質有()。
A、Fe
B、Al
C、B
D、Cu
答案:ABCD
將二氧化硅和焦炭在高溫下發(fā)生反應生成粗硅,此時的硅純度約為98%,
主要含有:Fe、Al、C與B、Cu等雜質。
40、在進入集成電路制造車間前注意著裝規(guī)范,其目的是為了防止人體、
衣物等產生()和()對芯片造成損害。
A、灰塵
B、潮氣
C、熱量
D、靜電
答案:AD
在著裝方面,進入車間前都需穿戴對應的無塵衣或防靜電服,其目的是為
了防止人體、衣物等產生灰塵、靜電對芯片造成損害。
41、以下元器件屬于數字電路的是()。
A、數據選擇器
B、定時器
C、計數器
D、驅動器
答案:ACD
42、解決鋁的電遷移的方法有()。
A、可做鋁銅合金
B、采用三層夾心結構
C、在合金化的鋁中適當地添加硅
D、采用“竹節(jié)狀”結構
答案:ABD
解決鋁的電遷移的方法有采用鋁銅或鋁銅合金、采用三層夾心結構、采用
“竹節(jié)狀”結構。
43、封裝按材料分一般可分為()等封裝形式。
A、橡膠封裝
B、金屬封裝
C、塑料封裝
D、泡沫封裝
E、玻璃封裝
F、陶瓷封裝
答案:BCEF
按照封裝材料的不同,IC封裝可分為塑料封裝、金屬封裝、陶瓷封裝、和
玻璃封裝等,其中塑料封裝為常用的封裝形式,約占IC封裝市場的90虬
44、重力式分選機日常保養(yǎng)項目有()。
A、測試壓座灰塵清理
B、分粒區(qū)
C、軌道入口
D、梭子出入口的傳感器維護
答案:BCD
45、最常用的二氧化硅的濕法刻蝕腐蝕液包括()。
A、氫氟酸
B、氟化鏤
C、去離子水
D、磷酸
答案:ABC
二氧化硅的腐蝕液是以氫氟酸為基礎的水溶液。為了控制反應速率不能過
快,在腐蝕液中會加入氟化鏤作為緩沖劑。
46、在8個LED燈閃爍實驗中"PB->OUT=OxffOO;”表示()。
A、PB0~PB7為輸出
B、PB8~PB15為輸出
C、輸出高電平,點亮LED燈
D、輸出低電平,點亮LED燈
答案:AD
47、在單片機程序裝載中,使用SW串口下載程序需注意()。
A、需要在魔法棒按鈕的debug中選擇sw串口而不是j-link
B、需要在魔法棒按鈕的outout中設置生成batch文件
C、需要在魔法棒按鈕的debug中選setting設置地址范圍
D、需要在魔法棒按鈕的output中設置生成hex文件
答案:BC
48、切片是拋光片制備中一道重要的工序,因為這一工序基本上決定了硅
片的四個重要參數,即晶向、()、()、()。
A、平行度
B、直徑
C、翹度
D、厚度
答案:ACD
切片是拋光片制備中一道重要的工序,因為這一工序基本上決定了硅片的
四個重要參數,即晶向、厚度、平行度、翹度。直徑是在外形整理中的徑向研
磨環(huán)節(jié)確定的。
49、在薄膜制備的過程中,需要檢驗薄膜的質量,以下屬于氧化層表面缺
陷的是()。
A、層錯
B、針孔
C、斑點
D、白霧
答案:CD
50、以下說法正確的是()。
A、編帶機的上料方式與重力式分選機相似,都是根據芯片自身重力。將待
裝有測芯片料管推出,上料夾具夾起料管,芯片根據自身重力沿軌道下滑
B、編帶機的光檢區(qū)運用高速高精度視覺處理技術自動檢測芯片,將管腳不
良或印章異常的芯片進行剔除;若光檢合格,顯示區(qū)則顯示“0K”,反之則顯
示“NG”
C、光檢區(qū)檢測不合格的芯片,會從光檢區(qū)滑落至不良品料管內;而檢測合
格的芯片,則會由真空吸嘴自動吸取,并將其精準地放到空載帶內,載帶內每
放置一顆芯片便會向前傳送一格
D、在芯片測試分選完成后,需要對合格芯片進行外觀檢查。所采用的方式
的是機器目檢,從而保證產品包裝的合格率
答案:ABC
51、塑料封裝的主要特點有()、()和()。
A、材料柔和,不損害芯片
B、成本低廉、質量輕
C、外殼堅硬防劃傷
D、防水、耐高溫
E、便于自動化生產
F、工藝簡單
答案:BEF
52、AltiumDesigner系統(tǒng)可以載入自定義元件庫,下列是自定義元件庫
的是()。
A、MiscellaneousDevices.IntLib
B、MotorolaAnalogTimerCircuit.IntLib
C、MiscellaneousConnectors.IntLib
D、MotorolaAmplifierOperationalAmplifier.IntLib
答案:BD
53、重力式分選機的上料機構由()組成。
A、料斗
B、上料夾具
C、氣軌
D、上料槽
E、收料架
F、送料軌
答案:BDF
重力式分選機的上料機構主要由上料槽、上料夾具和送料軌組成。
54、在繪制總體電路圖的過程中,對電路圖的要求是()。
A、反映出電路的工作原理
B、表現出電路各部分的關系
C、清楚地反映出電路的組成
D、表現出各個信號的流向
答案:ABCD
55、晶圓制造過程中,檢測刻蝕質量的好壞,一般通過以下幾個方面體現
出來:()。
A、刻蝕均勻性
B、圖形保真度
C、刻蝕選擇比
D、刻蝕的潔凈度
答案:ABCD
56、整批料盤全部外觀檢查完后(包括電路拼零等),后續(xù)需要進行的操
作是()。
A、清點數量
B、打印標簽
C、臨時捆扎
D、抽檢
答案:ABCD
整批料盤全部外觀檢查完后(包括電路拼零等),后續(xù)需要進行臨時捆扎、
數量清點、打印標簽、放到“已檢查品貨架”上等待外驗人員進行抽檢等操作。
57、為了驗證所布線的電路板是符合設計規(guī)則的,現在設計者要運行設計
規(guī)則檢查DesignRuleCheck(DRC)O
A、正確
B、錯誤
答案:A
58、以全自動探針臺為例,在上片過程中,需注意花籃位置放置準確,否
則有可能導致晶圓探針錯位、破片。
A、正確
B、錯誤
答案:A
59、抽真空操作時,可以不用踩真空包裝機的踏板。
A、正確
B、錯誤
答案:B
抽真空時,腳踩踏板進行抽真空操作。
60、晶圓貼膜過程中,若晶圓背面存在顆粒物會使藍膜和晶圓之間產生氣
泡。
A、正確
B、錯誤
答案:A
61、風淋時到達設定時間后風淋結束,風淋室自動解鎖,此時可打開風淋室
內門,進入車間。
A、正確
B、錯誤
答案:A
風淋到達設定值后,風淋室的門]自動由關閉狀態(tài)變?yōu)殚_啟,此時可打開風
淋室的門進入車間。
62、封裝工藝中要先進行晶圓切割,根據切割工具的形式,晶圓切割的方
式只有機械切割,一般采用砂輪劃片的方法。
A、正確
B、錯誤
答案:B
63、設計相同電路的版圖,全定制設計通常比半定制設計占用更多面積。
A、正確
B、錯誤
答案:B
64、集成電路制作工藝的車間需要定期進行除塵清掃,其可以有效減少生
產環(huán)境的變化對產品質量的影響。
A、正確
B、錯誤
答案:A
由于車間內設備、通風、空調等的運行會逐漸帶入灰塵,經過累積會使車
間內的微粒數超過該車間的無塵指標,此時電路和設備易被灰塵污染、損壞,
造成一定的損失,所以定期對車間進行除塵清掃是必不可少的環(huán)節(jié),防止生產
環(huán)境的變化而影響產品質量。
65、輸入差分對版圖設計過程中,采用的是二維共質心方式設計。
A、正確
B、錯誤
答案:A
66、切筋成型模具上的刀片將連筋切斷后,成型沖頭繼續(xù)下壓,使管腳彎
成所需的形狀。
A、正確
B、錯誤
答案:A
67、測試夾具常見故障包括:接觸不良、開路短路不良;、表面嚴重磨損
等。()
A、正確
B、錯誤
答案:A
68、調整扎針位置時,需利用要搖桿的“粗調”檔位進行位置的確定。
A、正確
B、錯誤
答案:B
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