第二部分電壓互感器的介損試驗(yàn)

1、電壓互感器的介損試驗(yàn)測(cè)量電壓互感器絕緣（線圈間、線圈對(duì)地）的 tgS，對(duì)判斷其是否進(jìn)水受潮和支架絕緣是否存 在缺陷是一個(gè)比較有效的手段。其主要測(cè)量方法有，常規(guī)試驗(yàn)法、自激磁法、末端屏蔽法和末端加 壓法，必要時(shí)還可以用末端屏蔽法測(cè)量支架絕緣的介質(zhì)損耗因數(shù)tg S。1電壓互感器本體 tg S的測(cè)量（1）常規(guī)試驗(yàn)法串級(jí)式電壓互感器為分級(jí)絕緣，其首端“A”接于運(yùn)行電壓端，而末端“X”運(yùn)行時(shí)接地，岀廠試驗(yàn)時(shí)，“ X端”的交流耐壓一般為5千伏，因此測(cè)量線圈間或線圈對(duì)地的tgS應(yīng)根據(jù)其結(jié)構(gòu)特點(diǎn)選取試驗(yàn)方法和試驗(yàn)電壓值。圖2-7常規(guī)試驗(yàn)法（常規(guī)法）如圖 2-7所示。測(cè) 量一次線圈AX與二、三次線圈 ax、SD

2、Xd及 AX與底座和二次端子板的綜合絕緣tg S，包括線圈間、絕緣支架、二次端子板絕 緣的tg S。由串級(jí)式互感器結(jié)構(gòu)可知，下鐵心 下芯柱上的一次線圈外包一層0.5毫米厚的絕緣紙后繞三次線圈（亦稱輔助二次線圈） Xd。常規(guī)法測(cè)量時(shí)，下鐵心與一次線圈等 電位，故為測(cè)量tg S的高壓電極。其余為測(cè)量電極。其極間絕緣較薄，因此電容量相對(duì)較大，即測(cè)得的電容量和 tg S中絕大部分是一次線圈（包括下鐵心）對(duì)二次線圈間電容量和tgS。當(dāng)互感器進(jìn)水受潮時(shí)，水分一般沉積在底部，且鐵心上線圈端部易于受潮。所以常規(guī)法對(duì)監(jiān)測(cè)其進(jìn)水 受潮還是比較有效的。因此通過(guò)常規(guī)法試驗(yàn)對(duì)其絕緣狀況作出初步判斷，并在這一試驗(yàn)基礎(chǔ)上進(jìn)

3、行 分解試驗(yàn)，或用其他方法進(jìn)一步試驗(yàn)，便可具體地分析出絕緣缺陷的性質(zhì)和部位。常規(guī)法試驗(yàn)時(shí)， 考慮到接地末端“ X ”的絕緣水平和 QS1電橋的測(cè)量靈敏度，試驗(yàn)電壓一般選擇為23千伏。不同試驗(yàn)接線所監(jiān)測(cè)的絕緣部位如表2-1示所。表2.-1所列的測(cè)量接線都受二次端子板的影響，而且不能準(zhǔn)確地測(cè)量岀支架的tg S。如果二次端子板絕緣良好，則可按表2.-2-1中序號(hào)5、6兩種試驗(yàn)近似估算岀支架的介質(zhì)損。但最好用序號(hào)1、2兩次試驗(yàn)結(jié)果結(jié)果計(jì)算岀支架的tg S。不過(guò)上述兩種計(jì)算支架tgS的方法都受二次端子的影響。&C?和tg S 1tg S 7,支架的電容量和介質(zhì)表2-1中序號(hào)17測(cè)量的電容量和介質(zhì)損分別為

4、 損分別為C支、tg S支。表2-1電壓互感器tg S的測(cè)量接線接線方式監(jiān)測(cè)絕緣部位序號(hào)QS1電橋接線 方式試驗(yàn)電壓 加壓端QS1電橋連接端Cx線QS1電橋屏蔽 層“ E ” 的連接 端接地端線圈間絕 緣 支 架二次 端子 板備注1正接線一次線圈AX短接處二次線圈三次線圈3dX Dax，地QS1電橋“ E”占八、VVV底座墊絕緣2正接線一次線圈AX短接處ax、SdX d地底座VV3正接線一次線圈AX短接處axaDX d 地底座VV4正接線一次線圈AX短接處sdXdAx、地底座VV5正接線一次線圈 AX短接處底座ax、NdX d 地QS1電橋“ E”占八、VV底座墊絕緣6反接線QS1電橋“ E”

5、占八、ax短接處ax、 aDXD底座VV7反接線QS1電橋axax、sdX dVVV“ E”占八、短接處底座常規(guī)法測(cè)量無(wú)論哪一種接線方式都受二次端子板的影響。也就是說(shuō)，二次端子板的部分或全部絕緣介質(zhì)損被測(cè)入。二次端子上固定有一次線圈的弱絕緣端“X ”，二次線圈和三次線圈端子a、x、aD、Xd以及將端子板固定在底座上的四只接外殼（地）的螺栓。常規(guī)法測(cè)量一次對(duì)二、三次及地的介質(zhì)損的試驗(yàn)結(jié)果的分析：tg S值大于規(guī)定值。這既可能是互感器內(nèi)部缺陷如進(jìn)水受潮等引起的，也可能是由于外瓷套或二次端子板的影響引起的。一般多注意二次端子板的影響，若試驗(yàn)時(shí)相對(duì)濕度較大，瓷套表面臟污，就應(yīng)注意外瓷套表面狀況對(duì)測(cè)量結(jié)

6、果的影響。如確認(rèn)沒(méi)有上述影響，則可認(rèn)為 互感器內(nèi)部存在絕緣缺陷。tg S小于規(guī)定值。對(duì)此，一般認(rèn)為線圈間和線圈對(duì)地絕緣良好。但必須指岀，此時(shí)測(cè)得的 tg S還包括與其并聯(lián)的絕緣支架的介質(zhì)損。由于支架電容量?jī)H占測(cè)量時(shí)總電容的1/1001/20。因此實(shí)測(cè)tg S將不能反映支架的絕緣狀況。這就是說(shuō)，即使總體tg S （一次對(duì)二、三次及地）合格也不能表明支架絕緣良好。而運(yùn)行中支架受潮和分層開(kāi)裂所造成的運(yùn)行中爆炸相對(duì) 較多，必須監(jiān)測(cè)支架在運(yùn)行中的絕緣狀況。這一問(wèn)題也是常規(guī)法所不能解決的。為此就有必要 選取其他的試驗(yàn)方法。（2）末端屏蔽法末端屏蔽法測(cè)量接線如圖2-8所示。測(cè)量時(shí)互感器一次繞組A端加高壓、末

7、端 X接電橋屏蔽（正接線時(shí)接地點(diǎn)）。這一試驗(yàn)方法能消除由于X端小套管或二次端子板受潮、裂紋、臟污所產(chǎn)生的測(cè)量誤差，從而能夠較真實(shí)地反映互感器內(nèi)部絕緣狀況。如有相應(yīng)電壓等級(jí)的標(biāo) 準(zhǔn)電容器，試驗(yàn)電壓可加至互感器額定相電壓的1.15倍。末端屏蔽法有較強(qiáng)測(cè)量抗干擾能力來(lái)看和測(cè)量準(zhǔn)確度但線圈對(duì)地部分的電容因被屏蔽而未測(cè)入。圖2-8由互感器結(jié)構(gòu)可知，其內(nèi)部有平衡線圈和連耦線圈，且二、三次線圈負(fù)荷也很小，此時(shí)一 次線圈電壓分布基本均勻。JCC-220型電壓互感器下鐵心的電位約為U/4 （ U為A點(diǎn)對(duì)地電位），上鐵心的電位為 3U/4，JCC-110型互感器鐵心電位為U/2 ;測(cè)量的僅是線圈間絕緣的電容和tg

8、 S，一次線圈和鐵心對(duì)地部分絕緣的電容和tg S都被屏蔽而未包括在測(cè)量結(jié)果中?；ジ衅鞯亩?、三次線圈僅在下芯柱上與一次線圈緊密耦合，因此測(cè)量的主要是下鐵心二、三次 線圈的tgS。為簡(jiǎn)化分析，簡(jiǎn)化為圖2-9。標(biāo)準(zhǔn)電容器 Cn上承受的電壓為電壓互感器高壓端電壓U，而下鐵心電位為 U/4 （以220千伏互感器為例），這就相當(dāng)于被試絕緣上電壓僅為U/4。圖2-9電橋平衡時(shí)，R3與Z4臂上電壓降相等，即U R3=U Z4，而U Z3UR3=4 Zx +Z3UZ3 =Z4因?yàn)閁r3 = Uz4，故有Z4U UZ3Zx Z3Z3Zn 3(2-1)Zx=- Z34Z44相應(yīng)的阻抗表達(dá)式為:Z x=Rx+1/j

9、co Cx ；ZN = 1/j o Cn； Z3=R3彳-R4j一Z 4=1CQC41 = 1j C4R4R4C4將上述各阻抗表達(dá)式代入式（2-1）,則1Rx jCx1R3(-j=)oCnif31-4R3R4-j-C-0C4R3(-jR41、3R342 )-CN - CnC4.R4j C4=(一 R3.竺)4Cn R31. C nR4(2-2)式2-2的實(shí)部相等時(shí)Rx= R(A _3)(2-3)4 Cn因?yàn)镃4 Cn,故式(2-3)可近似為(2-4)1R3R3C4Rx=4Cn式2-2的虛部相等時(shí)灼 Cx4goCnR4Cx=4CnR4R3(2-5)tg s x= CxRx 二 4R4R3 CnR

10、3C44Cn=Q4R4 = tg、由此可知，用 QS1電橋按末端屏蔽法測(cè)得的tgS，是電壓互感器本身(下鐵心對(duì)二、三次線圈)的介質(zhì)損，而電容量為按R4CN/R3計(jì)算值的4倍。對(duì)于JCC-110型電壓互感器因?yàn)殍F心電位為U/2，可以求得:tg S x= tg S 測(cè)2R4Cx=CnR3(2)末端屏蔽法測(cè)量結(jié)果的分析:在現(xiàn)場(chǎng)用末端屏蔽法測(cè)量介質(zhì)損耗正切時(shí)，因?yàn)樵嚻冯娙軨x太小，在電場(chǎng)干擾下不易測(cè)準(zhǔn)；試品表面狀況、氣候條件及周圍干擾網(wǎng)絡(luò)的影響相對(duì)較大，有時(shí)往往無(wú)法測(cè)岀正確的試驗(yàn)結(jié)果。不 僅如此，當(dāng)試品電容過(guò)小，橋臂R4為3184歐（橋臂固定值），Cn=50皮法，R3的值可能很大，有時(shí)甚至超過(guò) QS1

11、型西林電橋的最大值（R3 11111.2 Q）。為解決這一困難，一般是在R4上并聯(lián)電阻，這樣在試品電容不變時(shí)可以減小R3值，以使該型西林電橋能滿足測(cè)量要求。由電橋測(cè)量原理可知，當(dāng)R4上并聯(lián)外附電阻，而使其值變?yōu)閗R4時(shí)，則電橋的介質(zhì)損耗率正切測(cè)量值已不能代表試品真實(shí)值，而應(yīng)為tg S x=ktg S co一般情況下，用末端屏蔽法測(cè)量時(shí)，由于R4并聯(lián)阻值不同，求得的tg S x也不同，表2-2列岀現(xiàn)場(chǎng)測(cè)量一臺(tái)JCC2-110型電壓互感器的結(jié)果。表2-2JCC 2-110型電壓互感器的tg S測(cè)量結(jié)果R4并聯(lián)值（0）試驗(yàn)結(jié)果計(jì)算結(jié)果R3（ 0）tg S c(%)CxTg S x(%)(PF)不考慮

12、誤差考慮誤差不并聯(lián)電阻83581.738.11.70.8并 3184,k=0.541702.538.21.250.8并 1592,k=1/327723.436.31.130.83由表2-2可知，由于R4電阻值改變后，試品電容基本不變，而不考慮（0CcR3誤差時(shí)的試品tg S卻有明顯變化，現(xiàn)場(chǎng)無(wú)法分析判斷。岀現(xiàn)不同值的主要原因是因?yàn)樵嚻冯娙軨x很小，橋臂R3值相對(duì)較大，此時(shí)就不能忽略與橋臂R3并聯(lián)電容的影響。產(chǎn)生測(cè)量誤差的原理如圖2-10所示。圖 2-10由圖2-10可知，此時(shí)與橋臂R3并聯(lián)的電容 Cc既包括QS1電橋Cx引線芯線對(duì)屏蔽層（E）的電Cx測(cè)量電極對(duì)地電容。由于Cc容，還有橋體內(nèi)的寄

13、生電容（此時(shí)相對(duì)較小可以略而不計(jì)）和試品對(duì)測(cè)量的影響，因而電橋平衡時(shí)的測(cè)量結(jié)果計(jì)算公式為：tg S x= tg S 測(cè)-；lCcR3（ 2-6）當(dāng)Cc不變變，R3改變時(shí)，測(cè)量誤差CcR3也隨之改變，因此不計(jì)及誤差影響時(shí)用實(shí)測(cè)值來(lái)計(jì)算試品的真實(shí)值就不同了。在測(cè)量條件下，實(shí)測(cè)的并聯(lián)電容Cc=3430皮法，因此按式（2-6 ）可分別計(jì)算岀考慮誤差的試品的真實(shí)的試品真實(shí)的介質(zhì)損耗率正切值。由計(jì)算可知（表2-2-2 ），當(dāng)計(jì)及Cc影響時(shí)求得的試品真實(shí)介質(zhì)損耗率正切值基本一樣。有時(shí) 由于未注意到 Cc的影響，僅發(fā)現(xiàn) R4并聯(lián)值不同而求得的真實(shí)介質(zhì)損耗率正切不同，就認(rèn)為末端屏 蔽法分散性過(guò)大而無(wú)法測(cè)準(zhǔn)，這顯

14、然是不對(duì)的。在現(xiàn)場(chǎng)測(cè)量中，Cx引線一般為10米左右，每米引線電容為100300pF，電壓互感器測(cè)量電極對(duì)地的電容一般為 1000pF左右。這些數(shù)據(jù)值都可以用數(shù)字電容表直接測(cè)岀。如果現(xiàn)場(chǎng)沒(méi)有數(shù)字電 容表，則可按兩次測(cè)量結(jié)果計(jì)算岀試品的真實(shí)介質(zhì)損耗率正切。由式（2-6）可知:tg S i=tg S x+ ，CcR3（2-7）當(dāng)R4變?yōu)閗R4時(shí)，在試品電容不變的條件下，R3亦應(yīng)變?yōu)閗R3,并有tg S 2=tg S x+k -CcR3（2-8）式中tg S 1、tg S 2為第一、二次測(cè)量后計(jì)算岀的試品介質(zhì)損耗率正切（即表2-2不考慮誤差一欄的數(shù)值）。將式（2-8）減去式（2-7 ）與k之積，則有t

15、g S x=tg、2 _ ktg、11 -k(2-9)若k=0.5，則式（2-9可簡(jiǎn)化為tg S x=2 tg S 2-tg S 1（2-10 ）這樣可按式（2-9）、（2-10）直接計(jì)算岀試品真實(shí)介質(zhì)損耗率正切值。應(yīng)該指岀，圖2 10中電橋Cn引線的電容與橋臂 R4并聯(lián)，有偏小的測(cè)量誤差 CdR4 （Cd為Cn引線電容），但由于 Cn引線一般小于1米，即CD很小，所以可以略去不計(jì)。（3）末端加壓法這是一種測(cè)量110千伏及以上串級(jí)式電壓互感器絕緣介質(zhì)量損耗tg S的現(xiàn)場(chǎng)檢測(cè)。其測(cè)量接線原理圖見(jiàn)圖2-11。測(cè)量時(shí)，一次繞組的高壓端A接地，在末端 X施加試驗(yàn)電壓 U （2.53千伏）；二、三次繞組

16、開(kāi)路；X、Xd或a、&接測(cè)量用的QS1型西林電橋測(cè)量線 Cx。由于在末端 X施加的電壓為 U，因而對(duì)JCC-220電壓互感器，上鐵心對(duì)地電壓為U/4，下鐵心對(duì)地電壓為3U/4 ;對(duì)于JCC-110型電壓互感器，鐵心對(duì)地電壓為U/2。IQ圖 2-11JCC-220型串級(jí)式電壓互感器的一次繞組分為匝數(shù)相等四部分，分別套在上、下鐵心的四個(gè)芯柱上。每個(gè)繞組外包靜電屏，靜電屏和繞組最外層的線端相連接。因此，采用末端加壓法測(cè)量 時(shí)，最下面一個(gè)一次繞組的靜電屏上的電壓也是U。被試一、二次繞組間的電容近似等于采用常規(guī)試驗(yàn)法（ax短路加壓，ax，aD x d短路接電橋 Cx線，底座接地）測(cè)得一、二次繞組間的電容

17、，而 大于采用末端屏蔽法（A端加壓，X端和底座接地 X、Xd接電橋Cx線）所測(cè)得的一、二次繞組間的 電容。由圖2-11可以看岀，所檢測(cè)的主要是一、二次繞組間的電容和tg S。圖2-2-5所示為QS1型電橋正接線，A端接地相當(dāng)于一個(gè)接地屏蔽罩，由于被試品電容遠(yuǎn)大于末 端屏蔽法所測(cè)得的電容，因而現(xiàn)場(chǎng)測(cè)時(shí)具有強(qiáng)的抗干擾能力。另外，由于A端接地，因而檢測(cè)時(shí)可不拆開(kāi)A端的連線；即使與避雷器相連，在試驗(yàn)避雷器時(shí)通過(guò)適當(dāng)?shù)慕泳€，也不用拆除避雷器的高 壓引線，減少了試驗(yàn)中拆除接線的工作量。它同常規(guī)正接線一樣，仍存在二次接線板對(duì)測(cè)量結(jié)果的影響（一般使測(cè)得的tg S偏大）。故當(dāng)實(shí)測(cè)的tg S偏大時(shí)，應(yīng)排除二次接線

18、板的影響。有些廠家更換了二次接線板的材料或采用小套管引 岀方式，大大減少了接線板表面泄漏的影響。另外，現(xiàn)場(chǎng)測(cè)量可選擇在干燥的天氣進(jìn)行或采用電熱 吹風(fēng)干燥措施，以減少二次接線板的影響。電壓互感器進(jìn)水受潮主要是繞組端部，水分要滲 透到一、二次繞組間是比較困難的。采用末端 加壓法進(jìn)行測(cè)量時(shí)，即使繞組端部已嚴(yán)懲受潮，但實(shí)測(cè)得的 tg S也不會(huì)有很大的變化?？梢?jiàn)這種接 線方式不能監(jiān)測(cè)岀端部絕緣受潮的情況。為了準(zhǔn)確檢測(cè)岀繞組端絕緣受潮情況，我們根據(jù)末端加壓法和末端屏蔽法的優(yōu)點(diǎn)，選用了圖 2-12的接線方式進(jìn)行測(cè)量。圖 2-12由于二次繞組 X端接地（QS1型電橋正接線的屏蔽點(diǎn)），因而一次繞組到三次繞組間的

19、試驗(yàn)電 流只能從其端部流過(guò)。實(shí)際測(cè)量的主要是下鐵心對(duì)三次繞組端部的絕緣狀況。三次繞組處于下鐵心 芯柱下部的最外層，也是最先受潮處。因此，圖2-12的接線方式能較有地監(jiān)測(cè)其端部受潮情況，并具有像圖2-11接線方式那樣在測(cè)試時(shí)不需拆卸引線的優(yōu)點(diǎn)。在采用圖2-12接線且當(dāng)電橋平衡時(shí)，設(shè)tg S測(cè)為電橋的介質(zhì)損耗因數(shù)批示值，對(duì)于JCC-220型電壓互感器，被試絕緣的電容量Cx=4 R4Cn3R3介質(zhì)損耗率tg S x=C4R4 = tg S測(cè)對(duì)于JCC-110型電壓互感器，則2R4CnCx=-R3tg S x= C 4R4 = tg S 測(cè)應(yīng)該指岀，按圖2-12接線進(jìn)行測(cè)量時(shí)，仍然存在二次接線板泄漏影

20、響測(cè)試結(jié)果問(wèn)題。但從現(xiàn) 場(chǎng)對(duì)多臺(tái)電壓互感器測(cè)試的結(jié)果可以看岀，當(dāng)二次接板有明顯影響時(shí)，測(cè)量一次繞組對(duì)二、三次繞 組以及對(duì)地的絕緣電阻也都有明顯的反映。圖 2-13一般情況下，即使互感器沒(méi)有進(jìn)水受潮，而當(dāng)端部絕緣劣于線圈內(nèi)部絕緣時(shí)，則圖2-12測(cè)量值均較圖2-11測(cè)量值要大。對(duì)此，可以由下述分析來(lái)解釋。圖2-13為測(cè)量一次線圈與三次線圈端部絕緣tg S的等值電路圖。圖中Co、Ro為一次線圈對(duì)鐵心的絕緣等值參數(shù)，C01、R02則是下鐵心對(duì)地的絕緣等值參數(shù)。由圖 2-13可知，只要電流 k相對(duì)于2而言是電阻性電流時(shí)，則按圖2-12測(cè)得的tg S將較圖2-11測(cè)量值要小，而當(dāng)|*k相對(duì)于I：而言為電容

21、性電流時(shí)，則將岀現(xiàn)偏大的測(cè)量誤差。一般 情況下，端部絕緣水平常劣于內(nèi)部絕緣，且端部易于受潮，加之端部電場(chǎng)比較集中，所以C03、R03的等值介質(zhì)損一般要大于C2、R02的等值介質(zhì)損。也就是說(shuō)，*k對(duì)于I：而言一般系電容性電流，所以往往岀現(xiàn)偏大的測(cè)量誤差。但若按圖2-1測(cè)量一、三次線端部的tg S小于按圖2-11的測(cè)量結(jié)果，則有可能是支架或下鐵心對(duì)地的絕緣不良。因?yàn)榘磮D2-11測(cè)量時(shí)，一次線圈對(duì)鐵心，鐵心對(duì)地、支架的絕緣的影響可以略而不計(jì)。而按圖2-2-6測(cè)量時(shí)其影響如圖2-13所示。因此對(duì)不同的測(cè)量等值電路要進(jìn)行分析，以監(jiān)測(cè)岀其各絕緣部位的狀況。由于按圖2-12測(cè)量時(shí)，要較按圖2-2-5測(cè)得的t

22、g S值要大，因此當(dāng)按圖2-12測(cè)得的tg S值偏大時(shí)，除應(yīng)排除端子板影響之外，還應(yīng)取油樣進(jìn)行微水測(cè)量，進(jìn)一步確定是否進(jìn)水受潮。鑒于上述原因，目前國(guó)內(nèi)一般規(guī)定，按圖2-2-5測(cè)量的結(jié)果應(yīng)符合原水電部頒發(fā)的電氣設(shè)備預(yù)防性試驗(yàn)規(guī)程；而按圖2-12測(cè)量，溫度為20C、tg S 35%時(shí)，試驗(yàn)電壓應(yīng)選取2.53kV。(4)試驗(yàn)結(jié)果的分析末端加壓法具有抗干擾能力強(qiáng)、減少試驗(yàn)工作量等優(yōu)點(diǎn)，但不能檢測(cè)岀端部絕緣受潮情況，而 且測(cè)試結(jié)果受二次接線板的影響。采用圖2-12接線方式能監(jiān)測(cè)端部絕緣情況，但仍存在二次接線板影響的問(wèn)題。為此，可結(jié)合 絕緣電阻和微量水的測(cè)定進(jìn)行綜合判斷。這樣，能夠有效地檢測(cè)出端部絕緣受潮

23、等缺陷。圖2-11和圖2-12接線方式均不能測(cè)量岀電壓互感器絕緣支架的tg S值。運(yùn)行中的互感器由于絕緣支架絕緣不良引起事故頗為常見(jiàn)，因此應(yīng)當(dāng)研究能檢測(cè)支架絕緣情況的有效方法，以便對(duì) 電壓互感器內(nèi)部進(jìn)行全面監(jiān)測(cè)，防止在運(yùn)行中岀現(xiàn)事故。2絕緣支架tg S值的測(cè)量對(duì)于JCC型串級(jí)式電壓互感器，根據(jù)其結(jié)構(gòu)特點(diǎn)，可以選用末端屏蔽法按間接法和直接法測(cè)量 絕緣支架的介質(zhì)損耗因數(shù)tg S X。(1)間接法A圖 2-14測(cè)量接線如圖2-14所示(使用QS1型西林電橋)，在電橋平衡的情況下，其介質(zhì)損耗因數(shù)tg S x=tg S c (測(cè)量值)對(duì)于110kV的電壓互感器，其電容量為Cz=(2R 4/R3)Cn對(duì)于

24、220千伏的電壓互感器，其電容量為Cx=(4R4/R3) Cn由于Cx值很小，為便于測(cè)量而在電橋R4、C4臂上并聯(lián)電阻 RbRb=R4/(n-1)，n為2的正整數(shù)，因而R4、C4臂電阻由R4變?yōu)镽4/n，同時(shí)絕緣支架的介質(zhì)損耗因數(shù)tg S z=tg S c/n圖2-2-8所測(cè)量的是電壓互感器下鐵心對(duì)二、三次繞組端部及底座并聯(lián)的等值電容和tg S其中下鐵心對(duì)底座包括瓷套、絕緣油和四根絕緣支架(僅下鐵心對(duì)底座部分)等部分。這幾部分中以支 架的電容量最大，因此近似認(rèn)為下鐵心對(duì)底座的電容和介質(zhì)損耗因數(shù)，為支架的電容量和介質(zhì)損耗 因數(shù)。圖2-2-8 (b)所測(cè)量的是互感器下鐵心對(duì)二、三次繞組的電容量和介質(zhì)損耗因數(shù)。設(shè)圖2-2-8(a)、(b)測(cè)得的值分 另V為tg S 1、C2、tg S 2,則支架(四根并聯(lián))的電容量。Cz=C 1-C2支架(四根并聯(lián))的介質(zhì)損耗因數(shù)