半導(dǎo)體集成電路第1章ppt課件

1、spnABnp 在P型Si襯底上外延淀積N型外延層。再有選擇地分散出P型隔離框，將N型外延層圍成一個(gè)個(gè)獨(dú)立的隔離島，隔離框的分散深度大于外延層厚度。 這樣隔離島與襯底及隔離框構(gòu)成一個(gè)PN結(jié)，稱襯底結(jié)或隔離結(jié)。將襯底S接最低電位。那么VAS或VBS0。即隔離PN結(jié)總是處于零偏或反偏形狀，僅存在微小的漏電流，故隔離島A、B處于電隔離形狀。 2 2、隱埋、隱埋 如今我們察看一個(gè)如今我們察看一個(gè)ICIC中的晶體管構(gòu)造，在計(jì)算中的晶體管構(gòu)造，在計(jì)算rcsrcs時(shí)有：時(shí)有： rcs = rc1 + rc2 + rc3 rcs = rc1 + rc2 + rc3 CBEnP-sinRc1Rc2Rc3 S0I

2、=I exp() 1TVVS0IpnonpopnD PD PAqLLS0I=IeTVVthVVS0I=IeTVVthVVJ1J2npn+CBE2DCCSI=I exp() 1TVV1DEESI=I exp() 1TVV121ESCSI =I(e1)I(e1)TTVVVVA122ESCSI =BI (e1)I(e1)TTVVVV111200ERCVVIIAII 222100CFEVVIIBII 12ES12CSI(e1)11I(e1)TTVVRVFVII1122EBCIIIIIII 12ESCS1I(e1)111I(e1)TTVERVBFRVVCFIIIFESRCSSIIIISIS是是IESIE

3、S，ICSICS的公共部分，為晶體管飽和電流。的公共部分，為晶體管飽和電流。1111SESFSCSRII (e1)(e1)II(e1)(e1)TTTTVVVVDEVVVVDCII令 11SSI (e1)I (e1)TTVVCCVVECII那么 CCEC11I11I11FEFRBFRCRIIISpn+pnBECPNPNPN11232123312300DRDDFDDSRDDSRDDIIIIIIIIIIII 且 112233EBCSIIIIIIIIII 代入I1，I2，I3的表達(dá)式表示為矩陣方式123(1)1011(1)1101(1)TTTVVESERVBFRSRVCSCFSFSRVVSSFSSIe

4、IIIeIIIe 這就是四層三結(jié)晶體管E-M模型0.990.01FSF 16151310,10,10ESCSSSIAIAIAeFTVVe1eFFTTVVVV e11FTVV eFTVV10111101BETVERVESBFRSRCSCFSFSRSSSSFIIeIIIII 差1510CoffCSIIA1310CoffCSIIA(1)(1)BCTBCTBCTBCTVVERCSVVBRCSVVCSFCSVVSSFCSIIeIIeIIeIIe BCTVVSFCSSeIIRESSFII1RBSSFII 1SFCSSFIIS (Cp)pn+pnBn (Ep)EC (Bp)BCBECESCCEVVVVV 又

5、(1)(1)(1)BCBETTBCBETTVVVVCFESSFCSVVVVBFESRCSIIeIeIIeIe()exp()(1)(1)()exp()(1)CEFESCSSFCTCEBFESCSRTVIIIVVIIIV(1)(1)()ln(1)()CSSFRCBCESTESFRCBIIIVVIIIBCISI(1)(1)ln(1)CSSFRCESTESFRISVVIS11lnlnCSSFSFCESTTESFFIVVVIS 而對(duì)三層構(gòu)造極度飽和時(shí)而對(duì)三層構(gòu)造極度飽和時(shí)1lnCESTFVV故：寄生故：寄生PNPPNP管使飽和壓降下降。管使飽和壓降下降。物理意義：集電極電流被襯底結(jié)漏電流分流下降，物理意義：集電極電流被襯底結(jié)漏電流分流下降，故故VcesVces下降。下降。此時(shí)襯底漏電流較大：此時(shí)襯底漏電流較大：,CEBSSSIIIIII均反比于均反比于IsIs，故應(yīng)降低。，故應(yīng)降低。 當(dāng) 時(shí)，各項(xiàng)比值小于1。0.98 ,0.01 ,0.1 ,0.1ESFRBEBCCSIVVVIexp()BCSSFCSTVIIV O16A uT = 1060C , N= 1.81010 8.5 10nS10 5 10pS2np粗略的結(jié)果。粗略的結(jié)果。CjsCjcCjsC