2025年半導(dǎo)體芯片制造中、高級(jí)工考試題庫(kù)

2025年半導(dǎo)體芯片制造中、高級(jí)工考

試題庫(kù)（完整版）

1.【單項(xiàng)選擇題】在溫度相同的情況下，制備相同厚度的氧化層，分

別用干氧，濕氧和水汽氧化，哪個(gè)需要的時(shí)間最長(zhǎng)？o

A、干氧

B、濕氧

C、水汽氧化

D、不能確定哪個(gè)使用的時(shí)間長(zhǎng)

【答案】A

2.【填空題】化學(xué)清洗中是利用硝酸的強(qiáng)（）和強(qiáng)（）將吸附在硅片

表面的雜質(zhì)除去。

【答案】酸性；氧化性

3.【填空題】大容量可編程邏輯器件分為O和（）。

【答案】復(fù)雜可編程邏輯器件；現(xiàn)場(chǎng)可編程門(mén)陣列

4.1多項(xiàng)選擇題】下列材料屬于N型半導(dǎo)體是（）。

A.硅中摻有元素雜質(zhì)磷（P）、碑（As）

B.硅中摻有元素雜質(zhì)硼B(yǎng).、鋁（A1）

C.碑化錢(qián)摻有元素雜質(zhì)硅（Si）、硅（TE）

D.碑化錢(qián)中摻元素雜質(zhì)鋅、鎘、鎂

【答案】A,C

5.【填空題】在一個(gè)晶圓上分布著許多塊集成電路，在封裝時(shí)將各塊

集成電路切開(kāi)時(shí)的切口叫（）。

【答案】劃片槽

6.【問(wèn)答題】敘述H2還原SiC14外延的原理，寫(xiě)出化學(xué)方程式。

【答案】在氣相外延生長(zhǎng)過(guò)程中，首先是反應(yīng)劑輸運(yùn)到襯底表面；接

著是它在襯底便面發(fā)生反應(yīng)釋放出硅原子，硅原子按襯底晶向成核,

長(zhǎng)大成為單晶層?；瘜W(xué)方程式如下：

7.【單項(xiàng)選擇題】離子注入層的雜質(zhì)濃度主要取決于離子注入的（）。

A.能量

B.劑量

【答案】B

8.【多項(xiàng)選擇題】硅外延生長(zhǎng)工藝包括（）。

A.襯底制備

B.原位HC1腐蝕

C.生長(zhǎng)溫度，生長(zhǎng)壓力，生長(zhǎng)速度

D.尾氣的處理

【答案】A,B,C,D

9.【填空題】腐蝕V形槽一般采用（）的濕法化學(xué)腐蝕方法。

【答案】各向異性

10.【單項(xiàng)選擇題】介質(zhì)隔離是以絕緣性能良好的電介質(zhì)作為〃隔離墻

〃來(lái)實(shí)現(xiàn)電路中各元器件間彼此電絕緣的一種隔離方法。常用的電介

質(zhì)是（）層。

A.多晶硅

B.氮化硅

C.二氧化硅

【答案】C

n.【單項(xiàng)選擇題】屬于絕緣體的正確答案是（）。

A.金屬、石墨、人體、大地

B.橡膠、塑料、玻璃、云母、陶瓷

C.硅、楮、碑化錢(qián)、磷化錮

D.各種酸、堿、鹽的水溶液

【答案】B

12?【問(wèn)答題】操作人員的質(zhì)量職責(zé)是什么？

【答案】操作人員的質(zhì)量職責(zé)是：（1）按規(guī)定接受培訓(xùn)考核，以達(dá)到

所要求的技能、能力和知識(shí)；（2）嚴(yán)格按工藝規(guī)范和工藝文件進(jìn)行操

作，對(duì)工藝質(zhì)量負(fù)責(zé)；（3）按規(guī)定填寫(xiě)質(zhì)量記錄，對(duì)其準(zhǔn)確性、完整

性負(fù)責(zé)；（4）做好所使用的儀器、設(shè)備、工具的日常維護(hù)保養(yǎng)工作;

（6）對(duì)違章作業(yè)造成的質(zhì)量事故負(fù)直接責(zé)任。

13.【單項(xiàng)選擇題】位錯(cuò)的形成原因是（）。

A.位錯(cuò)就是由彈性形變?cè)斐傻?/p>

B.位錯(cuò)就是由重力造成的

C.位錯(cuò)就是由范性形變?cè)斐傻?/p>

D.以上答案都不對(duì)

【答案】C

14.【填空題】如果熱壓楔形鍵合小于引線直徑1.5倍或大于3.0倍，

其長(zhǎng)度小于L5倍或大于6.0倍，判引線鍵合（）。

【答案】不合格

15.【單項(xiàng)選擇題】金屬封裝主要采用金屬和玻璃密封工藝，金屬作

封裝底盤(pán)、管帽和引線，（）做絕緣和密封。

A.塑料

B.玻璃

C.金屬

【答案】B

16?【問(wèn)答題】簡(jiǎn)述你所在工藝的工藝質(zhì)量要求？你如何檢查你的工

藝質(zhì)量？

【答案】外延要求：

1.集電極擊穿電壓要求

2.集電極串聯(lián)電阻要小.

3.高頻大功率小型化.刻蝕要求：

1.圖形轉(zhuǎn)換的保真度高

2.選擇比高.

3.刻蝕速率高.

4.刻蝕剖面.

5.刻蝕偏差.

6.刻蝕因子大.

7.均勻性.

17.【單項(xiàng)選擇題】反應(yīng)離子腐蝕是（）。

A.化學(xué)刻蝕機(jī)理

B.物理刻蝕機(jī)理

C.物理的濺射刻蝕和化學(xué)的反應(yīng)刻蝕相結(jié)合

【答案】C

18.【單項(xiàng)選擇題】金屬封裝主要用于混合集成電路封裝，外殼零件

一般有底盤(pán)、管帽、引線和玻璃絕緣子組成。底盤(pán)、管帽和引線的材

料常常是（）。

A.合金A-42

B.4J29可伐

C.4J34可伐

【答案】B

19.【單項(xiàng)選擇題】雙極晶體管的高頻參數(shù)是（）。

A.hFEVces

B.BVce

C.ftfm

【答案】C

20.【單項(xiàng)選擇題】在低溫玻璃密封工藝中，常用的運(yùn)載劑由2%（質(zhì)

量比）的硝化纖維素溶解于98%（質(zhì)量比）的醋酸異戊酯或松油醇中

制得，再將20%的運(yùn)載劑與（）的玻璃料均勻混合，配成印刷漿料。

A.80%?90%

B.10%?20%

C.40%-50%

【答案】A

21.【填空題】離子注入雜質(zhì)濃度分布中最重要的二個(gè)射程參數(shù)是（）

和（）。

【答案】平均投影射程；平均投影標(biāo)準(zhǔn)差

22.【單項(xiàng)選擇題】pn結(jié)的擊穿電壓和反向漏電流既是晶體管的重要

直流參數(shù)，也是評(píng)價(jià)（）的重要標(biāo)志。

A.擴(kuò)散層質(zhì)量

B.設(shè)計(jì)

C.光刻

【答案】A

23.【填空題】釬焊包括合金燒結(jié)、共晶焊；聚合物焊又可分為（）、

【答案】導(dǎo)電膠粘接；銀漿燒結(jié)

24?【問(wèn)答題】簡(jiǎn)述在芯片制造中對(duì)金屬電極材料有什么要求?

【答案】

能很好的阻擋材料擴(kuò)散；

高電導(dǎo)率，低歐姆接觸電阻；

在半導(dǎo)體和金屬之間有很好的附著能力；

抗電遷能力強(qiáng)；

在很薄和高溫下具有很好的穩(wěn)定性；

抗侵蝕和抗氧化性好。

具有高的導(dǎo)電率和純度。

與下層存底(通常是二氧化硅或氮化硅)具有良好的粘附性。

與半導(dǎo)體材料連接時(shí)接觸電阻低。

能夠淀積出均勻而且沒(méi)有〃空洞〃的薄膜，易于填充通孔。

易于光刻和刻蝕，容易制備出精細(xì)圖形。

很好的耐腐蝕性。

在處理和應(yīng)用過(guò)程中具有長(zhǎng)期的穩(wěn)定性。

25.【填空題】熱分解化學(xué)氣相淀積二氧化硅是利用O化合物，經(jīng)過(guò)

熱分解反應(yīng)，在基片表面淀積二氧化硅。

【答案】含有硅的化合物

26.【填空題】外延層的遷移率低的因素有原材料純度()；反應(yīng)室漏

氣；外延層的晶體()；系統(tǒng)沾污等；載氣純度不夠；外延層晶體缺陷

多；生長(zhǎng)工藝條件不適宜。

【答案】不夠；質(zhì)量差1

27.【填空題】氣中的一個(gè)小塵埃將影響整個(gè)芯片的()性、()率,

并影響其電學(xué)性能和O性，所以半導(dǎo)體芯片制造工藝需在超凈廠房

內(nèi)進(jìn)行。

【答案】完整；成品；可靠性

28.【填空題】禁帶寬度的大小決定著()的難易，一般半導(dǎo)體材料的

禁帶寬度越寬，所制作的半導(dǎo)體器件中的載流子就越不易受到外界因

素，如高溫和輻射等的干擾而產(chǎn)生變化。

【答案】電子從價(jià)帶跳到導(dǎo)帶

29.【單項(xiàng)選擇題】塑封中注塑成型工藝主要工藝參數(shù)有()、模具溫

度、合模壓力、注射壓力、注射速度和成型時(shí)間。

A.準(zhǔn)備工具

B.準(zhǔn)備模塑料

C.模塑料預(yù)熱

【答案】C

30.【填空題】半導(dǎo)體材料可根據(jù)其性能、晶體結(jié)構(gòu)、結(jié)晶程度、化學(xué)

組成分類(lèi)。比較通用的則是根據(jù)其化學(xué)組成可分為O半導(dǎo)體、()半

導(dǎo)體、固溶半導(dǎo)體三大類(lèi)。

【答案】元素；化合物

31.【單項(xiàng)選擇題】在突緣電阻焊工藝中，要獲得良好的焊接質(zhì)量，

必須確定的基本規(guī)范包括()

A.焊接電流、焊接電壓和電極壓力

B.焊接電流、焊接時(shí)間和電極壓力

C.焊接電流、焊接電壓和焊接時(shí)間

【答案】B

32.【單項(xiàng)選擇題】濺射法是由O轟擊靶材表面，使靶原子從靶表面

飛濺出來(lái)淀積在襯底上形成薄膜。

A.電子

B.中性粒子

C.帶能離子

【答案】C

33.【單項(xiàng)選擇題】器件的橫向尺寸控制幾乎全由()來(lái)實(shí)現(xiàn)。

A.掩膜版

B.擴(kuò)散

C.光刻

【答案】C

34.【填空題】雜質(zhì)原子在半導(dǎo)體中的擴(kuò)散機(jī)理比較復(fù)雜，但主要可

分為()擴(kuò)散和()擴(kuò)散兩種。

【答案】替位；間隙

35.【填空題】釬焊密封工藝主要工藝條件有釬焊氣氛控制、溫度控

制和密封腔體內(nèi)()控制。

【答案】濕度

36.【單項(xiàng)選擇題】雙極晶體管的lc7r噪聲與()有關(guān)。

A.基區(qū)寬度

B.外延層厚度

C.表面界面狀態(tài)

【答案】C

37.【單項(xiàng)選擇題】恒定表面源擴(kuò)散的雜質(zhì)分布在數(shù)學(xué)上稱(chēng)為()分

布。

A.高斯

B.余誤差

C.指數(shù)

【答案】B

38?【問(wèn)答題】潔凈區(qū)工作人員應(yīng)注意些什么？

【答案】保持部件與工具潔凈，保持個(gè)人清潔衛(wèi)生.不能把潔凈服提

來(lái)提去，人員不能觸摸或翻動(dòng)潔凈服.禁止吃喝，禁止用手表，首飾，

指甲油，吸煙，化妝，工作只能在潔凈面上進(jìn)行。

39.【填空題】硅片減薄腐蝕液為氫氟酸和硝酸系腐蝕液。碎化錢(qián)片

用（）

系、氫氧化氨系蝕腐蝕液。

【答案】硫酸

40.【單項(xiàng)選擇題】厚膜元件燒結(jié)時(shí)，漿料中的固體顆粒由接觸到結(jié)

合、自由表面的收縮、空隙的排除、晶體缺陷的消除等都會(huì)使系統(tǒng)的

自由能O,從而使系統(tǒng)轉(zhuǎn)變?yōu)闊崃W(xué)中更穩(wěn)定的狀態(tài)。

A.降低

B.升高

C.保持不變

【答案】A

41.【填空題】二氧化硅的制備方法很多，其中最常用的是高溫（）、

O

淀積、PECVD淀積。

【答案】氧化；氣相

42?【問(wèn)答題】粘封工藝中，常用的材料有哪幾類(lèi)？

【答案】常用膠粘劑有熱固性樹(shù)脂、熱塑性樹(shù)脂和橡膠型膠粘劑3大

類(lèi)。

43?【問(wèn)答題】有哪幾種常用的化學(xué)氣相淀積薄膜的方法？

【答案】常壓化學(xué)氣相淀積(APCVD.,低壓化學(xué)氣相淀積(LPCVD.,

等離子體輔助CVDO

44.【填空題】最常用的金屬膜制備方法有()加熱蒸發(fā)、()蒸發(fā)、

()。

【答案】電阻；電子束；濺射

45.【填空題】金絲球焊的優(yōu)點(diǎn)是無(wú)方向性，鍵合強(qiáng)度一般()同類(lèi)電

極系統(tǒng)的楔刀焊接。

【答案】大于

46.【填空題】外殼設(shè)計(jì)包括電性能設(shè)計(jì)、熱性能設(shè)計(jì)和結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)三

部分，而()設(shè)計(jì)也包含在這三部分中間。

【答案】可靠性

47.【填空題】半導(dǎo)體集成電路生產(chǎn)中，元件之間隔離有OOO隔

離等三種基本方法.

【答案】Pn結(jié)介質(zhì)；Pn結(jié)隔離；Pn結(jié)介質(zhì)混合

48.【填空題】延生長(zhǎng)方法比較多，其中主要的有O外延、O外延、

金屬有機(jī)化學(xué)氣相外延、()外延、原子束外延、固相外延等。

【答案】化學(xué)氣相；液相；分子束

49.【單項(xiàng)選擇題】平行縫焊的工藝參數(shù)有焊接電流、焊接速度、焊

輪壓力和焊輪椎頂角。焊輪壓力影響蓋板和焊環(huán)之間高阻點(diǎn)的O。

壓力太大，電阻值下降，對(duì)形成焊點(diǎn)不利，焊輪壓力太小，則造成接

觸不良，不但形不成良好點(diǎn)。

A.電流值

B.電阻值

C.電壓值

【答案】B

50.【單項(xiàng)選擇題】禁帶寬度的大小決定著電子從價(jià)帶跳到導(dǎo)帶的難

易，一般半導(dǎo)體材料的禁帶寬度越寬，所制作的半導(dǎo)體器件中的載流

子O外界因素（如高溫和輻射等）的干擾而產(chǎn)生變化。

A.越不容易受

B.越容易受

C.基本不受

【答案】A

51?【問(wèn)答題】什么叫晶體缺陷？

【答案】晶體機(jī)構(gòu)中質(zhì)點(diǎn)排列的某種不規(guī)則性或不完善性。又稱(chēng)晶格

缺陷。

52.【填空題】鋁絲與鋁金屬化層之間用加熱、加壓的方法不能獲得

牢固的焊接，甚至根本無(wú)法實(shí)現(xiàn)焊接的原因是鋁的表面在空氣中極易

生成一層O,它們阻擋了鋁原子之間的緊密接觸，達(dá)不到原子之間

引力范圍的間距。

【答案】氧化物

53?【問(wèn)答題】單晶片切割的質(zhì)量要求有哪些？

【答案】晶向偏離度總厚度誤差，平衡度，翹曲度等

54.【單項(xiàng)選擇題】外殼設(shè)計(jì)包括（）設(shè)計(jì)、熱性能設(shè)計(jì)和結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)三

部分，而可靠性設(shè)計(jì)也包含在這三部分中間。

A.電性能

B.電阻

C.電感

【答案】A

55.【填空題】芯片焊接質(zhì)量通常進(jìn)行鏡檢和()兩項(xiàng)試驗(yàn)。

【答案】剪切強(qiáng)度

56?【問(wèn)答題】引線焊接有哪些質(zhì)量要求？

【答案】可靠性好，易保持一定形狀，化學(xué)穩(wěn)定性好。盡量少形成金

屬間化合物，鍵合引線和焊盤(pán)金屬間形成低電阻歐姆接觸。平整度傾

斜度，平行度焊接時(shí)間焊接界面的清潤(rùn)。

57.【單項(xiàng)選擇題】超聲熱壓焊的主要應(yīng)用對(duì)象是超小型鍍金外殼與

鍍金管帽的焊接，焊接處依靠()封接，因而外殼零件的平整度和鍍

金層厚度是實(shí)現(xiàn)可靠性封接的關(guān)鍵因素。

A.管帽變形

B.鍍金層的變形

C.底座變形

【答案】B

58.【單項(xiàng)選擇題】非接觸式厚膜電路絲網(wǎng)印刷時(shí)，絲網(wǎng)與基片之間

有一定的距離，稱(chēng)為間隙，通常為O。

A.小于0.1mm

B.0,5?2.0mm

C.大于2.Omm

【答案】B

59.【填空題】厚膜混合集成電路的基片種類(lèi)很多，目前常用的有：

氧化鋁陶瓷，（），氮化鋁（A1N）陶瓷。

【答案】氧化鍍陶瓷

60?【問(wèn)答題】簡(jiǎn)述光刻工藝原理及在芯片制造中的重要性？

【答案】

1.光刻是通過(guò)一系列生產(chǎn)步驟將晶圓表面薄膜的特定部分除去并得

到所需圖形的工藝。

2.光刻的重要性是在二氧化硅或金屬薄膜上面刻蝕出與掩膜版完全

對(duì)應(yīng)的幾何圖形，從而實(shí)現(xiàn)選擇性擴(kuò)散和金屬薄膜布線的目的，它是

晶圓加工過(guò)程的中心，為后面的刻蝕和離子注入做準(zhǔn)備。決定了芯片

的性能，成品率，可靠性。

61.【單項(xiàng)選擇題】半導(dǎo)體分立器件、集成電路對(duì)外殼的主要要求之

一是：良好的熱性能。外殼應(yīng)有小的O,使芯片的熱量有效地散逸

出去，保證器件在正常結(jié)溫下工作。

A.熱阻

B.阻抗

C.結(jié)構(gòu)參數(shù)

【答案】A

62.【判斷題】沒(méi)有經(jīng)濟(jì)收入或交納黨費(fèi)有困難的黨員，由本人提出

申請(qǐng)，經(jīng)黨支部委員會(huì)同意，可以少交或免交。

【答案】對(duì)

63.【單項(xiàng)選擇題】常用膠粘劑有熱固性樹(shù)脂、熱塑性樹(shù)脂和橡膠型

膠粘劑3大類(lèi)。半導(dǎo)體器件的粘封工藝一般選用O。

A.熱塑性樹(shù)脂

B.熱固性或橡膠型膠粘劑

【答案】B

64.【單項(xiàng)選擇題】變?nèi)荻O管的電容量隨()變化。

A.正偏電流

B.反偏電壓

C.結(jié)溫

【答案】B

65?【問(wèn)答題】簡(jiǎn)述光刻工藝原理及在芯片制造中的重要性？

【答案】

1.光刻是通過(guò)一系列生產(chǎn)步驟將晶圓表面薄膜的特定部分除去并得

到所需圖形的工藝。

2.光刻的重要性是在二氧化硅或金屬薄膜上面刻蝕出與掩膜版完全

對(duì)應(yīng)的幾何圖形，從而實(shí)現(xiàn)選擇性擴(kuò)散和金屬薄膜布線的目的，它是

晶圓加工過(guò)程的中心，為后面的刻蝕和離子注入做準(zhǔn)備。決定了芯片

的性能，成品率，可靠性。

66.【填空題】鋁絲與鋁金屬化層之間用加熱、加壓的方法不能獲得

牢固的焊接，甚至根本無(wú)法實(shí)現(xiàn)焊接的原因是鋁的表面在空氣中極易

生成一層()，它們阻擋了鋁原子之間的緊密接觸，達(dá)不到原子之間

引力范圍的間距。

【答案】氧化物

67.【單項(xiàng)選擇題】金屬封裝主要用于混合集成電路封裝，外殼零件

一般有底盤(pán)、管帽、引線和玻璃絕緣子組成。底盤(pán)、管帽和引線的材

料常常是()。

A.合金A-42

B.4J29可伐

C.4J34可伐

【答案】B

68.【填空題】釬焊密封工藝主要工藝條件有釬焊氣氛控制、溫度控

制和密封腔體內(nèi)()控制。

【答案】濕度

69.【單項(xiàng)選擇題】雙極晶體管的lc7r噪聲與()有關(guān)。

A.基區(qū)寬度

B.外延層厚度

C.表面界面狀態(tài)

【答案】C

70?【問(wèn)答題】什么叫晶體缺陷？

【答案】晶體機(jī)構(gòu)中質(zhì)點(diǎn)排列的某種不規(guī)則性或不完善性。又稱(chēng)晶格

缺陷。

71.【填空題】離子注入雜質(zhì)濃度分布中最重要的二個(gè)射程參數(shù)是()

和()。

【答案】平均投影射程；平均投影標(biāo)準(zhǔn)差

72.【填空題】禁帶寬度的大小決定著O的難易，一般半導(dǎo)體材料的

禁帶寬度越寬，所制作的半導(dǎo)體器件中的載流子就越不易受到外界因

素，如高溫和輻射等的干擾而產(chǎn)生變化。

【答案】電子從價(jià)帶跳到導(dǎo)帶

73.【單項(xiàng)選擇題】變?nèi)荻O管的電容量隨（）變化。

A.正偏電流

B.反偏電壓

C.結(jié)溫

【答案】B

74?【問(wèn)答題】潔凈區(qū)工作人員應(yīng)注意些什么？

【答案】保持部件與工具潔凈，保持個(gè)人清潔衛(wèi)生.不能把潔凈服提

來(lái)提去，人員不能觸摸或翻動(dòng)潔凈服.禁止吃喝，禁止用手表，首飾，

指甲油，吸煙，化妝，工作只能在潔凈面上進(jìn)行。

75.【單項(xiàng)選擇題】塑封中注塑成型工藝主要工藝參數(shù)有（）、模具溫

度、合模壓力、注射壓力、注射速度和成型時(shí)間。

A.準(zhǔn)備工具

B.準(zhǔn)備模塑料

C.模塑料預(yù)熱

【答案】C

76.【單項(xiàng)選擇題】在低溫玻璃密封工藝中，常用的運(yùn)載劑由2%（質(zhì)

量比）的硝化纖維素溶解于98%（質(zhì)量比）的醋酸異戊酯或松油醇中

制得，再將20%的運(yùn)載劑與()的玻璃料均勻混合，配成印刷漿料。

A.80%?90%

B.10%?20%

C.40%-50%

【答案】A

77.【判斷題】沒(méi)有經(jīng)濟(jì)收入或交納黨費(fèi)有困難的黨員，由本人提出

申請(qǐng)，經(jīng)黨支部委員會(huì)同意，可以少交或免交。

【答案】對(duì)

78.【單項(xiàng)選擇題】濺射法是由O轟擊靶材表面，使靶原子從靶表面

飛濺出來(lái)淀積在襯底上形成薄膜。

A.電子

B.中性粒子

C.帶能離子

【答案】C

79.【填空題】延生長(zhǎng)方法比較多，其中主要的有O外延、O外延、

金屬有機(jī)化學(xué)氣相外延、()外延、原子束外延、固相外延等。

【答案】化學(xué)氣相；液相；分子束

80.【單項(xiàng)選擇題】恒定表面源擴(kuò)散的雜質(zhì)分布在數(shù)學(xué)上稱(chēng)為()分

布。

A.高斯

B.余誤差

C.指數(shù)

【答案】B

81.【單項(xiàng)選擇題】超聲熱壓焊的主要應(yīng)用對(duì)象是超小型鍍金外殼與

鍍金管帽的焊接，焊接處依靠()封接，因而外殼零件的平整度和鍍

金層厚度是實(shí)現(xiàn)可靠性封接的關(guān)鍵因素。

A.管帽變形

B.鍍金層的變形

C.底座變形

【答案】B

82.【填空題】最常用的金屬膜制備方法有()加熱蒸發(fā)、()蒸發(fā)、

()。

【答案】電阻；電子束；濺射

83.【單項(xiàng)選擇題】金屬封裝主要采用金屬和玻璃密封工藝，金屬作

封裝底盤(pán)、管帽和引線，O做絕緣和密封。

A.塑料

B.玻璃

C.金屬

【答案】B

84.【單項(xiàng)選擇題】pn結(jié)的擊穿電壓和反向漏電流既是晶體管的重要

直流參數(shù)，也是評(píng)價(jià)()的重要標(biāo)志。

A.擴(kuò)散層質(zhì)量

B.設(shè)計(jì)

C.光刻

【答案】A

85.【填空題】硅片減薄腐蝕液為氫氟酸和硝酸系腐蝕液。碎化錢(qián)片

用（）

系、氫氧化氨系蝕腐蝕液。

【答案】硫酸

86.【單項(xiàng)選擇題】常用膠粘劑有熱固性樹(shù)脂、熱塑性樹(shù)脂和橡膠型

膠粘劑3大類(lèi)。半導(dǎo)體器件的粘封工藝一般選用O。

A.熱塑性樹(shù)脂

B.熱固性或橡膠型膠粘劑

【答案】B

87.【單項(xiàng)選擇題】雙極晶體管的高頻參數(shù)是（）。

A.hFEVces

B.BVce

C.ftfm

【答案】C

88.【填空題】二氧化硅的制備方法很多，其中最常用的是高溫（）、

O

淀積、PECVD淀積。

【答案】氧化；氣相

89.【填空題】釬焊包括合金燒結(jié)、共晶焊；聚合物焊又可分為（）、

【答案】導(dǎo)電膠粘接；銀漿燒結(jié)

90.【填空題】如果熱壓楔形鍵合小于引線直徑1.5倍或大于3.0倍，

其長(zhǎng)度小于1.5倍或大于6.0倍，判引線鍵合（）。

【答案】不合格

91?【問(wèn)答題】粘封工藝中，常用的材料有哪幾類(lèi)？

【答案】常用膠粘劑有熱固性樹(shù)脂、熱塑性樹(shù)脂和橡膠型膠粘劑3大

類(lèi)。

92.【填空題】厚膜混合集成電路的基片種類(lèi)很多，目前常用的有：

氧化鋁陶瓷，（），氮化鋁（A1N）陶瓷。

【答案】氧化鍍陶瓷

93.【填空題】芯片焊接質(zhì)量通常進(jìn)行鏡檢和（）兩項(xiàng)試驗(yàn)。

【答案】剪切強(qiáng)度

94?【問(wèn)答題】引線焊接有哪些質(zhì)量要求？

【答案】可靠性好，易保持一定形狀，化學(xué)穩(wěn)定性好。盡量少形成金

屬間化合物，鍵合引線和焊盤(pán)金屬間形成低電阻歐姆接觸。平整度傾

斜度，平行度焊接時(shí)間焊接界面的清潤(rùn)。

95.【填空題】雜質(zhì)原子在半導(dǎo)體中的擴(kuò)散機(jī)理比較復(fù)雜，但主要可

分為（）擴(kuò)散和（）擴(kuò)散兩種。

【答案】替位；間隙

96.【單項(xiàng)選擇題】厚膜元件燒結(jié)時(shí)，漿料中的固體顆粒由接觸到結(jié)

合、自由表面的收縮、空隙的排除、晶體缺陷的消除等都會(huì)使系統(tǒng)的

自由能O,從而使系統(tǒng)轉(zhuǎn)變?yōu)闊崃W(xué)中更穩(wěn)定的狀態(tài)。

A.降低

B.升高

C.保持不變

【答案】A

97.【單項(xiàng)選擇題】禁帶寬度的大小決定著電子從價(jià)帶跳到導(dǎo)帶的難

易，一般半導(dǎo)體材料的禁帶寬度越寬，所制作的半導(dǎo)體器件中的載流

子()外界因素(如高溫和輻射等)的干擾而產(chǎn)生變化。

A.越不容易受

B.越容易受

C.基本不受

【答案】A

98?【問(wèn)答題】簡(jiǎn)述你所在工藝的工藝質(zhì)量要求？你如何檢查你的工

藝質(zhì)量？

【答案】外延要求：

L集電極擊穿電壓要求

2.集電極串聯(lián)電阻要小.

3.高頻大功率小型化.刻蝕要求：

1.圖形轉(zhuǎn)換的保真度高

2.選擇比高.

3.刻蝕速率高.

4.刻蝕剖面.

5.刻蝕偏差.

6.刻蝕因子大.

7.均勻性.

99.【填空題】外殼設(shè)計(jì)包括電性能設(shè)計(jì)、熱性能設(shè)計(jì)和結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)三

部分，而（）設(shè)計(jì)也包含在這三部分中間。

【答案】可靠性

100.【單項(xiàng)選擇題】器件的橫向尺寸控制幾乎全由（）來(lái)實(shí)現(xiàn)。

A.掩膜版

B.擴(kuò)散

C.光刻

【答案】C

101.【填空題】外延層的遷移率低的因素有原材料純度O；反應(yīng)室

漏氣；外延層的晶體（）；系統(tǒng)沾污等；載氣純度不夠；外延層晶體缺

陷多；生長(zhǎng)工藝條件不適宜。

【答案】不夠；質(zhì)量差

102.【填空題】熱分解化學(xué)氣相淀積二氧化硅是利用（）化合物，經(jīng)

過(guò)熱分解反應(yīng)，在基片表面淀積二氧化硅。

【答案】含有硅的化合物

103.【問(wèn)答題】單晶片切割的質(zhì)量要求有哪些？

【答案】晶向偏離度總厚度誤差，平衡度，翹曲度等

104.【問(wèn)答題】有哪幾種常用的化學(xué)氣相淀積薄膜的方法？

【答案】常壓化學(xué)氣相淀積（APCVD.,低壓化學(xué)氣相淀積（LPCVD.,

等離子體輔助CVDo

105.【填空題】大容量可編程邏輯器件分為（）和（）。

【答案】復(fù)雜可編程邏輯器件；現(xiàn)場(chǎng)可編程門(mén)陣列

106.【單項(xiàng)選擇題】人們規(guī)定：O電壓為安全電壓.

A.36伏以下

B.50伏以下

C.24伏以下

【答案】A

107.【問(wèn)答題】對(duì)于大尺寸的MOS管版圖設(shè)計(jì)，適合采用什么樣的版

圖結(jié)構(gòu)？簡(jiǎn)述原因。

【答案】（1）S管的版圖一般采用并聯(lián)晶體管結(jié)構(gòu)。

采用并聯(lián)晶體管結(jié)構(gòu)后，可共用源區(qū)和漏區(qū)，使得在同樣寬長(zhǎng)比的情

況下，漏區(qū)和源區(qū)的面積被減小，并因此使得器件源極和漏極的PN

結(jié)電容被減小，對(duì)提高電路的動(dòng)態(tài)性能很有好處。

（2）寸器件在版圖設(shè)計(jì)時(shí)還采用折疊的方式減小一維方向上的尺寸。

因?yàn)槠骷某叽绱?，即叉指的個(gè)數(shù)較多，如果采用簡(jiǎn)單并列的方式，

將由于叉指到信號(hào)引入點(diǎn)的距離不同引起信號(hào)強(qiáng)度的差異。同時(shí)，由

于在一維方向上的工藝離散性，也將導(dǎo)致最左端的叉指和最右端的叉

指所對(duì)應(yīng)的并聯(lián)器件在參數(shù)和結(jié)構(gòu)上產(chǎn)生失配。

108.【填空題】在一個(gè)晶圓上分布著許多塊集成電路，在封裝時(shí)將各

塊集成電路切開(kāi)時(shí)的切口叫O。

【答案】劃片槽

109.【填空題】半導(dǎo)體材料可根據(jù)其性能、晶體結(jié)構(gòu)、結(jié)晶程度、化

學(xué)組成分類(lèi)。比較通用的則是根據(jù)其化學(xué)組成可分為元素（）、（）半

導(dǎo)體、固溶半導(dǎo)體三大類(lèi)。

【答案】半導(dǎo)體；化合物

110?【問(wèn)答題】敘述H2還原SiC14外延的原理，寫(xiě)出化學(xué)方程式。

【答案】在氣相外延生長(zhǎng)過(guò)程中，首先是反應(yīng)劑輸運(yùn)到襯底表面；接

著是它在襯底便面發(fā)生反應(yīng)釋放出硅原子，硅原子按襯底晶向成核,

長(zhǎng)大成為單晶層。化學(xué)方程式如下：

111.【填空題】化學(xué)清洗中是利用硝酸的強(qiáng)O和強(qiáng)()將吸附在硅

片表面的雜質(zhì)除去。

【答案】酸性；氧化性

H2.【問(wèn)答題】集成電路封裝有哪些作用？

【答案】(1)機(jī)械支撐和機(jī)械保護(hù)作用。

(2)傳輸信號(hào)和分配電源的作用。

(3)熱耗散的作用。

(4)環(huán)境保護(hù)的作用。

H3.【填空題】外延生長(zhǎng)方法比較多，其中主要的有()外延、()外

延、金屬有機(jī)化學(xué)氣相外延、分子束外延、O、固相外延等。

【答案】化學(xué)氣相；液相；原子束外延

H4.【填空題】半導(dǎo)體材料有兩種載流子參加導(dǎo)電，具有兩種導(dǎo)電類(lèi)

型。

一種是O,另一種是()。

【答案】電子；空穴

115.【填空題】對(duì)標(biāo)準(zhǔn)單元設(shè)計(jì)EDA系統(tǒng)而言，標(biāo)準(zhǔn)單元庫(kù)應(yīng)包含以

下內(nèi)容：()、和()、()、()0

【答案】邏輯單元符號(hào)庫(kù)；功能單元庫(kù)；拓?fù)鋯卧獛?kù)；版圖單元庫(kù)

116.【單項(xiàng)選擇題】屬于絕緣體的正確答案是()。

A.金屬、石墨、人體、大地

B.橡膠、塑料、玻璃、云母、陶瓷

C.硅、楮、碎化錢(qián)、磷化錮

D.各種酸、堿、鹽的水溶液

【答案】B

H7.【填空題】腐蝕V形槽一般采用()的濕法化學(xué)腐蝕方法。

【答案】各向異性

H8.【問(wèn)答題】什么叫光刻？光刻工藝質(zhì)量的基本要求是什么？

【答案】光刻是一種圖形復(fù)印和化學(xué)腐蝕相結(jié)合的精密表面加工技術(shù)。

對(duì)光刻工藝質(zhì)量的基本要求是：刻蝕的圖形完整、尺寸準(zhǔn)確、邊緣整

齊、線條陡直；圖片內(nèi)無(wú)小島、不染色、腐蝕干凈；圖形套合十分準(zhǔn)

確；介質(zhì)膜或金屬膜上無(wú)針孔；硅片表面清潔、不發(fā)花、無(wú)殘留的被

腐蝕物質(zhì)。

H9.【填空題】離子注入是借其()強(qiáng)行進(jìn)入靶材料中的一個(gè)()物

理過(guò)程。

【答案】動(dòng)能；非平衡

120.【多項(xiàng)選擇題】硅外延生長(zhǎng)工藝包括()。

A.襯底制備

B.原位HC1腐蝕

C.生長(zhǎng)溫度，生長(zhǎng)壓力，生長(zhǎng)速度

D.尾氣的處理

【答案】A,B,C,D

121.【單項(xiàng)選擇題】二氧化硅在擴(kuò)散時(shí)能對(duì)雜質(zhì)起掩蔽作用進(jìn)行（）

擴(kuò)散。

A.預(yù)

B.再

C.選擇

【答案】C

122.【填空題】用肉眼或顯微鏡可觀察二氧化硅的以下質(zhì)量:顏色O、

結(jié)構(gòu)（）；表面無(wú)（）、無(wú)（）、不發(fā)花；表面無(wú)裂紋、（）。

【答案】是否均勻；是否致密；斑點(diǎn)；白霧；無(wú)針孔

123.【單項(xiàng)選擇題】在溫度相同的情況下，制備相同厚度的氧化層,

分別用干氧，濕氧和水汽氧化，哪個(gè)需要的時(shí)間最長(zhǎng)？（）

A、干氧

B、濕氧

C、水汽氧化

D、不能確定哪個(gè)使用的時(shí)間長(zhǎng)

【答案】A

124.【單項(xiàng)選擇題】離子注入層的深度主要取決于離子注入的（）。

A.能量

B.劑量

【答案】A

125.【填空題】光刻工藝一般都要經(jīng)過(guò)涂膠、O、曝光、O、堅(jiān)膜、

腐蝕、()等步驟。

【答案】前烘；顯影；去膠

126.1多項(xiàng)選擇題】下列材料屬于N型半導(dǎo)體是()。

A.硅中摻有元素雜質(zhì)磷(P)、碑(As)

B.硅中摻有元素雜質(zhì)硼

B.、鋁(A1)

C.碑化錢(qián)摻有元素雜質(zhì)硅(Si)、牖(TE)

D.碑化錢(qián)中摻元素雜質(zhì)鋅、鎘、鎂

【答案】A,C

127.【單項(xiàng)選擇題】恒定表面源擴(kuò)散的雜質(zhì)分布在數(shù)學(xué)上稱(chēng)為什么分

布？O

A、高斯函數(shù)

B、余誤差函數(shù)

C、指數(shù)函數(shù)

D、線性函數(shù)

【答案】B

128.1多項(xiàng)選擇題】按蒸發(fā)源加熱方法的不同，真空蒸發(fā)工藝可分為：

O蒸發(fā)、()蒸發(fā)、離子束蒸發(fā)等。

A.電阻加熱

B.電子束

C.蒸氣原子

【答案】A,B

129.【填空題】在半導(dǎo)體工藝中，硫酸常用于去除O和配制O等。

【答案】光刻膠；洗液

130.【單項(xiàng)選擇題】離子注入層的雜質(zhì)濃度主要取決于離子注入的（）。

A.能量

B.劑量

【答案】B

131.【問(wèn)答題】為什么說(shuō)潔凈技術(shù)是半導(dǎo)體芯片制造過(guò)程中的一項(xiàng)重

要技術(shù)？

【答案】半導(dǎo)體芯片制造，尤其是隨著高度集成復(fù)雜電路和微波器件

的發(fā)展，要求獲得細(xì)線條、高精度、大面積的圖形，各種形式的污染

都將嚴(yán)重影響半導(dǎo)體芯片成品率和可靠性。生產(chǎn)中的污染，除了由于

化學(xué)試劑不純、氣體純化不良、去離子質(zhì)量不佳引入之外，環(huán)境中的

塵埃、雜質(zhì)及有害氣體、工作人員、設(shè)備、工具、日用雜品等引入的

塵埃、毛發(fā)、皮屑、油脂、手汗、煙霧等都是重要污染來(lái)源。例如,

PN結(jié)表面污染上塵埃、皮屑、油脂等將引起反向漏電或表面溝道，手

汗引起的Na離子沾污會(huì)使MOS器件閾值電壓飄移，甚至導(dǎo)致晶體管

電流放大系數(shù)不穩(wěn)定，空氣中塵埃的沾污將引起器件性能下降，以致

失效；光刻涂膠后塵埃的沾污將使二氧化硅層形成針孔或小島；大顆

粒塵埃附著在光刻膠表面，會(huì)使掩膜版與芯片間距不一致，使光刻圖

形模糊；高溫?cái)U(kuò)散過(guò)程中，附著在硅片上的塵埃將引起局部摻雜和快

速擴(kuò)散，使結(jié)特性變壞。所以潔凈技術(shù)是半導(dǎo)體芯片制造過(guò)程中的一

項(xiàng)重要技術(shù)。

132.【問(wèn)答題】襯底清洗過(guò)程包括哪幾個(gè)步驟？

【答案】（1）擦洗表面的大塊污物；（2）浸泡；（3）化學(xué)腐蝕；（4）

水清洗；（5）干燥。

133.【填空題】白光照射二氧化硅時(shí)，不同的厚度有不同的O。

【答案】干涉色

134.【單項(xiàng)選擇題】腐蝕二氧化硅的水溶液一般是用（）

A、鹽酸

B、硫酸

C、硝酸

D、氫氟酸

【答案】D

135.【單項(xiàng)選擇題】人們規(guī)定：O電壓為安全電壓.

A.36伏以下

B.50伏以下

C.24伏以下

【答案】A

136.【多項(xiàng)選擇題】硅外延生長(zhǎng)工藝包括（）。

A.襯底制備

B.原位HC1腐蝕

C.生長(zhǎng)溫度，生長(zhǎng)壓力，生長(zhǎng)速度

D.尾氣的處理

【答案】A,B,C,D

137.【填空題】半導(dǎo)體材料有兩種載流子參加導(dǎo)電，具有兩種導(dǎo)電類(lèi)

型。一種是O,另一種是（）。

【答案】電子；空穴

138.【問(wèn)答題】襯底清洗過(guò)程包括哪幾個(gè)步驟？

【答案】（1）擦洗表面的大塊污物；（2）浸泡；（3）化學(xué)腐蝕；（4）

水清洗；（5）干燥。

139.【問(wèn)答題】集成電路封裝有哪些作用？

【答案】（1）機(jī)械支撐和機(jī)械保護(hù)作用。

（2）傳輸信號(hào)和分配電源的作用。

（3）熱耗散的作用。

（4）環(huán)境保護(hù)的作用。

140.【問(wèn)答題】對(duì)于大尺寸的MOS管版圖設(shè)計(jì)，適合采用什么樣的版

圖結(jié)構(gòu)？簡(jiǎn)述原因。

【答案】（1）S管的版圖一般采用并聯(lián)晶體管結(jié)構(gòu)。

采用并聯(lián)晶體管結(jié)構(gòu)后，可共用源區(qū)和漏區(qū)，使得在同樣寬長(zhǎng)比的情

況下，漏區(qū)和源區(qū)的面積被減小，并因此使得器件源極和漏極的PN

結(jié)電容被減小，對(duì)提高電路的動(dòng)態(tài)性能很有好處。

（2）寸器件在版圖設(shè)計(jì)時(shí)還采用折疊的方式減小一維方向上的尺寸。

因?yàn)槠骷某叽绱?，即叉指的個(gè)數(shù)較多，如果采用簡(jiǎn)單并列的方式，

將由于叉指到信號(hào)引入點(diǎn)的距離不同引起信號(hào)強(qiáng)度的差異。同時(shí)，由

于在一維方向上的工藝離散性，也將導(dǎo)致最左端的叉指和最右端的叉

指所對(duì)應(yīng)的并聯(lián)器件在參數(shù)和結(jié)構(gòu)上產(chǎn)生失配。

141.【問(wèn)答題】集成電容主要有哪幾種結(jié)構(gòu)？

【答案】①金屬-絕緣體-金屬(MIM)結(jié)構(gòu)；

②多晶硅/金屬-絕緣體-多晶硅結(jié)構(gòu)；

③金屬叉指結(jié)構(gòu)；

④PN結(jié)電容；

⑤MOS電容。

142.【單項(xiàng)選擇題】腐蝕二氧化硅的水溶液一般是用()

A、鹽酸

B、硫酸

C、硝酸

D、氫氟酸

【答案】D

143.【問(wèn)答題】為什么說(shuō)潔凈技術(shù)是半導(dǎo)體芯片制造過(guò)程中的一項(xiàng)重

要技術(shù)？

【答案】半導(dǎo)體芯片制造，尤其是隨著高度集成復(fù)雜電路和微波器件

的發(fā)展，要求獲得細(xì)線條、高精度、大面積的圖形，各種形式的污染

都將嚴(yán)重影響半導(dǎo)體芯片成品率和可靠性。生產(chǎn)中的污染，除了由于

化學(xué)試劑不純、氣體純化不良、去離子質(zhì)量不佳引入之外，環(huán)境中的

塵埃、雜質(zhì)及有害氣體、工作人員、設(shè)備、工具、日用雜品等引入的

塵埃、毛發(fā)、皮屑、油脂、手汗、煙霧等都是重要污染來(lái)源。例如,

PN結(jié)表面污染上塵埃、皮屑、油脂等將引起反向漏電或表面溝道，手

汗引起的Na離子沾污會(huì)使MOS器件閾值電壓飄移，甚至導(dǎo)致晶體管

電流放大系數(shù)不穩(wěn)定，空氣中塵埃的沾污將引起器件性能下降，以致

失效；光刻涂膠后塵埃的沾污將使二氧化硅層形成針孔或小島；大顆

粒塵埃附著在光刻膠表面，會(huì)使掩膜版與芯片間距不一致，使光刻圖

形模糊；高溫?cái)U(kuò)散過(guò)程中，附著在硅片上的塵埃將引起局部摻雜和快

速擴(kuò)散，使結(jié)特性變壞。所以潔凈技術(shù)是半導(dǎo)體芯片制造過(guò)程中的一

項(xiàng)重要技術(shù)。

144.【填空題】半導(dǎo)體中的離子注入摻雜是把摻雜劑O加速到的需

要的O,直接注入到半導(dǎo)體晶片中，并經(jīng)適當(dāng)溫度的O。

【答案】離子；能量；退火處理

145.【單項(xiàng)選擇題】介質(zhì)隔離是以絕緣性能良好的電介質(zhì)作為〃隔離

墻〃來(lái)實(shí)現(xiàn)電路中各元器件間彼此電絕緣的一種隔離方法。常用的電

介質(zhì)是（）層。

A.多晶硅

B.氮化硅

C.二氧化硅

【答案】C

146.【填空題】工藝人員完成工藝操作后要認(rèn)真、及時(shí)填寫(xiě)工藝記錄，

做到記錄內(nèi)容詳細(xì)、（）、（）、書(shū)寫(xiě)工整、（）。

【答案】真實(shí)；完整；數(shù)據(jù)準(zhǔn)確

147?【問(wèn)答題】什么叫光刻？光刻工藝質(zhì)量的基本要求是什么？

【答案】光刻是一種圖形復(fù)印和化學(xué)腐蝕相結(jié)合的精密表面加工技術(shù)。

對(duì)光刻工藝質(zhì)量的基本要求是：刻蝕的圖形完整、尺寸準(zhǔn)確、邊緣整

齊、線條陡直；圖片內(nèi)無(wú)小島、不染色、腐蝕干凈；圖形套合十分準(zhǔn)

確；介質(zhì)膜或金屬膜上無(wú)針孔；硅片表面清潔、不發(fā)花、無(wú)殘留的被

腐蝕物質(zhì)。

148.【填空題】在一個(gè)晶圓上分布著許多塊集成電路，在封裝時(shí)將各

塊集成電路切開(kāi)時(shí)的切口叫O。

【答案】劃片槽

149.【填空題】拋光片的質(zhì)量檢測(cè)項(xiàng)目包括：幾何參數(shù)，直徑、O、

主參考面、副參考面、平整度、彎曲度等；O,電阻率，載流子濃度，

遷移率等；晶體質(zhì)量，晶向，位錯(cuò)密度。

【答案】厚度；電學(xué)參數(shù)

150.1多項(xiàng)選擇題】下列材料屬于N型半導(dǎo)體是（）。

A.硅中摻有元素雜質(zhì)磷（P）、碑（As）

B.硅中摻有元素雜質(zhì)硼

B.、鋁（A1）

C.碑化錢(qián)摻有元素雜質(zhì)硅（Si）、牖（TE）

D.碑化錢(qián)中摻元素雜質(zhì)鋅、鎘、鎂

【答案】A,C

151.【填空題】全定制、半定制版圖設(shè)計(jì)中用到的單元庫(kù)包含O、

（）、（）和（）。

【答案】符號(hào)圖；抽象圖；線路圖；版圖

152.【單項(xiàng)選擇題】二氧化硅在擴(kuò)散時(shí)能對(duì)雜質(zhì)起掩蔽作用進(jìn)行()

擴(kuò)散。

A.預(yù)

B.再

C.選擇

【答案】C

153.【單項(xiàng)選擇題】離子注入層的深度主要取決于離子注入的()。

A.能量

B.劑量

【答案】A

154.【單項(xiàng)選擇題】恒定表面源擴(kuò)散的雜質(zhì)分布在數(shù)學(xué)上稱(chēng)為什么分

布？O

A、高斯函數(shù)

B、余誤差函數(shù)

C、指數(shù)函數(shù)

D、線性函數(shù)

【答案】B

155.【問(wèn)答題】簡(jiǎn)述你所在工藝的工藝質(zhì)量要求？你如何檢查你的工

藝質(zhì)量？

【答案】外延要求：

1.集電極擊穿電壓要求

2.集電極串聯(lián)電阻要小.

3.高頻大功率小型化.刻蝕要求：

1.圖形轉(zhuǎn)換的保真度高

2.選擇比高.

3.刻蝕速率高.

4.刻蝕剖面.

5.刻蝕偏差.

6.刻蝕因子大.

7.均勻性.

156.【問(wèn)答題】有哪幾種常用的化學(xué)氣相淀積薄膜的方法？

【答案】常壓化學(xué)氣相淀積（APCVD.,低壓化學(xué)氣相淀積（LPCVD.,

等離子體輔助CVDO

157.【填空題】雜質(zhì)原子在半導(dǎo)體中的擴(kuò)散機(jī)理比較復(fù)雜，但主要可

分為（）擴(kuò)散和（）擴(kuò)散兩種。

【答案】替位；間隙

158.【單項(xiàng)選擇題】反應(yīng)離子腐蝕是（）。

A.化學(xué)刻蝕機(jī)理

B.物理刻蝕機(jī)理

C.物理的濺射刻蝕和化學(xué)的反應(yīng)刻蝕相結(jié)合

【答案】C

159.【填空題】外殼設(shè)計(jì)包括電性能設(shè)計(jì)、熱性能設(shè)計(jì)和結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)三

部分，而（）設(shè)計(jì)也包含在這三部分中間。

【答案】可靠性

160.【單項(xiàng)選擇題】在突緣電阻焊工藝中，要獲得良好的焊接質(zhì)量,

必須確定的基本規(guī)范包括()

A.焊接電流、焊接電壓和電極壓力

B.焊接電流、焊接時(shí)間和電極壓力

C.焊接電流、焊接電壓和焊接時(shí)間

【答案】B

161.【填空題】離子注入雜質(zhì)濃度分布中最重要的二個(gè)射程參數(shù)是O

和()。

【答案】平均投影射程；平均投影標(biāo)準(zhǔn)差

162.【判斷題】沒(méi)有經(jīng)濟(jì)收入或交納黨費(fèi)有困難的黨員，由本人提出

申請(qǐng)，經(jīng)黨支部委員會(huì)同意，可以少交或免交。

【答案】對(duì)

163.【單項(xiàng)選擇題】濺射法是由()轟擊靶材表面，使靶原子從靶表

面飛濺出來(lái)淀積在襯底上形成薄膜。

A.電子

B.中性粒子

C.帶能離子

【答案】C

164.【問(wèn)答題】簡(jiǎn)述光刻工藝原理及在芯片制造中的重要性？

【答案】

1.光刻是通過(guò)一系列生產(chǎn)步驟將晶圓表面薄膜的特定部分除去并得

到所需圖形的工藝。

2.光刻的重要性是在二氧化硅或金屬薄膜上面刻蝕出與掩膜版完全

對(duì)應(yīng)的幾何圖形，從而實(shí)現(xiàn)選擇性擴(kuò)散和金屬薄膜布線的目的，它是

晶圓加工過(guò)程的中心，為后面的刻蝕和離子注入做準(zhǔn)備。決定了芯片

的性能，成品率，可靠性。

165.【單項(xiàng)選擇題】禁帶寬度的大小決定著電子從價(jià)帶跳到導(dǎo)帶的難

易，一般半導(dǎo)體材料的禁帶寬度越寬，所制作的半導(dǎo)體器件中的載流

子O外界因素(如高溫和輻射等)的干擾而產(chǎn)生變化。

A.越不容易受

B.越容易受

C.基本不受

【答案】A

166.【填空題】釬焊密封工藝主要工藝條件有釬焊氣氛控制、溫度控

制和密封腔體內(nèi)()控制。

【答案】濕度

167.【問(wèn)答題】簡(jiǎn)述光刻工藝原理及在芯片制造中的重要性？

【答案】

1.光刻是通過(guò)一系列生產(chǎn)步驟將晶圓外表薄膜的特定局部除

1.光刻是通過(guò)一系列生產(chǎn)步驟將晶圓外表薄膜的特定局部除去并得

到所需圖形的工藝.

2.光刻的重要性是在二氧化硅或金屬薄膜上面刻蝕出與掩膜版完全

對(duì)應(yīng)的幾何圖形,從而實(shí)現(xiàn)選擇性擴(kuò)散和金屬薄膜布線的目的，它是

晶圓加工過(guò)程的中央,為后面的刻蝕和離子注入做準(zhǔn)備.決定了芯片

的性能,成品率,可靠性.

168.【填空題】題鋁絲與鋁金屬化層之間用加熱、加壓的方法不能獲

得牢固的焊接,甚至根本無(wú)法實(shí)現(xiàn)焊接的原因是鋁的外表在空氣中極

易生成一層0，它們阻擋了鋁原子之間的緊密接觸，達(dá)不到原子之間

引力范圍的間距.

【答案】氧化物

169.【單項(xiàng)選擇題】金屬封裝主要用于混合集成電路封裝，外殼零件

一般有底盤(pán)、管帽、引線和玻璃絕緣子組成.底盤(pán)、管帽和引線的材

料常常是0.

A.合金A-42

B.4J29可伐

C.4J34可伐

170.【填空題】題釬焊密封工藝主要工藝條件有釬焊氣氛限制、溫度

限制和密封腔體內(nèi)0控制.

【答案】濕度

171.【單項(xiàng)選擇題】雙極晶體管的lc7r噪聲與0有關(guān).

A.基區(qū)寬度

B.外延層厚度

C.外表界面狀態(tài)

【答案】C

172.【問(wèn)答題】什么叫晶體缺陷？

【答案】晶體機(jī)構(gòu)中質(zhì)點(diǎn)排列的某種不規(guī)那么性或不完善性.又稱(chēng)晶

格缺

173.【填空題】題離子注入雜質(zhì)濃度分布中最重要的二個(gè)射程參數(shù)是

()和。.

【答案】平均投影射程；平均投影標(biāo)準(zhǔn)差

174.【填空題】題禁帶寬度的大小決定著0的難易，一般半導(dǎo)體材

料的禁帶寬度越寬，所制作的半導(dǎo)體器件中的載流子就越不易受到外

界因素,如高溫和輻射等的干擾而產(chǎn)生變化.

【答案】電子從價(jià)帶跳到導(dǎo)帶

175.【單項(xiàng)選擇題】變?nèi)荻O管的電容量隨0變化.

A.正偏電流

B.反偏電壓C結(jié)溫

【答案】B

176.【填空題】題半導(dǎo)體集成電路生產(chǎn)中，元件之間隔離有000

隔離等三種基本方法.

【答案】Pn結(jié)介質(zhì)；Pn結(jié)隔離；Pn結(jié)介質(zhì)混合【答案】Pn結(jié)介質(zhì)；

Pn結(jié)隔離；Pn結(jié)介質(zhì)混合

177.【問(wèn)答題】潔凈區(qū)工作人員應(yīng)注意些什么？

【答案】保持部件與工具潔凈，保持個(gè)人清潔衛(wèi)生.不能把潔凈服提來(lái)

【答案】保持部件與工具潔凈，保持個(gè)人清潔衛(wèi)生.不能把潔凈服提來(lái)

提去,人員不能觸摸或翻動(dòng)潔凈服.禁止吃喝,禁止用手表,首飾,指甲

油，吸煙,化妝,工作只能在潔凈面上進(jìn)行.

178.【單項(xiàng)選擇題】塑封中注塑成型工藝主要工藝參數(shù)有()、模具

溫度、合模壓力、注射壓力、注射速度和成型時(shí)間.

A.準(zhǔn)備工具

B.準(zhǔn)備模塑料

C.模塑料預(yù)熱

【答案】C

179.【問(wèn)答題】簡(jiǎn)述在芯片制造中對(duì)金屬電極材料有什么要求?

【答案】

1能很好的阻擋材料擴(kuò)散；

2高電導(dǎo)率，低

1能很好的阻擋材料擴(kuò)散；

2高電導(dǎo)率，低歐姆接觸電阻；

3在半導(dǎo)體和金屬之間有很好的附著水平；

4抗電遷水平強(qiáng)；

5在很薄和高溫下具有很好的穩(wěn)定性；

6抗侵蝕和抗氧化性好.

7具有高的導(dǎo)電率和純度.

8與下層存底（通常是二氧化硅或氮化硅）具有良好的粘附性.

9與半導(dǎo)體材料連接時(shí)接觸電阻低.

10能夠淀積出均勻而且沒(méi)有空洞的薄膜，易于填充通孔.

11易于光刻和刻蝕，容易制備出精細(xì)圖形.

12很好的耐腐蝕性.

13在處理和應(yīng)用過(guò)程中具有長(zhǎng)期的穩(wěn)定性.

180.【單項(xiàng)選擇題】在低溫玻璃密封工藝中，常用的運(yùn)載劑由2%（質(zhì)

量比〕的硝化纖維素溶解于98%（質(zhì)量比）的醋酸異戊酯或松油醇中

制得，再將20%的運(yùn)載劑與0的玻璃料均勻混合，配成印刷漿料.

A.80婷90%

B.10%"20%

C.40%-50%

【答案】A

181?【判斷題】沒(méi)有經(jīng)濟(jì)收入或交納黨費(fèi)有困難的黨員，由本人提出

申請(qǐng),經(jīng)黨支部委員會(huì)同意,可以少交或免交.

【答案】對(duì)

182.【單項(xiàng)選擇題】濺射法是由0轟擊靶材外表，使靶原子從靶外

表飛濺出來(lái)淀積在襯底上形成薄膜.

A.電子

B.中性粒子

C.帶能離子

【答案】C

183.【填空題】題延生長(zhǎng)方法比擬多，其中主要的有0外延、0外

延、金屬有機(jī)化學(xué)氣相外延、（）外延、原子束外延、固相外延等.

【答案】化學(xué)氣相；液相；分子束

184.【單項(xiàng)選擇題】恒定外表源擴(kuò)散的雜質(zhì)分布在數(shù)學(xué)上稱(chēng)為0分

布.

A.高斯

B.余誤差

C指數(shù)

【答案】B

185.【單項(xiàng)選擇題】超聲熱壓焊的主要應(yīng)用對(duì)象是超小型鍍金外殼與

鍍金管帽的焊接,焊接處依靠（）封接，因而外殼零件的平整度和鍍金

層厚度是實(shí)現(xiàn)可靠性封接的關(guān)鍵因素.

A.管帽變形

B.鍍金層的變形

C.底座變形

【答案】B

186.【填空題】題最常用的金屬膜制備方法有0加熱蒸發(fā)、0蒸

發(fā)、（）.

【答案】電阻；電子束；濺射

187.【單項(xiàng)選擇題】金屬封裝主要采用金屬和玻璃密封工藝，金屬作

封裝底盤(pán)、管帽和引線，（）做絕緣和密封.

A.塑料

B.玻璃

C金屬

【答案】B

188.【單項(xiàng)選擇題】pn結(jié)的擊穿電壓和反向漏電流既是晶體管的重要

直流參數(shù)，也是評(píng)價(jià)0的重要標(biāo)志.

A.擴(kuò)散層質(zhì)量

B.設(shè)計(jì)

C.光刻

【答案】A

189.【填空題】題硅片減薄腐蝕液為氫氟酸和硝酸系腐蝕液.碎化錢(qián)

片用（）系、氫氧化氨系蝕腐蝕液.

【答案】硫酸

190.【單項(xiàng)選擇題】常用膠粘劑有熱固性樹(shù)脂、熱塑性樹(shù)脂和橡膠型

膠粘劑3大類(lèi).半導(dǎo)體器件的粘封工藝一般選用0.

A.熱塑性樹(shù)脂

B.熱固性或橡膠型膠粘劑

【答案】B

191.【單項(xiàng)選擇題】雙極晶體管的高頻參數(shù)是0.

A.hFEVces

B.BVce

C.ftfm

【答案】C

192.【填空題】題二氧化硅的制備方法很多，其中最常用的是高溫（）、

（）淀積、PECVD淀積.

【答案】氧化；氣相

193.【填空題】題釬焊包括合金燒結(jié)、共晶焊；聚合物焊又可分為（）、

0等.

【答案】導(dǎo)電膠粘接；銀漿燒結(jié)

194.【填空題】題如果熱壓楔形鍵合小于引線直徑1.5倍或大于3.0

倍，其長(zhǎng)度小于1.5倍或大于6.0倍，判引線鍵合0.

【答案】不合格

195?【問(wèn)答題】粘封工藝中，常用的材料有哪幾類(lèi)？

【答案】常用膠粘劑有熱固性樹(shù)脂、熱塑性樹(shù)脂和橡膠型膠粘劑3大

類(lèi)

196.【填空題】題厚膜混合集成電路的基片種類(lèi)很多，目前常用的有：

氧化鋁陶瓷，（），氮化鋁（A1N）陶瓷.

【答案】氧化鍍陶瓷

197.【填空題】題芯片焊接質(zhì)量通常進(jìn)行鏡檢和0兩項(xiàng)試驗(yàn).

【答案】剪切強(qiáng)度

198.【問(wèn)答題】引線焊接有哪些質(zhì)量要求？

【答案】可靠性好，易保持一定形狀，化學(xué)穩(wěn)定性好.盡量少形成金屬

間化合物,鍵合引線和焊盤(pán)金屬間形成低電阻歐姆接觸.平整度傾斜

度,平行度焊接時(shí)間焊接界面的清潤(rùn).

199.【填空題】題雜質(zhì)原子在半導(dǎo)體中的擴(kuò)散機(jī)理比擬復(fù)雜，但主要

可分為0擴(kuò)散和0擴(kuò)散兩種.

【答案】替位；間隙

200.【單項(xiàng)選擇題】厚膜元件燒結(jié)時(shí)，漿料中的固體顆粒由接觸到結(jié)

合、自由外表的收縮、空隙的排除、晶體缺陷的消除等都會(huì)使系統(tǒng)的

自由能（），從而使系統(tǒng)轉(zhuǎn)變?yōu)闊崃W(xué)中更穩(wěn)定的狀態(tài).

A.降低

B.升高

C.保持不變

【答案】A

201.【單項(xiàng)選擇題】禁帶寬度的大小決定著電子從價(jià)帶跳到導(dǎo)帶的難

易，一般半導(dǎo)體材料的禁帶寬度越寬，所制作的半導(dǎo)體器件中的載流

子0外界因素（如高溫和輻射等）的干擾而產(chǎn)生變化.

A.越不容易受

B.越容易受

C.根本不受

【答案】A

202.【填空題】題氣中的一個(gè)小塵埃將影響整個(gè)芯片的（）性、（）

率,并影響其電學(xué)性能和（）性，所以半導(dǎo)體芯片制造工藝需在超凈廠

房?jī)?nèi)進(jìn)行.

【答案】完整；成品；可靠性

203.【問(wèn)答題】簡(jiǎn)述你所在工藝的工藝質(zhì)量要求？你如何檢查你的工

藝質(zhì)量？

【答案】外延要求：

L集電極擊穿電壓要求

2.集電解析：外延要求：

1.集電極擊穿電壓要求

2.集電極串聯(lián)電阻要小.

3.高頻大功率小型化.刻蝕要求：

1.圖形轉(zhuǎn)換的保真度高

2.選擇比高.

3.刻蝕速率高.

4.刻蝕剖面.

5.刻蝕偏差.

6.刻蝕因子大.

7.均勻性.

204.【填空題】題外殼設(shè)計(jì)包括電性能設(shè)計(jì)、熱性能設(shè)計(jì)和結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)

三局部，而0設(shè)計(jì)也包含在這三局部中間.

【答案】可靠性

205.【單項(xiàng)選擇題】器件的橫向尺寸限制幾乎全由0來(lái)實(shí)現(xiàn).

A.掩膜版

B擴(kuò)散

C.光刻

【答案】C

206.【填空題】題外延層的遷移率低的因素有原材料純度0；反響

室漏氣；外延層的晶體（）；系統(tǒng)沾污等；載氣純度不夠；外延層晶體

缺陷多；生長(zhǎng)工藝條件不適宜.

【答案】不夠；質(zhì)量差

207.【填空題】題熱分解化學(xué)氣相淀積二氧化硅是利用0化合物,

經(jīng)過(guò)熱分解反響,在基片外表淀積二氧化硅.

【答案】含有硅的化合物

208.【問(wèn)答題】單晶片切割的質(zhì)量要求有哪些？

【答案】晶向偏離度總厚度誤差,平衡度，翹曲度等

209.【單項(xiàng)選擇題】平行縫焊的工藝參數(shù)有焊接電流、焊接速度、焊

輪壓力和焊輪椎頂角.焊輪壓力影響蓋板和焊環(huán)之間高阻點(diǎn)的（）.壓

力太大，電阻值下降,對(duì)形成焊點(diǎn)不利，焊輪壓力太小，那么造成接觸

不良,不但形不成良好點(diǎn).

A.電流值

B.電阻值

C.電壓值

【答案】B

210.【單項(xiàng)選擇題】反響離子腐蝕是0.

A.化學(xué)刻蝕機(jī)理

B.物理刻蝕機(jī)理

C.物理的濺射刻蝕和化學(xué)的反響刻蝕相結(jié)合

【答案】C

2n.【單項(xiàng)選擇題】在突緣電阻焊工藝中，要獲得良好的焊接質(zhì)量,必

須確定的根本標(biāo)準(zhǔn)包括0A.焊接電流、焊接電壓和電極壓力

B.焊接電流、焊接時(shí)間和電極壓力

C.焊接電流、焊接電壓和焊接時(shí)間

【答案】B

212.【填空題】題金絲球1

【答案】A

213.【單項(xiàng)選擇題】半導(dǎo)體分立器件、集成電路對(duì)外殼的主要要求之

一是：良好的熱性能.外殼應(yīng)有小的0，使芯片的熱量有效地散逸出

去，保證器件在正常結(jié)溫下工作.A熱阻

B.阻抗

C.結(jié)構(gòu)參數(shù)

【答案】A

214.【單項(xiàng)選擇題】說(shuō)明構(gòu)成每個(gè)單元所需的基本門(mén)和基本單元的集

成電路設(shè)計(jì)過(guò)程叫O：

A、邏輯設(shè)計(jì)

B、物理設(shè)計(jì)

C、電路設(shè)計(jì)

D、系統(tǒng)設(shè)計(jì)

【答案】A

215.【填空題】對(duì)標(biāo)準(zhǔn)單元設(shè)計(jì)EDA系統(tǒng)而言，標(biāo)準(zhǔn)單元庫(kù)應(yīng)包含以

下內(nèi)容:()、和()、()、()0

【答案】邏輯單元符號(hào)庫(kù)；功能單元庫(kù)；拓?fù)鋯卧獛?kù)；版圖單元庫(kù)

216.【單項(xiàng)選擇題】將預(yù)先制好的掩膜直接和涂有光致抗蝕劑的晶片

表面接觸，再用紫外光照射來(lái)進(jìn)行曝光的方法，稱(chēng)為()曝光。

A.接觸

B.接近式

C.投影

【答案】A

217.【單項(xiàng)選擇題】從離子源引出的是：（）

A、原子束

B、分子束

C、中子束

D、離子束

【答案】D

218.【單項(xiàng)選擇題】在溫度相同的情況下，制備相同厚度的氧化層,

分別用干氧，濕氧和水汽氧化，哪個(gè)需要的時(shí)間最長(zhǎng)？（）

A、干氧

B、濕氧

C、水汽氧化

D、不能確定哪個(gè)使用的時(shí)間長(zhǎng)

【答案】A

219.【單項(xiàng)選擇題】位錯(cuò)的形成原因是O。

A.位錯(cuò)就是由彈性形變?cè)斐傻?/p>

B.位錯(cuò)就是由重力造成的

C.位錯(cuò)就是由范性形變?cè)斐傻?/p>

D.以上答案都不對(duì)

【答案】C

220.【填空題】在擴(kuò)散之前在硅表面先沉積一層雜質(zhì)，在整個(gè)過(guò)程中

這層雜質(zhì)作為擴(kuò)散的雜質(zhì)源，不再有新的雜質(zhì)補(bǔ)充，這種擴(kuò)散方式稱(chēng)

為：（）

【答案】恒定表面源擴(kuò)散

221.【填空題】外延生長(zhǎng)方法比較多，其中主要的有（）外延、（）外

延、金屬有機(jī)化學(xué)氣相外延、分子束外延、O、固相外延等。

【答案】化學(xué)氣相；液相；原子束外延

222.【填空題】用肉眼或顯微鏡可觀察二氧化硅的以下質(zhì)量:顏色O、

結(jié)構(gòu)（）；表面無(wú)（）、無(wú)（）、不發(fā)花；表面無(wú)裂紋、（）。

【答案】是否均勻；是否致密；斑點(diǎn)；白霧；無(wú)針孔

223.【單項(xiàng)選擇題】單相3線插座接線有嚴(yán)格規(guī)定（）

A.〃左零〃〃右火〃

B.〃左火〃〃右零〃

【答案】A

224.【問(wèn)答題】襯底清洗過(guò)程包括哪幾個(gè)步驟？

【答案】（1）擦洗表面的大塊污物；（2）浸泡；（3）化學(xué)腐蝕；（4）

水清洗；（5）干燥。

225.【單項(xiàng)選擇題】恒定表面源擴(kuò)散的雜質(zhì)分布在數(shù)學(xué)上稱(chēng)為什么分

布？O

A、高斯函數(shù)

B、余誤差函數(shù)

C、指數(shù)函數(shù)

D、線性函數(shù)

【答案】B

226.【填空題】工藝人員完成工藝操作后要認(rèn)真、及時(shí)填寫(xiě)工藝記錄，

做到記錄內(nèi)容詳細(xì)、（）、（）、書(shū)寫(xiě)工整、（）。

【答案】真實(shí)；完整；數(shù)據(jù)準(zhǔn)確

227.【單項(xiàng)選擇題】離子注入層的深度主要取決于離子注入的（）。

A.能量

B.劑量

【答案】A

228.【填空題】白光照射二氧化硅時(shí)，不同的厚度有不同的（）。

【答案】干涉色

229.【單項(xiàng)選擇題】從離子源引出的是：O

A、原子束

B、分子束

C、中子束

D、離子束

【答案】D

230.【單項(xiàng)選擇題】人們規(guī)定：O電壓為安全電壓.

A.36伏以下

B.50伏以下

C.24伏以下

【答案】A

231?【問(wèn)答題】為什么說(shuō)潔凈技術(shù)是半導(dǎo)體芯片制造過(guò)程中的一項(xiàng)重

要技術(shù)？

【答案】半導(dǎo)體芯片制造，尤其是隨著高度集成復(fù)雜電路和微波器件

的發(fā)展，要求獲得細(xì)線條、高精度、大面積的圖形，各種形式的污染

都將嚴(yán)重影響半導(dǎo)體芯片成品率和可靠性。生產(chǎn)中的污染，除了由于

化學(xué)試劑不純、氣體純化不良、去離子質(zhì)量不佳引入之外，環(huán)境中的

塵埃、雜質(zhì)及有害氣體、工作人員、設(shè)備、工具、日用雜品等引入的

塵埃、毛發(fā)、皮屑、油脂、手汗、煙霧等都是重要污染來(lái)源。例如,

PN結(jié)表面污染上塵埃、皮屑、油脂等將引起反向漏電或表面溝道，手

汗引起的Na離子沾污會(huì)使MOS器件閾值電壓飄移，甚至導(dǎo)致晶體管

電流放大系數(shù)不穩(wěn)定，空氣中塵埃的沾污將引起器件性能下降，以致

失效；光刻涂膠后塵埃的沾污將使二氧化硅層形成針孔或小島；大顆

粒塵埃附著在光刻膠表面，會(huì)使掩膜版與芯片間距不一致，使光刻圖

形模糊；高溫?cái)U(kuò)散過(guò)程中，附著在硅片上的塵埃將引起局部摻雜和快

速擴(kuò)散，使結(jié)特性變壞。所以潔凈技術(shù)是半導(dǎo)體芯片制造過(guò)程中的一

項(xiàng)重要技術(shù)。

232.【單項(xiàng)選擇題】二氧化硅在擴(kuò)散時(shí)能對(duì)雜質(zhì)起掩蔽作用進(jìn)行()

擴(kuò)散。

A.預(yù)

B.再

C.選擇

【答案】C

233.【填空題】拋光片的質(zhì)量檢測(cè)項(xiàng)目包括：幾何參數(shù)，直徑、()、

主參考面、副參考面、平整度、彎曲度等；O,電阻率，載流子濃度，

遷移率等；晶體質(zhì)量，晶向，位錯(cuò)密度。

【答案】厚度；電學(xué)參數(shù)

234.【填空題】半導(dǎo)體材料的主要晶體結(jié)構(gòu)有()型、閃鋅礦型、()

型。

【答案】金剛石；纖鋅礦

235.【單項(xiàng)選擇題】光刻工藝是利用感光膠感光后抗腐蝕的特性在半

導(dǎo)體晶片表面的掩膜層上的工藝()

A.刻制圖形

B.繪制圖形

C.制作圖形

【答案】A

236.【單項(xiàng)選擇題】將預(yù)先制好的掩膜直接和涂有光致抗蝕劑的晶片

表面接觸，再用紫外光照射來(lái)進(jìn)行曝光的方法，稱(chēng)為()曝光。

A.接觸

B.接近式

C.投影

【答案】A

237.【填空題】對(duì)標(biāo)準(zhǔn)單元設(shè)計(jì)EDA系統(tǒng)而言，標(biāo)準(zhǔn)單元庫(kù)應(yīng)包含以

下內(nèi)容:()、和()、()、()。

【答案】邏輯單元符號(hào)庫(kù)；功能單元庫(kù)；拓?fù)鋯卧獛?kù)；版圖單元庫(kù)

238?【問(wèn)答題】集成電容主要有哪幾種結(jié)構(gòu)？

【答案】①金屬-絕緣體-金屬(MIM)結(jié)構(gòu)；

②多晶硅/金屬-絕緣體-多晶硅結(jié)構(gòu)；

③金屬叉指結(jié)構(gòu)；

④PN結(jié)電容；

⑤MOS電容。

239.【填空題】全定制、半定制版圖設(shè)計(jì)中用到的單元庫(kù)包含O、

（）、（）和（）。

【答案】符號(hào)圖；抽象圖；線路圖；版圖

240.【填空題】半導(dǎo)體材料有兩種載流子參加導(dǎo)電，具有兩種導(dǎo)電類(lèi)

型。

一種是O,另一種是（）。

【答案】電子；空穴

241.【填空題】離子注入是借其（）強(qiáng)行進(jìn)入靶材料中的一個(gè)（）物

理過(guò)程。

【答案】動(dòng)能；非平衡

242.【單項(xiàng)選擇題】下列晶體管結(jié)構(gòu)中，在晶體管輸出電流很大時(shí)常

使用的是：O

A、單基極條圖形

B、雙基極條圖形

C、基極和集電極引線孔都是馬蹄形結(jié)構(gòu)

D、梳狀結(jié)構(gòu)

【答案】D

243.【填空題】光刻工藝一般都要經(jīng)過(guò)涂膠、O、曝光、O、堅(jiān)膜、

腐蝕、（）等步驟。

【答案】前烘；顯影；去膠

244.【填空題】外延生長(zhǎng)方法比較多，其中主要的有（）外延、O外

延、金屬有機(jī)化學(xué)氣相外延、分子束外延、O、固相外延等。

【答案】化學(xué)氣相；液相；原子束外延

245.【問(wèn)答題】對(duì)于大尺寸的MOS管版圖設(shè)計(jì)，適合采用什么樣的版

圖結(jié)構(gòu)？簡(jiǎn)述原因。

【答案】（1）S管的版圖一般采用并聯(lián)晶體管結(jié)構(gòu)。

采用并聯(lián)晶體管結(jié)構(gòu)后，可共用源區(qū)和漏區(qū)，使得在同樣寬長(zhǎng)比的情

況下，漏區(qū)和源區(qū)的面積被減小，并因此使得器件源極和漏極的PN

結(jié)電容被減小，對(duì)提高電路的動(dòng)態(tài)性能很有好處。

（2）寸器件在版圖設(shè)計(jì)時(shí)還采用折疊的方式減小一維方向上的尺寸。

因?yàn)槠骷某叽绱?，即叉指的個(gè)數(shù)較多，如果采用簡(jiǎn)單并列的方式，

將由于叉指到信號(hào)引入點(diǎn)的距離不同引起信號(hào)強(qiáng)度的差異。同時(shí)，由

于在一維方向上的工藝離散性，也將導(dǎo)致最左端的叉指和最右端的叉

指所對(duì)應(yīng)的并聯(lián)器件在參數(shù)和結(jié)構(gòu)上產(chǎn)生失配。

246.【填空題】半導(dǎo)體中的離子注入摻雜是把摻雜劑O加速到的需

要的O,直接注入到半導(dǎo)體晶片中，并經(jīng)適當(dāng)溫度的O。

【答案】離子；能量；退火處理

247.【填空題】在半導(dǎo)體工藝中，硫酸常用于去除O和配制O等。

【答案】光刻膠；洗液

248.【填空題】用肉眼或顯微鏡可觀察二氧化硅的以下質(zhì)量:顏色O、

結(jié)構(gòu)（）；表面無(wú)（）、無(wú)（）、不發(fā)花；表面無(wú)裂紋、（）。

【答案】是否均勻；是否致密；斑點(diǎn)；白霧；無(wú)針孔

249.【問(wèn)答題】什么叫光刻？光刻工藝質(zhì)量的基本要求是什么？

【答案】光刻是一種圖形復(fù)印和化學(xué)腐蝕相結(jié)合的精密表面加工技術(shù)。

對(duì)光刻工藝質(zhì)量的基本要求是：刻蝕的圖形完整、尺寸準(zhǔn)確、邊緣整

齊、線條陡直；圖片內(nèi)無(wú)小島、不染色、腐蝕干凈；圖形套合十分準(zhǔn)

確；介質(zhì)膜或金屬膜上無(wú)針孔；硅片表面清潔、不發(fā)花、無(wú)殘留的被

腐蝕物質(zhì)。

250.【單項(xiàng)選擇題】說(shuō)明構(gòu)成每個(gè)單元所需的基本門(mén)和基本單元的集

成電路設(shè)計(jì)過(guò)程叫O：

A、邏輯設(shè)計(jì)

B、物理設(shè)計(jì)

C、電路設(shè)計(jì)

D、系統(tǒng)設(shè)計(jì)

【答案】A

251.【問(wèn)答題】集成電路封裝有哪些作用？

【答案】（1）機(jī)械支撐和機(jī)械保護(hù)作用。

（2）傳輸信號(hào)和分配電源的作用。

（3）熱耗散的作用。

（4）環(huán)境保護(hù)的作用。

252.【填空題】在擴(kuò)散之前在硅表面先沉積一層雜質(zhì)，在整個(gè)過(guò)程中

這層雜質(zhì)作為擴(kuò)散的雜質(zhì)源，不再有新的雜質(zhì)補(bǔ)充，這種擴(kuò)散方式稱(chēng)

為：（）

【答案】恒定表面源擴(kuò)散

253.【單項(xiàng)選擇題】腐蝕二氧化硅的水溶液一般是用O

A、鹽酸

B、硫酸

C、硝酸

D、氫氟酸

【答案】D

254.1多項(xiàng)選擇題】硅外延片的應(yīng)用包括（）。

A.二極管和三極管

B.電力電子器件

C.大規(guī)模集成電路

D.超大規(guī)模集成電路

【答案】A,B,C,D

255.【填空題】半導(dǎo)體材料可根據(jù)其性能、晶體結(jié)構(gòu)、結(jié)晶程度、化

學(xué)組成分類(lèi)。比較通用的則是根據(jù)其化學(xué)組成可分為元素（）、O