金屬材料的導電性ppt課件

.,第二章材料的電學性能,.,.,在許多情況下，材料的導電性能比力學性能和熱學還重要。,導電材料、電阻材料、電熱材料、半導體材料、超導材料和絕緣材料等都是以材料的導電性能為基礎(chǔ)的。,.,長距離傳輸電力的金屬導線應(yīng)該具有很高的導電性，以減少由于電線發(fā)熱造成的電力損失。,舉例：,陶瓷和高分子的絕緣材料必須具有不導電性，以防止產(chǎn)生短路或電弧。,作為太陽能電池的半導體對其導電性能的要求更高，以追求盡可能高的太陽能利用效率。,.,本章內(nèi)容,金屬的導電性合金的導電性半導體的導電性材料的介電性材料的超導電性,.,什么是材料的導電性？,能夠攜帶電荷的粒子稱為載流子,金屬、半導體和絕緣體中載流子電子,離子化合物中的載流子離子,微觀機理：材料中帶有電荷的粒子響應(yīng)電場作用發(fā)生定向移動的結(jié)果。,歐姆定律,.,一些材料在室溫下的電阻率,.,材料按電性能分類:,導體、半導體、絕緣體,.,導體純金屬的電阻率在108107m金屬合金的電阻率為107105m半導體電阻率為10310+5m絕緣體電阻率為10+910+17m,電阻率的大小取決于材料的結(jié)構(gòu)。,.,第一節(jié)金屬的導電性,晶體的能帶理論金屬的導電機制馬基申定則影響因素,.,1.晶體的能帶理論,晶體的能帶理論是在量子力學研究金屬導電理論的基礎(chǔ)上發(fā)展起來的，它的成功之處是在于定性地闡明了晶體中電子運動的規(guī)律。,特征：不連續(xù)能量分布的價電子在周期性勢場中的運動。,原子核,電子,內(nèi)層電子,外層電子,離子實,價電子,構(gòu)成等效勢場,.,能帶理論的出發(fā)點是固體中的電子不再束縛于個別的原子，而是在整個固體內(nèi)運動，稱為共有化電子。在討論共有化電子的運動狀態(tài)時，假定原子實處在平衡位置，而把原子實偏離平衡位置的影響看成微擾。,能帶理論的基本思想,.,晶體的能帶,價電子的共有化使單個原子的價電子能級分裂，形成了能帶。,.,.,電子的填充規(guī)則,電子填充在一系列準連續(xù)分布的能級上，服從泡利不相容原理，即依次從低向上填充，每一個能級上最多可填充2個電子；電子的分布服從費米-狄拉克分布：電子占據(jù)幾率為1/2的能級位置稱為費米能級，它反映了電子的填充水平。,電子的某一能級上的分布幾率：,.,費米分布函數(shù),0K時為一折線，在能量高于費米能量的區(qū)域幾率為零,溫度的升高將使得少量能量較高的電子躍遷到高能級。,費米能級,.,.,金屬、半導體及絕緣體的比較,導帶和價帶重疊,絕緣體的禁帶一般大于5eV,半導體的禁帶一般小于3eV,.,金屬,絕緣體,半導體,特征：最高占有帶僅部分充滿，即除了滿帶外，存在不滿帶。,特征：電子恰好填滿了最低的一系列能帶，能量更高的能帶都是空的，而且禁帶很寬（大于5eV）。,特征：禁帶寬度較窄（低于2.0eV）。,.,常用術(shù)語,導帶：最低的不滿帶價帶：最高的滿帶禁帶：價帶最高能級與導帶最低能級之間的能量間隙滿帶：所有能級全被2N個電子所充滿的能帶空帶：無電子填充的能帶允帶：允許電子能量存在的范圍,.,為什么金屬能夠?qū)щ姡?無外電場時,滿帶,不滿帶,E(k),v(k),k,k,E(k),k,v(k),k,在無外電場作用時，無論是滿帶還是非滿帶電子對電流的貢獻均為零，故晶體中無宏觀電流。,.,E(k),v(k),k,k,有外電場時,滿帶,不滿帶,E(k),k,v(k),k,在外電場作用下：滿帶電子沒有導電作用；而在非滿帶中的電子運動可以產(chǎn)生電流。,為什么金屬能夠?qū)щ姡?.,第一節(jié)金屬的導電性,晶體的能帶理論金屬的導電機制馬基申定則影響因素,.,2.金屬的導電機制,金屬,純金屬、合金,晶態(tài)、非晶態(tài),純金屬：易于從理論上探討其物性的共同規(guī)律。,合金或金屬間化合物：可從工程上突出其使用性能。,金屬電學性能的研究對象,.,滿電子能帶,半滿帶,滿電子能帶,空帶,存在導帶,滿帶和空帶重疊,滿電子能帶,允帶,滿帶和允帶重疊,幾種典型金屬的能帶,.,實際晶體總會有雜質(zhì)，存在缺陷。傳導電子在輸運過程中的散射：電子電子(電子散射)電子聲子(聲子散射)電子與雜質(zhì)原子電子與晶體點陣靜態(tài)缺陷的相互作用,金屬中的電阻,基本電阻,0K下為零,理想金屬的電阻只與電子散射和聲子散射兩種機制有關(guān)。,殘余電阻,.,電子-聲子與T成正比電子-缺陷與T無關(guān),.,第一節(jié)金屬的導電性,晶體的能帶理論金屬的導電機制馬基申定則影響因素,.,3.馬基申定則,為金屬的基本電阻率，與溫度有關(guān)；,為化學缺陷和物理缺陷引起的殘余電阻率，與溫度無關(guān)。,聲子散射和電子散射,雜質(zhì)和缺陷上的散射,反映了金屬的純度和完整性,.,常常采用相對電阻率晶體越純，越完善，相對電阻率越大，許多完整的金屬單晶可得到高達2l04的相對電阻率。,對理想的金屬（沒有缺陷和雜質(zhì)），其電阻率在絕對零度時為零；,金屬的電阻率隨溫度升高而增大；,高溫時金屬的電阻率取決于，低溫時取決于。,.,金屬中的電導與熱導,魏德曼-弗蘭茲定律,傳導方式：自由電子運動熱阻或電阻的起因：電子電子之間的碰撞低溫下的電阻或熱阻：都與電子聲子之間的碰撞有關(guān),電導率,熱導率,.,第一節(jié)金屬的導電性,晶體的能帶理論金屬的導電機制馬基申定則影響因素,.,4.影響導電性的因素,溫度的影響受力情況的影響冷加工的影響晶體缺陷的影響熱處理的影響幾何尺寸效應(yīng)的影響,.,溫度對金屬電阻的影響,一般規(guī)律過渡族金屬和多晶型轉(zhuǎn)變鐵磁金屬的電阻-溫度關(guān)系的反常,.,一般規(guī)律,1理想金屬晶體,2含有雜質(zhì)的金屬,3含有晶體缺陷的金屬,.,在室溫和更高溫度下，非過渡金屬的電阻率：,非過渡族金屬的電阻溫度曲線,電阻溫度系數(shù),電阻溫度關(guān)系在低溫條件下較復(fù)雜，室溫以上則較簡單。,.,電阻溫度系數(shù),0T溫區(qū)的平均溫度系數(shù),在溫度T時的真電阻溫度系數(shù)為,純金屬：4103過渡族金屬，特別是鐵磁性金屬較高,Fe：6103Co：6.6103Ni：6.2103,.,過渡族金屬,過渡族金屬的電阻可以認為是由一系列具有不同溫度關(guān)系的成分疊加而成。,過渡族金屬的反常往往是由兩類載體的不同電阻與溫度關(guān)系決定的。,.,多晶型轉(zhuǎn)變,多晶型金屬電阻率與溫度的關(guān)系,線性關(guān)系只保持到350850900出現(xiàn)了多晶型轉(zhuǎn)變。,空穴導電,線性關(guān)系破壞,.,鐵磁金屬的電阻-溫度關(guān)系反常,鐵磁金屬在居里點附近電阻率溫度系數(shù)存在著極大值。,原因：與自發(fā)磁化有關(guān),.,Ni和Pd的與溫度的關(guān)系,.,溫度對具有磁性轉(zhuǎn)變金屬比電阻和電阻溫度系數(shù)的影響,.,受力情況的影響,拉力的影響,壓力的影響,在彈性范圍內(nèi)單向拉伸或扭轉(zhuǎn)應(yīng)力能提高金屬的。,對大多數(shù)金屬來說，在受壓力情況下電阻率降低。,原因：金屬在壓力作用下，其原子間距縮小，內(nèi)部缺陷形態(tài)、電子結(jié)構(gòu)、費米面和能帶結(jié)構(gòu)以及電子散射機制等都將發(fā)生變化。,為負,為正,.,正常金屬元素,反常金屬元素,電阻率隨壓力升高而下降，如Fe、Co、Ni、Rh、Pd、Cu、Ag等。,電阻率隨壓力升高到一定值后下降，即電阻率有極大值，如堿金屬、堿土金屬、稀土金屬和第族的半金屬等。,與壓力作用下的相變有關(guān),.,R/R0,R/R0,p10-8Pa,p10-8Pa,正常元素,反常元素,.,冷加工對金屬電阻的影響,冷加工變形使純金屬電阻率增加,冷加工變形使一般固溶體電阻增加10-20%，使有序固溶體增加100%甚至更高,對Ni-Cu，Ni-Cu-Zn，F(xiàn)e-Cr-Al等合金，冷加工變形則使電阻降低,低溫時用電阻法研究金屬的冷加工更為有效,.,晶體缺陷對電阻的影響,晶體缺陷（空位、位錯、間隙原子等）會使金屬電阻率增加,點缺陷引起的殘余電阻率變化遠比線缺陷的影響大,對多數(shù)金屬，當形變量不大時，位錯引起的電阻率變化與位錯密度變化之間呈線性關(guān)系,.,空位、位錯對一些金屬電阻率的影響,.,熱處理對金屬電阻的變化,一般，淬火使晶格畸變，電阻增加，退火使畸變回復(fù)電阻降低。,當退火溫度接近再結(jié)晶溫度時，電阻可恢復(fù)到接近冷加工前的水平；但當退火溫度高過再結(jié)晶溫度時，電阻反又增大，原因是再結(jié)晶后新晶粒的晶界阻礙了電子運動。淬火能夠固定金屬在高溫時空位的濃度，從而產(chǎn)生殘余電阻。淬火溫度愈高空位濃度愈高，則殘余電阻率就越大。,.,冷加工變形Fe的電阻在退火時的變化,退火溫度/,1形變量99.8%,2形變量97.8%,3形變量93.5%,4形變量80%,5形變量44%,.,幾何尺寸的影響,隨著鉬、鎢單晶體厚度變薄，4.2K