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文檔簡介

淺談【摘要】目的探討半導體激光治療儀外照射聯合外敷傷科藥膏治療化療性靜脈炎。方法將80例患者隨機分為實驗組和對照組,實驗組采取半導體激光治療儀外照射聯合外敷傷科膏治療;對照組采用硫酸鎂濕敷患處。5日后觀察兩組的治療效果。結果實驗組治療化療性靜脈炎效果明顯優(yōu)于對照組(p0.05)。結論半導體激光治療儀照射聯合傷科藥膏外敷治療化療性靜脈炎療效較好。 【關鍵詞】傷科藥膏半導體激光外照射靜脈炎護理 化學治療(化療)是目前治療惡性腫瘤的重要手段之一,化療藥物多為細胞毒性藥物,對血管刺激性強,容易發(fā)生化療性靜脈炎。加之反復靜脈穿刺,使得給藥靜脈和鄰近組織發(fā)紅、腫脹、疼痛、血管硬化等不良反應,直接影響患者繼續(xù)化療1。雖然深靜脈置管術可有效防止藥液外滲和靜脈炎的發(fā)生,但價格昂貴,在基層醫(yī)院難以推廣2。我們采用半導體激光治療儀外照射聯合外敷自配傷科藥膏治療化療性靜脈炎40例,取得了滿意療效,現報告如下。 1資料與方法 1.1一般資料2005年1月2008年12月,將我科80例化療性靜脈炎患者,隨機分為2組,實驗組40例,男19例,女21例,年齡28歲65歲,其中結腸癌19例、肺癌5例、乳腺癌16例;對照組40例,男21例,女19例,年齡26歲58歲,其中結腸癌18例、肺癌6例、乳癌16例。實驗組與對照組的患者在年齡分布、性別及腫瘤病種分布上根據統(tǒng)計學分析無明顯差異。 1.2護理方法 1.2.1實驗組靜脈炎治療時由固定的護士操作,采用ls150半導體激光治療儀照射治療,波長650nm,最大輸出功率180mw,照射功率120mw,照射距離1030cm,照射時間20分鐘,每天2次,5次為一療程,每次照射后予本院自制的純中藥膏藥傷科藥膏外敷,把傷科藥膏均勻涂在雙層無菌紗布上,厚約2mm,外敷于患處,面積略大于病損處,外用一次性保鮮膜包好固定,防止水分丟失;若局部有水皰,用碘伏消毒劑消毒后用一次性5ml注射器抽出水皰內液體,保留痂皮,再予用傷科藥膏外敷。5日為1個療程。 1.2.2對照組用50%硫酸鎂制劑浸濕紗布34層外敷于患處,每日34次,濕敷過程中每2h用注射器噴注藥液,防止干燥。5日為1個療程。 1.2.3靜脈炎判斷標準采用美國靜脈輸液護理學會靜脈炎評價標準3。?級:穿刺點疼痛,紅和(或)腫,靜脈無條索性狀改變,未觸及硬結;?級:穿刺點疼痛,紅和(或)腫,靜脈有條索狀改變,未觸及硬結;?級:穿刺點疼痛,紅和(或)腫,靜脈有條索性狀改變,可觸及硬結。 1.2.4療效評定標準痊愈:治療1個療程,癥狀消失,局部靜脈紅腫消失,彈性恢復,血管通暢,膚色正常。好轉:治療23個療程,癥狀明顯減輕,皮膚紅腫熱痛消失,硬結或條索狀改變未完全消退。無效:治療4個療程,靜脈炎仍不見好轉。以治愈+好轉統(tǒng)計有效率結果。 2結果 2組療效比較見表1,實驗組療效顯著優(yōu)于對照組,差異有統(tǒng)計學意義,p0.05. 表12組療效比較 3討論 化療是治療惡性腫瘤的重要手段之一,為有效地控制腫瘤,臨床中常反復多次化療。化療藥物在殺傷腫瘤細胞的同時,對正常組織細胞具有一定的損傷。由于化療藥物的刺激性,溶液中不溶性微粒子,反復多次穿刺血管等因素的影響,穿刺處血管內膜容易受損,管壁通透性增加而引起靜脈炎。祖國中醫(yī)學則認為,靜脈炎發(fā)生系藥物傷及經脈,形成淤血,稽留于靜脈之中,壅遏不行而化熱,郁熱互結而出現諸癥。半導體激光治療儀外照射聯合傷科藥外敷治療化療性靜脈炎的原理是由于半導體激光治療儀輸出功率大,波長長、穿透力強,可將高激光能量輸入人體深部組織,作用于病變部位,能使局部5羥色氨含量及神經末梢興奮性減少,產生鎮(zhèn)痛作用3;半導體激光治療儀照射促進新生血管的形成及生長,并使細胞內核糖核酸及糖元的含量增加,成纖維細胞增生、肉芽組織增生,導致新生上皮組織再生,促進組織修復,加速創(chuàng)面愈合及組織再生;半導體激光治療儀照射降低血管壁通透性,減輕炎癥的滲出速度及程度,減輕充血和水腫及激活巨噬細胞系統(tǒng)的功能,提高人體全身及局部免疫力,起到消炎抗感染作用。而我院自制的純中藥膏藥傷科藥膏,傳統(tǒng)用于軟組織損傷,與靜脈炎早期表現皮膚紅腫、疼痛相符合,方中的主要成分為大黃、黃柏、紅花、澤蘭、白芨、冰片(后下)、沙姜(后下)等,具有消腫止痛、活血散瘀的功效4。 本觀察結果顯示,采用半導體激光治療儀外照射聯合外敷自配傷科藥膏治療化療性靜脈炎起效快,治愈率、有效率明顯優(yōu)于對照組,為難治性化療性靜脈炎患者提供了切實有效的治療方法,值得臨床推廣。 參考文獻 1金玉彬,劉洪澤.安爾碘治療化療藥所致非外滲性靜脈炎的效果研究j中國實用護理雜志,2009,25(8)69-69. 2馬會敏,賈喜花.金黃膏外敷治療化療性靜脈炎的護理觀察研究j河北中醫(yī)2008(8)1101-1102. 3王麗,曾敏珠,張業(yè).半導體激

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