VOC設(shè)備擴建項目申請報告范文參考

1、泓域咨詢 /VOC設(shè)備擴建項目申請報告VOC設(shè)備擴建項目申請報告MACRO 泓域咨詢報告說明半導(dǎo)體制造工藝：薄膜沉積、光刻和刻蝕是半導(dǎo)體制造三大核心工藝制造先進的集成電路器件，如同建一個幾十層的微觀樓房，或建一個多層的高速立交橋?？涛g可以分為濕法刻蝕和干法刻蝕，濕法刻蝕各向異性較差，側(cè)壁容易產(chǎn)生橫向刻蝕造成刻蝕偏差，通常用于工藝尺寸較大的應(yīng)用，或用于干法刻蝕后清洗殘留物等。干法刻蝕是目前主流的刻蝕技術(shù)，其中以等離子體干法刻蝕為主導(dǎo)。等離子體刻蝕設(shè)備是一種大型真空的全自動的加工設(shè)備，一般由多個真空等離子體反應(yīng)腔和主機傳遞系統(tǒng)構(gòu)成。等離子體刻蝕設(shè)備的分類與刻蝕工藝密切相關(guān)，其原理是利用等離子體放電

2、產(chǎn)生的帶化學(xué)活性的粒子，在離子的轟擊下，與表面的材料發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，產(chǎn)生可揮發(fā)的氣體，從而在表面的材料上加工出微觀結(jié)構(gòu)。根據(jù)產(chǎn)生等離子體方法的不同，干法刻蝕主要分為電容性等離子體刻蝕和電感性等離子體刻蝕；根據(jù)被刻蝕材料類型的不同，干法刻蝕主要是刻蝕介質(zhì)材料（氧化硅、氮化硅、二氧化鉿、光刻膠等）、硅材料（單晶硅、多晶硅、和硅化物等）和金屬材料（鋁、鎢等）。電容性等離子體刻蝕主要是以高能離子在較硬的介質(zhì)材料上，刻蝕高深寬比的深孔、深溝等微觀結(jié)構(gòu)；而電感性等離子體刻蝕主要是以較低的離子能量和極均勻的離子濃度刻蝕較軟的和較薄的材料。這兩種刻蝕設(shè)備涵蓋了主要的刻蝕應(yīng)用。本期項目總投資包括建設(shè)投資、建設(shè)期利

3、息和流動資金。根據(jù)謹(jǐn)慎財務(wù)估算，項目總投資36247.84萬元，其中：建設(shè)投資30734.42萬元，占項目總投資的84.79%；建設(shè)期利息759.51萬元，占項目總投資的2.10%；流動資金4753.91萬元，占項目總投資的13.12%。根據(jù)謹(jǐn)慎財務(wù)測算，項目正常運營每年營業(yè)收入74100.00萬元，綜合總成本費用60282.82萬元，凈利潤8325.89萬元，財務(wù)內(nèi)部收益率18.12%，財務(wù)凈現(xiàn)值3956.49萬元，全部投資回收期6.11年。本期項目具有較強的財務(wù)盈利能力，其財務(wù)凈現(xiàn)值良好，投資回收期合理。本期項目技術(shù)上可行、經(jīng)濟上合理，投資方向正確，資本結(jié)構(gòu)合理，技術(shù)方案設(shè)計優(yōu)良。本期項目

4、的投資建設(shè)和實施無論是經(jīng)濟效益、社會效益等方面都是積極可行的。綜合判斷，在經(jīng)濟發(fā)展新常態(tài)下，我區(qū)發(fā)展機遇與挑戰(zhàn)并存，機遇大于挑戰(zhàn)，發(fā)展形勢總體向好有利，將通過全面的調(diào)整、轉(zhuǎn)型、升級，步入發(fā)展的新階段。知識經(jīng)濟、服務(wù)經(jīng)濟、消費經(jīng)濟將成為經(jīng)濟增長的主要特征，中心城區(qū)的集聚、輻射和創(chuàng)新功能不斷強化，產(chǎn)業(yè)發(fā)展進入新階段。該報告是從事一種經(jīng)濟活動（投資）之前，雙方要從經(jīng)濟、技術(shù)、生產(chǎn)、供銷直到社會各種環(huán)境、法律等各種因素進行具體調(diào)查、研究、分析，確定有利和不利的因素、項目是否可行，估計成功率大小、經(jīng)濟效益和社會效果程度，為決策者和主管機關(guān)審批的上報文件。本報告為模板參考范文，不作為投資建議，僅供參考。報

5、告產(chǎn)業(yè)背景、市場分析、技術(shù)方案、風(fēng)險評估等內(nèi)容基于公開信息；項目建設(shè)方案、投資估算、經(jīng)濟效益分析等內(nèi)容基于行業(yè)研究模型。本報告可用于學(xué)習(xí)交流或模板參考應(yīng)用。目錄第一章 項目基本情況第二章 項目投資背景分析第三章 市場需求分析第四章 產(chǎn)品方案與建設(shè)規(guī)劃第五章 選址分析第六章 建筑技術(shù)方案說明第七章 原輔材料供應(yīng)及成品管理第八章 工藝技術(shù)分析第九章 環(huán)保分析第十章 勞動安全生產(chǎn)第十一章 節(jié)能分析第十二章 人力資源配置分析第十三章 項目規(guī)劃進度第十四章 投資計劃方案第十五章 經(jīng)濟效益第十六章 招標(biāo)方案第十七章 風(fēng)險分析第十八章 項目總結(jié)分析第十九章 附表 附表1：主要經(jīng)濟指標(biāo)一覽表附表2：建設(shè)投資估

6、算一覽表附表3：建設(shè)期利息估算表附表4：流動資金估算表附表5：總投資估算表附表6：項目總投資計劃與資金籌措一覽表附表7：營業(yè)收入、稅金及附加和增值稅估算表附表8：綜合總成本費用估算表附表9：利潤及利潤分配表附表10：項目投資現(xiàn)金流量表附表11：借款還本付息計劃表第一章 項目基本情況一、項目名稱及項目單位項目名稱：VOC設(shè)備擴建項目項目單位：xx集團有限公司二、項目建設(shè)地點本期項目選址位于xx（以最終選址方案為準(zhǔn)），占地面積約79.57畝。項目擬定建設(shè)區(qū)域地理位置優(yōu)越，交通便利，規(guī)劃電力、給排水、通訊等公用設(shè)施條件完備，非常適宜本期項目建設(shè)。三、可行性研究范圍及分工依據(jù)國家產(chǎn)業(yè)發(fā)展政策和有關(guān)部門

7、的行業(yè)發(fā)展規(guī)劃以及項目承辦單位的實際情況，按照項目的建設(shè)要求，對項目的實施在技術(shù)、經(jīng)濟、社會和環(huán)境保護等領(lǐng)域的科學(xué)性、合理性和可行性進行研究論證。研究、分析和預(yù)測國內(nèi)外市場供需情況與建設(shè)規(guī)模，并提出主要技術(shù)經(jīng)濟指標(biāo)，對項目能否實施做出一個比較科學(xué)的評價，其主要內(nèi)容包括如下幾個方面:1、確定建設(shè)條件與項目選址。2、確定企業(yè)組織機構(gòu)及勞動定員。3、項目實施進度建議。4、分析技術(shù)、經(jīng)濟、投資估算和資金籌措情況。5、預(yù)測項目的經(jīng)濟效益和社會效益及國民經(jīng)濟評價。四、編制依據(jù)和技術(shù)原則1、國家建設(shè)方針，政策和長遠規(guī)劃；2、項目建議書或項目建設(shè)單位規(guī)劃方案；3、可靠的自然，地理，氣候，社會，經(jīng)濟等基礎(chǔ)資料；

8、4、其他必要資料。五、建設(shè)背景、規(guī)模（一）項目背景從歷史上看，半導(dǎo)體行業(yè)遵循螺旋式上升規(guī)律，新科技推動行業(yè)屢獲新生。半導(dǎo)體核心元器件晶體管自誕生以來，帶動了全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)20世紀(jì)50年代至90年代的迅猛增長。進入21世紀(jì)以后市場日趨成熟，隨著PC、手機、液晶電視等消費類電子產(chǎn)品市場滲透率不斷提高，行業(yè)增速逐步放緩。近年在以物聯(lián)網(wǎng)、可穿戴設(shè)備、云計算、大數(shù)據(jù)、新能源、醫(yī)療電子和安防電子等為主的新興應(yīng)用領(lǐng)域強勁需求的帶動下，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)恢復(fù)增長。根據(jù)WSTS統(tǒng)計，從2013年到2018年，全球半導(dǎo)體市場規(guī)模從3,056億美元迅速提升至4,688億美元，年均復(fù)合增長率達到8.93%。半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展

9、歷程遵循一個螺旋式上升的過程，放緩或回落后又會重新經(jīng)歷一次更強勁的復(fù)蘇。光電子LED產(chǎn)業(yè)中，以LED新型顯示為代表的新興產(chǎn)業(yè)，逐漸成為顯示行業(yè)追逐的熱點。當(dāng)前新興的小間距LED顯示在物理拼縫、顯示效果、功耗、使用壽命方面均有優(yōu)越表現(xiàn)，未來隨著MiniLED和MicroLED技術(shù)的進一步發(fā)展和完善，LED新型顯示產(chǎn)業(yè)有望成為繼LED照明產(chǎn)業(yè)后MOCVD應(yīng)用產(chǎn)業(yè)發(fā)展最迅速的版塊之一。根據(jù)中國產(chǎn)業(yè)信息網(wǎng)統(tǒng)計的數(shù)據(jù)，從2015年到2017年，中國LED下游各個子行業(yè)中LED顯示的市場規(guī)模為425億、549億、727億，年均復(fù)合增長率約為30.79%，高于LED其他細分應(yīng)用領(lǐng)域。伴隨LED照明產(chǎn)品在照明

10、行業(yè)的持續(xù)性滲透，LED新型顯示在顯示行業(yè)的替代性增長，未來LED行業(yè)逐步形成了雙輪驅(qū)動的發(fā)展模式，為MOCVD設(shè)備行業(yè)提供了增量空間。綜合判斷，在經(jīng)濟發(fā)展新常態(tài)下，我區(qū)發(fā)展機遇與挑戰(zhàn)并存，機遇大于挑戰(zhàn)，發(fā)展形勢總體向好有利，將通過全面的調(diào)整、轉(zhuǎn)型、升級，步入發(fā)展的新階段。知識經(jīng)濟、服務(wù)經(jīng)濟、消費經(jīng)濟將成為經(jīng)濟增長的主要特征，中心城區(qū)的集聚、輻射和創(chuàng)新功能不斷強化，產(chǎn)業(yè)發(fā)展進入新階段。（二）建設(shè)規(guī)模及產(chǎn)品方案該項目總占地面積53046.61（折合約79.57畝），預(yù)計場區(qū)規(guī)劃總建筑面積55698.94。其中：生產(chǎn)工程35424.53，倉儲工程6182.58，行政辦公及生活服務(wù)設(shè)施3453.33

11、，公共工程10638.50。根據(jù)項目建設(shè)規(guī)劃，達產(chǎn)年產(chǎn)品規(guī)劃設(shè)計方案為：VOC設(shè)備10000臺/年。六、項目建設(shè)進度結(jié)合該項目建設(shè)的實際工作情況，xx集團有限公司將項目工程的建設(shè)周期確定為24個月，其工作內(nèi)容包括：項目前期準(zhǔn)備、工程勘察與設(shè)計、土建工程施工、設(shè)備采購、設(shè)備安裝調(diào)試、試車投產(chǎn)等。七、建設(shè)投資估算（一）項目總投資構(gòu)成分析本期項目總投資包括建設(shè)投資、建設(shè)期利息和流動資金。根據(jù)謹(jǐn)慎財務(wù)估算，項目總投資36247.84萬元，其中：建設(shè)投資30734.42萬元，占項目總投資的84.79%；建設(shè)期利息759.51萬元，占項目總投資的2.10%；流動資金4753.91萬元，占項目總投資的13.

12、12%。（二）建設(shè)投資構(gòu)成本期項目建設(shè)投資30734.42萬元，包括工程建設(shè)費用、工程建設(shè)其他費用和預(yù)備費，其中：工程建設(shè)費用26546.09萬元，工程建設(shè)其他費用3169.70萬元，預(yù)備費1018.63萬元。八、項目主要技術(shù)經(jīng)濟指標(biāo)（一）財務(wù)效益分析根據(jù)謹(jǐn)慎財務(wù)測算，項目達產(chǎn)后每年營業(yè)收入74100.00萬元，綜合總成本費用60282.82萬元，稅金及附加2715.99萬元，凈利潤8325.89萬元，財務(wù)內(nèi)部收益率18.12%，財務(wù)凈現(xiàn)值3956.49萬元，全部投資回收期6.11年。（二）主要數(shù)據(jù)及技術(shù)指標(biāo)表主要經(jīng)濟指標(biāo)一覽表序號項目單位指標(biāo)備注1占地面積53046.61約79.57畝1.1

13、總建筑面積55698.94容積率1.051.2基底面積29706.10建筑系數(shù)56.00%1.3投資強度萬元/畝366.631.4基底面積29706.102總投資萬元36247.842.1建設(shè)投資萬元30734.422.1.1工程費用萬元26546.092.1.2工程建設(shè)其他費用萬元3169.702.1.3預(yù)備費萬元1018.632.2建設(shè)期利息萬元759.512.3流動資金4753.913資金籌措萬元36247.843.1自籌資金萬元20747.843.2銀行貸款萬元15500.004營業(yè)收入萬元74100.00正常運營年份5總成本費用萬元60282.826利潤總額萬元11101.197凈利

14、潤萬元8325.898所得稅萬元2775.309增值稅萬元2676.9510稅金及附加萬元2715.9911納稅總額萬元8168.2412工業(yè)增加值萬元20673.5013盈虧平衡點萬元14303.74產(chǎn)值14回收期年6.11含建設(shè)期24個月15財務(wù)內(nèi)部收益率18.12%所得稅后16財務(wù)凈現(xiàn)值萬元3956.49所得稅后九、主要結(jié)論及建議通過分析，該項目經(jīng)濟效益和社會效益良好。從發(fā)展來看公司將面向市場調(diào)整產(chǎn)品結(jié)構(gòu)，改變工藝條件以高附加值的產(chǎn)品代替目前產(chǎn)品的產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)。第二章 項目投資背景分析一、產(chǎn)業(yè)發(fā)展情況（1）半導(dǎo)體行業(yè)概述半導(dǎo)體行業(yè)的重要性半導(dǎo)體行業(yè)是現(xiàn)代經(jīng)濟社會發(fā)展的戰(zhàn)略性、基礎(chǔ)性和先導(dǎo)性產(chǎn)

15、業(yè)，是電子信息產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)支撐，其產(chǎn)品被廣泛地應(yīng)用于電子通信、計算機、網(wǎng)絡(luò)技術(shù)、物聯(lián)網(wǎng)等產(chǎn)業(yè)，是絕大多數(shù)電子設(shè)備的核心組成部分。根據(jù)國際貨幣基金組織測算，每1美元半導(dǎo)體芯片的產(chǎn)值可帶動相關(guān)電子信息產(chǎn)業(yè)10美元產(chǎn)值，并帶來100美元的GDP，這種價值鏈的放大效應(yīng)奠定了半導(dǎo)體行業(yè)在國民經(jīng)濟中的重要地位。半導(dǎo)體與信息安全的發(fā)展進程息息相關(guān)，世界各國政府都將其視為國家的骨干產(chǎn)業(yè)，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展水平逐漸成為了國家綜合實力的象征。半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展?fàn)顩r從歷史上看，半導(dǎo)體行業(yè)遵循螺旋式上升規(guī)律，新科技推動行業(yè)屢獲新生。半導(dǎo)體核心元器件晶體管自誕生以來，帶動了全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)20世紀(jì)50年代至90年代的迅猛增長。

16、進入21世紀(jì)以后市場日趨成熟，隨著PC、手機、液晶電視等消費類電子產(chǎn)品市場滲透率不斷提高，行業(yè)增速逐步放緩。近年在以物聯(lián)網(wǎng)、可穿戴設(shè)備、云計算、大數(shù)據(jù)、新能源、醫(yī)療電子和安防電子等為主的新興應(yīng)用領(lǐng)域強勁需求的帶動下，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)恢復(fù)增長。根據(jù)WSTS統(tǒng)計，從2013年到2018年，全球半導(dǎo)體市場規(guī)模從3,056億美元迅速提升至4,688億美元，年均復(fù)合增長率達到8.93%。半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展歷程遵循一個螺旋式上升的過程，放緩或回落后又會重新經(jīng)歷一次更強勁的復(fù)蘇。半導(dǎo)體行業(yè)在過去都遵循著摩爾定律，晶體管密度每隔18-24個月便會增加一倍。信息技術(shù)的進步是背后的主要驅(qū)動力，伴隨著電子產(chǎn)品在人類生活的

17、更廣泛普及以及智能化，物聯(lián)網(wǎng)和人工智能等新興產(chǎn)業(yè)的革命為整個行業(yè)的下一輪進化提供了動力，半導(dǎo)體行業(yè)有望長期保持旺盛的生命力。中國半導(dǎo)體行業(yè)現(xiàn)狀從需求端分析，隨著經(jīng)濟的不斷發(fā)展，中國已成為了全球最大的電子產(chǎn)品生產(chǎn)及消費市場，衍生出了巨大的半導(dǎo)體器件需求。根據(jù)ICInsights統(tǒng)計，從2013年到2018年僅中國半導(dǎo)體集成電路市場規(guī)模就從820億美元擴大至1,550億美元，年均復(fù)合增長率約為13.58%。未來隨著互聯(lián)網(wǎng)、大數(shù)據(jù)、云計算、物聯(lián)網(wǎng)、人工智能、5G等高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)和戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)的進一步發(fā)展，中國的半導(dǎo)體器件消費還將持續(xù)增加，中國將成為全球半導(dǎo)體最具活力和發(fā)展前景的市場區(qū)域。從供給端分析

18、，對比巨大的國內(nèi)市場需求，國產(chǎn)半導(dǎo)體集成電路市場規(guī)模較小，2018年自給率約為15%。根據(jù)海關(guān)總署的數(shù)據(jù)，僅半導(dǎo)體集成電路產(chǎn)品的進口額從2015年起已連續(xù)四年位列所有進口商品中的第一位，不斷擴大的中國半導(dǎo)體市場規(guī)模嚴(yán)重依賴于進口，中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)自給率過低，進口替代的空間巨大。（2）半導(dǎo)體行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈簡介半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的下游為半導(dǎo)體終端產(chǎn)品以及其衍生的應(yīng)用、系統(tǒng)等。半導(dǎo)體產(chǎn)品按功能區(qū)分，可以分為集成電路、光電子器件、分立器件和傳感器等四大類。據(jù)WSTS的數(shù)據(jù)，2018年集成電路、光電子器件、分立器件和傳感器的全球市場規(guī)模分別為3,933億美元、380億美元、241億美元和134億美元，占4,688億

19、美元半導(dǎo)體市場整體規(guī)模的比例分別約為83.9%、8.1%、5.1%和2.9%；相較于2017年，集成電路增長14.6%，光電子器件增長9.3%，分立器件增長11.7%，傳感器增長6.0%。集成電路和光電子器件是半導(dǎo)體產(chǎn)品最主要的門類。（3）半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)概況半導(dǎo)體設(shè)備的重要性半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)屬于半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的上游核心環(huán)節(jié)之一，根據(jù)半導(dǎo)體行業(yè)內(nèi)“一代設(shè)備，一代工藝，一代產(chǎn)品”的經(jīng)驗，半導(dǎo)體產(chǎn)品制造要超前電子系統(tǒng)開發(fā)新一代工藝，而半導(dǎo)體設(shè)備要超前半導(dǎo)體產(chǎn)品制造開發(fā)新一代產(chǎn)品。半導(dǎo)體設(shè)備支撐10倍大的芯片制造產(chǎn)業(yè)，對信息產(chǎn)業(yè)有成百上千倍的放大作用，隨著半導(dǎo)體行業(yè)的迅速發(fā)展，半導(dǎo)體產(chǎn)品的加工面積成倍縮小

20、，復(fù)雜程度與日俱增，生產(chǎn)半導(dǎo)體產(chǎn)品所需的制造設(shè)備需要綜合運用光學(xué)、物理、化學(xué)等科學(xué)技術(shù)，具有技術(shù)壁壘高、制造難度大及研發(fā)投入高等特點。半導(dǎo)體設(shè)備價值普遍較高，一條制造先進半導(dǎo)體產(chǎn)品的生產(chǎn)線投資中設(shè)備價值約占總投資規(guī)模的75%以上，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展衍生出巨大的設(shè)備需求市場。全球半導(dǎo)體制造設(shè)備行業(yè)簡介2013年以來，隨著全球半導(dǎo)體行業(yè)整體景氣度的提升，半導(dǎo)體設(shè)備市場也呈增長趨勢。根據(jù)SEMI統(tǒng)計，全球半導(dǎo)體設(shè)備銷售額從2013年的約318億美元增長至2018年的預(yù)估621億美元，年均復(fù)合增長率約為14.33%，高于同期全球半導(dǎo)體器件市場規(guī)模的增速。全球半導(dǎo)體設(shè)備市場目前主要由國外廠商主導(dǎo)，行業(yè)呈現(xiàn)

21、高度壟斷的競爭格局。根據(jù)VLSIResearch統(tǒng)計，2018年全球半導(dǎo)體設(shè)備系統(tǒng)及服務(wù)銷售額為811億美元，其中前五大半導(dǎo)體設(shè)備制造廠商，由于起步較早，憑借資金、技術(shù)、客戶資源、品牌等方面的優(yōu)勢，占據(jù)了全球半導(dǎo)體設(shè)備市場65%的市場份額。中國半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)簡介從需求端分析，根據(jù)SEMI統(tǒng)計數(shù)據(jù)，2018年半導(dǎo)體設(shè)備在中國大陸的銷售額估計為128億美元，同比增長56%，約占全球半導(dǎo)體設(shè)備市場的21%，已成為僅次于韓國的全球第二大半導(dǎo)體設(shè)備需求市場。從供給端分析，根據(jù)中國電子專用設(shè)備工業(yè)協(xié)會的統(tǒng)計數(shù)據(jù)，2018年國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備銷售額預(yù)計為109億元，自給率約為13%。中國電子專用設(shè)備工業(yè)協(xié)會統(tǒng)計

22、的數(shù)據(jù)包括集成電路、LED、面板、光伏等設(shè)備，實際上國內(nèi)集成電路設(shè)備的國內(nèi)市場自給率僅有5%左右，在全球市場僅占1-2%，技術(shù)含量最高的集成電路前道設(shè)備市場自給率更低。對應(yīng)巨大的需求缺口，中國半導(dǎo)體設(shè)備進口依賴的問題突出，專用設(shè)備大量依賴進口不僅嚴(yán)重影響我國半導(dǎo)體的產(chǎn)業(yè)發(fā)展，也對我國電子信息安全造成重大隱患。下游客戶資本性支出波動及行業(yè)周期性情況半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的下游為半導(dǎo)體終端產(chǎn)品以及其衍生的應(yīng)用、系統(tǒng)等。半導(dǎo)體終端需求會影響半導(dǎo)體制造行業(yè)的發(fā)展。而在半導(dǎo)體制造產(chǎn)業(yè)中，半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)的下游客戶是晶圓廠。當(dāng)半導(dǎo)體終端需求增長時，晶圓廠會加大資本性支出，擴大其生產(chǎn)規(guī)模，開始建設(shè)新廠或進行產(chǎn)能升級。隨

23、著晶圓廠的資本性支出加大，半導(dǎo)體設(shè)備銷售也會隨之增長。因此，半導(dǎo)體設(shè)備銷售的周期性和波動性較下游半導(dǎo)體制造行業(yè)更大。總體而言，半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展歷程遵循一個螺旋式上升的過程，放緩或回落后又會重新經(jīng)歷一次更強勁的復(fù)蘇。近年來，隨著半導(dǎo)體行業(yè)整體景氣度的提升，全球半導(dǎo)體設(shè)備市場呈現(xiàn)快速增長態(tài)勢。隨著半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)日趨成熟，特別是集成電路和微觀器件產(chǎn)業(yè)不斷地出現(xiàn)更多半導(dǎo)體產(chǎn)品，半導(dǎo)體終端應(yīng)用越來越廣。隨著終端應(yīng)用逐漸滲透到國民經(jīng)濟各個領(lǐng)域，下游客戶晶圓廠的資本性支出的波動和行業(yè)周期性有望降低。（4）細分行業(yè)概述近年來全球集成電路和以LED為代表的光電子器件的銷售額合計占所有半導(dǎo)體產(chǎn)品銷售額的90%以上，是半

24、導(dǎo)體產(chǎn)品最重要的組成部分。半導(dǎo)體設(shè)備主要服務(wù)于這兩類產(chǎn)品的制造環(huán)節(jié)，將半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)進一步細分，細分行業(yè)為集成電路設(shè)備行業(yè)中的刻蝕設(shè)備行業(yè)和LED設(shè)備行業(yè)中的MOCVD設(shè)備行業(yè)。刻蝕設(shè)備行業(yè)概況集成電路設(shè)備包括晶圓制造設(shè)備、封裝設(shè)備和測試設(shè)備等，晶圓制造設(shè)備的市場規(guī)模占比超過集成電路設(shè)備整體市場規(guī)模的80%。晶圓制造設(shè)備從類別上講可以分為刻蝕、光刻、薄膜沉積、檢測、涂膠顯影等十多類，其合計投資總額通常占整個晶圓廠投資總額的75%左右，其中刻蝕設(shè)備、光刻設(shè)備、薄膜沉積設(shè)備是集成電路前道生產(chǎn)工藝中最重要的三類設(shè)備。根據(jù)SEMI統(tǒng)計，2017年按全球晶圓制造設(shè)備銷售金額占比類推，目前刻蝕設(shè)備、光刻機

25、和薄膜沉積設(shè)備分別占晶圓制造設(shè)備價值量約24%、23%和18%。隨著集成電路芯片制造工藝的進步，線寬不斷縮小、芯片結(jié)構(gòu)3D化，晶圓制造向7納米、5納米以及更先進的工藝發(fā)展。由于普遍使用的浸沒式光刻機受到波長限制，14納米及以下的邏輯器件微觀結(jié)構(gòu)的加工將通過等離子體刻蝕和薄膜沉積的工藝組合多重模板效應(yīng)來實現(xiàn)，使得相關(guān)設(shè)備的加工步驟增多。在需求增長較快的刻蝕設(shè)備領(lǐng)域，行業(yè)集中度較高，泛林半導(dǎo)體占據(jù)刻蝕設(shè)備市場份額半壁江山。隨著集成電路中器件互連層數(shù)增多，刻蝕設(shè)備的使用量不斷增大，泛林半導(dǎo)體由于其刻蝕設(shè)備品類齊全，從65納米、45納米設(shè)備市場起逐步超過應(yīng)用材料和東京電子，成為行業(yè)龍頭。TheInfo

26、rmationNetwork數(shù)據(jù)顯示，泛林半導(dǎo)體在刻蝕設(shè)備行業(yè)的市場占有率從2012年的約45%提升至2017年的約55%，主要替代了東京電子的市場份額。排名第二的東京電子的市場份額從2012年的30%降至2017年的20%。應(yīng)用材料位于第三，2017年約占19%的市場份額。前三大公司在2017年占據(jù)刻蝕設(shè)備總市場份額的94%，行業(yè)集中度高，技術(shù)壁壘明顯。MOCVD設(shè)備行業(yè)概況LED產(chǎn)業(yè)鏈由襯底加工、LED外延片生產(chǎn)、芯片制造和器件封裝組成。該產(chǎn)業(yè)鏈中主要涉及的設(shè)備包括：襯底加工需要的單晶爐、多線切割機；制造外延片需要的MOCVD設(shè)備；制造芯片需要的光刻、刻蝕、清洗、檢測設(shè)備；封裝需要的貼片機

27、、固晶機、焊線臺和灌膠機等。LED外延片的制備是LED芯片生產(chǎn)的重要步驟，與集成電路在多種核心設(shè)備間循環(huán)的制造工藝不同，主要通過MOCVD單種設(shè)備實現(xiàn)。MOCVD設(shè)備作為LED制造中最重要的設(shè)備，其采購金額一般占LED生產(chǎn)線總投入的一半以上，因此MOCVD設(shè)備的數(shù)量成為衡量LED制造商產(chǎn)能的直觀指標(biāo)。近年來，中國LED芯片產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展帶動了作為產(chǎn)業(yè)核心設(shè)備的MOCVD設(shè)備需求量的快速增長。高工LED數(shù)據(jù)顯示，2015年至2017年中國MOCVD設(shè)備保有量從1,222臺增長至1,718臺，年均復(fù)合增長率達18%。根據(jù)LEDinside統(tǒng)計，中國已成全球MOCVD設(shè)備最大的需求市場，MOCVD設(shè)

28、備保有量占全球比例已超40%。高工LED目前MOCVD設(shè)備下游應(yīng)用主要包括藍光LED，藍光LED則主要用于照明領(lǐng)域。藍光LED與熒光粉的組合促生了取代白熾燈、熒光燈的新一代照明市場。更值得注意的是，藍光LED和氮化鎵有密不可分的聯(lián)系，藍光LED研發(fā)取得突破的關(guān)鍵是科學(xué)家們找到了氮化鎵這種具有較大禁帶寬度的半導(dǎo)體材料。氮化鎵基LED促進了照明行業(yè)的發(fā)展。目前MOCVD設(shè)備主要用于氮化鎵基及砷化鎵基半導(dǎo)體材料外延生長，其中氮化鎵基LEDMOCVD主要用于生產(chǎn)氮化鎵基LED的外延片。根據(jù)LEDinside的數(shù)據(jù)顯示，2018年全年氮化鎵基MOCVD的新增數(shù)量為215臺，砷化鎵基MOCVD的新增數(shù)量為

29、65臺，氮化鎵基MOCVD設(shè)備約占全部MOCVD市場份額的77%。除藍光LED，MOCVD設(shè)備還可應(yīng)用于綠光LED、紅光LED、深紫外LED，以及MiniLED、MicroLED、功率器件等諸多新興領(lǐng)域，MOCVD設(shè)備的市場規(guī)模會有望進一步擴大。二、區(qū)域產(chǎn)業(yè)環(huán)境分析“十三五”時期，我區(qū)發(fā)展面臨諸多機遇和有利條件。我國經(jīng)濟長期向好的基本面沒有改變，發(fā)展仍然處于重要戰(zhàn)略機遇期的重大判斷沒有改變，但戰(zhàn)略機遇期的內(nèi)涵發(fā)生深刻變化，正在由原來加快發(fā)展速度的機遇轉(zhuǎn)變?yōu)榧涌旖?jīng)濟發(fā)展方式轉(zhuǎn)變的機遇，正在由原來規(guī)模快速擴張的機遇轉(zhuǎn)變?yōu)樘岣甙l(fā)展質(zhì)量和效益的機遇，我區(qū)推動轉(zhuǎn)型發(fā)展契合發(fā)展大勢?！笆濉睍r期，我區(qū)發(fā)

30、展也面臨一些困難和挑戰(zhàn)。從宏觀形勢看，世界經(jīng)濟仍然處于復(fù)蘇期，發(fā)展形勢復(fù)雜多變，國內(nèi)經(jīng)濟下行壓力加大，傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)面臨重大變革，區(qū)域競爭更加激烈，要素成本不斷提高，我區(qū)發(fā)展將不斷面臨新形勢、新情況和新挑戰(zhàn)。從自身來看，我區(qū)仍處于產(chǎn)業(yè)培育的“關(guān)鍵期”、社會穩(wěn)定的“敏感期”和轉(zhuǎn)型發(fā)展的“攻堅期”，有很多經(jīng)濟社會發(fā)展問題需要解決，特別是經(jīng)濟總量不夠大、產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)不夠優(yōu)、重構(gòu)支柱產(chǎn)業(yè)體系任重道遠，資源瓶頸制約依然突出、創(chuàng)新要素基礎(chǔ)薄弱、發(fā)展動力不足等問題亟需突破，維護安全穩(wěn)定壓力較大，保障和改革民生任務(wù)較重。三、項目承辦單位發(fā)展概況公司不斷建設(shè)和完善企業(yè)信息化服務(wù)平臺，實施“互聯(lián)網(wǎng)+”企業(yè)專項行動，推廣適合

31、企業(yè)需求的信息化產(chǎn)品和服務(wù)，促進互聯(lián)網(wǎng)和信息技術(shù)在企業(yè)經(jīng)營管理各個環(huán)節(jié)中的應(yīng)用，業(yè)通過信息化提高效率和效益。搭建信息化服務(wù)平臺，培育產(chǎn)業(yè)鏈，打造創(chuàng)新鏈，提升價值鏈，促進帶動產(chǎn)業(yè)鏈上下游企業(yè)協(xié)同發(fā)展。面對宏觀經(jīng)濟增速放緩、結(jié)構(gòu)調(diào)整的新常態(tài)，公司在企業(yè)法人治理機構(gòu)、企業(yè)文化、質(zhì)量管理體系等方面著力探索，提升企業(yè)綜合實力，配合產(chǎn)業(yè)供給側(cè)結(jié)構(gòu)改革。同時，公司注重履行社會責(zé)任所帶來的發(fā)展機遇，積極踐行“責(zé)任、人本、和諧、感恩”的核心價值觀。多年來，公司一直堅持堅持以誠信經(jīng)營來贏得信任。面對宏觀經(jīng)濟增速放緩、結(jié)構(gòu)調(diào)整的新常態(tài)，公司在企業(yè)法人治理機構(gòu)、企業(yè)文化、質(zhì)量管理體系等方面著力探索，提升企業(yè)綜合實力，

32、配合產(chǎn)業(yè)供給側(cè)結(jié)構(gòu)改革。同時，公司注重履行社會責(zé)任所帶來的發(fā)展機遇，積極踐行“責(zé)任、人本、和諧、感恩”的核心價值觀。多年來，公司一直堅持堅持以誠信經(jīng)營來贏得信任。四、行業(yè)背景分析1、2006-2020年國家信息化發(fā)展戰(zhàn)略在集成電路（特別是中央處理器芯片）、系統(tǒng)軟件、關(guān)鍵應(yīng)用軟件、自主可控關(guān)鍵裝備等涉及自主發(fā)展能力的關(guān)鍵領(lǐng)域，瞄準(zhǔn)國際創(chuàng)新前沿，加大投入，重點突破，逐步掌握產(chǎn)業(yè)發(fā)展的主動權(quán)。制定并完善集成電路、軟件、基礎(chǔ)電子產(chǎn)品、信息安全產(chǎn)品、信息服務(wù)業(yè)等領(lǐng)域的產(chǎn)業(yè)政策。研究制定支持大型中央企業(yè)的信息化發(fā)展政策。培育有核心競爭能力的信息產(chǎn)業(yè)。加強政府引導(dǎo)，突破集成電路、軟件、關(guān)鍵電子元器件、關(guān)鍵工

33、藝裝備等基礎(chǔ)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展瓶頸，提高在全球產(chǎn)業(yè)鏈中的地位，逐步形成技術(shù)領(lǐng)先、基礎(chǔ)雄厚、自主發(fā)展能力強的信息產(chǎn)業(yè)。2、關(guān)于進一步鼓勵軟件產(chǎn)業(yè)和集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的若干政策的通知為進一步優(yōu)化軟件產(chǎn)業(yè)和集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展環(huán)境，提高產(chǎn)業(yè)發(fā)展質(zhì)量和水平，培育一批有實力和影響力的行業(yè)領(lǐng)先企業(yè)，在財稅、投融資、研究開發(fā)、進出口等各方面制定了許多優(yōu)惠政策。在投融資方面，積極支持符合條件的軟件企業(yè)和集成電路企業(yè)采取發(fā)行股票、債券等多種方式籌集資金，拓寬直接融資渠道。3、關(guān)于海關(guān)支持軟件產(chǎn)明確了經(jīng)認(rèn)定的軟件進企業(yè)進口所需的自用設(shè)備以及配套件、備件可以免征進口關(guān)稅，照章征收進業(yè)和集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的有關(guān)政策規(guī)定和措施的公告經(jīng)

34、認(rèn)定線寬小于0.25微米或投資額超過80億元人民幣的集成電路生產(chǎn)企業(yè)和經(jīng)認(rèn)定的線寬小于0.8微米（含）的集成電路生產(chǎn)企業(yè)，其進口自用生產(chǎn)性原材料、消耗品，凈化室專用建筑材料、配套系統(tǒng)，以及集成電路生產(chǎn)設(shè)備零、配件可以免征關(guān)稅和進口環(huán)節(jié)增值稅。4、國家規(guī)劃布局內(nèi)重點軟件企業(yè)和集成電路設(shè)計企業(yè)認(rèn)定管理試行辦法規(guī)劃布局企業(yè)須符合戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃、信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃等國家規(guī)劃部署，在全國軟件和集成電路行業(yè)中具有相對比較優(yōu)勢。5、關(guān)于進一步鼓勵軟件產(chǎn)業(yè)和集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展企業(yè)所得稅政策的通知我國境內(nèi)新辦的集成電路設(shè)計企業(yè)和符合條件的軟件企業(yè)，經(jīng)認(rèn)定后，在2017年12月31日前自獲利年度起計算優(yōu)惠期，

35、第一年至第二年免征企業(yè)所得稅，第三年至第五年按照25%的法定稅率減半征收企業(yè)所得稅，并享受至期滿為止。國家規(guī)劃布局內(nèi)的重點軟件企業(yè)和集成電路設(shè)計企業(yè)，如當(dāng)年未享受免稅優(yōu)惠的，可減按10%的稅率征收企業(yè)所得稅。6、國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進綱要提出著力發(fā)展集成電路設(shè)計業(yè)；加速發(fā)展集成電路制造業(yè)；提升先進封裝測試業(yè)發(fā)展水平；突破集成電路關(guān)鍵裝備和材料；并從成立國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展領(lǐng)導(dǎo)小組、設(shè)立國家產(chǎn)業(yè)投資基金、加大金融支持力度、落實稅收支持政策、加強安全可靠軟硬件的推廣應(yīng)用、強化企業(yè)創(chuàng)新能力建設(shè)、加大人才培養(yǎng)和引進力度、繼續(xù)擴大對外開放等八個方面配備了相應(yīng)的保障措施。7、中國制造2025著力提升集成

36、電路設(shè)計水平，不斷豐富知識產(chǎn)權(quán)（IP）和設(shè)計工具，突破關(guān)系國家信息與網(wǎng)絡(luò)安全及電子整機產(chǎn)業(yè)發(fā)展的核心通用芯片，提升國產(chǎn)芯片的應(yīng)用適配能力。掌握高密度封裝及三維（3D）微組裝技術(shù)，提升封裝產(chǎn)業(yè)和測試的自主發(fā)展能力。形成關(guān)鍵制造裝備供貨能力。8、國務(wù)院辦公廳關(guān)于進一步激發(fā)民間有效投資活力促進經(jīng)濟持續(xù)健康發(fā)展的指導(dǎo)意見提出發(fā)揮財政性資金帶動作用，通過投資補助、資本金注入、設(shè)立基金等多種方式，廣泛吸納各類社會資本，支持企業(yè)加大技術(shù)改造力度，加大對集成電路等關(guān)鍵領(lǐng)域和薄弱環(huán)節(jié)重點項目的投入。第三章 市場需求分析一、行業(yè)基本情況1、行業(yè)發(fā)展態(tài)勢及面臨的機遇（1）新應(yīng)用推動市場需求持續(xù)旺盛縱觀半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)

37、展歷史，雖然行業(yè)呈現(xiàn)明顯的周期性波動，但整體增長趨勢并未發(fā)生變化，而每一次技術(shù)變革是驅(qū)動行業(yè)持續(xù)增長的主要動力。歷史證明，隨著消費電子產(chǎn)品朝著智能化、輕薄化、便攜化發(fā)展，新的智能終端產(chǎn)品層出不窮，從個人電腦、寬帶互聯(lián)網(wǎng)到移動互聯(lián)網(wǎng)的技術(shù)更替，使得集成電路、MEMS、功率器件等半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的市場前景和發(fā)展機遇越來越廣闊。雖然短期內(nèi)個人電腦和智能手機滲透率接近高位在一定程度上影響半導(dǎo)體行業(yè)的持續(xù)快速發(fā)展，但以物聯(lián)網(wǎng)為代表的新需求所帶動的如云計算、人工智能、大數(shù)據(jù)等新應(yīng)用的興起，逐漸成為半導(dǎo)體行業(yè)新一代技術(shù)的變革力量。從長遠來看，伴隨新應(yīng)用推動市場需求的持續(xù)旺盛，半導(dǎo)體行業(yè)的景氣度有望保持螺旋式上升。

38、在如此的大浪潮下，全球的半導(dǎo)體巨頭如三星、英特爾、海力士等紛紛在近期提出加大資本性支出的計劃，或開啟新一輪的半導(dǎo)體投資周期。作為半導(dǎo)體生產(chǎn)環(huán)節(jié)投資規(guī)模占比最大的部分，半導(dǎo)體設(shè)備將直接受益于未來持續(xù)擴張的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)。（2）集成電路工藝的進步刺激設(shè)備需求增加在摩爾定律的推動下，元器件集成度的大幅提高要求集成電路線寬不斷縮小，直接導(dǎo)致集成電路制造工序愈為復(fù)雜。根據(jù)SEMI統(tǒng)計，20納米工藝所需工序約為1,000道，而10納米工藝和7納米工藝所需工序已超過1,400道。尤其當(dāng)線寬向10、7、5納米甚至更小的方向升級，當(dāng)前市場普遍使用的光刻機受波長的限制精度無法滿足要求，需要采用多重模板工藝，重復(fù)多次薄

39、膜沉積和刻蝕工序以實現(xiàn)更小的線寬，使得薄膜沉積和刻蝕次數(shù)顯著增加。根據(jù)SEMI統(tǒng)計，20納米工藝需要的刻蝕步驟約為50次，而10納米工藝和7納米工藝所需刻蝕步驟則超過100次。工序步驟的大幅增加意味著需要更多以刻蝕設(shè)備、薄膜沉積設(shè)備為代表的半導(dǎo)體設(shè)備參與集成電路生產(chǎn)環(huán)節(jié)。除集成電路線寬不斷縮小以外，半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)也趨于復(fù)雜，例如存儲器領(lǐng)域的NAND閃存已進入3D時代。3DNAND制造工藝中，增加集成度的主要方法不再是縮小單層上線寬而是增大堆疊的層數(shù)，疊堆層數(shù)也從32層、64層量產(chǎn)向128層發(fā)展，每層均需要經(jīng)過刻蝕和薄膜沉積的工藝步驟，催生出更多刻蝕設(shè)備和薄膜沉積設(shè)備的需求。此外，3D結(jié)構(gòu)的半

40、導(dǎo)體器件往往需要很小的通孔連接幾十至一百余層硅，因此對刻蝕設(shè)備的技術(shù)要求是更高的深寬比，這為刻蝕設(shè)備提出了新的應(yīng)用方向，帶來了新的附加值。綜上，集成電路尺寸及線寬的縮小、產(chǎn)品結(jié)構(gòu)的立體化及生產(chǎn)工藝的復(fù)雜化等因素都對半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)提出了更高的要求和更多的需求，并為以刻蝕設(shè)備、薄膜沉積設(shè)備為代表的核心裝備的發(fā)展提供了廣闊的市場空間。（3）LED新技術(shù)和應(yīng)用方向的發(fā)展將催生MOCVD的新需求LED行業(yè)的新應(yīng)用和新技術(shù)同樣層出不窮，除藍光LED外，紅黃光LED、深紫外LED以及MiniLED、MicroLED、第三代半導(dǎo)體功率器件等諸多新產(chǎn)品方興未艾，這些領(lǐng)域都需要MOCVD設(shè)備，將進一步擴大MOCV

41、D設(shè)備的市場規(guī)模。MiniLED和MicroLED具有高分辨率、高亮度、省電及反應(yīng)速度快等特點，被視為新一代顯示技術(shù)，吸引蘋果、三星、LG、索尼等大型企業(yè)布局發(fā)展。以氮化鎵、碳化硅為代表的第三代半導(dǎo)體功率器件由于具有高效、低能耗和快速轉(zhuǎn)換等優(yōu)點，正在迅速取代部分硅功率器件，并從電子領(lǐng)域擴展到如民用高頻器件，例如5G等其他領(lǐng)域，市場前景廣闊。根據(jù)LEDinside預(yù)測，深紫外LED市場產(chǎn)值于2017年成長至2.23億美金，預(yù)估2022年將會到達12.24億美金，2017-2022年復(fù)合成長率達33%。除固化應(yīng)用市場穩(wěn)定成長之外，表面殺菌、靜止水殺菌、流動水殺菌等應(yīng)用為2018-2022年深紫外L

42、ED市場的主要成長動能。（4）全球半導(dǎo)體產(chǎn)能向中國大陸轉(zhuǎn)移，推動國內(nèi)設(shè)備行業(yè)大力發(fā)展作為全球最大的半導(dǎo)體消費市場，我國對半導(dǎo)體器件產(chǎn)品的需求持續(xù)旺盛，中國半導(dǎo)體市場規(guī)模2013年至2018年年均復(fù)合增長率為14.34%。市場需求帶動全球產(chǎn)能中心逐步向中國大陸轉(zhuǎn)移，持續(xù)的產(chǎn)能轉(zhuǎn)移帶動了大陸半導(dǎo)體整體產(chǎn)業(yè)規(guī)模和技術(shù)水平的提高。SEMI所發(fā)布的近兩年全球晶圓廠預(yù)測報告顯示，2016至2017年間，新建的晶圓廠達17座，其中中國大陸占了10座。SEMI進一步預(yù)估，2017年到2020年的四年間，全球預(yù)計新建62條晶圓加工線，其中中國大陸將新建26座晶圓廠，成為全球新建晶圓廠最積極的地區(qū)，整體投資金額預(yù)

43、計占全球新建晶圓廠的42%，為全球之最。中國大陸晶圓廠建廠潮為半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)提供了巨大的市場空間。根據(jù)SEMI統(tǒng)計數(shù)據(jù)，2018年第三季度中國大陸半導(dǎo)體設(shè)備銷售額同比增長106%，首次超越韓國，預(yù)計2019年將成為全球最大半導(dǎo)體設(shè)備市場。同時，中國大陸需求和投資的旺盛也促進了我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)專業(yè)人才的培養(yǎng)及配套行業(yè)的發(fā)展，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)環(huán)境的良性發(fā)展為我國設(shè)備產(chǎn)業(yè)的擴張和升級提供了機遇。（5）良好的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)扶持政策為進一步加快集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展，2014年6月出臺的國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進綱要強調(diào)，進一步突出企業(yè)的主體地位，以需求為導(dǎo)向，以技術(shù)創(chuàng)新、模式創(chuàng)新和體制機制創(chuàng)新為動力，突破集成電路關(guān)鍵裝備

44、和材料瓶頸，推動產(chǎn)業(yè)整體提升，實現(xiàn)跨越式發(fā)展。國家高度重視和大力支持行業(yè)發(fā)展，相繼出臺了多項政策，推動中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展和加速國產(chǎn)化進程，將半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展提升到國家戰(zhàn)略的高度，充分顯示出國家發(fā)展半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的決心。在良好的政策環(huán)境下，國家產(chǎn)業(yè)投資基金及民間資本以市場化的投資方式進入半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)。國家產(chǎn)業(yè)投資基金通過股權(quán)投資的方式支持集成電路產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)中具有較強技術(shù)優(yōu)勢和市場競爭力的公司，推動企業(yè)提升產(chǎn)能水平和實現(xiàn)兼并重組，形成良性的自我發(fā)展能力。在國家產(chǎn)業(yè)投資基金設(shè)立的同時，各地也支持設(shè)立地方性投資基金，鼓勵社會各類風(fēng)險投資和股權(quán)投資基金進入集成電路領(lǐng)域，以國家資金為杠桿，撬動大規(guī)模社會資本進

45、入半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)。我國半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)迎來了前所未有的發(fā)展契機，有助于我國半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)技術(shù)水平的提高和行業(yè)的快速發(fā)展。2、面臨的挑戰(zhàn)（1）融資環(huán)境仍不成熟半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)投資周期長，研發(fā)投入大，是典型的資本密集型行業(yè)，為保持公司的技術(shù)優(yōu)勢，需要長期、持續(xù)不斷的研發(fā)投入。目前行業(yè)內(nèi)企業(yè)主要資金來源于股東的投入，融資渠道單一限制了國內(nèi)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。（2）高端技術(shù)和人才的缺乏半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)屬于典型技術(shù)密集型行業(yè)，對于技術(shù)人員的知識背景、研發(fā)能力及操作經(jīng)驗積累均有較高要求。雖然近年來國家對半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)給予鼓勵和支持，但由于研發(fā)起步較晚，業(yè)內(nèi)人才和技術(shù)水平仍然較為缺乏，在一定程度上制約了行業(yè)的快速發(fā)展。二、市

46、場分析（1）刻蝕設(shè)備行業(yè)在新技術(shù)方面近年來的發(fā)展情況與未來發(fā)展趨勢集成電路制造工藝集成電路制造工藝繁多復(fù)雜，其中光刻、刻蝕和薄膜沉積是半導(dǎo)體制造三大核心工藝。薄膜沉積工藝系在晶圓上沉積一層待處理的薄膜，勻膠工藝系把光刻膠涂抹在薄膜上，光刻和顯影工藝系把光罩上的圖形轉(zhuǎn)移到光刻膠，刻蝕工藝系把光刻膠上圖形轉(zhuǎn)移到薄膜，去除光刻膠后，即完成圖形從光罩到晶圓的轉(zhuǎn)移。制造芯片的過程需要數(shù)十層光罩，集成電路制造主要是通過薄膜沉積、光刻和刻蝕三大工藝循環(huán)，把所有光罩的圖形逐層轉(zhuǎn)移到晶圓上。半導(dǎo)體制造工藝：薄膜沉積、光刻和刻蝕是半導(dǎo)體制造三大核心工藝制造先進的集成電路器件，如同建一個幾十層的微觀樓房，或建一個多

47、層的高速立交橋。等離子體刻蝕技術(shù)刻蝕可以分為濕法刻蝕和干法刻蝕，濕法刻蝕各向異性較差，側(cè)壁容易產(chǎn)生橫向刻蝕造成刻蝕偏差，通常用于工藝尺寸較大的應(yīng)用，或用于干法刻蝕后清洗殘留物等。干法刻蝕是目前主流的刻蝕技術(shù)，其中以等離子體干法刻蝕為主導(dǎo)。等離子體刻蝕設(shè)備是一種大型真空的全自動的加工設(shè)備，一般由多個真空等離子體反應(yīng)腔和主機傳遞系統(tǒng)構(gòu)成。等離子體刻蝕設(shè)備的分類與刻蝕工藝密切相關(guān)，其原理是利用等離子體放電產(chǎn)生的帶化學(xué)活性的粒子，在離子的轟擊下，與表面的材料發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，產(chǎn)生可揮發(fā)的氣體，從而在表面的材料上加工出微觀結(jié)構(gòu)。根據(jù)產(chǎn)生等離子體方法的不同，干法刻蝕主要分為電容性等離子體刻蝕和電感性等離子體刻

48、蝕；根據(jù)被刻蝕材料類型的不同，干法刻蝕主要是刻蝕介質(zhì)材料（氧化硅、氮化硅、二氧化鉿、光刻膠等）、硅材料（單晶硅、多晶硅、和硅化物等）和金屬材料（鋁、鎢等）。電容性等離子體刻蝕主要是以高能離子在較硬的介質(zhì)材料上，刻蝕高深寬比的深孔、深溝等微觀結(jié)構(gòu)；而電感性等離子體刻蝕主要是以較低的離子能量和極均勻的離子濃度刻蝕較軟的和較薄的材料。這兩種刻蝕設(shè)備涵蓋了主要的刻蝕應(yīng)用?？涛g技術(shù)水平發(fā)展?fàn)顩r及未來發(fā)展趨勢隨著國際上高端量產(chǎn)芯片從14納米到10納米階段向7納米、5納米甚至更小的方向發(fā)展，當(dāng)前市場普遍使用的沉浸式光刻機受光波長的限制，關(guān)鍵尺寸無法滿足要求，必須采用多重模板工藝，利用刻蝕工藝實現(xiàn)更小的尺寸，

49、使得刻蝕技術(shù)及相關(guān)設(shè)備的重要性進一步提升。芯片線寬的縮小及新制造工藝的采用（如多重模板工藝），對刻蝕技術(shù)的精確度和重復(fù)性要求更高?？涛g技術(shù)需要在刻蝕速率、各向異性、刻蝕偏差、選擇比、深寬比、均勻性、殘留物、等離子體引起的敏感器件損傷、顆粒沾污等指標(biāo)上滿足更高的要求，刻蝕設(shè)備隨之更新進步，例如：刻蝕設(shè)備的靜電吸盤從原來的四分區(qū)擴展到超過20個分區(qū)，以實現(xiàn)更高要求的均勻性；更好的腔體的溫度控制實現(xiàn)生產(chǎn)重復(fù)性的提高。集成電路2D存儲器件的線寬已接近物理極限，NAND閃存已進入3D時代。目前64層3DNAND閃存已進入大生產(chǎn)，96層和128層閃存正處于研發(fā)中。3DNAND制造工藝中，增加集成度的主要方

50、法不再是縮小單層上線寬而是增加堆疊的層數(shù)?？涛g要在氧化硅和氮化硅一對的疊層結(jié)構(gòu)上，加工40：1到60：1的極深孔或極深的溝槽。3DNAND層數(shù)的增加要求刻蝕技術(shù)實現(xiàn)更高的深寬比。（2）MOCVD設(shè)備行業(yè)在新技術(shù)方面近年來的發(fā)展情況與未來發(fā)展趨勢在光電子半導(dǎo)體LED領(lǐng)域存在一個類似摩爾定律的海茲定律，即LED的價格每10年將為原來的1/10，輸出流明則增加20倍。自1993年第一顆商業(yè)化藍光LED誕生以來，經(jīng)過20多年的發(fā)展，制造藍光LED的MOCVD技術(shù)已達到較為成熟的階段，目前MOCVD設(shè)備企業(yè)主要在提高大規(guī)模外延生產(chǎn)所需的性能、降低生產(chǎn)成本、具備大尺寸襯底外延能力等方面進行技術(shù)開發(fā)，以滿足

51、下游應(yīng)用市場的需求。主流MOCVD設(shè)備反應(yīng)腔的加工能力從31片4英寸外延片發(fā)展到34片4英寸外延片，現(xiàn)在行業(yè)主流廠商正在開發(fā)41片4英寸外延片超大反應(yīng)器。 制造紅黃光LED、紫外光LED、功率器件等都需要MOCVD設(shè)備，這些設(shè)備還有待進一步開發(fā)。MiniLED和MicroLED可能帶來的顯示器件革命孕育著更大的市場機會。第四章 產(chǎn)品方案與建設(shè)規(guī)劃一、建設(shè)規(guī)模及主要建設(shè)內(nèi)容（一）項目場地規(guī)模該項目總占地面積53046.61（折合約79.57畝），預(yù)計場區(qū)規(guī)劃總建筑面積55698.94。（二）產(chǎn)能規(guī)模根據(jù)國內(nèi)外市場需求和xx集團有限公司建設(shè)能力分析，建設(shè)規(guī)模確定達產(chǎn)年產(chǎn)VOC設(shè)備10000臺，預(yù)計

52、年營業(yè)收入74100.00萬元。二、產(chǎn)品規(guī)劃方案及生產(chǎn)綱領(lǐng)本期項目產(chǎn)品主要從國家及地方產(chǎn)業(yè)發(fā)展政策、市場需求狀況、資源供應(yīng)情況、企業(yè)資金籌措能力、生產(chǎn)工藝技術(shù)水平的先進程度、項目經(jīng)濟效益及投資風(fēng)險性等方面綜合考慮確定。具體品種將根據(jù)市場需求狀況進行必要的調(diào)整，各年生產(chǎn)綱領(lǐng)是根據(jù)人員及裝備生產(chǎn)能力水平，并參考市場需求預(yù)測情況確定，同時，把產(chǎn)量和銷量視為一致，本報告將按照初步產(chǎn)品方案進行測算。第五章 選址分析一、項目選址原則1、符合城鄉(xiāng)建設(shè)總體規(guī)劃，應(yīng)符合當(dāng)?shù)毓I(yè)項目占地使用規(guī)劃的要求，并與大氣污染防治、水資源和自然生態(tài)保護相一致。2、項目選址應(yīng)避開自然保護區(qū)、風(fēng)景名勝區(qū)、生活飲用水源地和其它特別

53、需要保護的敏感性目標(biāo)。3、節(jié)約土地資源，充分利用空閑地、非耕地或荒地，盡可能不占良田或少占耕地。4、項目選址選擇應(yīng)提供足夠的場地以滿足工藝及輔助生產(chǎn)設(shè)施的建設(shè)需要。5、項目選址應(yīng)具備良好的生產(chǎn)基礎(chǔ)條件，水源、電力、運輸?shù)壬a(chǎn)要素供應(yīng)充裕，能源供應(yīng)有可靠的保障。6、項目選址應(yīng)靠近交通主干道，具備便利的交通條件，有利于原料和產(chǎn)成品的運輸。通訊便捷，有利于及時反饋市場信息。7、地勢平緩，便于排除雨水和生產(chǎn)、生活廢水。8、應(yīng)與居民區(qū)及環(huán)境污染敏感點有足夠的防護距離。二、建設(shè)區(qū)基本情況項目建設(shè)選址區(qū)位優(yōu)勢得天獨厚，是區(qū)域核心功能區(qū)的重要組成部分。交通體系開放便捷，周邊10分鐘車程范圍內(nèi)，有高速公路4條、

54、高速公路出入口6個，多條國道在區(qū)內(nèi)通過，立體化交通網(wǎng)絡(luò)通達。項目建設(shè)地自然生態(tài)環(huán)境良好，園區(qū)綠化率達50%以上，空氣和水質(zhì)優(yōu)于國家標(biāo)準(zhǔn)；項目建設(shè)地配套功能設(shè)施完備，基礎(chǔ)功能設(shè)施達到“十通一平”，建有大型商務(wù)寫字樓、會議中心、星級酒店等，能夠提供會議、住宿、餐飲、醫(yī)療、休閑等服務(wù)?！笆濉睍r期，我區(qū)發(fā)展面臨諸多機遇和有利條件。我國經(jīng)濟長期向好的基本面沒有改變，發(fā)展仍然處于重要戰(zhàn)略機遇期的重大判斷沒有改變，但戰(zhàn)略機遇期的內(nèi)涵發(fā)生深刻變化，正在由原來加快發(fā)展速度的機遇轉(zhuǎn)變?yōu)榧涌旖?jīng)濟發(fā)展方式轉(zhuǎn)變的機遇，正在由原來規(guī)模快速擴張的機遇轉(zhuǎn)變?yōu)樘岣甙l(fā)展質(zhì)量和效益的機遇，我區(qū)推動轉(zhuǎn)型發(fā)展契合發(fā)展大勢?！笆?/p>

55、”時期，我區(qū)發(fā)展也面臨一些困難和挑戰(zhàn)。從宏觀形勢看，世界經(jīng)濟仍然處于復(fù)蘇期，發(fā)展形勢復(fù)雜多變，國內(nèi)經(jīng)濟下行壓力加大，傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)面臨重大變革，區(qū)域競爭更加激烈，要素成本不斷提高，我區(qū)發(fā)展將不斷面臨新形勢、新情況和新挑戰(zhàn)。從自身來看，我區(qū)仍處于產(chǎn)業(yè)培育的“關(guān)鍵期”、社會穩(wěn)定的“敏感期”和轉(zhuǎn)型發(fā)展的“攻堅期”，有很多經(jīng)濟社會發(fā)展問題需要解決，特別是經(jīng)濟總量不夠大、產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)不夠優(yōu)、重構(gòu)支柱產(chǎn)業(yè)體系任重道遠，資源瓶頸制約依然突出、創(chuàng)新要素基礎(chǔ)薄弱、發(fā)展動力不足等問題亟需突破，維護安全穩(wěn)定壓力較大，保障和改革民生任務(wù)較重。2019年，堅持穩(wěn)中求進工作總基調(diào)，深入貫徹新發(fā)展理念，落實高質(zhì)量發(fā)展要求，深化供給側(cè)

56、結(jié)構(gòu)性改革，統(tǒng)籌推進穩(wěn)增長、促改革、調(diào)結(jié)構(gòu)、惠民生、防風(fēng)險、保穩(wěn)定，全力建設(shè)“高質(zhì)量產(chǎn)業(yè)之區(qū)、高品質(zhì)宜居之城”，經(jīng)濟高質(zhì)量發(fā)展動能持續(xù)增強，社會大局保持和諧穩(wěn)定，人民群眾獲得感、幸福感、安全感顯著提升。2020年，是“十三五”規(guī)劃的收官之年，是全面建成小康社會的決勝之年。當(dāng)前，世界經(jīng)濟格局復(fù)雜多變，但中國穩(wěn)中向好、長期向好的基本態(tài)勢沒有改變，堅持從全局謀劃一域、以一域服務(wù)全局，對標(biāo)對表抓落實，沉心靜氣謀發(fā)展，努力推動經(jīng)濟社會各項事業(yè)再上臺階。三、創(chuàng)新驅(qū)動發(fā)展大力實施創(chuàng)新驅(qū)動發(fā)展戰(zhàn)略，優(yōu)化創(chuàng)新資源，激活創(chuàng)新主體，改善創(chuàng)新環(huán)境，讓一切創(chuàng)新活力競相迸發(fā)，讓一切創(chuàng)新價值充分展現(xiàn)，讓創(chuàng)新成為引領(lǐng)發(fā)展的第

57、一動力。大力實施創(chuàng)新驅(qū)動發(fā)展戰(zhàn)略，優(yōu)化創(chuàng)新資源，激活創(chuàng)新主體，改善創(chuàng)新環(huán)境，讓一切創(chuàng)新活力競相迸發(fā)，讓一切創(chuàng)新價值充分展現(xiàn)，讓創(chuàng)新成為引領(lǐng)發(fā)展的第一動力。（一）實施科技創(chuàng)新引領(lǐng)大力實施協(xié)同創(chuàng)新戰(zhàn)略，積極鼓勵企業(yè)與京津科研機構(gòu)、院校開展對接活動，組建技術(shù)創(chuàng)新聯(lián)盟，增強自主創(chuàng)新和持續(xù)創(chuàng)新能力。瞄準(zhǔn)國家科技重大專項和計劃，積極爭取和培育實施新的科技成果轉(zhuǎn)化項目。培育高新技術(shù)企業(yè)。大力提升重點骨干企業(yè)的高新技術(shù)含量，使之成為技術(shù)優(yōu)勢明顯，經(jīng)濟效益顯著的區(qū)域經(jīng)濟龍頭企業(yè)；抓住有潛力的高新技術(shù)項目和高新技術(shù)產(chǎn)品，精心培育，大力扶持。搭建科技創(chuàng)新平臺。構(gòu)建一批“眾創(chuàng)空間”，鼓勵社會力量投資建設(shè)或管理運營創(chuàng)業(yè)載體，為科技創(chuàng)新創(chuàng)造良好環(huán)境。著力實