2023年無機化學(xué)萬題庫答案問答題

無機化學(xué)萬題庫參照答案

五、問答題參照答案

(一)物質(zhì)的狀態(tài)

1.H2碰撞器壁的次數(shù)多。由于氫分子比氧分子的I質(zhì)量小，因此氫分子日勺運動速率大。

反

應(yīng)后剩余四分之一體積氧，氧的分壓力變?yōu)?5kPao而反應(yīng)生成了水，在25℃,飽和水

蒸氣壓為3160Pa,因此總壓將為28kPa。

2.⑴不對的o由于液體日勺蒸氣壓只與溫度有關(guān)，而與容器日勺體積無關(guān)。而理想氣體

定律公式中包括了體積項，且恒溫時蒸氣壓為定值。

⑵不對啊.蒸氣片隨溫度的變化不能用理想氣體定律來確定，而是用克勞修斯一克拉

貝龍方程式來計算：1g=(一)

3.(1)不對口勺o由于N2口勺分子量比02小，因此相似質(zhì)量時>,N2的分子總數(shù)多于

02的分子總數(shù)，又由于分子日勺運動速率=,相似溫度下,分子量小則運動速率大。因

此N2分子碰撞器壁的頻率應(yīng)不小于02。

(2)對日勺o由于>,=,同溫同體積時，大則也大。

⑶不對的o=。溫度相似時,氣體分子的平均動能相似。

⑷不對H勺。由于=,兩者M不一樣,因此速率分布圖不相似。

⑸對的。由于溫度相似時，氣體分子的平均動能相似、，因此兩者的能量分布圖是

相似的o

4.由于容器中有液態(tài)水，因此在121°C時液態(tài)日勺水與其蒸氣到達平衡，則水蒸氣壓即

為飽

和蒸氣壓，即202kPa,貝ij=+=202+101=303(kPa)

5.由于逆反應(yīng)日勺平衡常數(shù)很大K0=1.5X106,逆反應(yīng)進行十分完全，因此將NO(g)

和

02(g)等體積混合后，幾乎完全轉(zhuǎn)化為棕色的NO2(g)。在開口的試管中有NO析出時：

在試管口即可觀測到棕色MJN02生成。

①6.理想氣體狀態(tài)方程。使用時應(yīng)注意如下幾點：

②該方程只合用于理想氣體，對實際氣體在高溫低壓下僅可作近似計算。

方程中的溫度T是熱力學(xué)溫度(K),對于攝氏溫標(biāo)則需要進行換算：

T(K)=(273.5+t)℃

方程中H勺R是氣體通用常數(shù)，R=8.314J-mol-1?K-10

計算中要注意單位的匹配。按照國際單位制，壓力日勺單位用Pa，體積的單位用m3,但

實際計算中，壓力常用kPa,而體積用dm3或L表達。

7.⑴CO2相圖的示意圖為：

7.38MPa

t(℃)

(2)在常溫常壓下，迅速打開儲有C02鋼瓶的閥門，由于處在高壓下的C02(g)的壓力

驟減至常壓，體系來不及與環(huán)境發(fā)生熱互換，近似經(jīng)歷了一種絕熱膨脹降溫過程，將使一

部分C02(g)轉(zhuǎn)化為C02(s),在相圖上即為S點(101kPa,-78.2℃)。

(3)緩慢地打開閥門，出來H勺CO2(g)可以與環(huán)境發(fā)生熱互換,體系經(jīng)歷一種恒溫蒸發(fā)過

程，只要CO2(g)H勺流量不大，則出來的是低壓氣體。

8.在水的相圖中，OA線、OB線、OC線分別表達氣一液、液一固和氣一固兩用的平衡曲線。

OA線：水在不一樣溫度下的蒸氣壓曲線。

OB線：水的I凝固點(或冰的熔點)隨壓力變化曲線。

OC線：冰的蒸氣壓曲線(或冰的升華曲線)。

9.⑴不對的o根據(jù)理想氣體狀態(tài)方程可知，只有當(dāng)壓力一定期，一定量氣體的體積才

與溫度成正比。

⑵不對的。只有在原則狀況下該結(jié)論才成立。

⑶對的O根據(jù)氣體分壓定律可以得出該結(jié)論。

(4)不對的o根據(jù)理想氣體狀態(tài)方程可知，對于一定量混合氣體，即為

定值，當(dāng)溫度不變而體積變化時，只有壓力隨之變化，而則不變。

10.⑴不變。根據(jù)和某組分氣體的氣態(tài)方程可推出：

,組分氣體的體積分數(shù)與溫度無關(guān)。

⑵變化。由于恒溫下由于不變，因此壓強變化時組分氣體時分壓必然變化。

⑶不變。由于體積變化時只是壓力隨之變化，而和不變，因此不變。

(-)原子構(gòu)造

1.氫原子只有一種電子，沒有屏蔽效應(yīng)，也無穿透效應(yīng)，軌道能量只決定于主量子數(shù)n。

氯原子是多電子原子，存在屏蔽效應(yīng)和穿透效應(yīng)，導(dǎo)致同主層不一樣亞層日勺能級分裂。

電子在3s和3P軌道上受到其他電子的屏蔽作用不一樣，它們的穿透能力也不一樣，導(dǎo)

致在不一樣亞層軌道上的能量不一樣。因此在多電子原子中，軌道能量不僅與主量子數(shù)n有

關(guān)，還與副量子數(shù)1有關(guān)。

2,將氫原子核外電子從基態(tài)激發(fā)到2s或2P軌道所需要的能量無差異，由于氫原子是單

電子原子,軌道能量只決定于主量子數(shù)n,因此E2s=E2p。但基原子屬于多電子原子,軌

道能量不僅與主量子數(shù)n有關(guān)，還與副量子數(shù)】有關(guān)，E2s<E2p,因此核外電子從基態(tài)激發(fā)到

2p軌道所需要H勺能量要高某些。

3.見下

表：元素名稱元素符號電子排布式周期族

原子序數(shù)

24銘Cr[Ar]3d54sl四VIB

47銀Ag[Kr]4J105511五IB

4.偶系元素的原子半徑和離子半徑隨原子序數(shù)的增長而依次緩慢縮小的現(xiàn)象稱為鐲系收

縮。由于在錮系元素中，隨核電荷數(shù)遞增，新增電子填充在外數(shù)第三層的f軌道上，雖然

不能完全屏蔽核電荷，但其屏蔽作用比最外層和次外層電子的大（某些資料認為屏蔽常數(shù)為

0.95?0.98）,因此導(dǎo)致有效核電荷遞增十分緩慢，半徑收縮也緩慢（從La到Lu共價半徑總

共減小11pm）o網(wǎng)系收縮的特點是：①原子半徑的收縮緩慢，相鄰元素原子共價半徑之

差為1pm左右。②由于偶系元素較多，因此整個徘J系收縮原子的金屬半徑總的減小量也達

14pmo③在鐲系收縮中，離子半徑要比原子半徑收縮大得多（共減小22pm）。由于Ln3+

離子失去了6s電子層，4f軌道變成了外數(shù)第二層，它對核電荷的屏蔽作用變?。ㄆ帘纬?shù)

只有0.85）,因此Ln3+收縮比Ln明顯。④錮系元素收縮中出現(xiàn)兩個“峰值”，即Eu和

Yb日勺原子半徑“反常地”大，由于它們分別具有4f7和4f14的半滿和全滿構(gòu)型,這些構(gòu)

型有較大日勺屏蔽作用,導(dǎo)致它們?nèi)丈自影霃阶兇蟆ｅd系收縮導(dǎo)致日勺影響重要有：⑴使錮系

元素之間性質(zhì)十分相似，分離非常困難。⑵使HIB族的元素Y的半徑落在錮系日勺中段上，

從而成為稀土元素中一員o⑶導(dǎo)致錮系后日勺第六周期元素日勺原子半徑與同族第五周期元素

日勺原子半徑相近，性質(zhì)相似，分離困難。

5.IA族元素最外層和次外層電子構(gòu)造是（n—l）s2（n—l）p6nsi

IB族元素最外層和次外層電子構(gòu)造是（〃-I）s2（〃-l）p6（nf）do〃『

兩者的差異在IB族原子次外層多了10個d電子。由于d電子對核日勺屏蔽作用較小，原

子的有效核電荷較多，因此IB族原子對外層s電子的束縛比1A族原子對外層s電子日勺束

縛強得多，故1B族元素不如IA族元素活潑。

6.(1)元素A的核外電子排布式為：1s22s22P63s23P63d104s24P64dl05sl

A的價層電子構(gòu)型為：4d105s1

元素B的核外電子排布式為：1s22s22P63s23P63d104s24P64d105s25

B的價層電子構(gòu)型為:5s25p5

⑵元素A處在第五周期IB族，是金屬元素；

元素B處在第五周期VHA族，是非金屬元素；

(3)AB的化學(xué)式為:AgIo

7.A.Ca；B.Mn；C.Cu；D.As。

8.

元素符號VBiMoWPt

元素名稱帆祕鋁鴇伯

所屬周期四五六六

所屬族VBVAVIBVIBW

價電子層

3/4/6$26P34d55sl5d46s25"96.5

的結(jié)構(gòu)

9.⑴不對的。由于核外電子運動沒有固定口勺軌道。應(yīng)當(dāng)說：s電子的電子云圖像或幾率

密度分布是一種球形，它的剖面圖是一種圓。而p電子的電子云圖像或幾率密度分

布是一種啞鈴形，它的剖面圖是一種8字形。

(2)不對的o應(yīng)當(dāng)說；士量子數(shù)為1時，1為0、m為0,只有一條Is軌道，可容

納兩個自旋相反H勺電子o

⑶不對的。當(dāng)主量子數(shù)為3時，1只能取0、1、2,只有3s、3p、3d軌道，沒

有3f軌道。而3P的m=0,±1,在空間有三種不一樣的取向,是三種不一樣的空間運動

狀態(tài)，即三條軌道。3d的m=0,±1,±2,則在空間有五種不一樣的取向，即有五條軌

道。因此應(yīng)當(dāng)說：主量子數(shù)為3時，共有九條軌道，最多可容納18個電子。

10.一種3P電子可以被描述為下列六套四個量子數(shù)組合之一：

①3,I,1,十②3,1,1,-

③3,1,(),+④3,1,(),-

⑤3,1,—1,+⑥3,1,—1,—

由于四個3p電子必然有兩個電子是成對日勺，此外兩個電子應(yīng)自旋平行。因此硫的四個

3p電子所有也許的各套量子數(shù)組合為：

(1)①②③⑤⑵①@④?⑶①③④⑤

⑷①③⑤⑥⑸0@@@(6)②③④⑥

11.⑴1s22s22P63523P63d104s24P2,Ge,錯，第四面期,IVA族。

⑵該元素原子最外層各價電子口勺核外運動狀態(tài)如下表：

最外層各價電子nImms

400+1/2

4

400-1/2

+1或一1.0

41都是+1/2

4P2

0或+1,-1

41都是一1/2

⑶此元素原子最外層px電子的軌道角度分布圖及徑向分布圖如下：

D(r)

+

12.①1s22s22P63s23P63d104s24P3

②

n44444

/00111

m000-1+1

1

++-

22222

③+5；p；AS2O3；砒霜°

13.

兀原子價層周期最高價低價離子的

素序數(shù)電子排布和族氧化物水合物酸堿性電子構(gòu)型

A四，VIB

3d54sl

24CrO3H2CrO4酸性9-17e~

B六，HA

652-

56BaOBa(OH)2堿性8e

C五,VIIA

5s25P5

53I2O7HIO4酸性8e一

D六，IVA

6s26P2

82PbO2Pb(OH)4兩性18+2e~

E五，IIB

10218e-

484t/5sCdOCd(OH)2堿性

14.符號4Px：表達主量子數(shù)n=4.副量子數(shù)1=1（符號為p）、其空間取向的極大值沿X軸

方向日勺原子軌道,它的角度分布日勺形狀為雙球形。一般稱它為第四電子層的P電子亞層的P

X軌道。該軌道中最多可容納兩個自旋方式相反的電子。

符號3d：表達主量子數(shù)n=3、副量子數(shù)1=2(符號為d)日勺原子軌道，一般稱它為第三

電子層日勺d電子亞層。該亞層原子軌道在空間可有五個不一樣日勺取向(由磁量子數(shù)m=(),土

1,±2決定)，每一種空間取向?qū)?yīng)于一條原子軌道，各可容納兩個自旋方式相反的電子，

因此整個3d軌道共可容納10個電子。3d符號既表達3d軌道，也代表該軌道的能級。

15.⑴由于B的N層比A口勺N層多4個電子,這4個電子必然要填入4P軌道，因此B

的3d軌道一定是全滿口勺。因此B歡JK、L和M層均填滿。

(2)AlftM層比BU勺M層少7個電子，因此A的M層電子排布為3s23P63d3,這

樣A的K、L層應(yīng)全滿,4s也全滿(VE3d>E4S),則可以推出A的電子排布式：

1N2/2“63$23〃63d34s2

(3)B的N層比A的N層多4個電子，A%|N層為4s2,則B日勺N層電子排布應(yīng)為

4s24P4,即B的電子排布式：1s22s22P63s23P63dl()4s24P4

最終可推知：A是鈿(V),B是硒(Se)o

16.(1)可以存在；⑵⑶⑷⑸⑹均不也許存在。

由于(2)中m只能為0；⑶中1只能為0或1,m只能為0,+1或一1,ms只能為

+或一；(4)中ms只能為+或一；⑸中1只能為0或1；⑹中m只能為0。

17.

n112222222

/000011111

m00000011-1

_j__j_

m+-+1+1

s222222222

18.原子的基態(tài):（3）

原子歐I激發(fā)態(tài)：⑵⑷⑸⑹

純屬錯誤：⑴

19.（1）沒有。由于1最大只能是n-1,在此n=l,1只能為0。

⑵沒有。由于m最大只能是±1,在此1=0,m只能為0。

⑶沒有。由于1最大只能是n—1,在此n=2,1只能為0、1,m也錯誤。

⑷有。符合量子數(shù)組合口勺規(guī)定，對應(yīng)于4f的兩條軌道。

20.

原元電

能

子素子周最高化

電子層結(jié)構(gòu)級族

序符層期合價

數(shù)

數(shù)號數(shù)

11Na1/2/2p63sl34三IA+1

16SIs22s63s23〃435一.VIA+6

22Ti1”2/2p63s23P63d34s247四IVB+4

26Fe1”2622P63523P63d64s247四vm+6

36Kr1s22s22p(-3s23p(-3d]{)4s24p(y48四0—

50Sn1522s22〃63523〃63dM)4s?4.64〃°5s25〃2511五IVA+4

21.⑴最外層具有6個p電子，即具有np6構(gòu)型的是稀有氣體元素（He除外）。

（2）即外層電子構(gòu)型為3d54s2,是元素Mn（缽）。

（3）即外層電子具有（n-l）dlOnsl構(gòu)型，為IB族元素。

⑷氫是第三周期最終一種元素，該元素應(yīng)為第四面期的元素，該元素能形成+3價離

子，因此是元素Sc（鈦）。

⑸+3價離子的3d軌道電子半充斥，則原子價電子為3d64s2,是Fe（鐵）。

22.①錯誤。由于最外層電子最多為8個，因此應(yīng)是2,8,8,1。

②錯誤。由于每層電子最大可容納電子數(shù)為2n2,因此L層電子數(shù)應(yīng)是2X22=8,

則22號元素日勺電子排布應(yīng)為2,8,10,2o

③對日勺o

④錯誤。由于次外層電子數(shù)不能超過18個，因此應(yīng)是2,8,18,5。

⑤錯誤。由于當(dāng)n=6時，E6s<E4fvE5d<E6p,外數(shù)第三層上應(yīng)有4f電子，則電子

總數(shù)應(yīng)不小于18,電子排布應(yīng)是2,8,18,22,8,21.

23.在四面期元素的原子中未成對電子數(shù)為1的有K（4si）、Sc（3d14s2）、Cu（3d104s

1）、Ga（4s24p1）。其中K只有+1價，而Sc和Ga重要形成+3價,只有Cu可形成+1

和+2價態(tài)日勺化合物。因此該元素應(yīng)是Cu（銅），其+1價離子的電子排布式：

Is22s22P63s23P63d10；+2價離子的電子排布式:1s22s22p63s23p63d9。

24.元素日勺原子在化合物分子中把電子吸引向自己的能力稱為元素的電負性c在周期表H勺同

周期元素中從左至右電負性遞增（由于半徑遞減，查對外層電子的有效核電荷遞增）；同主族

元素從上至下電負性遞減（由于半徑增大,查對外層電子的有效核電荷減小。但IIIA.NA中

第四面期元素的電負性有突升）；同副族元素從上至下電負性缺乏明顯規(guī)律性（由于半徑變化

和有效核電荷變化的影響不一致，一般而言前期從上至下電負性減小，而后期從上至下電負

性增大）。根據(jù)上述規(guī)律，Be、B、Mg、Al按電負性減小的次序排列如下:B>Be^A1>

Mg°其中Be和Al電負性相近，是由于半徑的增大抵消了有效核電荷增大日勺影響，這就是

所謂“對角線規(guī)則”的體現(xiàn)。

25.元素日勺金屬性、非建設(shè)性是指元素的原子在化學(xué)反應(yīng)中失去或獲得電子的能力。這一能

力重要決定于查對外層電子日勺作用大小。核電荷數(shù)越大、原子半徑越小，則杳對外層電子作

用日勺有效核電荷越大，則金屬性越弱而非金屬性越強。反之，則金屬性越強，非金屬性越

弱。有效核電荷數(shù)一般可由斯萊脫規(guī)則進行計算0

硫口勺電子排布式為Is22s22P63s23P4,作用在最外電子層上的有效核電荷為：

z*=z-s。=16—（2X1.00+8X0.85+5X（］.35）=5.45

銘日勺電子排布式為Is22s22P63s23P63d54sl,作用在最外電子層上的有效核

電荷為:Z*=Z-So=24-（2X1.00+8X1.00+13X0.85）=2.95

OO

原子半徑々=1.27A>與=1.02A

兩者相比，硫的原子半徑小而作用在最外電子層上的有效核電荷數(shù)大，因此非金屬性較

強。

一般而言，元素也許的最高化合價與其族數(shù)相似，重要決定于它的價電子數(shù)。

硫是VIA族元素，價電子層為3s23P4,共6個價電子,銘是VIB族元素，價電子

層為3d54sL也有6個價電子，因此它們的最高化合價都是正6價.

26.⑴>由于測定的是范德華半徑,因此比較大。

⑵>它們同為HA,Ba比Sr多了一層電子。

⑶>兩者同為第四面期，Sc的核電荷數(shù)大。

（4）>d區(qū)元素在d電子即將填滿時屏蔽作用有所增大，原子半徑出現(xiàn)回升。

⑸丫「飛錮系收縮導(dǎo)致的影響。

（6）>它們是同一元素，S2—H勺電子數(shù)多。

⑺>它們處在同一周期，A13+日勺核電荷數(shù)多,外層電子數(shù)少。

（8）>同一元素，電子數(shù)越少，半徑越小。

⑼>它們處在司一族，Pb2+比Sn2+多一層電子。

27.(1)Cu、Ag、Au。

(2)Ga、Ge、As、Se。

28.(1)n=3,4,5...

(2)I=1

(3)1=0,1,2,3；ms=±

(4)m=0,±1

(5)m=0,±1,土2

29.角量子數(shù)為2的軌道即是d軌道，只有第四面期及其后來各周期元素才有d電子，而該

元素在鼠之前，因此必然是第四面期元素，M3+離子為3d5構(gòu)型,則M原子應(yīng)當(dāng)是3d6

4s2構(gòu)型，即為元素鐵(Fe),位于周期表中第四而期、VIII族。

30.⑴此元素原子日勺電子總數(shù)是24o

(2)有4個電子層，7個電子亞層，電子排布式為1s22s22p63s23p63c154s1o

(3)外圍電子構(gòu)型為3d54s1,價電子數(shù)為6。

(4)它在第四而期、VIR族，是副族°

(5)它有6個未成對電子。

31.(1)IVA族，C.Si、Ge、Sn、Pb。

(2)其外圍電子構(gòu)型為3d64s2構(gòu)型,即為元素鐵(Fe),

(3)其外圍電子構(gòu)型為3dl04s1構(gòu)型，即為元素銅(Cu)

32.(1)由于敏的電子構(gòu)型為Is22s22P63s23P6,則該元素是Ca(4s2)。

(2)氟離子F-『、J電子構(gòu)型為1s22s22p6,則該元素是AI(3s23p1)

(3)3d軌道為全充斥即3d10,則該元素是Zn(3d104s2)

33.(1)A.B.C.D四種元素依次為K,Ca,Zn,Br。A,B,C是金屬元素。

⑵D的簡樸離子是Br-,A的簡樸離子是K+o

(3)KOHo

(4)B與D原子間形成離子型化合物CaBr2。

34.

n/mins

100+1/2

152

100-1/2

200+1/2

2s~

200-1/2

21+1+1/2或-1/2

2P3210+1/2或-1/2

21-1+1/2或-1/2

35.

原子序數(shù)外圍電子構(gòu)型周期族未成對電子數(shù)

183s23P6二00

253J5452四VUB5

283d84s2四VID2

354524P5四VDA1

484#。5s2五11B0

36.

元素符號周期族區(qū)外圍電子構(gòu)型

ANa二IAs3sl

BMg二IIAs3$2

CAl二IIIAp3523Pl

4524P5

DBr四VIIAp

EI五VBAp5s25P5

GFVIIAp2s22P5

LHe—?0P152

MMn四VOBd3d,4s2

37.(1)1s22s22p63s23p63d54s1

⑵3d54sl

(3)3s23〃63d3

(4)Cr,四面期，VIB,d區(qū)。

38.(1)Is22s22P63s23P63d34s2

⑵3s23〃63d2

(3)V,四面期，VB,d區(qū)。

39.(1)A.B.C.D四元素的元素符號依次為Rb,Mg,Zn,Bro

(2)A.B.C.D的簡樸離子的符號依次為Rb+,Mg2+,Zn2+,BL

(3)這四種元素互相生成三種二元化合物：RbBr,MgBr2,ZnBr2。

40.⑴Sn

(2)Mn

(3)Cu,Ag,Auo

⑷Ne,Ar,Kr,Xe,Rn。

41.(1)核外電子J1F布式1s22s22p63s23p3

②P,磷，第三周期，VA族，p區(qū)。

③3s2,

3p3

42.(1)V5+3s23P6,未成對電子數(shù)為0。

(2)Cr4+3d2,未成對電子數(shù)為2。

(3)Ag2+4d9,未成對電子數(shù)為1。

(4)Sn44-4d1(),未成對電子數(shù)為0。

C1O2適合做錄音帶磁粉原料，由于它的未成對電子數(shù)較多，磁性較大。

43.

從上圖可見,n相似,1不一樣的各電子，穿透作用Mj能力是ns>np>nd。

因此能量高下是E?,y<E”<Endo

44.2s2；c

2P3〃ii；收]i；〃)?

2,1,0,+工或2,1,+1,+已或一，2,1,-1,+工或」

222222

45.由于周期數(shù)等于最外層主量子數(shù)，因此該元素為第三周期。對于主族元素其族數(shù)等于最

外層電子數(shù)，故為VIA族。該元素的原子最終填充的是p電子，因此屬于p區(qū)。該元素的

符號是S。

46.該元素原子的核外電子排布式為Is22s22P63s23P63d104s24P64dl05s1,

原子序數(shù)為47,屬于第五周期，【B族，ds區(qū)(也有稱為d區(qū)的)。元素符號Ago

47.主量子數(shù)n:物理意義表征原子軌道幾率最大區(qū)域離核日勺遠近及能量的高下。

可取數(shù)值n=1,2,3,4,5,6,7……(非零的任意正整數(shù))

角量子數(shù)1:物理意義表征原子軌道日勺形狀及能量日勺高下。

可取數(shù)值1=0,1,2,3,4……(n-1)

磁量子數(shù)m:物理意義表征原子軌道在空間歐I伸展方向。

可取數(shù)值m=0,±1,±2,……±1

自旋量子數(shù)ms:物理意義表征電子自旋口勺兩種不一樣方式。

可取數(shù)值m=±—

s2

48.

主量子數(shù)電子亞層原子軌道數(shù)最多容納電子數(shù)

4s(/=0)1(m=0)2

3(m=0,+1)

4P(/=1)6

n=45(m=0,±1,±2)

4d(/=2)10

7(m=0,±1,±2,±3)

4/(/=3)14

49.(1)A元素1s22s22P63s23P64s1,是專用，第四面期，IA族。

B元素Is22s22P63s23P4,是硫，第三周期，VIA族。

(2)鉀一KOH；硫一H2SO4O

(3)KOH的堿性比Ca(OH)2強，比RbOH弱。

⑷H2S的穩(wěn)定性比HC1差，比H2Xe強。

（5）硫和鉀以離子鍵相結(jié)合，K2S晶體狀態(tài)小導(dǎo)電（由于不存在自由移動日勺離子）,在熔

融狀態(tài)和水溶液中都能導(dǎo)電（由于這兩種狀況下都能產(chǎn)生自由移動日勺離子）。

50.①存在，包括1個軌道。（n=2,l=0,m只能為0,因此只有1個軌道，）

②不存在。（n=3,l=0,1,2,不能為3o）

③存在，包括3個軌道。（n=3,1=1,m=0.±1,因此有3個軌道。）

④存在,包括5個軌道。（n=5,l=2,m=0.±1,±2,因此有5個軌道。）

51.①1不能等于3,n=2時，1只能為0或1。

②m不能等于一1,1=0時，1?只能等于0。

③ms不能為1,只能為+或一。

④1不能等于l,n=l時，1只能為0;ms不能為0,只能為+或一。

（5）1不能等于-1,n=2時，1只能為（）或1。

（6）m不能等于-2,1=1時，m只能等于0,±1。

52.由于該原子共有五個電子，因此題目中所列的I電子運動狀態(tài)均為激發(fā)態(tài)。

軌道符號①4s；②3p；③3d；④3d；⑤3s。

能量次序⑤〈②（③二④〈①。

53.

元素核外電子排布式外圍電子構(gòu)型周期族

13Al1$22s22P63$23Pl3s23Pl三IIIA

24Cr1S22s22P63523P63d5433d54sl四VIB

1S22522P63523P63d64s23d64$2

26Fe1四V10

33As1s22，2P63s23〃63d104524P34$24〃3四VA

47AgIs22522P63523P63d104524P64d,c5s14dw5sl五IB

54.①Ti3d24s2②Mn3d54s2

③15s25P5④Ba6s2

55.

各電子層電子數(shù)

原子序數(shù)周期族

KLMN0P

13283二IIIA

3628188四0

482818182五IIB

532818187五WA

74281832122六V1B

82281832184六NA

56.（1）不對的o價電子層具有ns1的I元素除堿金屬元素外尚有18族的。1、Ag、Au。

⑵不對的o第八族元素日勺價電子層排布為（〃-1）d^ns2o

⑶不對的o過渡元素的I原子填充電子時是先填充4s,然后再填充3d,但失去電子

時，則是先失去4s電子，后失去3d電子。由于能級交錯的原因，在填充電子時，

E3d>E4s,因應(yīng)先填充4s,然后再填充3d。但根據(jù)科頓能級圖知，3d軌道一旦

填充了電了后，E3dvE4s,因此是先失去4s電了，后失去3d電了。

⑷不對的o由于胸系收縮導(dǎo)致第六周期元素口勺原子半徑與同族第五周期元素『、J原子半

徑相近。

⑸不對的o0原子加合第一種電子時是放熱的，但加合第二個電子時則是吸熱的O

（6）不對的。由于氟原子的半徑尤其小，電荷密度尤其大，加合一種電子需要克服很大

的排斥作用，導(dǎo)致加合電子所放出的能量有一部分消耗在抵消排斥力上，最終放出的能量減

少，因此氟日勺電子親合能反而不如同族中原子半徑稍大的元素氯。在周期表中元素氯具有最

大的電子親合能。

57.由題意知D-H勺電子層構(gòu)造與Ar原子相似,因此D為17號元素氯，是三周期、VIIA

族，而A、B、C、D四種元素電子層數(shù)依次減小，則A、B、C應(yīng)分別為六、五、四面

期元素，再從價電子和次外層電子構(gòu)型可推出詳細的狀況。列表如下：

元素代號元素符號元素名稱電子分布式周期族

ACs鈉[Xe]6s'六IA

BSr錮[Kr]5s2五IIA

CSc硒[Ar]3小4s24P4四VIA

DCl氯[Ne]3523P5VDA

58.當(dāng)n=3時，1可取0,1,2；m可取0,±1,±2。將這些數(shù)值組合成力并按對應(yīng)的能

量由低至高排列如下：

3,0,0<3,1,0=3,1,-1=3,1,+1<3,2,0=3,2,—2=3,2,+2=3,

2,+1=

3,2,—1o

59.該元素的核外電子排布式為Is22522P63s23P63d104s2,原子序數(shù)是30,它在

第四面期，HB族,ds區(qū)，元素符號為Zn（鋅）。

60.⑴洪特規(guī)則指出：n相似的電子將盡先占據(jù)m不一樣的軌道，且自旋平行。該寫法即

違反了此規(guī)則，應(yīng)寫成N1s22s22pxl2py12pZlo

⑵泡利不相容原理指出：在一條原子軌道中只能容納兩個自旋方式相反的電子。該寫

法即違反了這個原理。應(yīng)寫成AlIs22s22P63s23pl。

⑶能量最低原理指出：電子在原子軌道上的分布將盡先占據(jù)最低H勺能級。由于原子能

級時高下次序是ns<np,因此應(yīng)寫成Lils22sl

61.⑴由于該元素的原子中有3d7電子，則外層必然有4s2電子,為第四面期、VIII族元

素,原子序數(shù)27,元素符號Co,是金屬元素,屬于d區(qū)。

⑵從電子分布式即可推斷該元素為第四面期、VIII族元素，原子序數(shù)26,元素符號Fe,

是金屬元素，屬于d區(qū)。

⑶一1價氟離子日勺電子構(gòu)型為2s22p6,該元素原子的電子數(shù)應(yīng)再增長3個，其外圍

電子構(gòu)型應(yīng)是3s23pl,即第三周期、IHA族，原子序數(shù)13,元素符號A1,是金屬

元素，屬于P區(qū)O

（4）根據(jù)題意該元素原子的外圍電子構(gòu)型應(yīng)是3d54s2,可知該元素為第四面期、VDB

族元素，原子序數(shù)25,元素符號Mn,是金屬元素，屬于d區(qū)。

（5）一種n=4、1=0的電子即4s1,5個n=3、1=2的電子即3d5,可知該元素為

第四面期、VIB族元素，原子序數(shù)24,元素符號Cr,是金屬元素，屬于d區(qū)。

62.電子層數(shù)均為4,因此它們都是第四面期元素，最高化合價均為+5,甲是金屬，乙

是非金屬，故甲應(yīng)是VB族MJV（銳），乙應(yīng)是VA族As（碑），電子排布式如下：

V（銳）Is22522P63523P63d3—2;

As（碑）1s22522P63s23/34s24P3

63.⑴原子半徑由小到大D.C.B.A。

⑵第一電離能由小到大A.B、C.Do

（3）電負性由小到大A.B、C、Do

⑷金屬性由弱到強D、C.B.Ao

⑸各元素原子最外層的1=0日勺電子日勺量子數(shù)見下表：

量子數(shù)

元素/=0的1電子

n/mnis

1-1

55cs6sl600+一或一一

22

+1

5002

3sSr5s2

500_J_

2

4002

34Se4s2

400

~2

3002

17CI352

300_1_

2

64.⑴由于原子軌道日勺電子處在半充斥和全充斥狀況時比較穩(wěn)定，則電離能會偏高。N的

外圍電子構(gòu)型為2s22p3,p軌道處在半滿日勺穩(wěn)定狀態(tài)。

⑵K的外圍電子構(gòu)型為4s1,當(dāng)失去一種電子后就減少了一種電子層，查對外層電子

的吸引力急劇增大，因此第二電離能比