北方華創(chuàng)刻蝕和薄膜沉積設(shè)備領(lǐng)域優(yōu)勢突出打造平臺型設(shè)備龍頭

目錄TOC\o"1-2"\h\z\u國背景臺型設(shè)頭，業(yè)增長續(xù)強勁 5股權(quán)結(jié)構(gòu)集中，股權(quán)激彰顯信心 5深度受益半導(dǎo)體設(shè)備國替代趨勢，業(yè)績穩(wěn)定增長 8半導(dǎo)體設(shè)備多領(lǐng)域布局募投支持項目建設(shè) 9導(dǎo)體備行：多驅(qū)動加，國替代廣闊 半導(dǎo)體設(shè)備是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的上游核心 半導(dǎo)體需求量提升驅(qū)動半體設(shè)備市場增長 13晶圓產(chǎn)能向大陸轉(zhuǎn)移，國設(shè)備需求增長快 15半導(dǎo)體設(shè)備國產(chǎn)替代勢在行 16造平核心勢，元布局速成長 17刻蝕設(shè)備實現(xiàn)硅、金屬介質(zhì)刻蝕機全覆蓋 17薄膜沉積設(shè)備穩(wěn)步增長 22開拓設(shè)備板塊，打造平化能力 28精密電子元器件業(yè)務(wù)積累厚 29盈利預(yù)與投建議 33盈利預(yù)測 33投資建議 34風(fēng)險提示 34圖表目錄圖1：北方華創(chuàng)主要股東和公司（截止到2024Q3） 6圖2：員工結(jié)構(gòu)占比圖（2023年） 6圖3：員工學(xué)歷占比圖（2023年） 6圖4：2018-2023年銷售、理費用率 7圖5：2018-2023年研發(fā)費（億元） 7圖6：2017-2024前三季度業(yè)收入 8圖7：2017-2024前三季度利率、毛利率 8圖8：2019-2023年前五大應(yīng)商采購總額占比 8圖9：2019-2023年前五大戶營業(yè)收入占比 8圖10：2016-2023年各業(yè)務(wù)業(yè)收入（億元） 10圖半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)鏈?zhǔn)疽鈭D 圖12：芯片生產(chǎn)過程詳解 圖13：半導(dǎo)體中長期需求樂觀 12圖14：全球半導(dǎo)體設(shè)備市場模 12圖15：全球半導(dǎo)體前道設(shè)備分市場規(guī)模（十億美元） 12圖16：世界各地區(qū)半導(dǎo)體設(shè)市場規(guī)模 13圖17：全球半導(dǎo)體設(shè)備市場布情況 13圖18：各地區(qū)半導(dǎo)體設(shè)備競力（按公司總部所在地劃分）-2022 13圖19：半導(dǎo)體設(shè)備（光刻機-ASML）內(nèi)部結(jié)構(gòu)復(fù)雜 13圖20：全球新建晶圓廠預(yù)測 14圖21：全球晶圓產(chǎn)能增長預(yù)測 14圖22：半導(dǎo)體行業(yè)摩爾定律 14圖23：不同制程刻蝕次數(shù)（位：次） 14圖24：每5萬片晶圓產(chǎn)能的備投資（百萬美元） 15圖25：制造工藝升級提高產(chǎn)設(shè)備投資額（十億美元） 15圖26：國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備有望持高增長 15圖27：全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移程 16圖28：中國半導(dǎo)體設(shè)備市場產(chǎn)化市場規(guī)模測算（億元） 17圖29：刻蝕技術(shù)分類 17圖30：CMOS芯片的結(jié)構(gòu)示意圖 18圖31：全球半導(dǎo)體刻蝕機市規(guī)模 18圖32：全球各地區(qū)刻蝕設(shè)備長速度（2022-2027） 19圖33：國內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備銷售變化趨勢（億美元） 19圖34：北方華創(chuàng)刻蝕設(shè)備領(lǐng)關(guān)鍵時間節(jié)點 20圖35：北方華創(chuàng)ICP刻蝕機：NMC612D硅刻蝕機 21圖36：北方華創(chuàng)CCP刻蝕：AccuraLX介質(zhì)刻蝕機 21圖37：TSV技術(shù)與傳統(tǒng)線鍵合（WireBonding）技術(shù)對比 21圖38：北方華創(chuàng)ACEi300膠機 21圖39：薄膜沉積技術(shù)分類 23圖40：全球各地區(qū)PVD增速度（2020-2025） 24圖41：PVD設(shè)備市場領(lǐng)導(dǎo)者 24圖42：亞太地區(qū)PVD市場模（十億美元） 24圖43：全球各地區(qū)PVD增速度（2022-2027） 25圖44：全球CVD和ALD前體市場規(guī)模 25圖45：電子元器件行業(yè)產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)圖 30圖46：全球物聯(lián)網(wǎng)終端連接量發(fā)展趨勢圖 30圖47：北方華創(chuàng)電子元器件品種類與用途 31圖48：電子元器件營業(yè)收入占比 32圖49：電子元器件凈利潤 32圖50：可比公司估值表 34表1：北方華創(chuàng)公司發(fā)展歷程 5表2：北方華創(chuàng)股權(quán)激勵情況 7表3：2021年北方華創(chuàng)募投目情況 10表4：各類型刻蝕工藝對比 20表5：北方華創(chuàng)部分刻蝕設(shè)備 22表6：北方華創(chuàng)主要PVD產(chǎn)品 26表7：北方華創(chuàng)CVD產(chǎn)品及點 27表8：北方華創(chuàng)清洗設(shè)備 28表9：北方華創(chuàng)立式爐設(shè)備 29表10：兩次擴產(chǎn)項目概況 31表11：精密電子元器件品類研發(fā)產(chǎn)品 31國資背景平臺型設(shè)備龍頭，業(yè)績增長持續(xù)強勁20019品領(lǐng)域，深耕半導(dǎo)體裝備、真空及鋰電裝備和精密電子元器件等業(yè)務(wù)領(lǐng)域，產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于集成電路、先進封裝、半導(dǎo)體照明、第三代半導(dǎo)體、新能源光伏、新型顯示、真空熱處理、新能源鋰電等領(lǐng)域，現(xiàn)有六大研發(fā)生產(chǎn)基地，營銷服務(wù)體系覆蓋歐、美、亞等全球主要國家和地區(qū)，致力于成為半導(dǎo)體基礎(chǔ)產(chǎn)品領(lǐng)域值得信賴的引領(lǐng)者。深耕電子領(lǐng)域，逐漸擴大規(guī)模優(yōu)勢。公司由北京七星華創(chuàng)電子股份有限公司（以下簡稱“七星電子”）和北京北方微電子基地設(shè)備工藝研究中心有限責(zé)任公司（以下簡稱“北方微電子”）戰(zhàn)略重組而成。2010年，七星電子在深交所上市；2016年，在國家大基金主導(dǎo)下，七星電子與北方微電子通過戰(zhàn)略重組，形成中國規(guī)模較大、產(chǎn)品豐富與應(yīng)用領(lǐng)域廣泛的泛半導(dǎo)體工藝裝備提供商；2018AkrionSystemsLLC公司資產(chǎn)及相關(guān)業(yè)務(wù)的收購，極大豐富了高端集成電路設(shè)備產(chǎn)品線；同年公司被納入國務(wù)院國資委國企改革“雙百企業(yè)”試點名單；2021年10月，公司首次進入全球電子百強企業(yè)榜單，202212IC、LED行業(yè)龍頭地位顯著。表1：北方華創(chuàng)公司發(fā)展歷程時間產(chǎn)品2001年9月七星華創(chuàng)電子成立2001年10月北方微電子成立2010年3月七星電子在深交所上市2016年8月七星電子預(yù)備方位電子完成戰(zhàn)略重組，新增股份在深交所上市2017年2月七星電子更名為北方華創(chuàng)2018年1月北方華創(chuàng)收購美國Akrion，豐富了高端集成電路設(shè)別產(chǎn)品線2018年8月北方華創(chuàng)被國務(wù)院納入國企改革“雙百企業(yè)”試點名單2019年12月北方華創(chuàng)非公開發(fā)行股票上市，募集資金總額20億元2021年10月北方華創(chuàng)首次進入全球電子百強企業(yè)榜單，排名第95位2022年12月北方華創(chuàng)銷售收入首次突破百億元數(shù)據(jù)來源：公司官網(wǎng)、得到政策支持，股權(quán)結(jié)構(gòu)集中。截至公司2024三季報，公司實控人北京電控通過七星華電持有33.43%9.37%42.80%6.32%，北京國瑞持股0.93%，股權(quán)結(jié)構(gòu)較為集中，控股權(quán)較為穩(wěn)定。公司通過北方華創(chuàng)微電子、北方華創(chuàng)真空技術(shù)和北方華創(chuàng)精密電子分別開展半導(dǎo)體設(shè)備、真空設(shè)備和電子元器件業(yè)務(wù)。圖1：北方華創(chuàng)主要股東和子公司（截止到2024Q3）數(shù)據(jù)來源：公司公告、iFind、高管經(jīng)驗豐富，技術(shù)團隊實力強勁。北方華創(chuàng)高管團隊長期深耕專業(yè)領(lǐng)域，擁有深厚的學(xué)術(shù)背景2023539744.9%圖2：員工結(jié)構(gòu)占比圖（2023年） 圖3：員工學(xué)歷占比圖（2023年）行政人員銷售人員技術(shù)人員財務(wù)人員生產(chǎn)人員

27.40%37.74%34.86%?？粕究粕?7.40%37.74%34.86%碩士及以上數(shù)據(jù)來源：公司公告、 數(shù)據(jù)來源：公司公告、研發(fā)費用保持較高水平，技術(shù)推動企業(yè)發(fā)展。2018-2023年公司研發(fā)費用持續(xù)上升趨勢，從20183202324億元，CAGR51%。而銷售費用率和管理費用率均呈現(xiàn)穩(wěn)中有降的趨勢，可見公司持續(xù)推進降本增效工作，逐漸實現(xiàn)了規(guī)模經(jīng)濟，提高了資源的使用效率。圖4：2018-2023年銷售、理費用率 圖5：2018-2023年研發(fā)費（億元）

銷售費用率 管理費用率2018 2019 2020 2021 2022

30研發(fā)費用YoY研發(fā)費用YoY201510502018 2019 2020 2021 2022

100%80%60%40%20%0%數(shù)據(jù)來源：公司公告、 數(shù)據(jù)來源：公司公告、注重股權(quán)激勵促進長遠(yuǎn)發(fā)展。公司上市以來實施多輪股權(quán)激勵，激發(fā)核心技術(shù)人員積極性。自上市以來，公司分別于2018年、2019年、2022年和2024實施四輪股權(quán)激勵。相比2018年、2019年，2022年與2024年推出的股權(quán)激勵計劃的規(guī)模更大，人員覆蓋范圍更廣，且營收增長、研發(fā)投入目標(biāo)對準(zhǔn)全球半導(dǎo)體設(shè)備大廠。通過將股權(quán)激勵覆蓋面不斷下沉，公司充分調(diào)動核心技術(shù)人員和管理骨干的工作積極性，創(chuàng)造更高業(yè)績成就，同時構(gòu)筑堅實人才基礎(chǔ)，鞏固公司在國內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備廠商中的龍頭地位；而部分考核目標(biāo)對標(biāo)海外大廠，也充分彰顯出公司不斷夯實技術(shù)、著力企業(yè)中長期發(fā)展的決心和信心。表2：北方華創(chuàng)股權(quán)激勵情況時間激勵規(guī)模激勵人員第一個行權(quán)期業(yè)績考核目標(biāo)費用均攤2018450權(quán)，行權(quán)價格為35.36元/份275名核心技術(shù)人員，66名管理骨干20192017年年均復(fù)合增長率≥25%（32.81億元、EOE≥12%，研發(fā)支出占營業(yè)總收入8%75分位；2019年200件2018-2022：0.18/0.36/0.28/0.15/0.05億元2019450萬份限制性34.6元/股董事、高管、子公司高管及業(yè)務(wù)負(fù)責(zé)人共88名20202018年授予條件年均復(fù)合增長率≥25%（41.02、EOE≥12%，且上述指標(biāo)都≥對標(biāo)企業(yè)75分位；研發(fā)支出占營業(yè)總收入比例不低于8%，2020年專利申請不低于200件2020-2024：1.7/2.0/1.1/0.5/0.06億元2019450萬份股票期權(quán)，授予價格69.2元/份284名核心技術(shù)人員及72名管理骨干20202018年授予條件年均復(fù)合增長率≥25%（41.02、EOE≥12%，且上述指標(biāo)都≥對標(biāo)企業(yè)75分位；研發(fā)支出占營業(yè)總收入比例不低于8%，2020年專利申請不低于200件2020-2024：1.3/1.5/0.8/0.4/0.04億元20221310萬份股票1050萬份，首次授160.22元/份777名核心技術(shù)人員及63名管理骨干，不包括公司董事和高級管理人員2023年營業(yè)收入增長率不低于對標(biāo)企業(yè)算術(shù)平均增長率；2023年專利申請量≥5002021-2023EOE算16%2021-2023低于8%2022-2027：3.1/5.7/4.4/2.6/1.4/0.4億元2024915權(quán)，行權(quán)價格為190.59元/份1767名核心技術(shù)人240名管理骨干2025年營業(yè)收入增長率不低于對標(biāo)企業(yè)算術(shù)平均增長率，2025年研發(fā)投入占營業(yè)收入比例不低于對標(biāo)企業(yè)算術(shù)平均比例，2025年專利申請量≥500件，2023-2025EOE算數(shù)平16%，2023-20258%2024-2029:1.4/6.6/6.0/3.7/2.0/0.8億元數(shù)據(jù)來源：公司公告、深度受益半導(dǎo)體設(shè)備自主開發(fā)趨勢，業(yè)績穩(wěn)定增長營業(yè)收入總額高速增長，毛利率/凈利率整體呈上升趨勢。公司上市以來，營業(yè)收入實現(xiàn)持續(xù)較快增長，從2017年的22.2億元增長至2023年的220.8億元。2023年收入同比增長50%，歸母凈利潤39.0億元，同比增長66%。受益泛半導(dǎo)體設(shè)備自主開發(fā)加速，公司半導(dǎo)體設(shè)備不斷放量，驅(qū)動收入、凈利潤規(guī)模持續(xù)擴張。在23年行業(yè)景氣度下行周期中，公司刻蝕、薄膜沉積、清洗和爐管等數(shù)十種核心工藝裝備進一步得到市場認(rèn)可，凈利率和毛利率整體呈上升趨勢，工藝覆蓋度及市場占有率顯著增長，凸顯公司優(yōu)秀質(zhì)地。圖6：2017-2024前三季度業(yè)收入 圖7：2017-2024前三季度利率、毛利率0

營業(yè)收入（億元） 同比（%）0

銷售凈利率 銷售毛利率 數(shù)據(jù)來源：公司公告、、 數(shù)據(jù)來源：公司公告、、對上下游頭部廠家依賴性弱，風(fēng)險分散化。北方華創(chuàng)具有多個供應(yīng)商來源，供應(yīng)鏈風(fēng)險小。公司的客戶集中度相對稍高，對下游龍頭企業(yè)依賴度稍大，反映出公司擁有較強的市場定位和客戶關(guān)系管理能力，有利于形成穩(wěn)定的業(yè)務(wù)合作關(guān)系。對比供應(yīng)和銷售，公司在供應(yīng)鏈管理上做得比較好，但在銷售和市場拓展方面可能還有提升空間。可能需要考慮擴大市場覆蓋范圍，發(fā)展新的客戶群體，以進一步降低對現(xiàn)有大客戶的依賴。圖8：2019-2023年前五大應(yīng)商采購總額占比 圖9：2019-2023年前五大戶營業(yè)收入占比第一名

第二名

第三名

第四名

第五名 其

第一名

第二名

第三名

第四名

第五名 其他

2019 2020 2021 2022

2019 2020 2021 2022 2023數(shù)據(jù)來源：公司公告、 數(shù)據(jù)來源：公司公告、1.3半導(dǎo)體設(shè)備多領(lǐng)域布局，募投支持項目建設(shè)北方華創(chuàng)堅持以高水平創(chuàng)新構(gòu)筑競爭優(yōu)勢，持續(xù)在產(chǎn)品端發(fā)力。以研發(fā)技術(shù)推動，打造多元產(chǎn)品矩陣。公司立足半導(dǎo)體基礎(chǔ)以及相關(guān)產(chǎn)品領(lǐng)域，深耕半導(dǎo)體裝備、真空及鋰電裝備和精密電子元器件三大領(lǐng)域，三大產(chǎn)品線共同貢獻營收。在刻蝕設(shè)備方面，北方華創(chuàng)作為國內(nèi)領(lǐng)先的高端電子工藝裝備供應(yīng)商，2023年刻蝕設(shè)備收入近6012介質(zhì)刻蝕設(shè)備領(lǐng)域關(guān)鍵突破，發(fā)布了滿足客戶不同工藝需求的全系列等離子去膠產(chǎn)品：多晶硅及ICP20233200腔；CCP介質(zhì)刻蝕設(shè)備實現(xiàn)了邏輯、存儲、功率半導(dǎo)體等領(lǐng)域多個關(guān)鍵制程的覆蓋，為國內(nèi)主流客戶提供了穩(wěn)定、2023100腔；TSVFabTSV克服了O2、H2、NH3等去膠的各種技術(shù)難點，使客戶擁有更長的使用周期和更低的擁有成本、消耗成本，受到客戶廣泛認(rèn)可，形成了批量銷售。在薄膜沉積設(shè)備方面，北方華創(chuàng)作為國內(nèi)相關(guān)技術(shù)的先行者，經(jīng)過十余年的技術(shù)沉淀和創(chuàng)新突破，北方華創(chuàng)采用差異化路線攻克多項金屬薄膜與介質(zhì)薄膜關(guān)鍵技術(shù)難題，精準(zhǔn)定位市場需求，獲得20235500腔，2023年該板塊收入超60億元。PVD設(shè)備中的域銅（Cu）互連、鋁墊層（AlPad）、金屬硬掩膜（MetalHardMask）、金屬柵（MetalGate）、硅化物（Silicide）3500腔；CVD30屬硅化物、金屬柵極、鎢塞沉積、高介電常數(shù)原子層沉積等工藝設(shè)備的全方位覆蓋，關(guān)鍵技術(shù)指標(biāo)均達(dá)到業(yè)界領(lǐng)先水平，累計出貨超1000化合物半導(dǎo)體等領(lǐng)域工藝全覆蓋，“硅薄膜外延設(shè)備研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化”項目于2023年獲評“北京市科學(xué)技術(shù)進步獎一等獎”。在清洗設(shè)備方面，北方華創(chuàng)經(jīng)過多年技術(shù)累積，先后突破了多項關(guān)鍵模塊設(shè)計、清洗工藝、氣流場/溫度場控制、反應(yīng)源精密輸送、硅片表面熱場設(shè)計等技術(shù)，2023年公司立式爐和清洗設(shè)備收3020231200熱退火設(shè)備、立式爐原子層沉積設(shè)備等新產(chǎn)品層出不窮，截止到2023年累計出貨超700臺，為客戶提供全面解決方案的能力持續(xù)提升。在新能源光伏領(lǐng)域，北方華創(chuàng)在PERC、TOPCon、HJT等領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)了擴散、氧化、退火類設(shè)備的全覆蓋，為光伏行業(yè)提供了更為專業(yè)、高效、先進、低成本的解決方案。截止到2023年年報披400020坡、馬來西亞等地，成為光伏行業(yè)領(lǐng)先的解決方案提供商。在真空及鋰電裝備領(lǐng)域，北方華創(chuàng)深耕高壓、高溫、高真空技術(shù)，為行業(yè)提供高效、節(jié)能、環(huán)保的真空及鋰電裝備工藝解決方案。公司緊跟新能源技術(shù)發(fā)展方向，結(jié)合客戶生產(chǎn)運行情況，針對PVDCVDCVD現(xiàn)批量應(yīng)用；主導(dǎo)制定了單晶爐能源消耗的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，為客戶提供最優(yōu)的能耗解決方案。在精密電子元器件領(lǐng)域，北方華創(chuàng)將現(xiàn)有工藝與半導(dǎo)體工藝相結(jié)合，研制新產(chǎn)品，拓展新應(yīng)用。新開發(fā)的模擬鏈路產(chǎn)品具有產(chǎn)品種類覆蓋寬、適用面廣、寬溫度適應(yīng)性和高可靠等優(yōu)勢，主要應(yīng)用于通信、交通及電力等領(lǐng)域，在信號處理中有著無可替代的作用；新開發(fā)的硅電容器，采用半導(dǎo)體MOS工藝和微機電系統(tǒng)（MEMS）工藝相結(jié)合的技術(shù)，具有小型化、集成化、高精密的特點，主要應(yīng)用于通信、射頻微波、2.5D/3D先進封裝、汽車電子等領(lǐng)域，在天線匹配、射頻濾波等電路中具有突出優(yōu)勢。圖10：2016-2023年各業(yè)務(wù)營業(yè)收入（億元）250

電子工藝裝備 電子元器件2001501005002016 2017 2018 2019 2020 2021 2022 2023數(shù)據(jù)來源：公司公告、近年來，公司主營業(yè)務(wù)發(fā)展態(tài)勢良好，市場認(rèn)可度不斷提高，應(yīng)用于高端集成電路領(lǐng)域的刻蝕、薄膜、清洗和爐管等數(shù)十種工藝裝備實現(xiàn)技術(shù)突破和量產(chǎn)應(yīng)用，工藝覆蓋度及市場占有率大幅提202330070%積極募集資金，助力研發(fā)擴產(chǎn)。2021年北方華創(chuàng)進行了大規(guī)模募投，共募集資金850,000.00萬元。除了補充流動資金以外，北方華創(chuàng)將資金投入了三個項目的建設(shè)，包括：半導(dǎo)體裝備產(chǎn)業(yè)化基地擴產(chǎn)項目（四期）、高端半導(dǎo)體裝備研發(fā)項目以及高精密電子元器件產(chǎn)業(yè)化基地擴產(chǎn)項目（三期）。表3：2021年北方華創(chuàng)募投項目情況項目預(yù)計總投資額（萬元）募集資金擬投入額（萬元）建設(shè)期/投資周期半導(dǎo)體裝備產(chǎn)業(yè)化基地擴產(chǎn)項目3816313483392年高端半導(dǎo)體裝備研發(fā)項目3135812414205年高精密電子元器件產(chǎn)業(yè)化基地擴產(chǎn)項目（三期）8000073403.232年補充流動資金186837.77186837.77數(shù)據(jù)來源：iFinD、項目順利實施后，公司在半導(dǎo)體裝備和高精密電子元器件領(lǐng)域的技術(shù)實力將進一步提高，主營業(yè)務(wù)優(yōu)勢將進一步凸顯，有利于進一步提升公司的市場影響力，提高公司未來整體盈利水平，符合公司長期發(fā)展需求及全體股東的利益。公司的資金實力將得到有效提升，總資產(chǎn)和凈資產(chǎn)規(guī)模增加，資產(chǎn)負(fù)債率下降，資產(chǎn)結(jié)構(gòu)更加合理，財務(wù)結(jié)構(gòu)更加優(yōu)化，有利于降低公司的財務(wù)風(fēng)險并為公司的持續(xù)發(fā)展提供保障，具有良好的社會效益和經(jīng)濟效益。半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)：多重驅(qū)動加持，自主開發(fā)空間廣闊半導(dǎo)體設(shè)備是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的上游核心。半導(dǎo)體設(shè)備在芯片制造中發(fā)揮著重要作用，是半導(dǎo)體制造的基石和行業(yè)基礎(chǔ)。晶圓制造設(shè)備是半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)需求最大的領(lǐng)域，設(shè)備投資在晶圓廠的資本開支中占主要部分，光刻、刻蝕和薄膜沉積設(shè)備尤為重要。半導(dǎo)體生產(chǎn)流程中需要多種類半導(dǎo)體設(shè)備。在ICIC制造環(huán)節(jié)后，內(nèi)嵌集成電路IC封測環(huán)節(jié)，包括磨片、切割、貼片等一系列步驟，在各步驟中需使用相對應(yīng)的半導(dǎo)體封裝和測試設(shè)備，最終得到芯片成品。圖半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)鏈?zhǔn)疽鈭D 圖12：芯片生產(chǎn)過程詳解數(shù)據(jù)來源：前瞻產(chǎn)業(yè)研究院、 數(shù)據(jù)來源：全球半導(dǎo)體設(shè)備市場有望反彈，成長型行業(yè)需求樂觀。半導(dǎo)體是周期型行業(yè)，更是成長型行業(yè)，5G大數(shù)據(jù)、醫(yī)療電子和安防電子等為主的新興應(yīng)用領(lǐng)域強勁需求的帶動下，中長期需求樂觀。25年有望強勁反彈。根據(jù)國際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會（SEMI）數(shù)據(jù)，2023202210751.3%，1063億美元，SEMI表示，20241090備投資980億美元，占比高達(dá)90%，后道分倉和測試投資規(guī)模為110億美元，占整體規(guī)模的10%202516%的增長，所有細(xì)分市場都將實現(xiàn)兩位1270圖13：半導(dǎo)體中長期需求樂觀 圖14：全球半導(dǎo)體設(shè)備市場模億美元 全球半導(dǎo)體設(shè)備市場規(guī)模 同比1270102612701026107610631090712598120010008006004002000201920202021202220232024E2025E數(shù)據(jù)來源：SUMCO、SEMI、 數(shù)據(jù)來源：SUMCO、SEMI、

50%40%30%20%10%0%-10%各細(xì)分市場保持增長，薄膜沉積和蝕刻設(shè)備占比最高。預(yù)計2025年，全球半導(dǎo)體設(shè)備市場規(guī)模1270274269億美元。圖15：全球半導(dǎo)體前道設(shè)備細(xì)分市場規(guī)模（十億美元）刻蝕 清洗 薄膜沉積設(shè)備 光刻機量測檢測設(shè)備 離子注入機 擴散設(shè)備 涂膠顯影設(shè)備CMP設(shè)備 熱處理設(shè)備 去膠設(shè)備 其他27.419.927.419.920.821.523.113.213.819.920.920.622.626.9120.0100.080.0

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2024E 2025E數(shù)據(jù)來源：SEMI、測算中國市場全球最大，且保持高增長。中國大陸是全球最大的半導(dǎo)體設(shè)備市場，且保持最快增速，占全球市場的比重持續(xù)提升且呈持續(xù)提升之勢。半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)向中國大陸擴散，設(shè)計、制造、設(shè)備等環(huán)節(jié)國產(chǎn)化配套空間廣闊?？v觀全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展歷程，經(jīng)歷了由美國向日本、向韓國和中國臺灣地區(qū)及中國大陸的幾輪產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移。目前中國大陸正處于智能電動汽車、物聯(lián)網(wǎng)、人工智能等行業(yè)快速崛起的進程中，已成為全球最重要的半導(dǎo)體應(yīng)用和消費市場。2023年中國大陸半導(dǎo)體設(shè)備投資同比增加了29%，達(dá)到366億美元，中國大陸占全球市場的比重上升到34%。圖16：世界各地區(qū)半導(dǎo)體設(shè)市場規(guī)模 圖17：全球半導(dǎo)體設(shè)備市場布情況億美元 2023202236628336628326819921519612110579846563603735030025020015010050

中國大陸 中國臺灣 韓國 北美 日本 歐洲 其他地區(qū)0中國大陸 韓國 中國臺灣 北美 日本 歐洲 其他地

0%20132014201520162017201820192020202120222023數(shù)據(jù)來源：SEMI、頭豹研究院、 數(shù)據(jù)來源：SEMI、頭豹研究院、先進技術(shù)仍待突破，技術(shù)和客戶驗證壁壘突出。先進技術(shù)由美歐日等國主導(dǎo)，美國、荷蘭、日本在不同設(shè)備領(lǐng)域具有競爭優(yōu)勢。其中美國的刻蝕設(shè)備、離子注入機、薄膜沉積設(shè)備、測試設(shè)備、程序控制、CMP等設(shè)備的制造技術(shù)位于世界前列；荷蘭憑借ASML的高端光刻機在全球處于領(lǐng)先地位；日本則在刻蝕設(shè)備、清洗設(shè)備、測試設(shè)備等方面具有競爭優(yōu)勢。半導(dǎo)體設(shè)備技術(shù)壁壘高，穩(wěn)定運行要求高，客戶驗證壁壘高，驗證成本高周期長，標(biāo)準(zhǔn)嚴(yán)苛。由于設(shè)備本身和產(chǎn)線構(gòu)成的復(fù)雜性，單設(shè)備的良率、穩(wěn)定性會在整個體系內(nèi)產(chǎn)生累積效應(yīng)的影響，同時可能帶來巨額的潛在損失，因此晶圓制造廠商對于上游設(shè)備的驗證、驗收有嚴(yán)苛的標(biāo)準(zhǔn)和流程。對于晶圓制造廠而言，配合上游設(shè)備驗證需要付出大量的人力（合作研發(fā)、調(diào)試）、物力（拿出其他設(shè)備配合驗證的機會成本損失、驗證過程中的物料損失），以及采用新設(shè)備供應(yīng)商面臨的巨大潛在風(fēng)險（批量晶圓報廢的風(fēng)險、向客戶延遲交貨的風(fēng)險）。圖18：各地區(qū)半導(dǎo)體設(shè)備競爭力（按公司總部所在地劃分）-2022

圖19：半導(dǎo)體設(shè)備（光刻機-ASML）內(nèi)部結(jié)構(gòu)復(fù)雜 數(shù)據(jù)來源：SEMI、前瞻產(chǎn)業(yè)研究院、CSET、VLSIResearch、 數(shù)據(jù)來源：ASML、2.2半導(dǎo)體需求量提升驅(qū)動半導(dǎo)體設(shè)備市場增長半導(dǎo)體設(shè)備市場持續(xù)增長的底層邏輯是科技產(chǎn)業(yè)發(fā)展對半導(dǎo)體需求量的提升，直接驅(qū)動因素是下202413球之冠。SEMI20235.5%296020246.4%3000182023年的12%增至2024年的13%，每月產(chǎn)能將從760萬片增長至860萬片。圖20：全球新建晶圓廠預(yù)測 圖21：全球晶圓產(chǎn)能增長預(yù)測數(shù)據(jù)來源：SEMI、、ICInsights、頭豹研究院、 數(shù)據(jù)來源：SEMI、、ICInsights、頭豹研究院、技術(shù)升級驅(qū)動半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)擴容。摩爾定律推動產(chǎn)業(yè)發(fā)展，設(shè)備行業(yè)壁壘將持續(xù)提升，根據(jù)摩爾定律演進，每隔18-24個月芯片性能將提升一倍。先進制程IC產(chǎn)能具有強勁的增長勢頭，根據(jù)ICInsights預(yù)測，2024年先進制程（<10nm）的IC產(chǎn)能預(yù)計增長并在全球產(chǎn)能占比提升至30%。每更新一代工藝制程，則需更新一代更為先進的制程設(shè)備，更加精密的制程帶來半導(dǎo)體設(shè)備難度直線上升，行業(yè)壁壘不斷提高。隨著制程推進和工藝升級，單位產(chǎn)能下設(shè)備需求將進一步增加，先進工藝單位產(chǎn)能投資幾何級數(shù)提升。制程和工藝升級推動芯片復(fù)雜度提升，更復(fù)雜的結(jié)構(gòu)需要更多的制造工序完成，各類設(shè)備的用量顯著增加。以刻蝕環(huán)節(jié)為例，14nm制程所需使用的刻蝕步驟達(dá)到64次，7nm所需刻蝕步驟達(dá)140次，較14nm提升118%。圖22：半導(dǎo)體行業(yè)摩爾定律 圖23：不同制程刻蝕次數(shù)（位：次）不同工藝刻蝕次數(shù)不同工藝刻蝕次數(shù)065nm45nm28nm20nm14nm10nm7nm 5nm數(shù)據(jù)來源：ITIF、ICInsights、 數(shù)據(jù)來源：ITIF、ICInsights、先進工藝單位產(chǎn)能投資幾何級數(shù)提升。隨著技術(shù)節(jié)點的不斷縮小，集成電路制造的設(shè)備投入呈大幅上升的趨勢，5nm15614nm65%。圖24：每5萬片晶圓產(chǎn)能的備投資（百萬美元） 圖25：制造工藝升級提高產(chǎn)設(shè)備投資額（十億美元）每5每5萬片晶圓產(chǎn)能的設(shè)備投資（百萬美元）0數(shù)據(jù)來源：頭豹研究院、SEMI、 數(shù)據(jù)來源：頭豹研究院、SEMI、國內(nèi)擴產(chǎn)更為激進，國產(chǎn)化率提升空間大。大陸半導(dǎo)體設(shè)備的成長空間較大，國產(chǎn)化率有望加速。國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備進入生產(chǎn)線后，將推動其技術(shù)的不斷完善、進步和創(chuàng)新。目前國內(nèi)晶圓廠積極擴產(chǎn)，極大拉動國內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備需求，國產(chǎn)設(shè)備廠商將迎來增長機遇。國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備進入生產(chǎn)線后，在不同產(chǎn)線持續(xù)測試和應(yīng)用，可以及時掌握晶圓廠的技術(shù)需求，有針對性地對設(shè)備進行研發(fā)、升級，推動其技術(shù)的不斷完善、進步和創(chuàng)新。目前國內(nèi)晶圓廠積極擴產(chǎn)，極大拉動國內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備需求；終端半導(dǎo)體產(chǎn)品的不斷迭代推動晶圓廠開發(fā)新的工藝，隨著國內(nèi)晶圓制造產(chǎn)業(yè)的迅速發(fā)展，國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備種類將不斷增加，性能也將不斷提升，國產(chǎn)設(shè)備廠商將迎來增長機遇，進入加速成長階段。圖26：國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備有望維持高增長數(shù)據(jù)來源：21PC業(yè)向中國大陸轉(zhuǎn)移的趨勢加強。圖27：全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移歷程數(shù)據(jù)來源：前瞻產(chǎn)業(yè)研究院，公開資料，半導(dǎo)體設(shè)備自主開發(fā)勢在必行國家支持力度大，大基金三期已成立。20146二期聚焦半導(dǎo)體設(shè)備材料等上游領(lǐng)域，芯片制造環(huán)節(jié)仍舊是大基金二期的主要投資對象；大基金3440987.22041.5地緣政治不確定性風(fēng)險高，自主開發(fā)勢在必行。在當(dāng)前復(fù)雜多變的國際形勢下，地緣政治因素對全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的影響日益凸顯。貿(mào)易摩擦、技術(shù)封鎖等事件不斷發(fā)生，使得半導(dǎo)體供應(yīng)鏈的穩(wěn)定性面臨巨大挑戰(zhàn)。尤其是對于中國這樣的半導(dǎo)體消費大國而言，過度依賴進口半導(dǎo)體設(shè)備和產(chǎn)品，不僅在經(jīng)濟層面存在風(fēng)險，更在國家戰(zhàn)略安全層面埋下隱患。目前中國半導(dǎo)體設(shè)備廠商已覆蓋多細(xì)分領(lǐng)域，國產(chǎn)化率有望提升。隨著國內(nèi)對半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的重視程度不斷提高，大量的資金、人才和政策資源紛紛涌入。中國的半導(dǎo)體設(shè)備廠商在刻蝕機、光刻機、薄膜沉積設(shè)備等多個關(guān)鍵細(xì)分領(lǐng)域持續(xù)發(fā)力，不斷取得技術(shù)突破。隨著國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備國產(chǎn)化率提升，國產(chǎn)設(shè)備廠商市場規(guī)模有望迅速提升。隨著半導(dǎo)體設(shè)備各細(xì)分領(lǐng)域國產(chǎn)化率持續(xù)提升，預(yù)計到202550%300市場空間有望過千億人民幣。圖28：中國半導(dǎo)體設(shè)備市場國產(chǎn)化市場規(guī)模測算（億元）1200

刻蝕 清洗 薄膜沉積設(shè)備光刻機 量測檢測設(shè)備離子注入擴散設(shè)備 涂膠顯影設(shè)備CMP設(shè)備 熱處理設(shè)備 去膠設(shè)備 其他1000

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5064 50

3072020 2021 2022 2023 2024E 2025E數(shù)據(jù)來源：拓荊公司公告、打造平臺核心優(yōu)勢，多元布局快速成長刻蝕技術(shù)是芯片制造的核心，半導(dǎo)體設(shè)備在這一過程中起著關(guān)鍵作用。晶圓制造設(shè)備（包括刻蝕設(shè)備、沉積設(shè)備和光刻設(shè)備）是半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)中需求最大的領(lǐng)域之一。作為集成電路（IC）制造的核心技術(shù)，刻蝕技術(shù)的主要功能是通過離子轟擊去除多余的氧化層或其他薄膜層，并將電路圖形從光刻膠膜精確轉(zhuǎn)移到晶圓表面。刻蝕機產(chǎn)業(yè)鏈可分為上游、中游和下游三部分。上游包括真空室、刻蝕腔體、供氣系統(tǒng)和真空系統(tǒng)；中游涵蓋刻蝕機的制造；下游主要包括半導(dǎo)體器件和其他微機械制造。在這條產(chǎn)業(yè)鏈中，刻蝕設(shè)備的制造是最關(guān)鍵的環(huán)節(jié)。當(dāng)前，許多半導(dǎo)體器件采用臺面型結(jié)構(gòu)設(shè)計，而臺面形成和刻蝕設(shè)備的制造方法又可分為濕法刻蝕（wetetching）和干法刻蝕（dryetching）兩種方向。圖29：刻蝕技術(shù)分類數(shù)據(jù)來源：繪制干法刻蝕優(yōu)勢顯著，占市場主導(dǎo)地位。干法刻蝕是一種利用氣相中的化學(xué)或物理反應(yīng)去除材料表面的刻蝕工藝，而濕法刻蝕則使用液體化學(xué)溶液來去除材料表面。盡管濕法刻蝕的反應(yīng)速率較快，但干法刻蝕設(shè)備憑借其優(yōu)異的各向異性、良好的均勻性和高重復(fù)性，占據(jù)了當(dāng)前市場的90%份額。根據(jù)刻蝕材料的不同，干法刻蝕可分為硅刻蝕、金屬刻蝕和介質(zhì)刻蝕三大工藝。對于硅刻蝕和金屬刻蝕，主要采用電感耦合等離子體（ICP）設(shè)備，而介質(zhì)刻蝕則更多使用電容耦合等離子體（CCP）設(shè)備。圖30：CMOS芯片的結(jié)構(gòu)示意圖數(shù)據(jù)來源：SK海力士，刻蝕設(shè)備自主開發(fā)趨勢顯現(xiàn)刻蝕設(shè)備市場地位不斷提升，全球市場目前由海外巨頭主導(dǎo)。隨著集成電路線寬的不斷縮小和3D集成電路技術(shù)的提升，刻蝕設(shè)備在集成電路設(shè)備市場中的地位日益重要，現(xiàn)已成為主要的采購設(shè)備類型之一。據(jù)BusinessResearchInsights預(yù)測，2023年全球半導(dǎo)體刻蝕機市場規(guī)模為2042029279（CAG）為5.0%。由于國內(nèi)刻蝕技術(shù)起步較晚，目前刻蝕設(shè)備市場主要由以泛林半導(dǎo)體為首的海外巨頭主導(dǎo)。圖31：全球半導(dǎo)體刻蝕機市場規(guī)模數(shù)據(jù)來源：BusinessResearchInsights，全球刻蝕機市場被三巨頭壟斷，自主開發(fā)浪潮興起。當(dāng)前全球刻蝕機市場呈現(xiàn)壟斷格局，其中泛林半導(dǎo)體、東京電子和應(yīng)用材料三家公司占據(jù)了超過80%的市場份額。近年來，隨著國產(chǎn)替浪潮的興起，國內(nèi)企業(yè)的市場份額不斷增加。2023年，北方華創(chuàng)占據(jù)了6%的市場份額。雖然國際巨頭仍占據(jù)主導(dǎo)地位，但國內(nèi)企業(yè)在刻蝕設(shè)備市場的競爭力正在逐步增強。這一趨勢不僅提升了國內(nèi)企業(yè)的市場地位，也為全球市場帶來了更多的競爭與創(chuàng)新。圖32：全球各地區(qū)刻蝕設(shè)備增長速度（2022-2027）數(shù)據(jù)來源：MordorIntelligence、中國半導(dǎo)體設(shè)備出貨增長，國產(chǎn)設(shè)備市場前景光明SEMI報告顯示，2023202210761063366億美元，成為全球最大的半導(dǎo)體設(shè)備市場。盡管當(dāng)前蝕刻設(shè)備市場主要由海外寡頭主導(dǎo)，但作為自主開發(fā)占比最高的重要半導(dǎo)體設(shè)備之一，中國在半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域的崛起無疑為國產(chǎn)刻蝕設(shè)備市場創(chuàng)造了一個愈加光明的前景。圖33：國內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備銷售額變化趨勢（億美元）0

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131 49 65 82496582

296 2831871872013 2014 2015 2016 2017 2018 2019 2020 2021 2022 2023數(shù)據(jù)來源：SEMI，AI市場崛起，原子層刻蝕技術(shù)或成刻蝕設(shè)備企業(yè)突破關(guān)鍵。隨著AI服務(wù)市場的快速發(fā)展，芯片上晶體管數(shù)量的需求不斷增加。更多晶體管的使用意味著更復(fù)雜的運算能力、更高的數(shù)據(jù)處理速度和更先進的架構(gòu)實現(xiàn)。隨著晶體管數(shù)量的增加，其尺寸也將不斷縮小，這對刻蝕的精準(zhǔn)度提出了更高要求。根據(jù)硅晶圓廠SUMCO的預(yù)測，2024年第二季度起，12寸硅晶圓的需求將因人工智能和存儲芯片的推動而逐步回升。因此，作為一種能夠針對微結(jié)構(gòu)進行精確深度控制的技術(shù)，原子層刻蝕（ALE）的發(fā)展將成為國內(nèi)刻蝕設(shè)備企業(yè)實現(xiàn)突破的關(guān)鍵機遇之一。北方華創(chuàng)刻蝕設(shè)備取得突破，持續(xù)拓展多領(lǐng)域新業(yè)務(wù)。北方華創(chuàng)作為國內(nèi)集成電路高端工藝設(shè)備202005201020236月，北方華創(chuàng)正式發(fā)布了12英寸去膠機ACEi300，標(biāo)志著122024年，12CCP介質(zhì)刻蝕機，預(yù)計將拓展在存儲、CIS（互補金屬氧化物半導(dǎo)體圖像傳感器）和功率半導(dǎo)體等多個領(lǐng)域的新業(yè)務(wù)。2023603500（ICP）體（CCP）、硅通孔技術(shù)和干法去膠四個類別。圖34：北方華創(chuàng)刻蝕設(shè)備領(lǐng)域關(guān)鍵時間節(jié)點數(shù)據(jù)來源：北方華創(chuàng)，ifind，ICP刻蝕機市場占有率高，國內(nèi)外應(yīng)用廣泛。ICP(電感耦合等離子體)刻蝕機憑借其高等離子體密度、低壓生成以及水平和垂直電場獨立控制等優(yōu)勢，被廣泛應(yīng)用于硅和金屬的刻蝕。2023年，ICP53%ICP技術(shù)的主要供應(yīng)商，公司200520233200ICP12表4：各類型刻蝕工藝對比材質(zhì)刻蝕系統(tǒng)工作壓力刻蝕速率選擇比介質(zhì)刻蝕氧化硅反應(yīng)離子刻蝕小于0.1Torr相對較慢高氮化硅反應(yīng)離子刻蝕小于0.1Torr較快高硅刻蝕多晶硅反應(yīng)離子刻蝕小于0.1Torr較快（120nm/min）高單晶硅高密度等離子系統(tǒng)小于0.1Torr較快低金屬刻蝕鋁反應(yīng)離子刻蝕RIE系統(tǒng)小于0.1Torr快(大于1000nm/min)高鎢反應(yīng)離子刻蝕RIE系統(tǒng)-快(大于1000nm/min)高數(shù)據(jù)來源：前瞻產(chǎn)業(yè)研究院，CCP刻蝕機技術(shù)關(guān)鍵，覆蓋邏輯存儲等領(lǐng)域。CCP（）設(shè)備作為刻蝕設(shè)備的重要組成部分，在介質(zhì)刻蝕和后介質(zhì)膜層圖形化工藝中具有不可替代的作用。公司自20212022CCP2023CCP100圖35：北方華創(chuàng)ICP刻蝕機：NMC612D硅刻蝕機 圖36：北方華創(chuàng)CCP刻蝕：AccuraLX介質(zhì)刻蝕機 數(shù)據(jù)來源：北方華創(chuàng)、 數(shù)據(jù)來源：北方華創(chuàng)、TSV刻蝕設(shè)備提升互連效率，北方華創(chuàng)成國內(nèi)主力。3D的重要性逐漸提升，硅通孔技術(shù)（TSV）作為一種新興的互連解決方案應(yīng)運而生。TSV片和晶圓之間創(chuàng)建垂直導(dǎo)通，實現(xiàn)了高效互連。與傳統(tǒng)技術(shù)相比，TSV疊密度，并最小化了外形尺寸，從而有效降低信號延遲和芯片間的功耗。202012TSV的側(cè)壁和線寬的保持。目前，北方華創(chuàng)的TSVFabTSV量產(chǎn)線的主力設(shè)備。圖37：TSV技術(shù)與傳統(tǒng)線鍵合（WireBonding）技術(shù)對比 圖38：北方華創(chuàng)ACEi300膠機數(shù)據(jù)來源：三星半導(dǎo)體、 數(shù)據(jù)來源：北方華創(chuàng)、表5：北方華創(chuàng)部分刻蝕設(shè)備產(chǎn)品名稱晶圓尺寸（英寸）適用材料適用工藝適用領(lǐng)域設(shè)備優(yōu)勢NMC508C/G多晶硅刻蝕機6/8硅多晶硅刻蝕、硅刻蝕、多晶硅柵極刻蝕、淺槽隔離刻蝕等化合物半導(dǎo)體、功率半導(dǎo)體控制能力優(yōu)、定制化配置、量產(chǎn)穩(wěn)定、維護成本低等NMC508M金屬刻蝕機6/8鋁、鉬、鎢等頂層金屬刻蝕、中間層金屬刻蝕等功率半導(dǎo)體等精確的離子能量控制、高MTBC等NMC508RIE介質(zhì)刻蝕機6/8氧化硅等鈍化層、硬掩膜、接觸孔、導(dǎo)線孔、側(cè)襯、自對準(zhǔn)、回刻等刻蝕化合物半導(dǎo)體、功率半導(dǎo)體、科研領(lǐng)域全自動并行工藝、易維護、產(chǎn)能高、低成本NMC508Gt深槽刻蝕機6/8硅深硅刻蝕功率半導(dǎo)體形貌控制優(yōu)、速率快、高均勻性等NMC612C12英寸硅刻蝕12硅多晶硅柵極刻蝕、淺槽隔離刻蝕、側(cè)墻刻蝕功率半導(dǎo)體良好工藝調(diào)試手段、較高的刻蝕均勻性等NMC612D12英寸硅刻蝕機12硅淺溝槽隔離刻蝕、柵極刻蝕、側(cè)墻刻蝕、雙重圖形曝光集成電路脈沖等離子體控制技術(shù)、形貌控制優(yōu)、表面處理能力強等NMC612M12英寸氮化鈦金屬硬掩膜刻蝕機12金屬TiNHM刻蝕、高K值介質(zhì)刻蝕、金屬及其化合物刻蝕集成電路多區(qū)溫控靜電吸附卡盤、脈沖等離子體射頻技術(shù)等NMC612G12英寸金屬刻蝕機12鋁、硅、氧化物等多晶硅刻蝕、介質(zhì)刻蝕、金屬刻蝕功率半導(dǎo)體、硅基微型顯示高性能靜電卡盤、均勻性調(diào)節(jié)能力強等PSEV300深硅刻蝕機8/12硅、氧化硅等TSV刻蝕、深槽隔離/電容刻蝕、MEMS刻蝕先進封裝、功率半導(dǎo)體等統(tǒng)等PSEV300Di封12氧化硅、玻璃等掩膜刻蝕、有機物刻蝕、大馬士革刻蝕等先進封裝鈍化層材料刻蝕、高刻蝕選擇比、低成本HSED300等離6/8/12硅深硅等離子切割先進封裝高切割效率、無損傷切割多工藝兼容等HSEP300深硅刻蝕機8/12硅、氧化硅等先進封裝Cluster結(jié)構(gòu)布局，能夠減小占地，提升產(chǎn)能等BMDP300微波等離子體表面處理系統(tǒng)8/12PR,PI,PBO等等離子體表面處理、殘渣去除、金屬離子去除先進封裝Twins等ACEi300去膠機8/12光刻膠干法去膠集成電路、功率半導(dǎo)體高密度低損傷等離子體源系統(tǒng)、去膠速率快等GSEV200高精度刻蝕機8及以下氮化鎵、氧化硅等多種材料刻蝕工藝化合物半導(dǎo)體、MicroLED、刻蝕均勻性好、顆?？刂颇芰姟捁に嚧翱诘菶LEDE?G380A/G380D芯片刻蝕機2/4/6及特殊尺寸氮化鎵、氧化硅等電極、深槽隔離、DBR、紅黃光、鈍化層、金屬阻擋層等刻蝕半導(dǎo)體照明、MiniLED工藝窗口寬、高產(chǎn)能，均勻性佳、顆粒控制優(yōu)等ELEDE?380FPSS刻蝕機2/4/6及特殊尺寸藍(lán)寶石，氧化硅等納米級/圖形化PSS刻蝕、復(fù)合襯底刻蝕半導(dǎo)體照明、MiniLED工藝窗口寬、產(chǎn)能大、使用壽命長等數(shù)據(jù)來源：公司官網(wǎng)、薄膜沉積設(shè)備是半導(dǎo)體制造工藝中的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。薄膜沉積設(shè)備約占集成電路裝備總資本開支的22%，是半導(dǎo)體制造工藝中的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。薄膜沉積的作用在于制造半導(dǎo)體器件疊層，即在晶圓表面交替堆疊多層薄金屬（導(dǎo)電）膜和介電（絕緣）膜，之后再通過重復(fù)刻蝕工藝去除多余部分以形成三維結(jié)構(gòu)。作為晶圓制造的核心設(shè)備之一，薄膜沉積設(shè)備主要用于在基底材料上生長、沉積或涂布極薄的膜層，這些膜層在芯片中扮演重要的角色。薄膜沉積總體上可分為物理氣相沉積（PVD）和化學(xué)氣相沉積（CVD）兩類。隨著薄膜沉積工藝的不斷演進，針對不同應(yīng)用領(lǐng)域的發(fā)展，衍生出了多種技術(shù)，如PECVD、濺射PVD、ALD、LPCVD等。CVD主要應(yīng)用于金屬涂層的制備；ALD45nm好的膜厚均勻性，在高深寬比的器件制備方面更有優(yōu)勢。Gartner22PECVD是薄膜設(shè)備中占比最高的設(shè)備類型，占整體薄膜沉積設(shè)28%CVD13%，ALD13%LPCVD10%PVDPVDECD24%。圖39：薄膜沉積技術(shù)分類數(shù)據(jù)來源：北方華創(chuàng)《集成電路專用設(shè)備-薄膜設(shè)備》、PVD是半導(dǎo)體行業(yè)中使用最廣泛的技術(shù)之一。據(jù)MordorIntelligence預(yù)測，2023年全球物理氣271.02024294.12032570.4億美元，2024-20328.6%圖40：全球各地區(qū)PVD增長速度（2020-2025）數(shù)據(jù)來源：MordorIntelligence、PVD領(lǐng)域高度壟斷，應(yīng)用材料一枝獨秀。PVD領(lǐng)域應(yīng)用材料一家獨大，CVD、ALDPVD市場由亞太地區(qū)的少圖41：PVD設(shè)備市場領(lǐng)導(dǎo)者 圖42：亞太地區(qū)PVD市場模（十億美元）35302520151050數(shù)據(jù)來源：MordorIntelligence、 數(shù)據(jù)來源：FortuneBusinessInsights、微電子和消費電子產(chǎn)品需求增加，推動CVD設(shè)備市場增長?；瘜W(xué)氣相沉積（CVD）工藝通常用MordorIntelligence預(yù)測，2024CVD設(shè)備市場規(guī)模預(yù)計170.22029227.2（2024-2029年）5.95%CVD大市場份額。圖43：全球各地區(qū)PVD增長速度（2022-2027）數(shù)據(jù)來源：MordorIntelligence、CVD領(lǐng)域呈現(xiàn)寡頭壟斷的市場格局，整體保持穩(wěn)定。2023CVD10181%多因素推動CVD和ALD前驅(qū)體市場規(guī)模穩(wěn)步增長。（CVD）和原子層沉積（ALD）是材料科學(xué)和納米技術(shù)領(lǐng)域兩種廣泛使用的薄膜沉積技術(shù)，兩種方法都依賴于前體的使用。據(jù)BusinessResearchInsights預(yù)測，2022CVDALD13.9202917.8CVDALD圖44：全球CVD和ALD前驅(qū)體市場規(guī)模數(shù)據(jù)來源：BusinessResearchInsights、北方華創(chuàng)業(yè)績快速增長，薄膜沉積設(shè)備收入創(chuàng)新高。2023年北方華創(chuàng)營業(yè)收入220.7950%，603966%需薄膜層數(shù)和對薄膜材料的性能要求不斷提高。薄膜沉積設(shè)備的發(fā)展至關(guān)重要，支持集成電路工藝向更小制程的演進，提高生產(chǎn)效率和產(chǎn)品可靠性，推動半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的持續(xù)進步6PVD產(chǎn)品工藝產(chǎn)品主要特點應(yīng)用領(lǐng)域PVDeVictorPVDAl金屬鋁薄膜物理氣相沉積系統(tǒng)先進的磁控濺射系統(tǒng)，有效提高薄膜均勻性及靶材利用率；專業(yè)的加熱基座和高溫靜電卡盤設(shè)計，具備良好的溫度均勻性；全新雙腔傳輸平臺，可配置性強，可支持10個工藝模塊；優(yōu)秀的WhiskerDefect解決方案，降低產(chǎn)品缺陷；大產(chǎn)能，低運營成本。集成電路、功率半導(dǎo)體、硅基微型顯示eVictorSeries8英寸物理氣相沉積系統(tǒng)專業(yè)的加熱基座設(shè)計，具備良好的溫度均勻性，高溫厚鋁工藝連續(xù)作業(yè)無累溫；高溫鋁工藝具備高深寬比填充能力；背金工藝薄片傳輸及工藝，過程溫度實時監(jiān)控，精確的溫度控制能力和良好應(yīng)力；雙腔傳輸平臺，可支持10個工藝模塊；靶材利用率高，大產(chǎn)能，低運營成本。集成電路、功率半導(dǎo)體、科研領(lǐng)域、化合物半導(dǎo)體PolarisSeries硅通孔物理氣相沉積系統(tǒng)專業(yè)的磁控濺射源和腔室結(jié)構(gòu)設(shè)計有效提高靶材利用率；高離化率的磁控濺射源設(shè)計帶來良好的臺階覆蓋率表現(xiàn)；針對先進封裝領(lǐng)域優(yōu)化的穩(wěn)定的傳輸系統(tǒng)，兼容多種類型的基片；專業(yè)的偏壓基座設(shè)計，良好的冷卻性能；優(yōu)化的工藝流程帶來大產(chǎn)能表現(xiàn)，低運營成本。先進封裝PolarisSeries12功率半導(dǎo)體、先進封裝PolarisSeries8/12英寸通用物理氣相沉積系統(tǒng)Rc先進封裝、硅基微型顯示iTopsSeriesPVDITO濺射系統(tǒng)采用托盤形式，可兼容2/4/6英寸晶圓；工藝溫度在0~700℃之間；結(jié)構(gòu)簡單，操作簡便，維護方便；設(shè)備穩(wěn)定，運營成本低。半導(dǎo)體照明iTopsSeriesPVDAlN濺射系統(tǒng)超高的加熱能力、精確的溫度控制、優(yōu)秀的真空能力；高晶體質(zhì)量的氮化鋁薄膜及良好的薄膜厚度均勻性；占地面積小，結(jié)構(gòu)簡單，操作靈活，維修方便；設(shè)備穩(wěn)定，稼動率高，運營成本低。半導(dǎo)體照明PolarisSeries8英寸物理氣相沉積系統(tǒng)多種材料膜層工藝能力，低損傷，高深寬比填充能力；獨立工藝腔室，可支持6個工藝模塊；良好的溫度和顆?？刂颇芰?；配置靈活、大產(chǎn)能、低運營成本?；衔锇雽?dǎo)體、半導(dǎo)體照明、硅基微型顯示、科研領(lǐng)域數(shù)據(jù)來源：公司官網(wǎng)、北方華創(chuàng)PVD業(yè)務(wù)強勁增長。物理氣相沉積（PVD）主要用于金屬薄膜制備。這些金屬薄膜作為芯片中互連線的重要組成部分，對整個芯片的性能具有至關(guān)重要的影響。作為中國PVD工藝裝備技術(shù)的先行者，北方華創(chuàng)實現(xiàn)了對邏輯芯片和存儲芯片金屬化制程的全覆蓋，成功實現(xiàn)功率半導(dǎo)體、三維集成和先進封裝、新型顯示、化合物半導(dǎo)體等多個領(lǐng)域的量產(chǎn)應(yīng)用，12成電路制程金屬化薄膜沉積Ma1D)202340PVD3500技術(shù)創(chuàng)新推動，CVD業(yè)務(wù)蓬勃發(fā)展。DCVDMCVD兩大系列產(chǎn)品，實現(xiàn)金屬硅化物、金屬柵極、鎢塞沉積、高介電常數(shù)原子層沉積等工藝設(shè)備的全方位覆蓋，關(guān)鍵技術(shù)202330CVD1000表7：北方華創(chuàng)CVD產(chǎn)品及特點工藝產(chǎn)品主要特點應(yīng)用領(lǐng)域CVDEPEEi200等離子體增強化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)先進的單腔雙片架構(gòu)，兼具產(chǎn)能和性能優(yōu)勢；高效傳輸系統(tǒng)，智能軟件調(diào)度算法；高效遠(yuǎn)程等離子體清洗系統(tǒng)，良好的顆?？刂?；支持氣態(tài)硅烷和液態(tài)正硅酸乙酯兩類沉積工藝。集成電路、化合物半導(dǎo)體、功率半導(dǎo)體、LED、硅基微顯EstherE320R8英寸單片減壓硅外延系統(tǒng)專業(yè)的氣流場和溫度場設(shè)計，獲得良好的工藝性能；高精度的壓力控制系統(tǒng)，保證成膜質(zhì)量；穩(wěn)定的傳輸和電機升降系統(tǒng)，保證工藝結(jié)果一致性；友好的人機交互和全面的安全性設(shè)計，保障系統(tǒng)穩(wěn)定、安全、高效；具有單腔和多腔兩種機型，可滿足不同客戶需求。域ErisE120R8英寸單片減壓硅外延系統(tǒng)單工藝腔，占地面積小，操作簡單；專業(yè)的氣流場和溫度場設(shè)計，獲得良好的工藝性能；高精度的壓力控制系統(tǒng)，保證成膜質(zhì)量；友好的人機交互和全面的安全性設(shè)計，保障系統(tǒng)穩(wěn)定、安全、高效。域HesperE230A12英寸單片常壓硅外延系統(tǒng)專業(yè)的氣流場和加熱場設(shè)計提供優(yōu)良的工藝性能；高效傳輸設(shè)計可提高產(chǎn)能；單、雙、四腔兼容設(shè)計，可滿足不同客戶需求。功率半導(dǎo)體、襯底材料、科研領(lǐng)域EstherE320A8英寸單片常壓硅外延系統(tǒng)功率半導(dǎo)體、襯底材料、科研領(lǐng)域ErisE120A8英寸單片常壓硅外延系統(tǒng)占地面積小，操作簡單；五區(qū)氣流場和內(nèi)外區(qū)輔助摻雜設(shè)計，獲得良好的工藝性能；多片槽冷卻位，有效提升WPH功率半導(dǎo)體、襯底材料、科研領(lǐng)域SESSeries8英寸多片硅外延系統(tǒng)適用于5-150微米范圍的硅外延工藝；先進的感應(yīng)加熱和氣流場技術(shù)提供了優(yōu)良穩(wěn)定的工藝性能；多片平板式設(shè)計，高容載量；自動化程度高、產(chǎn)能高、低運營成本功率半導(dǎo)體、襯底材料、科研領(lǐng)域EPEEi800等離子體增強化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)多站式旋轉(zhuǎn)沉積架構(gòu)，兼具產(chǎn)能和均勻性優(yōu)勢；良好的片內(nèi)、片間薄膜均勻性控制；全自動晶圓傳輸系統(tǒng)，高效便捷；高效大功率在線清洗工藝及沉積顆粒度控制；集成多項人性化軟件操作功能?；衔锇雽?dǎo)體、半導(dǎo)體照明、科研領(lǐng)域EPEE550等離子體增強化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)大容量載盤，兼容不同晶圓尺寸；良好的薄膜沉積均勻性；高功率在線清洗技術(shù)，清洗效率高；可選高、低頻電源配置，薄膜應(yīng)力可調(diào)；低擁有成本、低運營成本。半導(dǎo)體顯示及照明、科研領(lǐng)域MARSiCE115碳化硅外延系統(tǒng)薄膜和厚膜外延兼容，工藝穩(wěn)定性高；具備多層外延能力；專業(yè)的氣流場和加熱場設(shè)計，工藝性能優(yōu)；可靠的壓力控制系統(tǒng)，成膜質(zhì)量均一性好?；衔锇雽?dǎo)體、襯底材料、科研領(lǐng)域HORICL200可根據(jù)客戶需求配置多工藝組合的機臺；高可靠性、穩(wěn)定性；安全性能高，設(shè)備及所使用的元件符合國家和國際標(biāo)準(zhǔn)；可提供先進成熟的MES系統(tǒng)解決方案；良好的工藝技術(shù)支持?；衔锇雽?dǎo)體、襯底材料、科研領(lǐng)域HORISL12管式低壓化學(xué)氣相沉積設(shè)備多路進氣方式以及前后雙勻流設(shè)計保證高質(zhì)量薄膜工藝均勻性；高強度石英舟結(jié)構(gòu)和雙層密封反應(yīng)腔室保障低運營成本，實現(xiàn)超高設(shè)備稼動率；超大承載機構(gòu)設(shè)計以及專項升級的抓取機構(gòu)；采用先進的閉環(huán)壓控系統(tǒng)，確保成膜速度和均勻性；具備多種鍍膜技術(shù)，如多層復(fù)合膜、摻雜多晶硅技術(shù)。新能源光伏HORISP12管式等離子體增強型化學(xué)氣相沉積設(shè)備配備自動上下料系統(tǒng)，成熟的MES接口經(jīng)驗；高精度控溫，在線工藝調(diào)整，工藝結(jié)果一致性和穩(wěn)定性高；多預(yù)警功能，提升維護性和安全性；石墨舟預(yù)訂管理系統(tǒng)，實現(xiàn)舟精準(zhǔn)管理；具備多種快速、高質(zhì)量鍍膜技術(shù)，如多層復(fù)合膜/Poly層等。新能源光伏數(shù)據(jù)來源：公司官網(wǎng)、外延設(shè)備廣泛應(yīng)用，覆蓋多領(lǐng)域。外延系列產(chǎn)品覆蓋集成電路、功率半導(dǎo)體、化合物半導(dǎo)體等領(lǐng)12器件及特色工藝的全覆蓋，且成功量產(chǎn)。截至2023年底，北方華創(chuàng)已發(fā)布20余款量產(chǎn)型外延設(shè)備，累計出貨超1000腔。清洗設(shè)備和熱處理設(shè)備板塊不斷拓展。立式爐和清洗設(shè)備分別約占集成電路裝備總資本開支的5%，在集成電路工藝生產(chǎn)線上發(fā)揮著關(guān)鍵作用。立式爐主要包括立式氧化/退火爐、多片立式低壓化學(xué)氣相沉積設(shè)備（LPCVD）和多片立式原子層沉積設(shè)備（ALD）。清洗設(shè)備主要包括單片清洗設(shè)備和槽式清洗設(shè)備。2023年公司立式爐和清洗設(shè)備收入合計超30億元。在清洗設(shè)備領(lǐng)域，槽式清洗機實現(xiàn)工藝全覆蓋，單片清洗機實現(xiàn)前段高端工藝新突破，為清洗業(yè)務(wù)板塊開拓了更廣闊的市場空間。北方華創(chuàng)經(jīng)過多年的技術(shù)積累，先后突破了多項關(guān)鍵模塊設(shè)計技術(shù)和清洗工藝技術(shù)，包括伯努利卡盤和雙面工藝卡盤、高效率藥液回收系統(tǒng)、熱SPM工藝、熱磷酸工藝、低壓干燥工藝等，實現(xiàn)了槽式工藝全覆蓋，同時高端單片工藝實現(xiàn)突破。公司在集20231200臺。表8：北方華創(chuàng)清洗設(shè)備產(chǎn)品名稱晶圓尺寸適用材料適用工藝應(yīng)用領(lǐng)域SC308012英寸單片清洗設(shè)備12英寸單晶硅、多晶硅、氧化硅、氮化硅、介質(zhì)膜、金屬膜后段Cu/Al制程刻蝕后、AlPad、背面清洗、背面刻蝕先進封裝、功率半導(dǎo)體、硅基微型顯示Pinnacle30012英寸槽式清洗設(shè)備12英寸光阻、單晶硅、多晶硅、氧化硅、氮化硅、金屬膜、金屬氧化物爐前、刻蝕/拋光后清洗、光阻、金屬氧化物、氮化物去除、控?fù)跗厥展β拾雽?dǎo)體、硅基微型顯示、襯底材料GAMASeries6/8英寸全自動槽式清洗機6、8英寸硅，碳化硅，硅基氮化鎵預(yù)清洗、去膠清洗、氮化硅去除、金屬去除(Co,Ti)、Recycle清洗、拋光功率半導(dǎo)體、化合物半導(dǎo)體、襯底材料BpureSeries立式/臥式管舟清洗機8、12英寸石英、碳化硅石英管/舟、石英板、點火炮、基座等零部件浸泡式處理工藝功率半導(dǎo)體、化合物半導(dǎo)體、科研領(lǐng)域Pinnacle2008英寸槽式清洗設(shè)備8英寸預(yù)清洗、去膠清洗、氮化硅、Co、Ti去除、Recycle清洗功率半導(dǎo)體、硅基微型顯示、襯底材料EGCSeries面板清洗機---平板顯示及智能自動化數(shù)據(jù)來源：公司官網(wǎng)、在立式爐領(lǐng)域，實現(xiàn)了立式爐系列化設(shè)備在邏輯和存儲工藝制程應(yīng)用的全面覆蓋。北方華創(chuàng)突破并掌握了氣流場/立式爐原子層沉積設(shè)備等新產(chǎn)品層出不窮，為客戶提供全面解決方案的能力持續(xù)提升；多種立式爐、臥式爐設(shè)備均已成為國內(nèi)主流客戶的量產(chǎn)設(shè)備，并持續(xù)獲得重復(fù)訂單。截至2023年底，公司立式爐累計出貨超700臺。表9：北方華創(chuàng)立式爐設(shè)備產(chǎn)品名稱晶圓尺寸適用材料適用工藝應(yīng)用領(lǐng)域HesperTO230R12英寸單片減壓原位濕法氧化系統(tǒng)12英寸二氧化硅濕法氧化、減壓Spike功率半導(dǎo)體、襯底材料THEORISA30212英寸立式低溫退火爐12英寸硅低溫常/低壓工藝、合金、金屬/非金屬退火、薄片退火先進封裝、功率半導(dǎo)體、硅基微型顯示THEORISA302C12英寸立式PI固化爐12英寸硅PI膠固化功率半導(dǎo)體THEORISHO302D12英寸立式低壓化學(xué)氣相沉積高溫氧化硅爐12英寸硅二氧化硅低壓化學(xué)氣相淀積功率半導(dǎo)體、硅基微型顯示THEORISPY302U12英寸立式低壓化學(xué)氣相沉積非摻雜多晶硅爐12英寸硅多晶硅薄膜低壓化學(xué)氣相沉積功率半導(dǎo)體、襯底材料THEORISSN302D12英寸立式低壓化學(xué)氣相沉積氮化硅爐12英寸硅氮化硅低壓化學(xué)氣相沉積功率半導(dǎo)體THEORISX302H12英寸立式高溫氧化爐12英寸硅高溫干/濕氧氧化、DCE氧化、摻氮氧化、高溫退火功率半導(dǎo)體、襯底材料THEORISX302P12英寸立式中溫氧化爐12英寸硅干氧氧化、濕氧氧化、DCE氧化、摻氮氧化、退火功率半導(dǎo)體、襯底材料TENESISX308P12英寸立式大產(chǎn)能中溫氧化爐12英寸硅干氧氧化、濕氧氧化、DCE氧化集成電路FLOURISA2018英寸立式低溫退火爐8英寸硅、碳化硅氮氣退火、合金功率半導(dǎo)體、化合物半導(dǎo)體、硅基微型顯示FLOURISX201P8英寸立式中溫氧化爐8英寸硅、碳化硅干氧氧化、濕氧氧化、DCE氧化、退火功率半導(dǎo)體、化合物半導(dǎo)體、科研領(lǐng)域FLOURISX201H8英寸立式高溫氧化爐8英寸硅、碳化硅高/中溫氧化、退火功率半導(dǎo)體、化合物半導(dǎo)體、襯底材料BoosterSWA單片退火系統(tǒng)12英寸Sub40nmBEOL單片退火集成電路SUMERISAP302C8/12英寸先進封裝立式PI固化爐8/12英寸兼容硅、玻璃PI固化、烘烤去濕等先進封裝VERICA6151ASiC高溫退火爐4/6英寸兼容碳化硅、氮化鋁注入后激活、Ar退火、Ar/H?退火、溝槽平滑化合物半導(dǎo)體，襯底材料，科研VERICO6151ASiC高溫氧化爐4/6英寸兼容碳化硅干氧氧化、濕氧、Ar/N?退火、NO/N?O退火、H?退火、DCE清洗化合物半導(dǎo)體、襯底材料、科研領(lǐng)域HORICD200擴散/氧化系統(tǒng)4、6、8英寸硅、碳化硅、硅基氮化鎵磷擴散、硼擴散、氧化、退火、合金化合物半導(dǎo)體、襯底材料、科研領(lǐng)域數(shù)據(jù)來源：公司官網(wǎng)、北方華創(chuàng)發(fā)布12英寸去膠機，提升效率降低成本。2023年，公司發(fā)布了12英寸去膠機ACEi300，實現(xiàn)了去膠工藝的全面覆蓋。干法去膠，也稱等離子去膠，其原理是在真空環(huán)境下，利用活性等離子體去除晶片表面的掩膜材料，并確保晶片材料不受損。北方華創(chuàng)憑借多年的等離子技術(shù)積累，自主研發(fā)了低損傷等離子體元件，與傳統(tǒng)濕法去膠相比，不僅提高了效率，還降低了成本。此外，公司開發(fā)的真空和大氣雙配置傳輸平臺，使設(shè)備在保持高性能的同時，延長了使用壽命并降低了消耗成本。電子元器件需求暫時波動，長期空間廣闊。2023年，受全球經(jīng)濟環(huán)境和行業(yè)周期等多方面因素的影響，元器件市場需求有所放緩，產(chǎn)品需求量出現(xiàn)波動。然而新一輪科技革命和產(chǎn)業(yè)變革蘊育出新的機遇，正成為我國經(jīng)濟社會發(fā)展的重要支撐，一批代表“新質(zhì)生產(chǎn)力”的戰(zhàn)略新興產(chǎn)業(yè)和未來產(chǎn)業(yè)為傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)注入前所未有的活力。智能制造、物聯(lián)網(wǎng)、算力、新能源汽車等領(lǐng)域的飛速發(fā)展，促進了制造業(yè)向數(shù)字化、網(wǎng)絡(luò)化、智能化轉(zhuǎn)型，推動了元器件不斷向“小型化、集成化、高精密”方向發(fā)展，為精密電子元器件產(chǎn)業(yè)帶來了新的機遇。圖45：電子元器件行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈結(jié)構(gòu)圖數(shù)據(jù)來源：公司官網(wǎng)、5G和物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)推動電子元器件發(fā)展。5G長。5G技術(shù)的高速度、大帶寬、低時延特性將帶動智能終端、自動駕駛、視頻傳輸?shù)葢?yīng)用的發(fā)展，從而增加對高性能處理器、高頻高速射頻器件、光電器件等電子元器件的需求。據(jù)TDIA預(yù)測，20205G2.520248GSMA2025250行數(shù)據(jù)處理和傳輸。華經(jīng)產(chǎn)業(yè)研究院預(yù)計到2025年，全球納米電子元器件市場規(guī)模將以每年10%的速度增長，達(dá)到數(shù)百億美元。圖46：全球物聯(lián)網(wǎng)終端連接數(shù)量發(fā)展趨勢圖消費物聯(lián)網(wǎng)終端（億個） 工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)終端（億個）120140120140100806070405090100110110506070802502001501005002018 2019 2020E 2021E 2022E 2023E 2024E 2025E數(shù)據(jù)來源：GSMAIntelligence、深耕電子元器件23年。北方華創(chuàng)持續(xù)推動元器件向小型化、輕量化、高精密方向發(fā)展。公司前20019232017圖47：北方華創(chuàng)電子元器件產(chǎn)品種類與用途數(shù)據(jù)來源：公司官網(wǎng)、業(yè)務(wù)規(guī)模不斷擴大，先后進行兩次擴產(chǎn)。近年來電子元器件業(yè)務(wù)不斷發(fā)展，相關(guān)營業(yè)收入持續(xù)增加，為了進一步擴大電子元器件業(yè)務(wù)的規(guī)模，公司于2019年和2021年先后兩次通過非公開募集資金，開展高精密電子元器件產(chǎn)業(yè)化基地擴產(chǎn)項目。兩次擴產(chǎn)項目擴增了公司的相關(guān)產(chǎn)品產(chǎn)能，進一步提升了公司的市場競爭地位和產(chǎn)品市場占有率，樹立了公司技術(shù)實力強勁的品牌形象。表10：兩次擴產(chǎn)項目概況項目年份及名稱投產(chǎn)時間項目關(guān)鍵要素項目關(guān)鍵要素內(nèi)容2019年高精密電子元器件產(chǎn)業(yè)化基地擴產(chǎn)項目2020年產(chǎn)品模塊電源投資規(guī)模2.42億元產(chǎn)能規(guī)模年產(chǎn)模塊電源5.8萬只。2021年高精密電子元器件產(chǎn)業(yè)化基地擴產(chǎn)項目（第三期）在建產(chǎn)品高精密石英晶體振蕩器和特種電阻投資規(guī)模8億元產(chǎn)能規(guī)模222000種電阻的生產(chǎn)能力數(shù)據(jù)來源：公司官網(wǎng)、持續(xù)拓展品類，推出模擬鏈路產(chǎn)品和硅電容器。2023年北方華創(chuàng)新開發(fā)了模擬鏈路產(chǎn)品，采用國內(nèi)先進半導(dǎo)體工藝制程，結(jié)合先進塑封技術(shù)和高可靠金屬陶瓷封裝技術(shù)，具有產(chǎn)品種類覆蓋寬、適用面廣、寬溫度適應(yīng)性和高可靠等特點，主要應(yīng)用于通信、交通及電力等領(lǐng)域，在信號處理中有著無可替代的作用。新開發(fā)的硅電容器，采用半號體MOS工藝和微機電系統(tǒng)(MEMS)工藝相結(jié)合的技術(shù)，具有小型化、集成化、高精密的特點，主要應(yīng)用于通信、射頻微波、2.5D/3D先進封裝、汽車電子等領(lǐng)域，在天線匹配、射頻濾波等電路中具有突出優(yōu)勢。表11：精密電子元器件品類新研發(fā)產(chǎn)品產(chǎn)品名稱優(yōu)勢用途模擬鏈路產(chǎn)品品種類覆蓋寬、適用面廣、寬溫度適應(yīng)性和高可靠等通信、交通及電力等領(lǐng)域硅電容器MOS工藝和微機電系具有小型化、集成化、高精密的特點通信、射頻微波、2.5D/3D先進封裝、汽車電子等領(lǐng)域，在天線匹配、射頻濾波等電路中具有突出優(yōu)勢數(shù)據(jù)來源：公司官網(wǎng)、公司電子元器件業(yè)務(wù)19-22年快速增長，2023年受元器件市場需求疲軟影響，營收和利潤有所下滑。2019年至2022年，公司電子元器件業(yè)務(wù)營業(yè)收入從8.47億元上升至25.7億元，凈利潤從10.420238.5718%，凈利率為35%。2023年電子元器件市場需求疲軟，全球半導(dǎo)體銷售額共計5268億美元，同比下降8.2%，亞太（除日本外）地區(qū)降幅超過14%21%202311%。圖48：電子元器件營業(yè)收入占比 圖49：電子元器件凈利潤營業(yè)收入（億元）營收占比營業(yè)收入（億元）營收占比YoY25201510502019 2020 2021 2022

60%50%40%30%20%10%0%-10%

12凈利潤（億元）同比增速凈利潤（億元）同比增速864202019年 2020年 2021年 2022年 2023

80%60%40%20%0%-20%-40%數(shù)據(jù)來源：公司年報、 數(shù)據(jù)來源：公司年報、盈利預(yù)測與投資建議盈利預(yù)測我們對公司24-26年盈利預(yù)測做如下假設(shè)：收入的大幅增長主要來自于電子工藝裝備出貨量快速增長。在半導(dǎo)體裝備業(yè)務(wù)板塊，北方華創(chuàng)的主要產(chǎn)品包括刻蝕、薄膜沉積、爐管、清洗、晶體生長等核心工藝裝備，廣泛應(yīng)用于集成電路、功率半導(dǎo)體等制造領(lǐng)域。在真空及鋰電裝備業(yè)務(wù)板塊，北方華創(chuàng)研發(fā)的單晶硅晶體生長設(shè)備、真空熱處理設(shè)備等在材料熱處理、真空電子等領(lǐng)域廣泛應(yīng)用，為新材料、新工藝、新能源等綠色制造提供技術(shù)支持。我們預(yù)測公司24-26年電子裝備業(yè)務(wù)營收分別為27,504/35,867/45,361在精密電子元器件業(yè)務(wù)板塊，北方華創(chuàng)推動元器件向小型化、集成化、高精密方向發(fā)展，研發(fā)的精密電阻器、新型電容器等產(chǎn)品，廣泛應(yīng)用于電力電子、軌道交通等領(lǐng)域，為客戶打造高端精密電子元器件技術(shù)、產(chǎn)品、服務(wù)一體化的專業(yè)解決24-262,311/2,426/2,548百萬元。2)24-2644.0%/44.6%/45.4%3) 我們預(yù)測公司24-26年銷售費用率為4.06%/3.81%/3.71%，管理費用率為6.94%/6.54%/6.44%，研發(fā)費用率為11.21%/10.51%/10.36%。費用率小幅下降主要考慮到股權(quán)激勵計劃對費用端的影響，以及銷售收入的增長對費用率有一定的攤薄影響。盈利預(yù)測核心假設(shè)2022A2023A2024E2025E2026E電子裝備銷售收入（百萬元）12,084.519,611.527,504.235,866.745,361.3增長率52.0%62.3%40.2%30.4%26.5%毛利率電子元器件37.1%38.0%42.9%43.9%44.8%銷售收入（百萬元）2,574.32,432.52,310.92,426.52,547.8增長率50.1%-5.5%-5.0%5.0%5.0%毛利率其他業(yè)務(wù)72.5%65.6%56.0%56.0%56.0%銷售收入（百萬元）29.435.542.951.962.8增長率47.6%20.8%21.0%21.0%21.0%毛利率53.0%48.4%60.0%50.0%50.0%合計14,688.122,079.529,858.038,345.047,971.9增長率51.7%50.3%35.2%28.4%25.1%綜合毛利率43.3%41.1%44.0%44.6%45.4% 資料來源：公司數(shù)據(jù)，預(yù)測 有關(guān)分析師的申明，見本報告最后部分。其他重要信息披露見分析師申明之后部分，或請與您的投資代表聯(lián)系。并請閱讀本證券研究報告最后一頁的免責(zé)申明。投資建議24-2610.51/14.05/18.08MOCVD設(shè)備及薄膜沉積設(shè)備生產(chǎn)商）、拓荊科技（薄膜沉積設(shè)備生產(chǎn)商）、盛美上海（清洗及爐管設(shè)備生產(chǎn)商）、芯源微（涂膠顯影設(shè)備生產(chǎn)商），以及華海清科（半導(dǎo)體設(shè)備生產(chǎn)商）2539PE547.95圖50：可比公司估值表公司代碼最新價格(元)2024/12/31每股收益（元）市盈率2023A2024E2025E2026E2023A2024E2025E2026E中微公司688012189.162.872.904.075.3865.9265.2046.4235.17拓荊科技688072153.672.382.503.715.0164.5561.4941.4530.66盛美上海688082100.002.082.673.584.5048.1937.5027.9722.22芯源微68803783.631.251.191.862.6667.0670.1745.0531.49華海清科688120162.993.064.275.616.9753.3138.2129.0423.39最大值67.0670.1746.4235.17最小值48.1937.5027.9722.22平均數(shù)59.8154.5137.9928.59調(diào)整后平均61.2654.9738.5228.51數(shù)據(jù)來源：、風(fēng)險提示國內(nèi)競爭加劇：國內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)不斷發(fā)展，新進入者和現(xiàn)有競爭對手的技術(shù)研發(fā)和市場拓展能力不斷提升，使北方華創(chuàng)面臨更激烈的競爭，可能影響其市場份額和盈利能力。技術(shù)迭代風(fēng)險：國內(nèi)設(shè)備廠商大力投入技術(shù)研發(fā)，自主開發(fā)進展加速，如果北方華創(chuàng)不能及時跟上技術(shù)發(fā)展的步伐，如研發(fā)項目可能無法按計劃完成、研發(fā)成果可能無法達(dá)到預(yù)期的技術(shù)指標(biāo)或市場需求等，公司的市場競爭力和業(yè)績將受到負(fù)面影響。下游需求不及預(yù)期風(fēng)險：半導(dǎo)體行業(yè)