2012中國計量大學半導體器件期中測試

1、中國計量學院2011 2012 學年第2學期 半導體器件 期中測試開課二級學院： 光學與電子科技學院， 考試時間： 年 月 日 時裝訂線考生姓名： 學號： 專業(yè)： 班級： 題序一二三四五六七八九總分得分評卷人一、填空題（每個空2分，共36分）請在每小題的空格中填上正確答案。1、PN結的正向電流由 電流、 電流和復合電流三部分組成。2、根據柵極結構不同，場效應晶體管可分為 、 和 。3、在數字電路中，使用的雙極性晶體管工作模式包括 和 。4、當對PN結外加正向電壓時，其勢壘區(qū)寬度會 ，勢壘區(qū)的勢壘高度會 。5、晶閘管維持導通狀態(tài)需要滿足的條件包括 和 。6、對于PN結上的總電容，一般說來PN結正

2、偏時， 起主要作用；當PN結反偏時 起主要作用。7、金屬-半導體接觸在電學性能上類似于PN結中的 結。8、在雙極性晶體管中，其電流方程式與各區(qū)中的 濃度有關。9、肖特基勢壘二極管利用 特性制成，其正向電流主要由半導體中的 進入金屬形成。10、高頻雙極性晶體管一般采用 結構。二、名詞解釋（每小題4分，共12分）1、特征頻率2、金屬功函數3、厄爾利效應三、簡答題（每小題6分，共12分）1、晶閘管的特點和優(yōu)勢是什么？主要應用于什么領域？什么是寄生PNPN結構？其危害有哪些？2、什么是異質結？異質結晶體管有什么優(yōu)點？與同質結晶體管相比，兩者最大的不同是什么？裝訂線四、作圖題（每小題4分，共16分）（1

3、）畫出均勻摻雜PNP管熱平衡時的能帶圖以及截止模式下的能帶圖。（2）畫出N型半導體與金屬的肖特基接觸在熱平衡狀態(tài)下和正向偏壓下的能帶圖。（3）畫出均勻基區(qū)NPN管熱平衡時的各區(qū)少子分布以及飽和模式下的各區(qū)少子分布。（4）畫出晶閘管結構圖及等效電路圖。五、（共8分）在n溝道GaAs MESFET具有下述參數：qfm=4.71eV，qfs=4.28eV，qc=4.07eV，ND=1.51016cm-3，閾值電壓VT=0.25V，在T=300K時求：（1）金屬一側的勢壘高度；（2）夾斷電壓VP；（3）溝道深度a。六、（共8分）已知一理想晶體管，IEP=2mA，ICP=1.97mA，IEN=0.1mA，Dp=8.5cm2/s，WB=0.5mm。（1）求基區(qū)渡越時間tB；（2）假設tB等于載流子穿過晶體管的時間，求特征頻率fT；（3）求共基截至頻率fa。裝訂線七、（共8分）對于一理想PN結，其NA=1017cm-3，ND=1015cm-3，（1）計算溫度在200，300，400，500K時的Vbi，并畫出Vbi