硬盤(pán)基礎(chǔ)知識(shí).ppt

1、硬盤(pán)基礎(chǔ)知識(shí),什么是硬盤(pán)？,硬盤(pán)（Hard Disk，也稱(chēng)硬盤(pán)存儲(chǔ)器）是各種數(shù)據(jù)的主要存放場(chǎng)所之一，平常所用的操作系統(tǒng)（如Windows98等）、各種應(yīng)用軟件、資料和游戲都存放在硬盤(pán)中，是計(jì)算機(jī)的重要部件之一。,硬盤(pán)的工作原理,硬盤(pán)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)是根據(jù)電、磁轉(zhuǎn)換的原理來(lái)實(shí)現(xiàn)的。硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器加電后，磁盤(pán)片由主軸電機(jī)驅(qū)動(dòng)進(jìn)行高速旋轉(zhuǎn)，設(shè)置在盤(pán)片表面的磁頭則在電路控制下徑向移動(dòng)到指定位置然后將數(shù)據(jù)存儲(chǔ)或讀出來(lái)。,當(dāng)系統(tǒng)向硬盤(pán)寫(xiě)入數(shù)據(jù)時(shí)，磁頭中寫(xiě)數(shù)據(jù)電流產(chǎn)生磁場(chǎng)使盤(pán)片表面磁性物質(zhì)狀態(tài)發(fā)生改變，并在寫(xiě)電流磁場(chǎng)消失后仍能保持，當(dāng)系統(tǒng)從硬盤(pán)中讀取數(shù)據(jù)時(shí)，磁頭經(jīng)過(guò)盤(pán)片指定區(qū)域，盤(pán)片表面磁場(chǎng)使磁頭產(chǎn)生感應(yīng)電流或線圈阻抗

2、產(chǎn)生變化，經(jīng)過(guò)相關(guān)電路處理后還原成數(shù)據(jù)。,硬盤(pán)的發(fā)展歷史,1956年，美國(guó)IBM公司制造出世界上第一塊容量為5MB的硬盤(pán)。 1968年，IBM公司又提出了溫徹斯特(Winchester)技術(shù)。溫徹斯特技術(shù)的精髓是：“密封、固定并高速旋轉(zhuǎn)的鍍磁盤(pán)片，磁頭沿盤(pán)片徑向移動(dòng)，并且是懸浮在高速轉(zhuǎn)動(dòng)的盤(pán)片上方，而不與盤(pán)片直接接觸”，這也是現(xiàn)代絕大多數(shù)硬盤(pán)的原型。 1973年，IBM公司制造出了第一臺(tái)采用溫徹斯特技術(shù)的硬盤(pán)，從此硬盤(pán)技術(shù)的發(fā)展有了正確的結(jié)構(gòu)基礎(chǔ)，現(xiàn)在使用的硬盤(pán)大多是此技術(shù)的延伸。,硬盤(pán)的結(jié)構(gòu),硬盤(pán)尺寸主要有5.25英寸和3.5英寸兩種，現(xiàn)在市場(chǎng)上普遍使用的是3.5英寸硬盤(pán)。用于筆記本電腦中的

3、有2.5英寸、1.8英寸和0.9英寸等幾種。 硬盤(pán)主要由：盤(pán)片，磁頭，盤(pán)片轉(zhuǎn)軸及控制電機(jī)，磁頭控制器，數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器，接口，緩存等幾個(gè)部分組成。,硬盤(pán)的主要部件,硬盤(pán)的外部結(jié)構(gòu),在硬盤(pán)的正面都貼有硬盤(pán)的標(biāo)簽，標(biāo)簽上一般都標(biāo)注著與硬盤(pán)相關(guān)的信息，例如產(chǎn)品型號(hào)、產(chǎn)地、出廠日期、產(chǎn)品序列號(hào)等。在硬盤(pán)的一端有電源接口插座、主從設(shè)置跳線器和數(shù)據(jù)線接口插座，而硬盤(pán)的背面則是控制電路板。 總得來(lái)說(shuō)，硬盤(pán)外部結(jié)構(gòu)可以分成如下幾個(gè)部份：,硬盤(pán)正面,硬盤(pán)背面,接口,包括電源插口和數(shù)據(jù)接口兩部分，其中電源插口與主機(jī)電源相聯(lián)，為硬盤(pán)工作提供電力保證；數(shù)據(jù)接口則是硬盤(pán)數(shù)據(jù)和主板控制器之間進(jìn)行傳輸交換的紐帶，根據(jù)聯(lián)接方式的差

4、異，分為EIDE接口和SCSI接口等。,固定面板,就是硬盤(pán)正面的面板，它與底板結(jié)合成一個(gè)密封的整體，保證了硬盤(pán)盤(pán)片和機(jī)構(gòu)的穩(wěn)定運(yùn)行。在面板上最顯眼的莫過(guò)于產(chǎn)品標(biāo)簽，上面印著產(chǎn)品型號(hào)、產(chǎn)品序列號(hào)、產(chǎn)品、生產(chǎn)日期等信息。 固定面板和盤(pán)體側(cè)面還設(shè)有安裝孔，以方便安裝。 除此，還有一個(gè)透氣孔，它的作用就是使硬盤(pán)內(nèi)部氣壓與大氣氣壓保持一致。,固定面板,控制電路板,一般在硬盤(pán)的背面，大多采用貼片式元件焊接，包括主軸調(diào)速電路、磁頭驅(qū)動(dòng)與伺服定位電路、讀寫(xiě)電路、控制與接口電路等。在電路板上還有一塊高效的單片機(jī)ROM芯片，其固化的軟件可以進(jìn)行硬盤(pán)的初始化，執(zhí)行加電和啟動(dòng)主軸電機(jī)，加電初始尋道、定位以及故障檢測(cè)等

5、。在電路板上還安裝有容量不等的高速緩存芯片。,控制電路板,硬盤(pán)的內(nèi)部結(jié)構(gòu),硬盤(pán)內(nèi)部結(jié)構(gòu)由固定面板、控制電路板、磁頭、盤(pán)片、主軸、電機(jī)、接口及其它附件組成，其中磁頭盤(pán)片組件(Hard Disk Assembly，HDA)是構(gòu)成硬盤(pán)的核心，它封裝在硬盤(pán)的凈化腔體內(nèi)，包括有浮動(dòng)磁頭組件、磁頭驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)、盤(pán)片、主軸驅(qū)動(dòng)裝置及前置讀寫(xiě)控制電路這幾個(gè)部份。,硬盤(pán)的內(nèi)部結(jié)構(gòu),將硬盤(pán)面板揭開(kāi)后，內(nèi)部結(jié)構(gòu)即可一目了然。,硬盤(pán)的內(nèi)部結(jié)構(gòu),細(xì)看硬盤(pán)內(nèi)部結(jié)構(gòu)。,硬盤(pán)的內(nèi)部結(jié)構(gòu),細(xì)看硬盤(pán)內(nèi)部結(jié)構(gòu)。,浮動(dòng)磁頭組件,是硬盤(pán)中最精密的部位之一，它由讀寫(xiě)磁頭、傳動(dòng)手臂、傳動(dòng)軸三部份組成。 磁頭是硬盤(pán)技術(shù)中最重要和關(guān)鍵的一環(huán)，實(shí)際

6、上是集成工藝制成的多個(gè)磁頭的組合，它采用了非接觸式頭、盤(pán)結(jié)構(gòu)，加后電在高速旋轉(zhuǎn)的磁盤(pán)表面移動(dòng)，與盤(pán)片之間的間隙只有0.10.3 m ，這樣可以獲得很好的數(shù)據(jù)傳輸率?，F(xiàn)在轉(zhuǎn)速為7200RPM的硬盤(pán)間隙一般都低于0.3 m，以利于讀取較大的高信噪比信號(hào)，提供數(shù)據(jù)傳輸率的可靠性。 分類(lèi),浮動(dòng)磁頭組件,磁頭驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu),盤(pán)硬的尋道是靠移動(dòng)磁頭，而移動(dòng)磁頭則需要該機(jī)構(gòu)驅(qū)動(dòng)才能實(shí)現(xiàn)。磁頭驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)由電磁線圈電機(jī)、磁頭驅(qū)動(dòng)小車(chē)、防震動(dòng)裝置構(gòu)成，高精度的輕型磁頭驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)能夠?qū)Υ蓬^進(jìn)行正確的驅(qū)動(dòng)和定位，并能在很短的時(shí)間內(nèi)精確定位系統(tǒng)指令指定的磁道。,磁盤(pán)片,盤(pán)片是硬盤(pán)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的載體，現(xiàn)在硬盤(pán)的盤(pán)片大多采用金屬薄膜材料

7、，這種金屬薄膜較軟盤(pán)的不連續(xù)顆粒載體具有更高的存儲(chǔ)密度、高剩磁及高矯正等優(yōu)點(diǎn)。另外，IBM還有一種被稱(chēng)為“玻璃盤(pán)片”的材料作為盤(pán)片基質(zhì)，玻璃盤(pán)片比普通盤(pán)片在運(yùn)行時(shí)具有更好的穩(wěn)定性。硬盤(pán)的盤(pán)片是完全平整的，簡(jiǎn)直可以當(dāng)鏡子使用。,磁盤(pán)片,磁盤(pán)片,磁盤(pán)片表面上以磁盤(pán)片中心為圓心，不同半徑的同心圓稱(chēng)為磁道。 不同磁盤(pán)片相同半徑的磁道所組成的圓柱稱(chēng)為柱面。 磁盤(pán)片被分成許多扇形的區(qū)域，每個(gè)區(qū)域叫一個(gè)扇區(qū)。,磁盤(pán)片,磁盤(pán)片,磁盤(pán)片的數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)按照磁道從低到高可以分為5部分：,磁盤(pán)片,MBR（Master Boot Record，主引導(dǎo)記錄），位于硬盤(pán)的0柱面、0磁頭、1扇區(qū)的位置，被稱(chēng)之為零磁道位置。它由分

8、區(qū)命令Fdisk產(chǎn)生的。MBR結(jié)束標(biāo)志為55AA。,磁盤(pán)片,DBR（DOS Boot Record，Dos引導(dǎo)記錄），該層位于硬盤(pán)的0柱面、1磁頭、1扇區(qū)的位置，它是由格式化命令Format產(chǎn)生的。DBR結(jié)束標(biāo)志也是55AA。,磁盤(pán)片,FAT（File Allocation Table，文件分配表），位于硬盤(pán)的0柱面、1磁頭、2扇區(qū)的位置，F(xiàn)AT表面大小由硬盤(pán)的容量來(lái)決定。,磁盤(pán)片,DIR（Directory，文件目錄），當(dāng)在DOS模式下輸入DIR后，屏幕上顯示的內(nèi)容就是該區(qū)的內(nèi)容。,磁盤(pán)片,DATA，數(shù)據(jù)層，主要負(fù)責(zé)硬盤(pán)中數(shù)據(jù)的存放，當(dāng)數(shù)據(jù)復(fù)制到硬盤(pán)時(shí)，數(shù)據(jù)就存儲(chǔ)在這個(gè)區(qū)中。 硬盤(pán)容量 =柱

9、面數(shù)*扇區(qū)數(shù)*磁頭數(shù)*字節(jié)數(shù)/扇區(qū),主軸組件,主軸組件包括主軸部件如軸承和驅(qū)動(dòng)電機(jī)（馬達(dá)）等。隨著硬盤(pán)容量的擴(kuò)大和速度的提高，主軸電機(jī)的速度也在不斷提升，有廠商開(kāi)始采用精密機(jī)械工業(yè)的液態(tài)軸承電機(jī)技術(shù)(FDB，F(xiàn)luid Dynamic Bearing motors)。采用FDB電機(jī)不僅可以使硬盤(pán)的工作噪音降低許多，而且還可以增加硬盤(pán)的工作穩(wěn)定性。,主軸組件,前置控制電路,前置電路控制磁頭感應(yīng)的信號(hào)、主軸電機(jī)調(diào)速、磁頭驅(qū)動(dòng)和伺服定位等，由于磁頭讀取的信號(hào)微弱，將放大電路密封在腔體內(nèi)可減少外來(lái)信號(hào)的干擾，提高操作指令的準(zhǔn)確性。,硬盤(pán)接口類(lèi)型,IDE 有兩種傳輸方式：PIO、DMA SCSI 兩者比

10、較,36,可編輯,硬盤(pán)的性能指標(biāo),硬盤(pán)也是計(jì)算機(jī)的重要部件，同樣對(duì)計(jì)算機(jī)的整體性能起著決定性的作用。我們就介紹一下硬盤(pán)主要的性能指標(biāo)。,主軸轉(zhuǎn)速,硬盤(pán)的主軸轉(zhuǎn)速是決定硬盤(pán)內(nèi)部數(shù)據(jù)傳輸率的決定因素之一，它在很大程度上決定了硬盤(pán)的速度，同時(shí)也是區(qū)別硬盤(pán)檔次的重要標(biāo)志。 從目前的情況來(lái)看，7200RPM的硬盤(pán)在國(guó)內(nèi)市場(chǎng)已經(jīng)逐步取代了5400RPM硬盤(pán)的地位，成為了主流，而更高轉(zhuǎn)速的硬盤(pán)，如SCSI硬盤(pán)的主軸轉(zhuǎn)速已經(jīng)達(dá)到10000RPM甚至15000RPM，但由于價(jià)格原因讓普通用戶(hù)難以接受。,主軸轉(zhuǎn)速,隨著硬盤(pán)轉(zhuǎn)速的提升，會(huì)使硬盤(pán)的發(fā)熱量不斷升高，若硬盤(pán)散發(fā)的熱量不能及時(shí)地傳導(dǎo)出去，硬盤(pán)就會(huì)升溫。為此

11、，可以在硬盤(pán)上安裝一個(gè)硬盤(pán)散熱風(fēng)扇，增強(qiáng)散熱效果。,單碟容量,因?yàn)闃?biāo)準(zhǔn)硬盤(pán)的碟片數(shù)是有限的，靠增加碟片來(lái)擴(kuò)充容量滿(mǎn)足不斷增長(zhǎng)的存儲(chǔ)容量的需求是不可行的。只有提高每張碟片的容量才能從根本上解決這個(gè)問(wèn)題。 單碟容量的一個(gè)重要意義在于提升硬盤(pán)的數(shù)據(jù)傳輸速度。硬盤(pán)單碟容量的提高得益于數(shù)據(jù)記錄密度的提高，而記錄密度同數(shù)據(jù)傳輸率是成正比的，單碟容量越高，它的數(shù)據(jù)傳輸率也將會(huì)越高。,高速緩存,指在硬盤(pán)內(nèi)部的高速存儲(chǔ)器，硬盤(pán)的數(shù)據(jù)被磁頭讀取后先存到硬盤(pán)上的緩存芯片中，再由接口傳送給系統(tǒng)，緩存的容量和速度都對(duì)硬盤(pán)速都有直接影響。 目前硬盤(pán)的高速緩存一般為512KB2MB，最近出現(xiàn)的8MB緩存硬盤(pán)。,最大內(nèi)部數(shù)據(jù)

12、傳輸率,也叫持續(xù)數(shù)據(jù)傳輸率(Sustained Transfer Rate)，單位為Mb/s。它是指磁頭至硬盤(pán)緩存間的最大數(shù)據(jù)傳輸率，一般取決于硬盤(pán)的盤(pán)片轉(zhuǎn)速和盤(pán)片線密度(指同一磁道上的數(shù)據(jù)容量)。 注意，在這項(xiàng)指標(biāo)中常常使用Mb/s或Mbps為單位，這是兆位/秒的意思，如果需要轉(zhuǎn)換成MB/s(兆字節(jié)/秒)，就必須將Mbps數(shù)據(jù)除以8(一字節(jié)8位數(shù))。,外部數(shù)據(jù)傳輸率,也稱(chēng)為突發(fā)數(shù)據(jù)傳輸率(Burst Data Transfer Rate) ，它是指從硬盤(pán)緩沖區(qū)讀取數(shù)據(jù)的速率，單位為MB/s。 目前有Ultra DMA/33、Ultra DMA/66和Ultra DMA/100三種，現(xiàn)在主流的

13、硬盤(pán)已經(jīng)全部采用Ultra DMA/100技術(shù)，外部數(shù)據(jù)傳輸率可達(dá)100MB/s。,尋道時(shí)間,是指硬盤(pán)磁頭移動(dòng)到數(shù)據(jù)所在磁道而所用的時(shí)間，單位為毫秒(ms)。尋道時(shí)間又分為平均尋道時(shí)間和道間步進(jìn)時(shí)間： 平均尋道時(shí)間則為磁頭移動(dòng)到正中間的磁道需要的時(shí)間，單位為毫秒(ms) ； 道間步進(jìn)時(shí)間表示磁頭從一個(gè)磁道轉(zhuǎn)移至另一磁道的時(shí)間，單位為毫秒(ms)。,潛伏期,表示當(dāng)磁頭移動(dòng)到數(shù)據(jù)所在的磁道后，等待所要的數(shù)據(jù)塊繼續(xù)轉(zhuǎn)動(dòng)（半圈或多些、少些）到磁頭下的時(shí)間，其單位為毫秒(ms)。 平均潛伏期就是盤(pán)片轉(zhuǎn)半圈的時(shí)間。,全程訪問(wèn)時(shí)間（平均訪問(wèn)時(shí)間）,指磁頭開(kāi)始移動(dòng)直到最后找到所需要的數(shù)據(jù)塊所用的全部時(shí)間，單位

14、為毫秒(ms)。 平均訪問(wèn)時(shí)間指磁頭找到指定數(shù)據(jù)的平均時(shí)間，單位為毫秒(ms) 。通常是平均尋道時(shí)間和平均潛伏時(shí)間之和。,連續(xù)無(wú)故障時(shí)間(MTBF),是指硬盤(pán)從開(kāi)始運(yùn)行到出現(xiàn)故障的最長(zhǎng)時(shí)間，單位是小時(shí)。一般硬盤(pán)的MTBF至少在30,000小時(shí)以上。,新型磁頭技術(shù),MR（Magneto一Resistive Head，磁阻磁頭）技術(shù)可以更高的實(shí)際記錄密度、記錄數(shù)據(jù)，從而增加硬盤(pán)容量，提高數(shù)據(jù)吞吐率。 GMR（Giant Magneto Resistive，巨型磁阻磁頭）是利用特殊材料的電阻值隨磁場(chǎng)變化的原理來(lái)讀取盤(pán)片上的數(shù)據(jù)，使用了磁阻效應(yīng)更好的材料和多層薄膜結(jié)構(gòu)，從而可以實(shí)現(xiàn)更高的存儲(chǔ)密度。,S

15、.M.A.R.T技術(shù),S.M.A.R.T(SelfMonitoring、AnalysisReporting Technology，自動(dòng)監(jiān)測(cè)、分析和報(bào)告)技術(shù)可有效保護(hù)硬盤(pán)，使得硬盤(pán)可以監(jiān)測(cè)和分析自己的工作狀態(tài)和性能，并將其顯示出來(lái)。,SPS防震技術(shù),SPS(Shock Protection System，震動(dòng)保護(hù)系統(tǒng)) 是由昆騰公司開(kāi)發(fā)，使硬盤(pán)在受到撞擊時(shí)，保持磁頭不受震動(dòng)，磁頭和磁頭臂停泊在盤(pán)片上，沖擊能量被硬盤(pán)其他部分吸收，這樣能有效地提高硬盤(pán)的抗震性能，使硬盤(pán)在運(yùn)輸、使用及安裝的過(guò)程中最大限度地免受震動(dòng)的損壞。,硬盤(pán)的工作模式,硬盤(pán)的工作模式主要有三種，分別是： NORMAL LBA L

16、ARGE,NORMAL模式,NORMAL（普通模式）是最早的 IDE 方式，在硬盤(pán)訪問(wèn)時(shí)，BIOS 和 IDE 控制器對(duì)參數(shù)不做任何轉(zhuǎn)換。該模式支持的最大硬盤(pán)的容量為528MB。也就是說(shuō)，在此模式下，硬盤(pán)的實(shí)際物理容量再大，也只能用到其中的 528M。,LBA模式,LBA(Logical Block Addressing ，邏輯塊尋址模式) 是一種克服528MB限制的新型硬盤(pán)存取方法。在 LBA 模式下，設(shè)置的柱面、磁頭、扇區(qū)等參數(shù)并不是實(shí)際硬盤(pán)的物理參數(shù)。在訪問(wèn)硬盤(pán)時(shí)，由 IDE 控制器把由柱面、磁頭、扇區(qū)等參數(shù)確定的邏輯地址轉(zhuǎn)換為實(shí)際硬盤(pán)的物理地址。在 LBA 模式下，管理的硬盤(pán)空間可達(dá)

17、8.4GB。不過(guò)現(xiàn)在新主板可以使 LBA 能支持 100GB 以上的硬盤(pán)。,LARGE模式,LARGE （大規(guī)模管理模式）在硬盤(pán)的柱面超過(guò) 1024 而又不為 LBA 支持時(shí)采用。LARGE 模式采用的方法是把柱面數(shù)除以 2，把磁頭數(shù)乘以 2，使得某些硬盤(pán)的柱面低于1024，但其結(jié)果總?cè)萘坎蛔?。在LARGE模式中，可支持的最大容量為1GB。,ATA/100,ATA/100是美國(guó)昆騰（Quantum）公司聯(lián)合幾大廠商在原有 的ATA/66基礎(chǔ)上推出的新一代接口類(lèi)型，它是昆騰公司在硬盤(pán)接 口開(kāi)發(fā)方面已經(jīng)申請(qǐng)專(zhuān)利的第三代技術(shù)。這個(gè)接口已經(jīng)得到了英 特爾公司和其他一些第一流的芯片制造商的支持，目前也已

18、被正 式確立為硬盤(pán)的下一代接口類(lèi)型。其最大的特點(diǎn)及好處就是將硬 盤(pán)的最大外部數(shù)據(jù)傳輸率提高到了100MB/s。ATA/100硬盤(pán)也是采 用40針的接口，并且向下兼容，ATA/100還支持CRC錯(cuò)誤檢測(cè)修正 技術(shù)，這可使用戶(hù)在享受高速度的同時(shí)保障用戶(hù)數(shù)據(jù)的安全性及 完整性。ATA/100(DMA100)標(biāo)準(zhǔn)于2000年6月2日在美國(guó)正式確立。,ATA/133,ATA/133是完全延續(xù)原來(lái)并行 ATA的技術(shù)特征，從根本上講， 它與現(xiàn)在廣泛采用的ATA/100沒(méi)有任何區(qū)別，只是將硬盤(pán)接口 帶寬拓寬到了133MB/s，更大的帶寬意味著系統(tǒng)能支持更高的 傳輸率。ATA/133的接口電纜與ATA/100完

19、全一樣，都是40針 80芯的硬盤(pán)線，它們都支持CRC冗余循環(huán)校正，都支持 S.M.A.R.T等。由于此種硬盤(pán)接口是由邁拓公司獨(dú)立設(shè)立，所 以邁拓所謂的Fast Drive其實(shí)也就是 ATA/133的技術(shù)核心。,其它類(lèi)型硬盤(pán),移動(dòng)硬盤(pán),閃存,易盤(pán)Easy disk / 優(yōu)盤(pán)Only disk,移動(dòng)硬盤(pán),移動(dòng)硬盤(pán)是重要的移動(dòng)存儲(chǔ)設(shè)備，它具有大容量，插拔簡(jiǎn)便，安全性可靠性強(qiáng)，讀寫(xiě)速度較其他移動(dòng)存儲(chǔ)設(shè)備快的特點(diǎn)。隨著各種產(chǎn)品的逐漸上市，價(jià)格也逐漸走低，移動(dòng)硬盤(pán)越來(lái)越多的被人們所熟知，并且由于使用、攜帶都很方便等特點(diǎn)，被越來(lái)越多的人所接受。移動(dòng)硬盤(pán)主要采用了USB和IEEE1394兩種接口。,移動(dòng)硬盤(pán),USB移動(dòng)硬盤(pán),IEEE1394移動(dòng)硬盤(pán),閃存,閃存作為一種非易失性（簡(jiǎn)單說(shuō)就是在不加電的情況下數(shù)據(jù)也不會(huì)丟失，區(qū)別于目前常用的計(jì)算機(jī)內(nèi)存）的半導(dǎo)體存儲(chǔ)芯片，之所以有這個(gè)名稱(chēng)，只因?yàn)樾畔⒃谝凰查g（閃電式的，flash）被存儲(chǔ)下來(lái) 。它具有體積小、功耗低、不易受物