常州熔煉設備可行性研究報告參考模板

1、泓域咨詢/常州熔煉設備可行性研究報告常州熔煉設備可行性研究報告MACRO 泓域咨詢摘要說明半導體設備按生產(chǎn)工藝流程可分為前端設備（晶圓加工設備、晶圓制造設備）和后道設備（封裝及測試設備），占總體設備投資的比例分別為70%和30%。我們進一步梳理了各環(huán)節(jié)主要設備的龍頭企業(yè)，其中應用材料作為全球最大的半導體設備供應商，在晶圓制造設備的幾個核心環(huán)節(jié)熱處理、鍍膜設備、離子注入設備等領先全球。日本公司更擅長制造刻蝕設備、涂膠機、顯影機、測試設備等產(chǎn)品，而以ASML為首的荷蘭公司則在高端光刻機領域處于領先地位。該中高頻熔煉設備項目計劃總投資18053.89萬元，其中：固定資產(chǎn)投資15550.01萬元，占項

2、目總投資的86.13%；流動資金2503.88萬元，占項目總投資的13.87%。達產(chǎn)年營業(yè)收入21854.00萬元，總成本費用17047.59萬元，稅金及附加312.58萬元，利潤總額4806.41萬元，利稅總額5781.94萬元，稅后凈利潤3604.81萬元，達產(chǎn)年納稅總額2177.13萬元；達產(chǎn)年投資利潤率26.62%，投資利稅率32.03%，投資回報率19.97%，全部投資回收期6.51年，提供就業(yè)職位395個。半導體產(chǎn)業(yè)與面板產(chǎn)業(yè)相似，都是重資產(chǎn)投入，設備投資占總投資規(guī)模的比例達到60%以上，其中一些關鍵的制程環(huán)節(jié)需要綜合運用光學、物理、化學等科學技術，具有技術含量高、制造難度大、設備

3、價值高等特點。因此下游產(chǎn)業(yè)的發(fā)展衍生出了巨大的設備投資市場。報告內(nèi)容：項目概述、項目建設背景及必要性分析、項目市場分析、項目建設規(guī)模、項目選址說明、建設方案設計、工藝方案說明、項目環(huán)境影響分析、安全規(guī)范管理、建設風險評估分析、節(jié)能評估、實施進度計劃、項目投資估算、經(jīng)營效益分析、總結評價等。規(guī)劃設計/投資分析/產(chǎn)業(yè)運營常州熔煉設備可行性研究報告目錄第一章 項目概述第二章 項目建設背景及必要性分析第三章 項目市場分析第四章 項目建設規(guī)模第五章 項目選址說明第六章 建設方案設計第七章 工藝方案說明第八章 項目環(huán)境影響分析第九章 安全規(guī)范管理第十章 建設風險評估分析第十一章 節(jié)能評估第十二章 實施進度

4、計劃第十三章 項目投資估算第十四章 經(jīng)營效益分析第十五章 招標方案第十六章 總結評價第一章 項目概述一、項目承辦單位基本情況（一）公司名稱xxx實業(yè)發(fā)展公司（二）公司簡介未來，在保持健康、穩(wěn)定、快速、持續(xù)發(fā)展的同時，公司以“和諧發(fā)展”為目標，踐行社會責任，秉承“責任、公平、開放、求實”的企業(yè)責任，服務全國。為了確保研發(fā)團隊的穩(wěn)定性，提升技術創(chuàng)新能力，公司在研發(fā)投入、技術人員激勵等方面實施了多項行之有效的措施。公司自成立以來，一直奉行“誠信創(chuàng)新、科學高效、持續(xù)改進、顧客滿意”的質(zhì)量方針，將產(chǎn)品的質(zhì)量控制貫穿研發(fā)、采購、生產(chǎn)、倉儲、銷售、服務等整個流程中。公司依靠先進的生產(chǎn)、檢測設備和品質(zhì)管理系統(tǒng)

5、，確保了品質(zhì)的穩(wěn)定性，贏得了客戶的肯定。優(yōu)良的品質(zhì)是公司獲得消費者信任、贏得市場競爭的基礎，是公司業(yè)務可持續(xù)發(fā)展的保障。公司高度重視產(chǎn)品和服務的質(zhì)量管理，設立了品管部，有專職質(zhì)量控制管理人員，主要負責制定公司質(zhì)量管理目標以及組織公司內(nèi)部質(zhì)量管理相關的策劃、實施、監(jiān)督等工作。（三）公司經(jīng)濟效益分析上一年度，xxx集團實現(xiàn)營業(yè)收入12263.49萬元，同比增長18.74%（1935.11萬元）。其中，主營業(yè)業(yè)務中高頻熔煉設備生產(chǎn)及銷售收入為9965.18萬元，占營業(yè)總收入的81.26%。根據(jù)初步統(tǒng)計測算，公司實現(xiàn)利潤總額2909.12萬元，較去年同期相比增長233.10萬元，增長率8.71%；實現(xiàn)

6、凈利潤2181.84萬元，較去年同期相比增長205.11萬元，增長率10.38%。上年度主要經(jīng)濟指標項目單位指標完成營業(yè)收入萬元12263.49完成主營業(yè)務收入萬元9965.18主營業(yè)務收入占比81.26%營業(yè)收入增長率（同比）18.74%營業(yè)收入增長量（同比）萬元1935.11利潤總額萬元2909.12利潤總額增長率8.71%利潤總額增長量萬元233.10凈利潤萬元2181.84凈利潤增長率10.38%凈利潤增長量萬元205.11投資利潤率29.28%投資回報率21.96%財務內(nèi)部收益率25.95%企業(yè)總資產(chǎn)萬元35113.56流動資產(chǎn)總額占比萬元38.58%流動資產(chǎn)總額萬元13546.34

7、資產(chǎn)負債率38.10%二、項目概況（一）項目名稱常州熔煉設備中國晶圓廠建設加速。預估在2017-2020年間，全球?qū)⒂?2座新的晶圓廠投入營運。中國大陸在這段期間將有26座新的晶圓廠投入營運，占新增晶圓廠的比重高達42%，美國為10座，臺灣為9座，下游產(chǎn)能的擴張帶來設備需求的彈性。據(jù)江蘇省半導體行業(yè)協(xié)會的統(tǒng)計，2016年中國大陸已進入連年國產(chǎn)階段的晶圓生產(chǎn)線有近100條，其中12英寸晶圓生產(chǎn)線共有9條，8英寸晶圓生產(chǎn)線共有16條，6英寸晶圓生產(chǎn)線共有40條，5英寸晶圓生產(chǎn)線約有16條。中芯國際在北京的Fab4廠是中國最早量產(chǎn)的12英寸晶圓廠，經(jīng)過幾次技術改進工藝水平達到65nm。除此之外，中芯

8、國際也分別在北京和上海擁有兩條12英寸產(chǎn)線，技術節(jié)點達到了28nm，領先國內(nèi)水平。除了中芯與武漢新芯外，還暫未有國產(chǎn)企業(yè)擁有量產(chǎn)的12英寸廠。然而，英特爾、三星與SK海力士早已在大陸開始布局。SK海力士早在08年就在無錫建設了8英寸晶圓產(chǎn)線，隨后升級為12英寸。而英特爾大連工廠在2010年完工后用于生產(chǎn)65nm制程CPU，2015年10月與大連市政府合作，投資55億美元轉(zhuǎn)型生產(chǎn)3DNANDFlash。目前國內(nèi)已經(jīng)量產(chǎn)的12英寸晶圓廠僅有9座，合計產(chǎn)能42.9萬片/月。在泛半導體行業(yè)，國內(nèi)廠商已接近國外先進水平。半導體和光伏等行業(yè)均以硅晶圓作為加工原料，只是前者對晶圓純度要求更高，運用于泛半導體

9、產(chǎn)業(yè)的晶圓生長設備適當提高精度即可實現(xiàn)一定程度上的互相替代。在泛半導體行業(yè)，單晶硅生長爐技術水平的指標有晶棒尺寸、投料量、自動化程度和單晶硅棒成品品質(zhì)等，其中投料量和尺寸是主要的衡量標準。一般而言，投料量和晶棒尺寸越大，單位生產(chǎn)成本越低，技術難度也越大。目前國內(nèi)市場單晶硅生長爐的投料量一般在60150kg，尺寸一般在68英寸。當前只有少量幾家公司能夠生產(chǎn)150kg和8英寸以上的單晶硅生長爐，如德國的PVATePlaAG公司，美國的Kayex公司等。目前，以晶盛機電為代表的國內(nèi)廠商，其設備技術水平已經(jīng)接近甚至趕超了國外廠商水平，并且擁有明顯的成本優(yōu)勢，占據(jù)了國內(nèi)光伏市場的絕大部分份額。未來，國產(chǎn)

10、晶圓生長設備有望提高在半導體行業(yè)的滲透率。（二）項目選址xx新區(qū)常州，簡稱常，別稱龍城，是江蘇省地級市，國務院批復確定的中國長江三角洲地區(qū)中心城市之一、先進制造業(yè)基地和文化旅游名城。截至2018年，全市下轄5個區(qū)、代管1個縣級市，總面積4375平方千米，建成區(qū)面積261平方千米，常住人口472.9萬人，城鎮(zhèn)人口342.8萬人，城鎮(zhèn)化率72.5%。常州地處中國華東地區(qū)、江蘇南部，是揚子江城市群重要組成部分，北瀕長江、東臨太湖、西倚茅山、南扼天目山麓；與上海、南京兩大城市等距相望。常州市屬長江下游平原，兼有高沙平原和山丘湖圩，屬于北亞熱帶季風氣候。有圩墩新石器遺址、春秋淹城、天寧寺、紅梅閣、文筆塔

11、、藤花舊館、艤舟亭、太平天國護王府、瞿秋白紀念館、中華恐龍園、天目湖、金壇茅山風景區(qū)、嬉戲谷、東方鹽湖城、華夏寶盛園等景點。常州是一座有著3200多年歷史的文化古城；春秋末期（前547年），吳王壽夢第四子季札封邑延陵，開始了長達2500多年有準確紀年和確切地名的歷史。西漢高祖五年（前202年）改稱毗陵。西晉武帝太康二年（281年），改置毗陵郡。自此，常州歷朝均為郡、州、路、府治所，曾有過延陵、毗陵、毗壇、晉陵、長春、嘗州、武進等名稱，隋文帝開皇九年（589年）始有常州之稱。2019年，常州市實現(xiàn)地區(qū)生產(chǎn)總值（GD）7400.9億元，按可比價計算增長6.8%，增速高出全省平均水平0.7個百分點。

12、（三）項目用地規(guī)模項目總用地面積58255.78平方米（折合約87.34畝）。（四）項目用地控制指標該工程規(guī)劃建筑系數(shù)66.64%，建筑容積率1.41，建設區(qū)域綠化覆蓋率5.15%，固定資產(chǎn)投資強度178.04萬元/畝。（五）土建工程指標項目凈用地面積58255.78平方米，建筑物基底占地面積38821.65平方米，總建筑面積82140.65平方米，其中：規(guī)劃建設主體工程56701.54平方米，項目規(guī)劃綠化面積4229.04平方米。（六）設備選型方案項目計劃購置設備共計135臺（套），設備購置費6483.31萬元。（七）節(jié)能分析1、項目年用電量1254338.26千瓦時，折合154.16噸標準

13、煤。2、項目年總用水量19594.33立方米，折合1.67噸標準煤。3、“常州熔煉設備投資建設項目”，年用電量1254338.26千瓦時，年總用水量19594.33立方米，項目年綜合總耗能量（當量值）155.83噸標準煤/年。達產(chǎn)年綜合節(jié)能量60.60噸標準煤/年，項目總節(jié)能率21.05%，能源利用效果良好。（八）環(huán)境保護項目符合xx新區(qū)發(fā)展規(guī)劃，符合xx新區(qū)產(chǎn)業(yè)結構調(diào)整規(guī)劃和國家的產(chǎn)業(yè)發(fā)展政策；對產(chǎn)生的各類污染物都采取了切實可行的治理措施，嚴格控制在國家規(guī)定的排放標準內(nèi)，項目建設不會對區(qū)域生態(tài)環(huán)境產(chǎn)生明顯的影響。（九）項目總投資及資金構成項目預計總投資18053.89萬元，其中：固定資產(chǎn)投資

14、15550.01萬元，占項目總投資的86.13%；流動資金2503.88萬元，占項目總投資的13.87%。（十）資金籌措該項目現(xiàn)階段投資均由企業(yè)自籌。（十一）項目預期經(jīng)濟效益規(guī)劃目標預期達產(chǎn)年營業(yè)收入21854.00萬元，總成本費用17047.59萬元，稅金及附加312.58萬元，利潤總額4806.41萬元，利稅總額5781.94萬元，稅后凈利潤3604.81萬元，達產(chǎn)年納稅總額2177.13萬元；達產(chǎn)年投資利潤率26.62%，投資利稅率32.03%，投資回報率19.97%，全部投資回收期6.51年，提供就業(yè)職位395個。（十二）進度規(guī)劃本期工程項目建設期限規(guī)劃12個月。選派組織能力強、技術素

15、質(zhì)高、施工經(jīng)驗豐富、最優(yōu)秀的工程技術人員和施工隊伍投入本項目施工。項目承辦單位要合理安排設計、采購和設備安裝的時間，在工作上交叉進行，最大限度縮短建設周期。將投資密度比較大的部分工程盡量押后施工，諸如其他配套工程等。項目承辦單位一定要做好后勤供應和服務保障工作，確保不誤前方施工。三、項目評價1、本期工程項目符合國家產(chǎn)業(yè)發(fā)展政策和規(guī)劃要求，符合xx新區(qū)及xx新區(qū)中高頻熔煉設備行業(yè)布局和結構調(diào)整政策；項目的建設對促進xx新區(qū)中高頻熔煉設備產(chǎn)業(yè)結構、技術結構、組織結構、產(chǎn)品結構的調(diào)整優(yōu)化有著積極的推動意義。2、xxx集團為適應國內(nèi)外市場需求，擬建“常州熔煉設備”，本期工程項目的建設能夠有力促進xx新

16、區(qū)經(jīng)濟發(fā)展，為社會提供就業(yè)職位395個，達產(chǎn)年納稅總額2177.13萬元，可以促進xx新區(qū)區(qū)域經(jīng)濟的繁榮發(fā)展和社會穩(wěn)定，為地方財政收入做出積極的貢獻。3、項目達產(chǎn)年投資利潤率26.62%，投資利稅率32.03%，全部投資回報率19.97%，全部投資回收期6.51年，固定資產(chǎn)投資回收期6.51年（含建設期），項目具有較強的盈利能力和抗風險能力。4、提振民營經(jīng)濟、激發(fā)民間投資已被列入重要清單。民營經(jīng)濟是經(jīng)濟和社會發(fā)展的重要組成部分，在壯大區(qū)域經(jīng)濟、安排勞動就業(yè)、增加城鄉(xiāng)居民收入、維護社會和諧穩(wěn)定以及全面建成小康社會進程中起著不可替代的作用，如何做大做強民營經(jīng)濟，已成為當前的一項重要課題。2016年

17、7月，工業(yè)和信息化部與發(fā)展改革委等11部門聯(lián)合發(fā)布了關于引導企業(yè)創(chuàng)新管理提質(zhì)增效的指導意見，并采取了一系列卓有成效的具體措施。認真貫徹落實十八屆三中全會提出“鼓勵有條件的私營企業(yè)建立現(xiàn)代企業(yè)制度”，會同發(fā)展改革委等有關部門，推動有條件的地區(qū)開展非公有制企業(yè)建立現(xiàn)代企業(yè)制度試點工作，引導企業(yè)樹立現(xiàn)代企業(yè)經(jīng)營管理理念，增強企業(yè)內(nèi)在活力和創(chuàng)造力。開展管理咨詢服務，建立中小企業(yè)管理咨詢服務專家信息庫，并在中國中小企業(yè)信息網(wǎng)和中國企業(yè)家聯(lián)合會網(wǎng)站公布，供廣大民營企業(yè)、中小企業(yè)選用，為各地開展管理咨詢服務提供支撐；鼓勵和支持管理咨詢機構和志愿者開展管理診斷、管理咨詢服務，幫助企業(yè)提升管理水平。實施企業(yè)經(jīng)營

18、管理人才素質(zhì)提升工程和中小企業(yè)銀河培訓工程，全年完成對50萬中小企業(yè)經(jīng)營管理者和1000名中小企業(yè)領軍人才的培訓，推動企業(yè)提升管理水平。民營企業(yè)貼近市場、嗅覺敏銳、機制靈活，在推進企業(yè)技術創(chuàng)新能力建設方面起到重要作用。認定國家技術創(chuàng)新示范企業(yè)和培育工業(yè)設計企業(yè)，有助于企業(yè)技術創(chuàng)新能力進一步升級。同時，大量民營企業(yè)走在科技、產(chǎn)業(yè)、時尚的最前沿，能夠綜合運用科技成果和工學、美學、心理學、經(jīng)濟學等知識，對工業(yè)產(chǎn)品的功能、結構、形態(tài)及包裝等進行整合優(yōu)化創(chuàng)新，服務于工業(yè)設計，豐富產(chǎn)品品種、提升產(chǎn)品附加值，進而創(chuàng)造出新技術、新模式、新業(yè)態(tài)。綜上所述，項目的建設和實施無論是經(jīng)濟效益、社會效益還是環(huán)境保護、清

19、潔生產(chǎn)都是積極可行的。四、主要經(jīng)濟指標主要經(jīng)濟指標一覽表序號項目單位指標備注1占地面積平方米58255.7887.34畝1.1容積率1.411.2建筑系數(shù)66.64%1.3投資強度萬元/畝178.041.4基底面積平方米38821.651.5總建筑面積平方米82140.651.6綠化面積平方米4229.04綠化率5.15%2總投資萬元18053.892.1固定資產(chǎn)投資萬元15550.012.1.1土建工程投資萬元6870.842.1.1.1土建工程投資占比萬元38.06%2.1.2設備投資萬元6483.312.1.2.1設備投資占比35.91%2.1.3其它投資萬元2195.862.1.3.1

20、其它投資占比12.16%2.1.4固定資產(chǎn)投資占比86.13%2.2流動資金萬元2503.882.2.1流動資金占比13.87%3收入萬元21854.004總成本萬元17047.595利潤總額萬元4806.416凈利潤萬元3604.817所得稅萬元1.418增值稅萬元662.959稅金及附加萬元312.5810納稅總額萬元2177.1311利稅總額萬元5781.9412投資利潤率26.62%13投資利稅率32.03%14投資回報率19.97%15回收期年6.5116設備數(shù)量臺（套）13517年用電量千瓦時1254338.2618年用水量立方米19594.3319總能耗噸標準煤155.8320節(jié)

21、能率21.05%21節(jié)能量噸標準煤60.6022員工數(shù)量人395第二章 項目建設背景及必要性分析一、中高頻熔煉設備項目背景分析半導體設備按生產(chǎn)工藝流程可分為前端設備（晶圓加工設備、晶圓制造設備）和后道設備（封裝及測試設備），占總體設備投資的比例分別為70%和30%。我們進一步梳理了各環(huán)節(jié)主要設備的龍頭企業(yè)，其中應用材料作為全球最大的半導體設備供應商，在晶圓制造設備的幾個核心環(huán)節(jié)熱處理、鍍膜設備、離子注入設備等領先全球。日本公司更擅長制造刻蝕設備、涂膠機、顯影機、測試設備等產(chǎn)品，而以ASML為首的荷蘭公司則在高端光刻機領域處于領先地位。半導體設備的上游為電子元器件和機械加工行業(yè)，原材料包括機械零

22、件、視覺系統(tǒng)、繼電器、傳感器、計算機和PCB板等，優(yōu)質(zhì)的上游產(chǎn)品或服務有助于設備產(chǎn)品的可靠性和穩(wěn)定性。行業(yè)的下游主要為封裝測試、晶圓制造、芯片設計。集成電路產(chǎn)品技術含量高、工藝復雜，技術更新和工藝升級依托于裝備的發(fā)展；反之，下游信息產(chǎn)業(yè)不斷開發(fā)的新產(chǎn)品和新工藝，為設備行業(yè)提供了新需求和市場空間。以晶圓加工為例，8英寸的晶圓制造設備無法運用于其他尺寸的加工，因此當半導體行業(yè)進入12英寸時代后，8英寸產(chǎn)品需要全部更新?lián)Q代，由此也帶來了設備行業(yè)的增量空間，促進了其持續(xù)發(fā)展。總體設備市場恢復性增長，接近歷史最高水平。設備行業(yè)與半導體行業(yè)整體景氣程度密切相關，且波動較大。2008、2009年受到金融危機

23、的影響，同比分別下降31%和46%，2010年強勢回升，并于次年達到歷史最高點435億美元，隨后受到周期性影響設備支出有所下降。而2016年全球集成電路設備市場規(guī)模為412億美元，同比增長13%。由于隨后幾年全球各大廠商加速12英寸晶圓廠建設，將帶動上游設備銷售，2017年全球半導體新設備銷售額將達494億美元，同比增長19.8%，突破歷史最高水平。分產(chǎn)品來看，SEMI預計2017年晶圓加工設備達到398億美元，同比增長21.7%；光罩等其他前端設備23億美元，增長25.6%；而封裝測試裝備總計約73億美元。下游企業(yè)競爭日趨激烈，產(chǎn)業(yè)預期持續(xù)向好。中國設備占比逐步提升。分地區(qū)來看，全球半導體設

24、備主要銷售區(qū)域為中國、日本、韓國、北美和臺灣地區(qū)，2016年占比分別為16%、11%、19%、11%和30%。中國大陸在05年僅占4%，近幾年隨著大陸新建晶圓廠的增加，為半導體設備、服務、材料等廠商提供了寶貴的機遇。2016年中國大陸設備銷售收入64.6億美元，同比增長32%，并首次超過日本，成為全球第三大半導體設備銷售地區(qū)。同時，SEMI預計韓國設備銷售將在2017年達到129.7億美元，超過臺灣成為全球第一大市場。晶圓產(chǎn)能集中度提高，12英寸是當前主流。遵循摩爾定律的半導體行業(yè)曾經(jīng)實現(xiàn)了快速增長，在較低成本的基礎上帶來了強大的計算能力。為了保持成本，既有通過技術進步的小型化之路，也有增大晶

25、圓尺寸的做法。通常，半導體行業(yè)每十年升級fab架構來增加晶圓直徑，而同時技術進步則是每兩年一個節(jié)點。隨著納米尺度逼近物理極限，技術進步已經(jīng)放緩，晶圓尺寸的增加變得越來越重要。目前全球12英寸晶圓產(chǎn)能約為每月11.5百萬片，占總體產(chǎn)能的65%左右，未來12英寸產(chǎn)能預計會繼續(xù)擴張。但是，更大晶圓尺寸的資本投入也會大幅增長，這為更弱小的玩家設置了進入壁壘。設備行業(yè)在12英寸平臺開發(fā)上投入了116億美元，幾乎是開發(fā)8英寸平臺的9倍。由于這樣的尺寸遷移會產(chǎn)生進入壁壘，領先的設備供應商的擴張速度會遠優(yōu)于行業(yè)平均水平，促進集中度的提升。行業(yè)前十企業(yè)的集中度已由2009年的54%大幅提升至2016年的74%。

26、由于行業(yè)發(fā)展的驅(qū)動力是技術進步和晶圓尺寸增加帶來的多樣化新應用和成本降低，這給設備供應商帶來了更大的增量空間。二、中高頻熔煉設備項目建設必要性分析在泛半導體行業(yè)，國內(nèi)廠商已接近國外先進水平。半導體和光伏等行業(yè)均以硅晶圓作為加工原料，只是前者對晶圓純度要求更高，運用于泛半導體產(chǎn)業(yè)的晶圓生長設備適當提高精度即可實現(xiàn)一定程度上的互相替代。在泛半導體行業(yè)，單晶硅生長爐技術水平的指標有晶棒尺寸、投料量、自動化程度和單晶硅棒成品品質(zhì)等，其中投料量和尺寸是主要的衡量標準。一般而言，投料量和晶棒尺寸越大，單位生產(chǎn)成本越低，技術難度也越大。目前國內(nèi)市場單晶硅生長爐的投料量一般在60150kg，尺寸一般在68英寸

27、。當前只有少量幾家公司能夠生產(chǎn)150kg和8英寸以上的單晶硅生長爐，如德國的PVATePlaAG公司，美國的Kayex公司等。目前，以晶盛機電為代表的國內(nèi)廠商，其設備技術水平已經(jīng)接近甚至趕超了國外廠商水平，并且擁有明顯的成本優(yōu)勢，占據(jù)了國內(nèi)光伏市場的絕大部分份額。未來，國產(chǎn)晶圓生長設備有望提高在半導體行業(yè)的滲透率。光刻工藝及設備：光刻是在一片平整的硅片上構建半導體MOS管和電路的基礎，利用光學-化學反應原理和化學、物理刻蝕方法，將電路圖形傳遞到單晶表面或介質(zhì)層上，形成有效圖形窗口或功能圖形的精密微細加工技術。由于晶圓表面上的電路設計圖案直接由光刻技術決定，因此光刻也是IC制造最核心的環(huán)節(jié)。光刻

28、主要步驟是先在硅片上涂上一層耐腐蝕的光刻膠，讓強光通過一塊刻有電路圖案的鏤空掩模板照射在硅片上，使被照射到的部分（如源區(qū)和漏區(qū)）光刻膠發(fā)生變質(zhì)，然后用腐蝕性液體清洗硅片，除去變質(zhì)的光刻膠；而被光刻膠覆蓋住的部分則不會被刻蝕液影響。光刻工藝價值巨大，ASML獨領風騷。即使是微米級的光刻工藝，也需要重復循環(huán)5次以上，而目前的28nm工藝則需要20道以上的光刻步驟，整個光刻成本約為硅片制造工藝的1/3，耗費時間約占40%-60%。而光刻機則是IC制造中最核心的設備，價值量占到設備總投資的比例約為20%。全球半導體設備龍頭ASML在光刻機領域優(yōu)勢巨大，其EUV光刻機工藝水平已經(jīng)達到10nm的級別，單臺

29、設備售價超過1億美元。公司的市場份額超過60%，甩開了兩個老對手Nikon和Canon。極紫外光刻EUV是實現(xiàn)10nm以下工藝制程的最經(jīng)濟手段，并且只有ASML一家供應商具備開發(fā)EUV光刻機的能力。因此半導體三巨頭英特爾、臺積電、三星均爭相投資ASML開發(fā)EUV技術，助其快速實現(xiàn)量產(chǎn)，以及獲得EUV設備的優(yōu)先購買權。雖然我國上海微電子也研發(fā)出光刻機，但由于中國半導體起步較晚，技術上與外資品牌差距巨大?？涛g工藝：按照掩模圖形對半導體襯底表面或表面覆蓋薄膜進行選擇性腐蝕或剝離的技術工藝，是與光刻相聯(lián)系的圖形化處理的主要工藝，通常分為干法刻蝕和濕法刻蝕。濕法刻蝕主要是在較為平整的膜面上用稀釋的化學品

30、等刻出絨面，從而增加光程，減少光的反射。干法刻蝕是用等離子體（氣體）進行薄膜刻蝕的技術工藝，通過電場對等離子體進行引導和加速，使其具備一定能量，當其轟擊被刻蝕物的表面時，更快地與材料進行反應，從而利用物理上的能量轉(zhuǎn)移實現(xiàn)刻蝕目的。中微半導體崛起，泛林雄踞榜首。在刻蝕設備領域，美國的泛林半導體憑借著先發(fā)優(yōu)勢和大量研發(fā)投入保持行業(yè)龍頭地位，但中國廠商中微半導體在近十年迅速崛起，并開始打入國際市場。中微半導體的16nm刻蝕機實現(xiàn)商業(yè)化量產(chǎn)，目前已經(jīng)進入臺積電的5個半導體生產(chǎn)線，7-10nm刻蝕機設備可以與世界最前沿技術比肩。隨著中微的崛起，2015年美國商業(yè)部的工業(yè)安全局特別發(fā)布公告，承認中國已經(jīng)擁

31、有制造具備國際競爭力刻蝕機的能力，且等離子刻蝕機已經(jīng)進入量產(chǎn)階段，因而決定將等離子刻蝕機從美國對中國控制出口名錄中去除。離子注入工藝及設備：是人為地將所需雜質(zhì)以一定方式摻入到硅片表面薄層，并使其達到規(guī)定的數(shù)量和符合要求的分布形式，主要包括兩種方法。高溫熱擴散法是將摻雜氣體導入放有硅片的高溫爐，將雜質(zhì)擴散到硅片內(nèi)一種方法；離子注入法是通過注入機的加速和引導，將能量為100keV量級的離子束入射到材料中去，與材料中的原子或分子發(fā)生一系列理化反應，入射離子逐漸損失能量，并引起材料表面成分、結構和性能發(fā)生變化，最后停留在材料中，從而優(yōu)化材料表面性能，或獲得某些新的優(yōu)異性能。在離子注入機領域，美國應用材

32、料占據(jù)了70%以上的市場份額。成膜工藝及設備：主要運用CVD技術（ChemicalVaporDeposition，化學氣相沉積），是把含有構成薄膜元素的反應劑蒸氣引入反應室，在襯底表面發(fā)生化學反應生成薄膜的過程。CVD技術具有淀積溫度低、薄膜成份易控的特點，膜厚與淀積時間成正比，均勻性和重復性好，其中應用最廣的是PECVD和MOCVD。PECVD（等離子體增強化學氣相沉積），是借助微波或射頻等使含有薄膜組成原子的氣體電離，在局部形成等離子體，利用等離子很強的化學活性，在基片上沉積出所期望的薄膜；MOCVD（金屬有機化合物化學氣相沉積），是以熱分解反應方式在襯底上進行氣相外延，生長各種-V族、-

33、族化合物半導體以及它們的多元固溶體的薄層單晶材料。通常MOCVD系統(tǒng)中的晶體生長都是在常壓或低壓下通氫氣的冷壁不銹鋼反應室中進行，襯底溫度為500-1200，用射頻感應加熱石墨基座，氫氣通過溫度可控的液體源鼓泡攜帶金屬有機物到生長區(qū)。薄膜工藝也是IC制造的一個基礎工藝，加工難度較高。該環(huán)節(jié)設備投資占整體設備的14%-15%。在CVD設備領域，中國與世界先進水平差距較大。美國應用材料幾乎涵蓋了除光刻機以外的前制程設備，并在CVD及PVD設備領域位居全球市占率第一，而中國企業(yè)近年來在“02”專項的支持下也實現(xiàn)了技術突破，其中北方華創(chuàng)的CVD設備已經(jīng)進入中芯國際28nm生產(chǎn)線，14nm設備正處于驗證

34、階段。第三章 項目市場分析一、中高頻熔煉設備行業(yè)分析中國晶圓廠建設加速。預估在2017-2020年間，全球?qū)⒂?2座新的晶圓廠投入營運。中國大陸在這段期間將有26座新的晶圓廠投入營運，占新增晶圓廠的比重高達42%，美國為10座，臺灣為9座，下游產(chǎn)能的擴張帶來設備需求的彈性。據(jù)江蘇省半導體行業(yè)協(xié)會的統(tǒng)計，2016年中國大陸已進入連年國產(chǎn)階段的晶圓生產(chǎn)線有近100條，其中12英寸晶圓生產(chǎn)線共有9條，8英寸晶圓生產(chǎn)線共有16條，6英寸晶圓生產(chǎn)線共有40條，5英寸晶圓生產(chǎn)線約有16條。中芯國際在北京的Fab4廠是中國最早量產(chǎn)的12英寸晶圓廠，經(jīng)過幾次技術改進工藝水平達到65nm。除此之外，中芯國際也分

35、別在北京和上海擁有兩條12英寸產(chǎn)線，技術節(jié)點達到了28nm，領先國內(nèi)水平。除了中芯與武漢新芯外，還暫未有國產(chǎn)企業(yè)擁有量產(chǎn)的12英寸廠。然而，英特爾、三星與SK海力士早已在大陸開始布局。SK海力士早在08年就在無錫建設了8英寸晶圓產(chǎn)線，隨后升級為12英寸。而英特爾大連工廠在2010年完工后用于生產(chǎn)65nm制程CPU，2015年10月與大連市政府合作，投資55億美元轉(zhuǎn)型生產(chǎn)3DNANDFlash。目前國內(nèi)已經(jīng)量產(chǎn)的12英寸晶圓廠僅有9座，合計產(chǎn)能42.9萬片/月。在政策和資本的雙重驅(qū)動下，中國大陸晶圓生產(chǎn)線建設進入了新一輪發(fā)展浪潮。除了已經(jīng)量產(chǎn)的9條12英寸產(chǎn)線外，從2014下半年至2017上半年

36、，中國大陸正在興建或宣布計劃興建的12英寸晶圓生產(chǎn)線共有20條（包括擴產(chǎn)升級的產(chǎn)線），大大超越了已有數(shù)量，這在史上也是絕無僅有的集建設時期。中國大陸正在興建的12英寸晶圓產(chǎn)線，按主流產(chǎn)品和工藝技術來分，可以分為邏輯（Logic）芯片、存儲器（Memory）芯片和專用芯片生產(chǎn)線3類。目前興建中技術水平最高的廠商依然是中芯國際，其在北京投資40億美元的B3產(chǎn)線已達到14nm制程；同時還投資675億元在上海興建新晶圓廠，生產(chǎn)工藝涵蓋28-14nm，并且開始著手研發(fā)10/7nm工藝，預計2018年正式投產(chǎn)。而作為臺灣地區(qū)晶圓代工龍頭臺積電，也于2017年宣布在南京建設12英寸晶圓廠，這也意味著16nm

37、制程芯片將在大陸量產(chǎn)。除了新建產(chǎn)線，原有的外資12英寸產(chǎn)線也開始了技術升級、產(chǎn)能擴建的進程。其中包括SK海力士（無錫）進行第5期擴建工程，以及三星（西安）進行第二座12英寸晶圓3DNANDFlash工廠建設。根據(jù)目前的規(guī)劃，若這些晶圓廠全部量產(chǎn)，可達到的理論產(chǎn)能約為125萬片/月。疊加現(xiàn)有產(chǎn)能，則未來中國12英寸晶圓產(chǎn)能將超過160萬片/月，將大大拉動對半導體設備的需求。從2016年下半年起，國內(nèi)外8英寸晶圓產(chǎn)能日趨緊張，現(xiàn)有的8英寸產(chǎn)線投片量日益飽滿，因而在大陸新建和擴建12英寸產(chǎn)線的同時，8英寸晶圓生產(chǎn)線的新建和擴建也隨勢展開。至今，新建的8英寸晶圓生產(chǎn)線主要有大連宇宙半導體和淮安德克瑪?shù)?/p>

38、，擴建的8英寸產(chǎn)線主要是中芯國際（天津）Fab7?？傮w來說，國內(nèi)的8英寸產(chǎn)線共計21條，其中量產(chǎn)16條，在建或擴建5條，共計產(chǎn)能115萬片/月。中國晶圓廠投資迎來爆發(fā)期。我們統(tǒng)計了國內(nèi)所有8英寸及12英寸產(chǎn)線的投資數(shù)據(jù)，從未來的投資軌跡來看，2017-2020年是晶圓廠投資的高峰期。這四年內(nèi)，將有20條產(chǎn)線12英寸晶圓產(chǎn)線實現(xiàn)量產(chǎn)，其中包括紫光集團兩條、中芯國際四條、長江存儲三條，臺積電、三星、美國AOS、聯(lián)華電子、力晶、華力微電子、合肥長鑫、格羅方德、福建晉華、德克瑪、SK海力士各一條，合計投資金額約6827億元（去除紫光成都產(chǎn)線和中芯國際寧波產(chǎn)線，因為其只與政府簽訂合作意向，項目并未實際動

39、工）。全部投產(chǎn)后，中國的12英寸晶圓產(chǎn)能將領先臺灣與韓國。同時，未來國內(nèi)新增的8英寸晶圓產(chǎn)能45.5萬片/月，相比目前的量產(chǎn)規(guī)模增長65%，新增投資247億元。來國內(nèi)半導體設備市場空間測算：根據(jù)我們?nèi)斯そy(tǒng)計的晶圓產(chǎn)線數(shù)據(jù)，按照產(chǎn)線的投資額進行4年的平滑，可以計算出未來每年晶圓廠投資數(shù)據(jù)。在過去的十年中，全球半導體設備資本支出占總體資本支出的比例平均約為67%，即一條晶圓產(chǎn)線的全部資本投資中，2/3的資金用于購買設備，剩下的1/3用于廠房建設，包括人員開支、設計、材料等費用。我們以一條15億美元的產(chǎn)線為例，其中10億美元用于設備支出，主要的設備包括以下幾種：i.光刻機：最高端的ASML光刻機售價

40、高達1億美元，整條產(chǎn)線根據(jù)產(chǎn)能大小只需要幾臺光刻機即可；ii.等離子刻蝕機：一條產(chǎn)線需要30-50臺，單臺價格在200-250萬美元左右。iii.CVD設備：一個晶圓廠至少需要30臺，單臺價格200-300萬美元。iv.檢測設備：最貴的美國檢測機單價約為100萬-120萬美元，其中前道工序需要50臺，而后道工序則需要上百臺。約70%的市場為前端晶圓制造設備，而封裝設備、測試設備的占比分別為15%和10%。由于光刻、刻蝕、沉積等流程在芯片生產(chǎn)過程中不斷循環(huán)往復，對于設備穩(wěn)定性和精度的要求極高，這部分設備價值體量也最高，其中最核心裝備光刻機、鍍膜沉積設備、刻蝕設備分別占晶圓廠設備總投資的20%、1

41、5%和14%左右。中國晶圓廠設備未來幾年的投資額將達到千億級別，對應的設備投資額也為585億-1210億元不等，我們預計2019年設備投資額將達到近期峰值水平，其中晶圓制造的設備投資額將達到847億元。由于前道設備技術難度極高，同時國外實施技術封鎖，國產(chǎn)企業(yè)無法掌握核心技術而較難切入該領域。后道的封裝測試環(huán)節(jié)技術難度相對較低，尤其是測試設備，大陸憑借著技術引進和較低的勞動力成本優(yōu)勢已經(jīng)在該領域有所建樹，2017年測試設備市場規(guī)模有望達到59億元。持續(xù)的產(chǎn)能轉(zhuǎn)移不僅帶動了國內(nèi)集成電路整體產(chǎn)業(yè)規(guī)模和技術水平的提高，也為裝備制造業(yè)提供了巨大的市場空間。二、中高頻熔煉設備市場分析預測半導體產(chǎn)業(yè)與面板產(chǎn)

42、業(yè)相似，都是重資產(chǎn)投入，設備投資占總投資規(guī)模的比例達到60%以上，其中一些關鍵的制程環(huán)節(jié)需要綜合運用光學、物理、化學等科學技術，具有技術含量高、制造難度大、設備價值高等特點。因此下游產(chǎn)業(yè)的發(fā)展衍生出了巨大的設備投資市場。IC產(chǎn)品生產(chǎn)附加值極高，工藝進步依托于設備提升。目前的集成電路技術大多基于元素硅，并在晶片上構建各種復雜電路。硅元素在地殼中的含量達到26.4%，是僅次于氧的第二大元素，而單晶硅則可通過富含二氧化硅的砂石經(jīng)提煉獲得。由價格低廉的砂石到性能卓越的芯片，IC的生產(chǎn)過程就是硅元素附加值大量增長的過程。從最初的設計，到最終的下線檢測，生產(chǎn)過程需經(jīng)過幾十步甚至幾百步的工藝，整個制造過程工

43、藝復雜，其中任何一步的錯誤都可能是最后導致產(chǎn)品失效的原因，因此對設備可靠性的要求極高。下游廠商也愿意為高可靠性、高精度設備支付技術溢價，這也是半導體投資中設備投資占比較高的原因之一。從生產(chǎn)工藝來看，半導體制造過程可以分為IC設計（電路與邏輯設計）、制造（前道工序）和封裝與測試環(huán)節(jié)（后道工序）。設備主要針對制造及測封環(huán)節(jié)，設計部分的占比較少。IC設計：是一個將系統(tǒng)、邏輯與性能的設計要求轉(zhuǎn)化為具體的物理版圖的過程，主要包含邏輯設計、電路設計和圖形設計等。將最終設計出的電路圖制作成光罩，進入下一個制造環(huán)節(jié)。由于設計環(huán)節(jié)主要通過計算機完成，所需的設備占比較少。IC制造：制造環(huán)節(jié)又分為晶圓制造和晶圓加工

44、兩部分。前者是指運用二氧化硅原料逐步制得單晶硅晶圓的過程，主要包含硅的純化-多晶硅制造-拉晶-切割、研磨等，對應的設備分別是熔煉爐、CVD設備、單晶爐和切片機等；晶圓加工則是指在制備晶圓材料上構建完整的集成電路芯片的過程，主要包含鍍膜、光刻、刻蝕、離子注入等幾大工藝。i.鍍膜工藝：通過PECVD、LPCVD等設備，在晶圓表面增加一層二氧化硅構成絕緣層，使CPU不再漏電；ii.光刻工藝：通過光刻機，對半導體晶片表面的掩蔽物（如二氧化硅）進行開孔，以便進行雜質(zhì)的定域擴散的一種加工技術，加工的晶體管數(shù)量和密度都會隨著制程工藝的升級而不斷加強；iii.刻蝕工藝：通過刻蝕機，對半導體襯底表面或表面覆蓋薄

45、膜進行選擇性腐蝕或剝離；iv.離子注入：通過離子注入機或擴散爐為材料加入特殊元素，從而優(yōu)化材料表面性能，或獲得某些新的優(yōu)異性能。IC測封：封裝是半導體設備制造過程中的最后一個環(huán)節(jié)，主要包含減薄/切割、貼裝/互聯(lián)、封裝、測試等過程，分別對應切割減薄設備、引線機、鍵合機、分選測試機等。將半導體材料模塊集中于一個保護殼內(nèi)，防止物理損壞或化學腐蝕，最后通過測試的產(chǎn)品將作為最終成品投入到下游的應用中去。IC制造是將光罩上的電路圖轉(zhuǎn)移到晶圓上的過程，這段時期硅晶片附加值增長最快。該環(huán)節(jié)的制造難度相較后端的封裝測試要高很多，對于設備穩(wěn)定性和精度的要求極高，該部分設備投資體量巨大，占整體設備投資的70%以上。

46、其核心工藝主要包含晶圓制造、鍍膜、光刻、刻蝕、離子注入5大環(huán)節(jié)。晶圓制造工藝及設備：硅晶圓的制造可以歸納為三個基本步驟：硅提煉及提純、單晶硅生長、晶圓成型。首先硅提純。將原料放入熔爐中進行化學反應得到冶金級硅，然后通過蒸餾和化學還原工藝，得到了高純度的多晶硅，其純度高達99.9999999%（7個9以上），成為電子級硅。然后在單晶爐中使用提拉法得到單晶硅。即先將多晶硅熔化，然后將籽晶浸入其中，并由拉制棒帶著籽晶作反方向旋轉(zhuǎn)，同時緩慢地、垂直地由硅熔化物中向上拉出。熔化的多晶硅會按籽晶晶格排列的方向不斷地生長上去，形成單晶硅棒。硅晶棒再經(jīng)過切段、滾磨、切片、倒角、拋光、激光刻后，成為集成電路工廠

47、的基本原料硅晶圓片。第四章 項目建設規(guī)模一、產(chǎn)品規(guī)劃項目主要產(chǎn)品為中高頻熔煉設備，根據(jù)市場情況，預計年產(chǎn)值21854.00萬元。通過對國內(nèi)外市場需求預測可以看出，我國項目產(chǎn)品將以內(nèi)銷為主并擴大外銷，隨著產(chǎn)品宣傳力度的加大，產(chǎn)品價格的降低，產(chǎn)品質(zhì)量的提高和產(chǎn)品的多樣化，項目產(chǎn)品必將更受歡迎；通過對市場需求預測分析，國內(nèi)外市場對項目產(chǎn)品的需求量均呈逐年增加的趨勢，市場銷售前景非?？春?。二、建設規(guī)模（一）用地規(guī)模該項目總征地面積58255.78平方米（折合約87.34畝），其中：凈用地面積58255.78平方米（紅線范圍折合約87.34畝）。項目規(guī)劃總建筑面積82140.65平方米，其中：規(guī)劃建設主

48、體工程56701.54平方米，計容建筑面積82140.65平方米；預計建筑工程投資6870.84萬元。（二）設備購置項目計劃購置設備共計135臺（套），設備購置費6483.31萬元。（三）產(chǎn)能規(guī)模項目計劃總投資18053.89萬元；預計年實現(xiàn)營業(yè)收入21854.00萬元。第五章 項目選址說明一、項目選址原則二、項目選址該項目選址位于xx新區(qū)。常州，簡稱常，別稱龍城，是江蘇省地級市，國務院批復確定的中國長江三角洲地區(qū)中心城市之一、先進制造業(yè)基地和文化旅游名城。截至2018年，全市下轄5個區(qū)、代管1個縣級市，總面積4375平方千米，建成區(qū)面積261平方千米，常住人口472.9萬人，城鎮(zhèn)人口342.

49、8萬人，城鎮(zhèn)化率72.5%。常州地處中國華東地區(qū)、江蘇南部，是揚子江城市群重要組成部分，北瀕長江、東臨太湖、西倚茅山、南扼天目山麓；與上海、南京兩大城市等距相望。常州市屬長江下游平原，兼有高沙平原和山丘湖圩，屬于北亞熱帶季風氣候。有圩墩新石器遺址、春秋淹城、天寧寺、紅梅閣、文筆塔、藤花舊館、艤舟亭、太平天國護王府、瞿秋白紀念館、中華恐龍園、天目湖、金壇茅山風景區(qū)、嬉戲谷、東方鹽湖城、華夏寶盛園等景點。常州是一座有著3200多年歷史的文化古城；春秋末期（前547年），吳王壽夢第四子季札封邑延陵，開始了長達2500多年有準確紀年和確切地名的歷史。西漢高祖五年（前202年）改稱毗陵。西晉武帝太康二年

50、（281年），改置毗陵郡。自此，常州歷朝均為郡、州、路、府治所，曾有過延陵、毗陵、毗壇、晉陵、長春、嘗州、武進等名稱，隋文帝開皇九年（589年）始有常州之稱。2019年，常州市實現(xiàn)地區(qū)生產(chǎn)總值（GD）7400.9億元，按可比價計算增長6.8%，增速高出全省平均水平0.7個百分點。三、建設條件分析隨著互聯(lián)網(wǎng)的發(fā)展網(wǎng)上交易給項目承辦單位搭建了很好的發(fā)展平臺，目前，很多公司都已經(jīng)不是以前傳統(tǒng)銷售方式，僅僅依靠一家供應商供貨，而是充分加強網(wǎng)絡在市場營銷的應用，這就給公司創(chuàng)造了新的發(fā)展空間；憑著公司產(chǎn)品良好的性價比和穩(wěn)定的質(zhì)量，通過開展網(wǎng)上銷售，完善電子商務會進一步增加企業(yè)的市場份額。項目周邊市場存在著

51、巨大的項目產(chǎn)品需求空間，與此同時，項目建設地也成為資本市場追逐的熱點，而且項目已經(jīng)列入當?shù)亟?jīng)濟總體發(fā)展規(guī)劃和項目建設地發(fā)展規(guī)劃，符合地區(qū)規(guī)劃要求。四、用地控制指標該項目均按照項目建設地建設用地規(guī)劃許可證及建設用地規(guī)劃設計要求進行設計，同時，嚴格按照項目建設地建設規(guī)劃部門與國土資源管理部門提供的界址點坐標及用地方案圖布置場區(qū)總平面圖。該項目均按照項目建設地建設用地規(guī)劃許可證及建設用地規(guī)劃設計要求進行設計，同時，嚴格按照項目建設地建設規(guī)劃部門與國土資源管理部門提供的界址點坐標及用地方案圖布置場區(qū)總平面圖。投資項目占地產(chǎn)出收益率完全符合國土資源部發(fā)布的工業(yè)項目建設用地控制指標（國土資發(fā)【2008】2

52、4號）中規(guī)定的行業(yè)產(chǎn)品制造行業(yè)占地產(chǎn)出收益率5000.00萬元/公頃的規(guī)定；同時，滿足項目建設地確定的“占地產(chǎn)出收益率6000.00萬元/公頃”的具體要求。五、地總體要求本期工程項目建設規(guī)劃建筑系數(shù)66.64%，建筑容積率1.41，建設區(qū)域綠化覆蓋率5.15%，固定資產(chǎn)投資強度178.04萬元/畝。土建工程投資一覽表序號項目單位指標備注1占地面積平方米58255.7887.34畝2基底面積平方米38821.653建筑面積平方米82140.656870.84萬元4容積率1.415建筑系數(shù)66.64%6主體工程平方米56701.547綠化面積平方米4229.048綠化率5.15%9投資強度萬元/畝

53、178.04六、節(jié)約用地措施投資項目依托項目建設地已有生活設施、公共設施、交通運輸設施，建設區(qū)域少建非生產(chǎn)性設施，因此，有利于節(jié)約土地資源和節(jié)省建設投資。采用大跨度連跨廠房，方便生產(chǎn)設備的布置，提高廠房面積的利用率，有利于節(jié)約土地資源；原料及輔助材料倉庫采用簡易貨架，提高了庫房的面積和空間利用率，從而有效地節(jié)約土地資源。七、總圖布置方案（一）平面布置總體設計原則根據(jù)項目承辦單位發(fā)展趨勢，綜合考慮工藝、土建、公用等各種技術因素，做到總圖合理布置，達到“規(guī)劃投資省、建設工期短、生產(chǎn)成本低、土地綜合利用率高”的效果。（二）主要工程布置設計要求車間布置方案需要達到“物料流向最經(jīng)濟、操作控制最有利、檢測

54、維修最方便”的要求。項目承辦單位在工藝流程、技術參數(shù)和主要設備選擇確定以后，根據(jù)設備的外形、前后位置、上下位差以及各種物料輸入（出）、操作等規(guī)劃統(tǒng)一設計，選擇并確定車間布置方案。場區(qū)道路布置滿足安裝、檢修、運輸和消防的要求，使貨物運輸順暢，合理分散物流和人流，盡量避免或減少交叉，使主要人流、物流路線短捷、運輸安全。（三）綠化設計場區(qū)植物配置以本地區(qū)樹種為主，綠化設計的樹木花草配置應依據(jù)項目建設區(qū)域的總體布置、豎向、道路及管線綜合布置等要求，并適合當?shù)貧庀蟆⑼寥?、生態(tài)習性與防護性能，疏密適當高低錯落，形成一定的層次感。投資項目綠化的重點是場區(qū)周邊、辦公區(qū)及主要道路兩側(cè)的空地，美化的重點是辦公區(qū)，

55、場區(qū)周邊以高大喬木為主，辦公區(qū)以綠色草坪、花壇為主，道路兩側(cè)以觀賞樹木、綠籬、草坪為主，適當結合花壇和垂直綠化，起到環(huán)境保護與美觀的作用，創(chuàng)造一個“環(huán)境優(yōu)美、統(tǒng)一協(xié)調(diào)”的建筑空間。（四）輔助工程設計1、場內(nèi)供水采用生活供水系統(tǒng)、消防供水系統(tǒng)、生產(chǎn)補給水系統(tǒng)，消防供水系統(tǒng)在場區(qū)內(nèi)形成供水管網(wǎng)。投資項目用水由項目建設地給水管網(wǎng)統(tǒng)一供給，規(guī)劃在場區(qū)內(nèi)建設完善的給水管網(wǎng)，接入場區(qū)外部現(xiàn)有給水管網(wǎng)，即可保證項目的正常用水。投資項目采用雨、污分流制排水系統(tǒng)，分別匯集后排入項目建設區(qū)不同污水管網(wǎng)。2、投資項目水源來自場界外的項目建設地市政供水管網(wǎng)，項目建設區(qū)現(xiàn)有給、排水系統(tǒng)設施完備可以滿足投資項目使用要求。

56、投資項目水源來自場界外的項目建設地市政供水管網(wǎng)，項目建設區(qū)現(xiàn)有給、排水系統(tǒng)設施完備可以滿足投資項目使用要求。3、投資項目供電電源由項目建設地變電站專線供給，供電電源電壓為10KV，架空線引入場區(qū)后由電纜引入高壓變配電室內(nèi)，由場區(qū)配電屏分流到主體工程內(nèi)，配電電壓為380V/220V；場區(qū)電纜埋地敷設，車間內(nèi)電纜架空敷設，該地區(qū)的供電電源可靠且電壓穩(wěn)定，完全能夠滿足投資項目的用電需求。投資項目供電電源由項目建設地變電站專線供給，供電電源電壓為10KV，架空線引入場區(qū)后由電纜引入高壓變配電室內(nèi)，由場區(qū)配電屏分流到主體工程內(nèi)，配電電壓為380V/220V；場區(qū)電纜埋地敷設，車間內(nèi)電纜架空敷設，該地區(qū)的供電電源可靠且電壓穩(wěn)定，完全能夠滿足投資項目的用電需求。供電回路及電壓等級確定：配電系統(tǒng)采用TN-C-S制，供電電壓為380V/220V，電壓波動不超過額定電壓的10.00%，電源頻率為50.000.50Hz。4、本項目所涉及的原輔材料的運入，成品的運出所需運輸車輛，全部依托社會運輸能力解決