東莞靶材生產(chǎn)建設(shè)項目可行性研究報告模板

1、泓域咨詢/東莞靶材生產(chǎn)建設(shè)項目可行性研究報告東莞靶材生產(chǎn)建設(shè)項目可行性研究報告泓域咨詢機構(gòu)摘要靶材材料的技術(shù)發(fā)展趨勢與下游應(yīng)用產(chǎn)業(yè)的薄膜技術(shù)發(fā)展趨勢息息相關(guān)，隨著應(yīng)用產(chǎn)業(yè)在薄膜產(chǎn)品或元件上的技術(shù)改進，靶材技術(shù)也應(yīng)隨之變化。鍍膜靶材是通過磁控濺射、多弧離子鍍或其他類型的鍍膜系統(tǒng)在適當(dāng)工藝條件下濺射在基板上形成各種功能薄膜的濺射源。簡單說的話，靶材就是高速荷能粒子轟擊的目標(biāo)材料，用于高能激光武器中，不同功率密度、不同輸出波形、不同波長的激光與不同的靶材相互作用時，會產(chǎn)生不同的殺傷破壞效應(yīng)。例如：蒸發(fā)磁控濺射鍍膜是加熱蒸發(fā)鍍膜、鋁膜等。更換不同的靶材(如鋁、銅、不銹鋼、鈦、鎳靶等)，即可得到不同的膜

2、系(如超硬、耐磨、防腐的合金膜等)。該靶材項目計劃總投資21258.01萬元，其中：固定資產(chǎn)投資15518.95萬元，占項目總投資的73.00%；流動資金5739.06萬元，占項目總投資的27.00%。達產(chǎn)年營業(yè)收入47392.00萬元，總成本費用35583.38萬元，稅金及附加408.44萬元，利潤總額11808.62萬元，利稅總額13845.84萬元，稅后凈利潤8856.47萬元，達產(chǎn)年納稅總額4989.38萬元；達產(chǎn)年投資利潤率55.55%，投資利稅率65.13%，投資回報率41.66%，全部投資回收期3.90年，提供就業(yè)職位973個。重視環(huán)境保護的原則。使投資項目建設(shè)達到環(huán)境保護的要求

3、，同時，嚴(yán)格執(zhí)行國家有關(guān)企業(yè)安全衛(wèi)生的各項法律、法規(guī)，并做到環(huán)境保護“三廢”治理措施以及工程建設(shè)“三同時”的要求，使企業(yè)達到安全、整潔、文明生產(chǎn)的目的。靶材是濺射薄膜制備的源頭材料，又稱濺射靶材。是制備晶圓、面板、太陽能電池等表面電子薄膜的關(guān)鍵材料。報告主要內(nèi)容：總論、項目背景及必要性、產(chǎn)業(yè)研究分析、建設(shè)內(nèi)容、項目選址科學(xué)性分析、項目工程方案、工藝方案說明、環(huán)境保護可行性、項目安全保護、項目風(fēng)險評估、節(jié)能情況分析、實施安排方案、投資計劃方案、經(jīng)濟效益、項目綜合評價等。東莞靶材生產(chǎn)建設(shè)項目可行性研究報告目錄第一章 總論第二章 項目背景及必要性第三章 產(chǎn)業(yè)研究分析第四章 建設(shè)內(nèi)容第五章 項目選址科

4、學(xué)性分析第六章 項目工程方案第七章 工藝方案說明第八章 環(huán)境保護可行性第九章 項目安全保護第十章 項目風(fēng)險評估第十一章 節(jié)能情況分析第十二章 實施安排方案第十三章 投資計劃方案第十四章 經(jīng)濟效益第十五章 項目招投標(biāo)方案第十六章 項目綜合評價第一章 總論一、項目承辦單位基本情況（一）公司名稱xxx科技公司（二）公司簡介公司是全球領(lǐng)先的產(chǎn)品提供商。我們在續(xù)為客戶創(chuàng)造價值，堅持圍繞客戶需求持續(xù)創(chuàng)新，加大基礎(chǔ)研究投入，厚積薄發(fā)，合作共贏。公司是一家集研發(fā)、生產(chǎn)、銷售為一體的高新技術(shù)企業(yè)，專注于產(chǎn)品，致力于產(chǎn)品的設(shè)計與開發(fā)，各種生產(chǎn)流水線工藝的自動化智能化改造，為客戶設(shè)計開發(fā)各種產(chǎn)品生產(chǎn)線。公司基于業(yè)務(wù)

5、優(yōu)化提升客戶體驗與滿意度，通過關(guān)鍵業(yè)務(wù)優(yōu)化改善產(chǎn)業(yè)相關(guān)流程；并結(jié)合大數(shù)據(jù)等技術(shù)實現(xiàn)智能化管理，推動業(yè)務(wù)體系提升。公司經(jīng)過長時間的生產(chǎn)實踐，培養(yǎng)和造就了一批管理水平高、綜合素質(zhì)優(yōu)秀的職工隊伍，操作技能經(jīng)驗豐富，積累了先進的生產(chǎn)項目產(chǎn)品的管理經(jīng)驗，并擁有一批過硬的產(chǎn)品研制開發(fā)和經(jīng)營人員，因此，項目承辦單位具備較強的新產(chǎn)品開發(fā)能力和新技術(shù)應(yīng)用能力，為實施項目提供了有力的技術(shù)支撐和技術(shù)人才資源保障。公司將繼續(xù)堅持以客戶需求為導(dǎo)向，以產(chǎn)品開發(fā)與服務(wù)創(chuàng)新為根本，以持續(xù)研發(fā)投入為保障，以規(guī)范管理為基礎(chǔ)，繼續(xù)在細分領(lǐng)域內(nèi)穩(wěn)步發(fā)展，做大做強，不斷推出符合客戶需求的產(chǎn)品和服務(wù)，保持企業(yè)行業(yè)領(lǐng)先地位和較快速發(fā)展勢頭

6、。公司堅守企業(yè)契約精神，專業(yè)為客戶提供優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品，致力成為行業(yè)領(lǐng)先企業(yè)，創(chuàng)造價值，履行社會責(zé)任。（三）公司經(jīng)濟效益分析上一年度，xxx集團實現(xiàn)營業(yè)收入22717.79萬元，同比增長30.83%（5353.79萬元）。其中，主營業(yè)業(yè)務(wù)靶材生產(chǎn)及銷售收入為18656.59萬元，占營業(yè)總收入的82.12%。上年度主要經(jīng)濟指標(biāo)序號項目第一季度第二季度第三季度第四季度合計1營業(yè)收入4770.746360.985906.635679.4522717.792主營業(yè)務(wù)收入3917.885223.854850.714664.1518656.592.1靶材(A)1292.901723.871600.741539.1

7、76156.672.2靶材(B)901.111201.481115.661072.754291.022.3靶材(C)666.04888.05824.62792.913171.622.4靶材(D)470.15626.86582.09559.702238.792.5靶材(E)313.43417.91388.06373.131492.532.6靶材(F)195.89261.19242.54233.21932.832.7靶材(.)78.36104.4897.0193.28373.133其他業(yè)務(wù)收入852.851137.141055.911015.304061.20根據(jù)初步統(tǒng)計測算，公司實現(xiàn)利潤總額67

8、92.72萬元，較去年同期相比增長1278.73萬元，增長率23.19%；實現(xiàn)凈利潤5094.54萬元，較去年同期相比增長548.28萬元，增長率12.06%。上年度主要經(jīng)濟指標(biāo)項目單位指標(biāo)完成營業(yè)收入萬元22717.79完成主營業(yè)務(wù)收入萬元18656.59主營業(yè)務(wù)收入占比82.12%營業(yè)收入增長率（同比）30.83%營業(yè)收入增長量（同比）萬元5353.79利潤總額萬元6792.72利潤總額增長率23.19%利潤總額增長量萬元1278.73凈利潤萬元5094.54凈利潤增長率12.06%凈利潤增長量萬元548.28投資利潤率61.10%投資回報率45.83%財務(wù)內(nèi)部收益率21.05%企業(yè)總資產(chǎn)

9、萬元39538.70流動資產(chǎn)總額占比萬元32.82%流動資產(chǎn)總額萬元12975.98資產(chǎn)負債率20.85%二、項目建設(shè)符合性（一）產(chǎn)業(yè)發(fā)展政策符合性由xxx科技公司承辦的“東莞靶材生產(chǎn)建設(shè)項目”主要從事靶材項目投資經(jīng)營，其不屬于國家發(fā)展改革委產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)調(diào)整指導(dǎo)目錄（2011年本）（2013年修正）有關(guān)條款限制類及淘汰類項目。（二）項目選址與用地規(guī)劃相容性東莞靶材生產(chǎn)建設(shè)項目選址于xxx產(chǎn)業(yè)園區(qū)，項目所占用地為規(guī)劃工業(yè)用地，符合用地規(guī)劃要求，此外，項目建設(shè)前后，未改變項目建設(shè)區(qū)域環(huán)境功能區(qū)劃；在落實該項目提出的各項污染防治措施后，可確保污染物達標(biāo)排放，滿足xxx產(chǎn)業(yè)園區(qū)環(huán)境保護規(guī)劃要求。因此，建設(shè)

10、項目符合項目建設(shè)區(qū)域用地規(guī)劃、產(chǎn)業(yè)規(guī)劃、環(huán)境保護規(guī)劃等規(guī)劃要求。（三）“三線一單”符合性1、生態(tài)保護紅線：東莞靶材生產(chǎn)建設(shè)項目用地性質(zhì)為建設(shè)用地，不在主導(dǎo)生態(tài)功能區(qū)范圍內(nèi)，且不在當(dāng)?shù)仫嬘盟磪^(qū)、風(fēng)景區(qū)、自然保護區(qū)等生態(tài)保護區(qū)內(nèi)，符合生態(tài)保護紅線要求。2、環(huán)境質(zhì)量底線：該項目建設(shè)區(qū)域環(huán)境質(zhì)量不低于項目所在地環(huán)境功能區(qū)劃要求，有一定的環(huán)境容量，符合環(huán)境質(zhì)量底線要求。3、資源利用上線：項目營運過程消耗一定的電能、水，資源消耗量相對于區(qū)域資源利用總量較少，符合資源利用上線要求。4、環(huán)境準(zhǔn)入負面清單：該項目所在地?zé)o環(huán)境準(zhǔn)入負面清單，項目采取環(huán)境保護措施后，廢氣、廢水、噪聲均可達標(biāo)排放，固體廢物能夠得到

11、合理處置，不會產(chǎn)生二次污染。三、項目概況（一）項目名稱東莞靶材生產(chǎn)建設(shè)項目超大規(guī)模集成電路制造過程中要反復(fù)用到的濺射（Sputtering）工藝屬于物理氣相沉積（PVD）技術(shù)的一種，是制備電子薄膜材料的主要技術(shù)之一，它利用離子源產(chǎn)生的離子，在高真空中經(jīng)過加速聚集，而形成高速度能的離子束流，轟擊固體表面，離子和固體表面原子發(fā)生動能交換，使固體表面的原子離開固體并沉積在基底表面，被轟擊的固體是用濺射法沉積薄膜的原材料，稱為濺射靶材。濺射靶材是利用物理氣相沉積技術(shù)制備電子薄膜材料的被轟擊材料，廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體芯片、太陽能電池、平板顯示、信息存儲等領(lǐng)域，其中半導(dǎo)芯片用濺射靶材技術(shù)要求最高，具有規(guī)模化生

12、產(chǎn)能力的企業(yè)數(shù)量也相對較少，主要分布在美國、日本等國家和地區(qū)。（二）項目選址xxx產(chǎn)業(yè)園區(qū)東莞，是廣東省地級市、國務(wù)院批復(fù)確定的中國珠江三角洲東岸中心城市。截至2018年，全市下轄4個街道、28個鎮(zhèn)，總面積2465平方千米，建成區(qū)面積958.86平方千米，常住人口839.22萬人，城鎮(zhèn)人口763.86萬人，城鎮(zhèn)化率91.02%。東莞地處中國華南地區(qū)、廣東省中南部、珠江口東岸，西北接廣州市，南接深圳市，東北接惠州市，是珠三角中心城市之一、粵港澳大灣區(qū)城市之一，為廣東四小虎之首，號稱世界工廠，是廣東重要的交通樞紐和外貿(mào)口岸，也是全國4個不設(shè)區(qū)的地級市之一，新一線城市之一。東莞是廣府文化的代表城市之

13、一，是嶺南文化的重要發(fā)源地，中國近代史的開篇地和改革開放的先行地，廣東重要的交通樞紐和外貿(mào)口岸，被列為第一批國家新型城鎮(zhèn)化綜合試點地區(qū)和廣東歷史文化名城。東莞有港澳同胞約120萬人，海外華僑約30萬人，是著名的華僑之鄉(xiāng)、粵劇之鄉(xiāng)，曾獲得國家森林城市、國際花園城市、全國文明城市、全國籃球城市等稱號。2019年8月，中國海關(guān)總署主辦的中國海關(guān)雜志公布了2018年中國外貿(mào)百強城市排名，東莞排名第3。（三）項目用地規(guī)模項目總用地面積53246.61平方米（折合約79.83畝）。（四）項目用地控制指標(biāo)該工程規(guī)劃建筑系數(shù)73.04%，建筑容積率1.17，建設(shè)區(qū)域綠化覆蓋率6.75%，固定資產(chǎn)投資強度194

14、.40萬元/畝。（五）土建工程指標(biāo)項目凈用地面積53246.61平方米，建筑物基底占地面積38891.32平方米，總建筑面積62298.53平方米，其中：規(guī)劃建設(shè)主體工程41117.72平方米，項目規(guī)劃綠化面積4206.70平方米。（六）設(shè)備選型方案項目計劃購置設(shè)備共計120臺（套），設(shè)備購置費6696.02萬元。（七）節(jié)能分析1、項目年用電量645557.84千瓦時，折合79.34噸標(biāo)準(zhǔn)煤。2、項目年總用水量40281.68立方米，折合3.44噸標(biāo)準(zhǔn)煤。3、“東莞靶材生產(chǎn)建設(shè)項目投資建設(shè)項目”，年用電量645557.84千瓦時，年總用水量40281.68立方米，項目年綜合總耗能量（當(dāng)量值）8

15、2.78噸標(biāo)準(zhǔn)煤/年。達產(chǎn)年綜合節(jié)能量26.14噸標(biāo)準(zhǔn)煤/年，項目總節(jié)能率21.41%，能源利用效果良好。（八）環(huán)境保護項目符合xxx產(chǎn)業(yè)園區(qū)發(fā)展規(guī)劃，符合xxx產(chǎn)業(yè)園區(qū)產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)調(diào)整規(guī)劃和國家的產(chǎn)業(yè)發(fā)展政策；對產(chǎn)生的各類污染物都采取了切實可行的治理措施，嚴(yán)格控制在國家規(guī)定的排放標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)，項目建設(shè)不會對區(qū)域生態(tài)環(huán)境產(chǎn)生明顯的影響。（九）項目總投資及資金構(gòu)成項目預(yù)計總投資21258.01萬元，其中：固定資產(chǎn)投資15518.95萬元，占項目總投資的73.00%；流動資金5739.06萬元，占項目總投資的27.00%。（十）資金籌措該項目現(xiàn)階段投資均由企業(yè)自籌。（十一）項目預(yù)期經(jīng)濟效益規(guī)劃目標(biāo)預(yù)期達產(chǎn)年

16、營業(yè)收入47392.00萬元，總成本費用35583.38萬元，稅金及附加408.44萬元，利潤總額11808.62萬元，利稅總額13845.84萬元，稅后凈利潤8856.47萬元，達產(chǎn)年納稅總額4989.38萬元；達產(chǎn)年投資利潤率55.55%，投資利稅率65.13%，投資回報率41.66%，全部投資回收期3.90年，提供就業(yè)職位973個。（十二）進度規(guī)劃本期工程項目建設(shè)期限規(guī)劃12個月。項目承辦單位要在技術(shù)準(zhǔn)備、人員配備、施工機械、材料供應(yīng)等方面給予充分保證。對于難以預(yù)見的因素導(dǎo)致施工進度趕不上計劃要求時及時研究，項目建設(shè)單位要認真制定和安排趕工計劃并及時付諸實施。四、項目評價1、本期工程項目

17、符合國家產(chǎn)業(yè)發(fā)展政策和規(guī)劃要求，符合xxx產(chǎn)業(yè)園區(qū)及xxx產(chǎn)業(yè)園區(qū)靶材行業(yè)布局和結(jié)構(gòu)調(diào)整政策；項目的建設(shè)對促進xxx產(chǎn)業(yè)園區(qū)靶材產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)、技術(shù)結(jié)構(gòu)、組織結(jié)構(gòu)、產(chǎn)品結(jié)構(gòu)的調(diào)整優(yōu)化有著積極的推動意義。2、xxx集團為適應(yīng)國內(nèi)外市場需求，擬建“東莞靶材生產(chǎn)建設(shè)項目”，本期工程項目的建設(shè)能夠有力促進xxx產(chǎn)業(yè)園區(qū)經(jīng)濟發(fā)展，為社會提供就業(yè)職位973個，達產(chǎn)年納稅總額4989.38萬元，可以促進xxx產(chǎn)業(yè)園區(qū)區(qū)域經(jīng)濟的繁榮發(fā)展和社會穩(wěn)定，為地方財政收入做出積極的貢獻。3、項目達產(chǎn)年投資利潤率55.55%，投資利稅率65.13%，全部投資回報率41.66%，全部投資回收期3.90年，固定資產(chǎn)投資回收期3.9

18、0年（含建設(shè)期），項目具有較強的盈利能力和抗風(fēng)險能力。4、從經(jīng)濟的貢獻看，截至2017年底，我國民營企業(yè)的數(shù)量超過2700萬家，個體工商戶超過了6500萬戶，注冊資本超過165萬億元，民營經(jīng)濟占GDP的比重超過了60%，撐起了我國經(jīng)濟的“半壁江山”。作為中國經(jīng)濟最具活力的部分，民營經(jīng)濟未來將繼續(xù)穩(wěn)步發(fā)展壯大，為促進我國經(jīng)濟社會持續(xù)健康發(fā)展發(fā)揮更大作用。綜上所述，項目的建設(shè)和實施無論是經(jīng)濟效益、社會效益還是環(huán)境保護、清潔生產(chǎn)都是積極可行的。五、主要經(jīng)濟指標(biāo)主要經(jīng)濟指標(biāo)一覽表序號項目單位指標(biāo)備注1占地面積平方米53246.6179.83畝1.1容積率1.171.2建筑系數(shù)73.04%1.3投資強度

19、萬元/畝194.401.4基底面積平方米38891.321.5總建筑面積平方米62298.531.6綠化面積平方米4206.70綠化率6.75%2總投資萬元21258.012.1固定資產(chǎn)投資萬元15518.952.1.1土建工程投資萬元4999.022.1.1.1土建工程投資占比萬元23.52%2.1.2設(shè)備投資萬元6696.022.1.2.1設(shè)備投資占比31.50%2.1.3其它投資萬元3823.912.1.3.1其它投資占比17.99%2.1.4固定資產(chǎn)投資占比73.00%2.2流動資金萬元5739.062.2.1流動資金占比27.00%3收入萬元47392.004總成本萬元35583.3

20、85利潤總額萬元11808.626凈利潤萬元8856.477所得稅萬元1.178增值稅萬元1628.789稅金及附加萬元408.4410納稅總額萬元4989.3811利稅總額萬元13845.8412投資利潤率55.55%13投資利稅率65.13%14投資回報率41.66%15回收期年3.9016設(shè)備數(shù)量臺（套）12017年用電量千瓦時645557.8418年用水量立方米40281.6819總能耗噸標(biāo)準(zhǔn)煤82.7820節(jié)能率21.41%21節(jié)能量噸標(biāo)準(zhǔn)煤26.1422員工數(shù)量人973第二章 項目背景及必要性一、靶材項目背景分析濺射靶材是利用物理氣相沉積技術(shù)制備電子薄膜材料的被轟擊材料，廣泛應(yīng)用于

21、半導(dǎo)體芯片、太陽能電池、平板顯示、信息存儲等領(lǐng)域，其中半導(dǎo)芯片用濺射靶材技術(shù)要求最高，具有規(guī)?；a(chǎn)能力的企業(yè)數(shù)量也相對較少，主要分布在美國、日本等國家和地區(qū)。中國濺射靶材行業(yè)起步較晚，目前仍然屬于一個較新的行業(yè)，受益于國家戰(zhàn)略的支持，已經(jīng)開始出現(xiàn)少量專業(yè)從事高純?yōu)R射靶材研發(fā)和生產(chǎn)的企業(yè)(如江豐電子，有研新材等)，并成功開發(fā)出一批高端應(yīng)用領(lǐng)域的濺射靶材，為高純?yōu)R射靶材大規(guī)模產(chǎn)業(yè)化提供了良好的研發(fā)基礎(chǔ)和市場化條件。靶材全球市場預(yù)計16-19復(fù)合增速13%。2016年全球濺射靶材市場容量達113.6億美元，相比于2015年的94.8億美元增長20%。預(yù)測2016-2019年均復(fù)合增長率達13%，到

22、2019年全球高純?yōu)R射靶材市場規(guī)模將超過163億美元。2016年全球靶材市場的下游結(jié)構(gòu)中，半導(dǎo)體占比10%、平板顯示占34%、太陽能電池占21%、記錄媒體占29%，靶材性能要求依次降低。市場集中度高，日、美占據(jù)80%高端靶材市場。濺射靶材由于其高技術(shù)、高投資、高客戶壁壘，具有規(guī)?；a(chǎn)能力企業(yè)較少，以霍尼韋爾、日礦金屬、東曹、普萊克斯等為代表的靶材龍頭企業(yè)2017年占據(jù)全球約80%靶材市場。美、日等跨國企業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈較為完整，囊括金屬提純、靶材制造、濺射鍍膜和終端應(yīng)用各個環(huán)節(jié)，主導(dǎo)高端的半導(dǎo)體靶材市場；韓國、新加坡及中國臺灣地區(qū)擅長磁記錄及光學(xué)薄膜領(lǐng)域，原料多從國外進口；中國靶材產(chǎn)業(yè)正處于起步階段

23、，逐步切入以原料以進口為主的全球主流半導(dǎo)體、顯示、光伏等龍頭企業(yè)客戶。預(yù)計2018-2020年國內(nèi)顯示靶材需求增速維持20-25%增速。中國大陸從上世紀(jì)80年代開始進入液晶顯示領(lǐng)域，在政府政策導(dǎo)向和產(chǎn)業(yè)扶植下，我國大陸液晶顯示產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展，成為平板顯示行業(yè)發(fā)展速度最快的地區(qū)。2016年中國平板顯示器件產(chǎn)業(yè)整體規(guī)模達到1500億元，同比增長25.99%；2012-2016年國內(nèi)平板顯示增速基本保持在25%以上。此外考慮到國內(nèi)LCD國產(chǎn)替代進程加速、再加上OLED滲透率有望快速提升，預(yù)計2018-2020年國內(nèi)平板顯示產(chǎn)業(yè)增速將至少維持在20-25%；對應(yīng)到國內(nèi)顯示靶材的需求也將相應(yīng)增加。靶材應(yīng)用

24、的戰(zhàn)略高地17-20年全球半導(dǎo)體增速有望超預(yù)期，17年國內(nèi)半導(dǎo)體增速24.81%。半導(dǎo)體靶材性能要求位居各類應(yīng)用之首。半導(dǎo)體行業(yè)所需濺射靶材主要用于晶圓制造材料和封裝測試材料。芯片制造對濺射靶材純度要求很高，通常需達99.9995%（5N5）甚至99.9999%（6N）以上。2017全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)超預(yù)期增速21.62%，從下游需求結(jié)構(gòu)看，17年增長主要源于半導(dǎo)體的主要應(yīng)用是集成電路中的存儲器，增速達到61.49%，增量來源于人工智能、大數(shù)據(jù)、汽車電子等領(lǐng)域?qū)Ω咝阅苄酒枨罂焖偬嵘?。?5年開始國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)維持20%左右增速，漸成常態(tài)。半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)從臺灣向國內(nèi)轉(zhuǎn)移的趨勢比較確定，國內(nèi)政策、資金、

25、稅收等各方面也在扶持半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)。國家集成電路產(chǎn)業(yè)基金第一期規(guī)模1,387億元。，至少帶動省市地方基金共4,651億元，拉動國內(nèi)企業(yè)內(nèi)生增長和海外并購。未來第二期基金計劃啟動，也將持續(xù)拉動國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)增長。2011-2016全球半導(dǎo)體用靶材年復(fù)合增長率3.17%，預(yù)計2018-2020國內(nèi)半導(dǎo)體靶材需求增速在20%左右。國際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(SEMI)全球半導(dǎo)體用濺射靶材銷售額從2011年的10.1億美元到2016年為11.7億美元，年均復(fù)合增長率為3.17%，其中晶圓制造用濺射靶材年均復(fù)合增長率為2.07%，封裝測試用濺射靶材年均復(fù)合增長率為4.65%。2016年我國集成電路用濺射靶材市場規(guī)模

26、約14億元，年增速達20%。供給端，隨著國產(chǎn)濺射靶材技術(shù)成熟，尤其是國產(chǎn)濺射靶材具備一定性價比優(yōu)勢，并且符合濺射靶材國產(chǎn)化的政策導(dǎo)向；需求端，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)向國內(nèi)轉(zhuǎn)移的趨勢已基本確立，國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)崛起將推動國內(nèi)半導(dǎo)體靶材需求的提升。預(yù)計2018-2020年我國濺射靶材的市場規(guī)模有望持續(xù)擴大，復(fù)合增速將維持在2016年20%左右增速水平。2011-2016全球太陽能用靶材增速保持20%以上。太陽能光伏產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展給太陽能電池用濺射靶材市場帶來了可觀的成長空間，2016年全球太陽能電池用濺射靶材市場規(guī)模23.4億美元，在全球靶材市場中占比約21%。2011-2016年全球太陽能靶材規(guī)模增速一直保持

27、在20%以上。國內(nèi)靶材需求和供給反差懸殊，國產(chǎn)替代進程加速。2015國內(nèi)靶材需求全球占比近25%，年速約20%；但國內(nèi)靶材企業(yè)市場份額不到2%，供需比例反差明顯。隨著國內(nèi)濺射靶材技術(shù)的成熟和高純鋁生產(chǎn)技術(shù)的提高，我國靶材生產(chǎn)成本優(yōu)勢明顯，靶材原料之一高純鋁的國內(nèi)進出口量差距也在逐步縮小。隨著2019年國家進口靶材免稅期結(jié)束，國內(nèi)靶材企業(yè)優(yōu)勢更加突出。預(yù)計2018-2020年國內(nèi)靶材需求將維持20%以上高速增長，市場份額有望進一步擴大。二、靶材項目建設(shè)必要性分析靶材材料的技術(shù)發(fā)展趨勢與下游應(yīng)用產(chǎn)業(yè)的薄膜技術(shù)發(fā)展趨勢息息相關(guān)，隨著應(yīng)用產(chǎn)業(yè)在薄膜產(chǎn)品或元件上的技術(shù)改進，靶材技術(shù)也應(yīng)隨之變化。鍍膜靶材

28、是通過磁控濺射、多弧離子鍍或其他類型的鍍膜系統(tǒng)在適當(dāng)工藝條件下濺射在基板上形成各種功能薄膜的濺射源。簡單說的話，靶材就是高速荷能粒子轟擊的目標(biāo)材料，用于高能激光武器中，不同功率密度、不同輸出波形、不同波長的激光與不同的靶材相互作用時，會產(chǎn)生不同的殺傷破壞效應(yīng)。例如：蒸發(fā)磁控濺射鍍膜是加熱蒸發(fā)鍍膜、鋁膜等。更換不同的靶材(如鋁、銅、不銹鋼、鈦、鎳靶等)，即可得到不同的膜系(如超硬、耐磨、防腐的合金膜等)。各種類型的濺射薄膜材料在半導(dǎo)體集成電路(VLSI)、光碟、平面顯示器以及工件的表面涂層等方面都得到了廣泛的應(yīng)用。20世紀(jì)90年代以來，濺射靶材及濺射技術(shù)的同步發(fā)展，極大地滿足了各種新型電子元器件

29、發(fā)展的需求。例如，在半導(dǎo)體集成電路制造過程中，以電阻率較低的銅導(dǎo)體薄膜代替鋁膜布線：在平面顯示器產(chǎn)業(yè)中，各種顯示技術(shù)(如LCD、PDP、OLED及FED等)的同步發(fā)展，有的已經(jīng)用于電腦及計算機的顯示器制造;在信息存儲產(chǎn)業(yè)中，磁性存儲器的存儲容量不斷增加，新的磁光記錄材料不斷推陳出新這些都對所需濺射靶材的質(zhì)量提出了越來越高的要求，需求數(shù)量也逐年增加。日本。就美國而言.約有50家中小規(guī)模的靶材制造商及經(jīng)銷商，其中最大的公司員工大約有幾百人。不過為了能更接近使用者，以便提供更完善的售后服務(wù)，全球主要靶材制造商通常會在客戶所在地設(shè)立分公司。近段時間，亞洲的一些國家和地區(qū)，如臺灣.韓國和新加坡，就建立了

30、越來越多制造薄膜元件或產(chǎn)品的工廠，如IC、液晶顯示器及光碟制造廠。對靶材廠商而言，這是相當(dāng)重要的新興市場。中國靶材產(chǎn)業(yè)發(fā)展也是與日俱增，不斷的擴大自己的規(guī)模和生產(chǎn)技術(shù)，國內(nèi)一線生產(chǎn)制造靶材的品牌已經(jīng)達到國外最頂尖的技術(shù)水平。2010年，日本三菱公司就在中國臺灣地區(qū)建立了光碟塒靶材的生產(chǎn)基地，可以滿足臺灣50%的靶材需要。BCC(BusinessCommunicationsCompany，商業(yè)咨詢公司)最新的統(tǒng)計報告指出，全球靶材市場將以8.8%的年平均增長率(AAGR)在今后的5年內(nèi)持續(xù)增長，估計銷售額將從1999年的7.2億美元增加到2004年的11億美元。靶材是一種具有高附加價值的特種電子

31、材料，主要使用在微電子，顯示器，存儲器以及光學(xué)鍍膜等產(chǎn)業(yè)上，用以濺射用于尖端技術(shù)的各種薄膜材料。BCC的報告顯示：全球的上述產(chǎn)業(yè)在1999年使用了2.88百萬公斤靶材。換算為面積，則濺射了363百萬平方米的薄膜。而若以單位靶材來計算，全球在1999年則大約使用了37400單位的靶材。這里所要指出的是，隨著應(yīng)用產(chǎn)業(yè)的不同，靶材的形狀與大小也有所差異，其直徑從15Gm到3m都有，而上述的統(tǒng)計資料，則是平均化后的結(jié)果。在所有應(yīng)用產(chǎn)業(yè)中，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)對靶材濺射薄膜的品質(zhì)要求是最苛刻的。如今12英寸(300衄口)的硅晶片已制造出來.而互連線的寬度卻在減小。硅片制造商對靶材的要求是大尺寸、高純度、低偏析和細

32、晶粒，這就要求所制造的靶材具有更好的微觀結(jié)構(gòu)。靶材的結(jié)晶粒子直徑和均勻性已被認為是影響薄膜沉積率的關(guān)鍵因素。另外，薄膜的純度與靶材的純度關(guān)系極大，過去99.995%(4N5)純度的銅靶，或許能夠滿足半導(dǎo)體廠商0.35pm工藝的需求，但是卻無法滿足如今0.25um的工藝要求，而未米的0.18um藝甚至0.13m工藝，所需要的靶材純度將要求達到5甚至6N以上。平面顯示器(FPD)這些年來大幅沖擊以陰極射線管(CRT)為主的電腦顯示器及電視機市場，亦將帶動ITO靶材的技術(shù)與市場需求。如今的iTO靶材有兩種.一種是采用納米狀態(tài)的氧化銦和氧化錫粉混合后燒結(jié)，一種是采用銦錫合金靶材。銦錫合金靶材可以采用直

33、流反應(yīng)濺射制造ITO薄膜，但是靶表面會氧化而影響濺射率，并且不易得到大尺寸的臺金靶材。如今一般采取第一種方法生產(chǎn)ITO靶材，利用LIRF反應(yīng)濺射鍍膜.靶材具有沉積速度快.且能精確控制膜厚，電導(dǎo)率高，薄膜的一致性好，與基板的附著力強等優(yōu)點l。但是靶材制作困難，這是因為氧化銦和氧化錫不容易燒結(jié)在一起。一般采用ZrO2、Bi2O3、CeO等作為燒結(jié)添加劑，能夠獲得密度為理論值的93%98%的靶材，這種方式形成的ITO薄膜的性能與添加劑的關(guān)系極大。在儲存技術(shù)方面，高密度、大容量硬盤的發(fā)展，需要大量的巨磁阻薄膜材料，CoFCu多層復(fù)合膜是如今應(yīng)用廣泛的巨磁阻薄膜結(jié)構(gòu)。磁光盤需要的TbFeCo合金靶材還在

34、進一步發(fā)展，用它制造的磁光盤具有存儲容量大，壽命長，可反復(fù)無接觸擦寫的特點。如今開發(fā)出來的磁光盤，具有TbFeCo/Ta和TbFeCo/Al的層復(fù)合膜結(jié)構(gòu)，TbFeCo/AI結(jié)構(gòu)的Kerr旋轉(zhuǎn)角達到58，而TbFeCofFa則可以接近0.8。經(jīng)過研究發(fā)現(xiàn)，低磁導(dǎo)率的靶材高交流局部放電電壓l抗電強度?；阪N銻碲化物的相變存儲器(PCM)顯示出顯著的商業(yè)化潛力,是NOR型閃存和部分DRAM市場的一項替代性存儲器技術(shù)，不過,在實現(xiàn)更快速地按比例縮小的道路上存在的挑戰(zhàn)之一,便是缺乏能夠生產(chǎn)可進一步調(diào)低復(fù)位電流的完全密閉單元。降低復(fù)位電流可降低存儲器的耗電量,延長電池壽命和提高數(shù)據(jù)帶寬,這對于當(dāng)前以數(shù)據(jù)

35、為中心的、高度便攜式的消費設(shè)備來說都是很重要的特征。第三章 產(chǎn)業(yè)研究分析一、靶材行業(yè)分析靶材是濺射薄膜制備的源頭材料，又稱濺射靶材。是制備晶圓、面板、太陽能電池等表面電子薄膜的關(guān)鍵材料。高純度濺射靶材主要應(yīng)用于電子元器件制造的物理氣相沉積（PhysicalVaporDeposition，PVD）工藝。PVD鍍膜目前主要有三種形式，分別是濺射鍍膜、蒸發(fā)鍍膜以及離子鍍膜。為推動國內(nèi)靶材產(chǎn)業(yè)發(fā)展，增強產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新能力和國際競爭力，帶動傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)改造和產(chǎn)品升級換代，我國制定了一系列靶材行業(yè)相關(guān)支持政策。靶材行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈主要包括金屬提純、靶材制造、濺射鍍膜和終端應(yīng)用等環(huán)節(jié)。其中，靶材制造和濺射鍍膜環(huán)節(jié)是整個靶材

36、產(chǎn)業(yè)鏈中的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。靶材產(chǎn)業(yè)下游包括半導(dǎo)體、光伏電池、平板顯示器等等，其中，半導(dǎo)體芯片行業(yè)用的金屬靶材，主要種類包括：銅、鉭、鋁、鈦、鈷和鎢等高純靶材，以及鎳鉑、鎢鈦等合金類的靶材。銅靶和鉭靶通常配合起來使用。靶材主要應(yīng)用在平板顯示、記錄媒體、光伏電池、半導(dǎo)體等領(lǐng)域。其中，在靶材應(yīng)用領(lǐng)域中，半導(dǎo)體芯片對靶材的金屬材料純度、內(nèi)部微觀結(jié)構(gòu)等方面都設(shè)定了極其苛刻的標(biāo)準(zhǔn)，需要掌握生產(chǎn)過程中的關(guān)鍵技術(shù)并經(jīng)過長期實踐才能制成符合工藝要求的產(chǎn)品。因此，半導(dǎo)體芯片對靶材的要求是最高的，價格也最為昂貴。半導(dǎo)體芯片行業(yè)是金屬濺射靶材的主要應(yīng)用領(lǐng)域之一，也是對靶材的成分、組織和性能要求最高的領(lǐng)域。目前晶圓的制造正朝

37、著更小的制程方向發(fā)展，銅導(dǎo)線工藝的應(yīng)用量在逐步增大，因此，銅和鉭靶材的需求將有望持續(xù)增長。鋁靶和鈦靶通常配合起來使用。目前，在汽車電子芯片等需要110nm以上技術(shù)節(jié)點來保證其穩(wěn)定性和抗干擾性的領(lǐng)域，仍需大量使用鋁、鈦靶材。目前，全球的靶材制造行業(yè)，特別是高純度的靶材市場，呈現(xiàn)寡頭壟斷格局，主要由幾家美日大企業(yè)把持，如日本的三井礦業(yè)、日礦金屬、日本東曹、住友化學(xué)、日本愛發(fā)科，以及美國霍尼韋爾、普萊克斯等。日礦金屬是全球最大的靶材供應(yīng)商，靶材銷售額約占全球市場的30%，霍尼韋爾在并購JohnsonMattey、整合高純鋁、鈦等原材料生產(chǎn)廠后，占到全球市約20%的份額，此外，東曹和普萊克斯分別占20

38、%和10%。目前，國內(nèi)靶材廠商主要聚焦在低端產(chǎn)品領(lǐng)域，在半導(dǎo)體、平板顯示器和太陽能電池等市場還無法與國際巨頭全面競爭。但是，依靠國內(nèi)的巨大市場潛力和利好的產(chǎn)業(yè)政策，以及產(chǎn)品價格優(yōu)勢，它們已經(jīng)在國內(nèi)市場占有一定的市場份額，并逐步在個別細分領(lǐng)域搶占了部分國際大廠的市場空間。近年來，我國政府制定了一系列產(chǎn)業(yè)政策，如863計劃、02專項基金等來加速濺射靶材供應(yīng)的本土化進程，推動國產(chǎn)靶材在多個應(yīng)用領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)從無到有的跨越。這些都從國家戰(zhàn)略高度扶植并推動著濺射靶材產(chǎn)業(yè)的發(fā)展壯大。二、靶材市場分析預(yù)測超大規(guī)模集成電路制造過程中要反復(fù)用到的濺射（Sputtering）工藝屬于物理氣相沉積（PVD）技術(shù)的一種，是

39、制備電子薄膜材料的主要技術(shù)之一，它利用離子源產(chǎn)生的離子，在高真空中經(jīng)過加速聚集，而形成高速度能的離子束流，轟擊固體表面，離子和固體表面原子發(fā)生動能交換，使固體表面的原子離開固體并沉積在基底表面，被轟擊的固體是用濺射法沉積薄膜的原材料，稱為濺射靶材。一般來說，濺射靶材主要由靶坯、背板等部分構(gòu)成，其中，靶坯是高速離子束流轟擊的目標(biāo)材料，屬于濺射靶材的核心部分，在濺射鍍膜過程中，靶坯被離子撞擊后，其表面原子被濺射飛散出來并沉積于基板上制成電子薄膜；由于高純度金屬強度較低，而濺射靶材需要安裝在專用的機臺內(nèi)完成濺射過程，機臺內(nèi)部為高電壓、高真空環(huán)境，因此，超高純金屬的濺射靶坯需要與背板通過不同的焊接工藝

40、進行接合，背板起到主要起到固定濺射靶材的作用，且需要具備良好的導(dǎo)電、導(dǎo)熱性能。在濺射靶材應(yīng)用領(lǐng)域中，半導(dǎo)體芯片對濺射靶材的金屬材料純度、內(nèi)部微觀結(jié)構(gòu)等方面都設(shè)定了極其苛刻的標(biāo)準(zhǔn)，需要掌握生產(chǎn)過程中的關(guān)鍵技術(shù)并經(jīng)過長期實踐才能制成符合工藝要求的產(chǎn)品，因此，半導(dǎo)體芯片對濺射靶材的要求是最高的，價格也最為昂貴；相較于半導(dǎo)體芯片，平面顯示器、太陽能電池對于濺射靶材的純度和技術(shù)要求略低一籌，但隨著靶材尺寸的增大，對濺射靶材的焊接結(jié)合率、平整度等指標(biāo)提出了更高的要求。此外，濺射靶材需要安裝在濺射機臺內(nèi)完成濺射過程，濺射機臺專用性強，對濺射靶材的形狀、尺寸和精度也設(shè)定了諸多限制。高純度乃至超高純度的金屬材料

41、是生產(chǎn)高純?yōu)R射靶材的基礎(chǔ)，以半導(dǎo)體芯片用濺射靶材為例，若濺射靶材雜質(zhì)含量過高，則形成的薄膜無法達到使用所要求的電性能，并且在濺射過程中易在晶圓上形成微粒，導(dǎo)致電路短路或損壞，嚴(yán)重影響薄膜的性能。通常情況下，高純金屬提純分為化學(xué)提純和物理提純，為了獲得更高純度的金屬材料，最大限度地去除雜質(zhì)，需要將化學(xué)提純和物理提純結(jié)合使用。在將金屬提純到相當(dāng)高的純度后，往往還需配比其他金屬元素才能投入使用，在這個過程中，需要經(jīng)過熔煉、合金化和鑄造等步驟：通過精煉高純金屬，去除氧氣、氮氣等多余氣體；再加入少量合金元素，使其與高純金屬充分結(jié)合并均勻分布；最后將其鑄造成沒有缺陷的錠材，滿足生產(chǎn)加工過程中對金屬成份、尺

42、寸大小的要求。濺射靶材制造環(huán)節(jié)首先需要根據(jù)下游應(yīng)用領(lǐng)域的性能需求進行工藝設(shè)計，然后進行反復(fù)的塑性變形、熱處理，需要精確地控制晶粒、晶向等關(guān)鍵指標(biāo)，再經(jīng)過焊接、機械加工、清洗干燥、真空包裝等工序。濺射靶材制造所涉及的工序精細且繁多，工序流程管理及制造工藝水平將直接影響到濺射靶材的質(zhì)量和良品率。濺射鍍膜是指物體被離子撞擊時，被濺射飛散出，因被濺射飛散的物體附著于目標(biāo)基板上而制成薄膜的過程，濺射靶材就是高速荷能粒子轟擊的目標(biāo)材料。此環(huán)節(jié)是在濺射靶材產(chǎn)業(yè)鏈條中對生產(chǎn)設(shè)備及技術(shù)工藝要求最高的環(huán)節(jié)，濺射薄膜的品質(zhì)對下游產(chǎn)品的質(zhì)量具有重要影響。在濺射鍍膜過程中，濺射靶材需要安裝在機臺中完成濺射反應(yīng)，濺射機臺

43、專用性強、精密度高，市場長期被美國、日本跨國集團壟斷，主要設(shè)備提供商包括AMAT（美國）、ULVAC（日本）、ANELVA（日本）、Varian（美國）等行業(yè)內(nèi)知名企業(yè)。終端應(yīng)用是針對各類市場需求利用封裝好的元器件制成面向最終用戶的產(chǎn)品，包括汽車電子、智能手機、平板電腦、家用電器等終端消費電子產(chǎn)品。通常情況下，在半導(dǎo)體靶材濺射鍍膜后，需要將鍍膜硅片切割并進行芯片封裝。封裝是指將電路用導(dǎo)線連接到外部接頭處，以便與其他器件連接的工序，不僅能夠起到保護芯片的作用，還將芯片與外界隔離，防止空氣中的雜質(zhì)對芯片電路造成腐蝕而損害導(dǎo)電性能。此外，終端應(yīng)用也包括制備太陽能電池、光學(xué)鍍膜、工具改性、高檔裝飾用品

44、等，此環(huán)節(jié)技術(shù)面較寬，呈現(xiàn)多樣化特征。全球范圍內(nèi)，濺射靶材產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)參與企業(yè)數(shù)量基本呈金字塔型分布，高純?yōu)R射靶材制造環(huán)節(jié)技術(shù)門檻高、設(shè)備投資大，具有規(guī)模化生產(chǎn)能力的企業(yè)數(shù)量相對較少，主要分布在美國、日本等國家和地區(qū)，其中，部分企業(yè)同時開展金屬提純業(yè)務(wù)，將產(chǎn)業(yè)鏈延伸到上游領(lǐng)域；部分企業(yè)只擁有濺射靶材生產(chǎn)能力，高純度金屬需要上游企業(yè)供應(yīng)。濺射靶材最高端的應(yīng)用是在超大規(guī)模集成電路芯片制造領(lǐng)域，這個領(lǐng)域只有美國和日本的少數(shù)公司（日礦金屬、霍尼韋爾、東曹、普萊克斯等）從事相關(guān)業(yè)務(wù)，是一個被跨國公司壟斷的行業(yè)。作為濺射靶材客戶端的濺射鍍膜環(huán)節(jié)具有規(guī)模化生產(chǎn)能力的企業(yè)數(shù)量相對較多，但質(zhì)量參差不齊，美國、歐

45、洲、日本、韓國等知名企業(yè)居于技術(shù)領(lǐng)先地位，品牌知名度高、市場影響力大，通常會將產(chǎn)業(yè)鏈擴展至下游應(yīng)用領(lǐng)域，利用技術(shù)先導(dǎo)優(yōu)勢和高端品牌迅速占領(lǐng)終端消費市場，如IBM、飛利浦、東芝、三星等。終端應(yīng)用環(huán)節(jié)是整個產(chǎn)業(yè)鏈中規(guī)模最大的領(lǐng)域，其產(chǎn)品的開發(fā)與生產(chǎn)分散在各個行業(yè)領(lǐng)域，同時，此環(huán)節(jié)具有突出的勞動密集性特點，參與企業(yè)數(shù)量最多，機器設(shè)備投資一般，主要分布在日本、中國臺灣和中國大陸等，并逐漸將生產(chǎn)工廠向人力成本低的國家和地區(qū)轉(zhuǎn)移。濺射靶材產(chǎn)業(yè)分布具有一定的區(qū)域性特征，美國、日本跨國集團產(chǎn)業(yè)鏈完整，囊括金屬提純、靶材制造、濺射鍍膜和終端應(yīng)用各個環(huán)節(jié)，具備規(guī)?；a(chǎn)能力，在掌握先進技術(shù)以后實施壟斷和封鎖，主導(dǎo)

46、著技術(shù)革新和產(chǎn)業(yè)發(fā)展；韓國、新加坡及中國臺灣地區(qū)在磁記錄及光學(xué)薄膜領(lǐng)域有所特長。另外由于上述地區(qū)芯片及液晶面板產(chǎn)業(yè)發(fā)展較早，促使服務(wù)分工明確，可以為產(chǎn)業(yè)鏈下游的品牌企業(yè)提供如焊接、清洗、包裝等專業(yè)代工服務(wù)，將上游基礎(chǔ)材料和下游終端應(yīng)用對接，起到承上啟下的作用，并在一定程度上推動上游濺射靶材的產(chǎn)品開發(fā)和市場擴展。但是上述地區(qū)的靶材服務(wù)廠商缺少核心技術(shù)及裝備，不能夠在金屬的提純、組織的控制等核心技術(shù)領(lǐng)域形成競爭力濺射靶材的材料即靶坯依然依賴美國和日本的進口。超高純金屬材料及濺射靶材在我國還屬于較新的行業(yè)，以芯片制造廠商、液晶面板制造企業(yè)為代表的下游濺射鍍膜和終端用戶正在加大力度擴展產(chǎn)能。從全球來看

47、，芯片及液晶面板行業(yè)制造向中國大陸轉(zhuǎn)移趨勢愈演愈烈，中國正在迎來這一領(lǐng)域的投資高峰。為此高端濺射靶材的應(yīng)用市場需求正在快速增長。由于濺射鍍膜工藝起源于國外，所需要的濺射靶材產(chǎn)品性能要求高、專業(yè)應(yīng)用性強，因此，長期以來全球濺射靶材研制和生產(chǎn)主要集中在美國、日本少數(shù)幾家公司，產(chǎn)業(yè)集中度相當(dāng)高。以霍尼韋爾（美國）、日礦金屬（日本）、東曹（日本）等跨國集團為代表的濺射靶材生產(chǎn)商較早涉足該領(lǐng)域，經(jīng)過幾十年的技術(shù)積淀，憑借其雄厚的技術(shù)力量、精細的生產(chǎn)控制和過硬的產(chǎn)品質(zhì)量居于全球濺射靶材市場的主導(dǎo)地位，占據(jù)絕大部分市場份額。這些企業(yè)在掌握濺射靶材生產(chǎn)的核心技術(shù)以后，實施極其嚴(yán)格的保密措施，限制技術(shù)擴散，同時

48、不斷進行橫向擴張和垂直整合，將業(yè)務(wù)觸角積極擴展到濺射鍍膜的各個應(yīng)用領(lǐng)域，牢牢把握著全球濺射靶材市場的主動權(quán)，并引領(lǐng)著全球濺射靶材行業(yè)的技術(shù)進步。受到發(fā)展歷史和技術(shù)限制的影響，濺射靶材行業(yè)在我國起步較晚，目前仍然屬于一個較新的行業(yè)。與國際知名企業(yè)生產(chǎn)的濺射靶材相比，我國濺射靶材研發(fā)生產(chǎn)技術(shù)還存在一定差距，市場影響力相對有限，尤其在半導(dǎo)體芯片、平板顯示器、太陽能電池等領(lǐng)域，全球高純?yōu)R射靶材市場依然被美國、日本的濺射靶材生產(chǎn)廠商所控制或壟斷。隨著濺射靶材朝著更高純度、更大尺寸的方向發(fā)展，我國濺射靶材生產(chǎn)企業(yè)只有不斷進行研發(fā)創(chuàng)新，具備較強的產(chǎn)品開發(fā)能力，研制出適用不同應(yīng)用領(lǐng)域的濺射靶材產(chǎn)品，才能在全球

49、濺射靶材市場中占得一席之地。半導(dǎo)體芯片、平板顯示器、太陽能電池等下游工業(yè)對產(chǎn)品的品質(zhì)和穩(wěn)定性等方面有較高的要求，為了嚴(yán)格控制產(chǎn)品質(zhì)量，下游客戶尤其是全球知名廠商在選擇供應(yīng)商時，供應(yīng)商資格認證壁壘較高，且認證周期較長。我國高純?yōu)R射靶材企業(yè)要進入國際市場，首先要通過部分國際組織和行業(yè)協(xié)會為高純?yōu)R射靶材設(shè)置的行業(yè)性質(zhì)量管理體系標(biāo)準(zhǔn)，例如，應(yīng)用于汽車電子的半導(dǎo)體廠商普遍要求上游濺射靶材供應(yīng)商能夠通過ISO/TS16949質(zhì)量管理體系認證，應(yīng)用于電器設(shè)備的濺射靶材生產(chǎn)商需要滿足歐盟制定的RoHS強制性標(biāo)準(zhǔn)；其次，半導(dǎo)體芯片、平板顯示器、太陽能電池等下游知名客戶均建立了十分完善的客戶認證體系，在高純?yōu)R射靶

50、材供應(yīng)商滿足行業(yè)性質(zhì)量管理體系認證的基礎(chǔ)上，下游客戶往往還會根據(jù)自身的質(zhì)量管理要求再對供應(yīng)商進行合格供應(yīng)商認證。認證過程主要包括技術(shù)評審、產(chǎn)品報價、樣品檢測、小批量試用、批量生產(chǎn)等幾個階段，認證過程相當(dāng)苛刻，從新產(chǎn)品開發(fā)到實現(xiàn)大批量供貨，整個過程一般需要2-3年時間。為了降低供應(yīng)商開發(fā)與維護成本，保證產(chǎn)品質(zhì)量的持續(xù)性，濺射靶材供應(yīng)商在通過下游客戶的資格認證后，下游客戶會與濺射靶材供應(yīng)商保持長期穩(wěn)定的合作關(guān)系，不會輕易更換供應(yīng)商，并在技術(shù)合作、供貨份額等方面向優(yōu)質(zhì)供應(yīng)商傾斜。近年來，受益于國家從戰(zhàn)略高度持續(xù)地支持電子材料行業(yè)的發(fā)展及應(yīng)用推廣，我國國內(nèi)開始出現(xiàn)不少專業(yè)從事高純?yōu)R射靶材研發(fā)和生產(chǎn)的企

51、業(yè)，并成功開發(fā)出一批能適應(yīng)高端應(yīng)用領(lǐng)域的濺射靶材，為高純?yōu)R射靶材大規(guī)模產(chǎn)業(yè)化提供了良好的研發(fā)基礎(chǔ)和市場化條件。通過將濺射靶材研發(fā)成果產(chǎn)業(yè)化，積極參與濺射靶材的國際化市場競爭，我國濺射靶材生產(chǎn)企業(yè)在技術(shù)和市場方面都取得了長足的進步，改變了高純?yōu)R射靶材長期依賴進口的不利局面。目前，包括長沙鑫康在內(nèi)的一些國內(nèi)企業(yè)已經(jīng)掌握了高純?yōu)R射靶材生產(chǎn)的關(guān)鍵技術(shù)，積累了較為豐富的產(chǎn)業(yè)經(jīng)驗，擁有了一定的市場知名度，獲得了全球知名客戶的認可。第四章 建設(shè)內(nèi)容一、產(chǎn)品規(guī)劃項目主要產(chǎn)品為靶材，根據(jù)市場情況，預(yù)計年產(chǎn)值47392.00萬元。項目產(chǎn)品的市場需求是投資項目存在和發(fā)展的基礎(chǔ)，市場需要量是根據(jù)分析項目產(chǎn)品市場容量、

52、產(chǎn)品產(chǎn)量及其技術(shù)發(fā)展來進行預(yù)測；目前，我國各行業(yè)及各個領(lǐng)域?qū)椖慨a(chǎn)品需求量很大，由于此類產(chǎn)品具有市場需求多樣化、升級換代快的特點，所以項目產(chǎn)品的生產(chǎn)量滿足不了市場要求，每年還需大量從外埠調(diào)入或國外進口，商品市場需求高于產(chǎn)品制造發(fā)展速度，因此，項目產(chǎn)品具有廣闊的潛在市場。二、建設(shè)規(guī)模（一）用地規(guī)模該項目總征地面積53246.61平方米（折合約79.83畝），其中：凈用地面積53246.61平方米（紅線范圍折合約79.83畝）。項目規(guī)劃總建筑面積62298.53平方米，其中：規(guī)劃建設(shè)主體工程41117.72平方米，計容建筑面積62298.53平方米；預(yù)計建筑工程投資4999.02萬元。（二）設(shè)備購

53、置項目計劃購置設(shè)備共計120臺（套），設(shè)備購置費6696.02萬元。（三）產(chǎn)能規(guī)模項目計劃總投資21258.01萬元；預(yù)計年實現(xiàn)營業(yè)收入47392.00萬元。第五章 項目選址科學(xué)性分析一、項目選址原則節(jié)約土地資源，充分利用空閑地、非耕地或荒地，盡可能不占良田或少占耕地；應(yīng)充分利用天然地形，選擇土地綜合利用率高、征地費用少的場址。所選場址應(yīng)避開自然保護區(qū)、風(fēng)景名勝區(qū)、生活飲用水源地和其他特別需要保護的環(huán)境敏感性目標(biāo)。項目建設(shè)區(qū)域地理條件較好，基礎(chǔ)設(shè)施等配套較為完善，并且具有足夠的發(fā)展?jié)摿Α６?、項目選址該項目選址位于xxx產(chǎn)業(yè)園區(qū)。東莞，是廣東省地級市、國務(wù)院批復(fù)確定的中國珠江三角洲東岸中心城市。

54、截至2018年，全市下轄4個街道、28個鎮(zhèn)，總面積2465平方千米，建成區(qū)面積958.86平方千米，常住人口839.22萬人，城鎮(zhèn)人口763.86萬人，城鎮(zhèn)化率91.02%。東莞地處中國華南地區(qū)、廣東省中南部、珠江口東岸，西北接廣州市，南接深圳市，東北接惠州市，是珠三角中心城市之一、粵港澳大灣區(qū)城市之一，為廣東四小虎之首，號稱世界工廠，是廣東重要的交通樞紐和外貿(mào)口岸，也是全國4個不設(shè)區(qū)的地級市之一，新一線城市之一。東莞是廣府文化的代表城市之一，是嶺南文化的重要發(fā)源地，中國近代史的開篇地和改革開放的先行地，廣東重要的交通樞紐和外貿(mào)口岸，被列為第一批國家新型城鎮(zhèn)化綜合試點地區(qū)和廣東歷史文化名城。東

55、莞有港澳同胞約120萬人，海外華僑約30萬人，是著名的華僑之鄉(xiāng)、粵劇之鄉(xiāng)，曾獲得國家森林城市、國際花園城市、全國文明城市、全國籃球城市等稱號。2019年8月，中國海關(guān)總署主辦的中國海關(guān)雜志公布了2018年中國外貿(mào)百強城市排名，東莞排名第3。園區(qū)加快建設(shè)“互聯(lián)網(wǎng)+政務(wù)服務(wù)”示范區(qū)。優(yōu)化服務(wù)流程，創(chuàng)新服務(wù)方式，推進數(shù)據(jù)共享。全面梳理編制政務(wù)服務(wù)事項目錄，逐步做到“同一事項、同一標(biāo)準(zhǔn)、同一編碼”。優(yōu)化網(wǎng)上申請、受理、審查、決定、送達等服務(wù)流程，做到“應(yīng)上盡上、全程在線”，凡是能實現(xiàn)網(wǎng)上辦理的事項，不得強制要求到現(xiàn)場辦理。全面公開與政務(wù)服務(wù)事項相關(guān)的服務(wù)信息，除辦事指南明確的條件外，不得自行增加辦事要求。完善網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)設(shè)施，加強網(wǎng)絡(luò)和信息安全保護，切實加大對涉及國家機密、商業(yè)秘密、個人隱私等重要數(shù)據(jù)的保護力度。推行網(wǎng)上審批、網(wǎng)上執(zhí)法、網(wǎng)上服務(wù)、網(wǎng)上交易、網(wǎng)上監(jiān)管、網(wǎng)上辦公、網(wǎng)上督查、網(wǎng)上公開、網(wǎng)上信訪，最大程度利企便民，提升政務(wù)服務(wù)智慧化水平。