典型特性曲線

1、SVD1N70B/M/T1A、700V N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管1.柵極2.漏極3.源極TO-251-3LTO-92-3L描述SVD1N70B/M/T N 溝道增強(qiáng)型高壓功率 MOS場(chǎng)效應(yīng) 晶體管采用S-Rin TM平面高壓VDMOS工藝技術(shù)制造。先 進(jìn)的工藝及條狀的原胞設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)使得該產(chǎn)品具有較低的導(dǎo) 通電阻、優(yōu)越的開關(guān)性能及很高的雪崩擊穿耐量。該產(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于 AC-DC開關(guān)電源，DC-DC電源 轉(zhuǎn)換器，高壓H橋PMW馬達(dá)驅(qū)動(dòng)。特點(diǎn)1A，700V，RDS（on）（典型值）=11.3VGS =10V*低柵極電荷量-低反向傳輸電容-開關(guān)速度快-提升了 dv/dt能力訂貨說(shuō)明產(chǎn)品名稱封裝形式打印名稱

2、包裝形式SVD1N70MTO-251-3LSVD1N70M料管SVD1N70TTO-220-3LSVD1N70T料管SVD1N70BTO-92-3L1N70B袋裝SVD1N70BTRTO-92-3L1N70B編帶極限參數(shù)（除非特殊說(shuō)明，TC=25 C）參數(shù)名稱符號(hào)參數(shù)范圍單位SVD1N70BSVD1N70MSVD1N70T漏源電壓VDS700V柵源電壓VGS30V漏極電流ID1.0A耗散功率（TC=25 C）-大于25 C每攝氏度減少PD32832W0.0250.220.31W/ C單脈沖雪崩能量（注 1）EAS7.2mJ工作結(jié)溫TJ-55 +150貯存溫度Tstg-55 +150熱阻特性參數(shù)

3、名稱符號(hào)參數(shù)范圍單位SVD1N70BSVD1N70MSVD1N70T芯片對(duì)管殼熱阻R9 JC0.54.02.71P/W芯片對(duì)環(huán)境的熱阻R 9 JA12011062.5七/W電性參數(shù)（除非特殊說(shuō)明，TC=25 C）參數(shù)符號(hào)測(cè)試條件最小值典型值最大值單位漏源擊穿電壓BVDSSVGS=0V , ID=250 A700-V漏源漏電流IDSSVDS=700V , VGS =0V-10(jA柵源漏電流IGSSVGS = 30V , VDS =0V-100nA柵極開啟電壓VGS(th)VGS= VDS , ID=250A2.0-4.0V導(dǎo)通電阻RDS(on)VGS=10V , ID=0.5A-11.314.

4、5Q輸入電容CissVDS=25V , VGS=0V , f=1.0MHz-150200輸出電容Coss-1726pF反向傳輸電容Crss-2.24.0開啟延遲時(shí)間td(on)VDD=350V , ID=0.8A,-840開啟上升時(shí)間trRG=25Q-960關(guān)斷延遲時(shí)間td(off)-3650ns關(guān)斷下降時(shí)間tf(Note 2,3)-1170柵極電何里QgVDS=560V , ID=0.8A,-5.66.0柵極-源極電荷量QgsVGS=10V-1-nC柵極-漏極電荷量Qgd(Note 2,3)-2.5-源-漏二極管特性參數(shù)參數(shù)符號(hào)測(cè)試條件最小值典型值最大值單位源極電流ISMOS管中源極、漏極構(gòu)

5、成 的反偏P-N結(jié)1.2A源極脈沖電流ISM-4.8源-漏二極管壓降VSDIS=1.0A,V GS=0V-1.5V反向恢復(fù)時(shí)間T rrIS=1.0A,V GS=0V, dlF/dt=100A/ j (注 2)_160_ns反向恢復(fù)電荷Qrr0.3JC注：1. L=10mH , IAS=1.2A , Vdd=50V，開始溫度 TJ=25 C;2. 脈沖測(cè)試： 脈沖寬度 300占空比 2%3. 基本上不受工作溫度的影響。版本號(hào)：1.02009.12.16共7頁(yè)第6頁(yè)命名規(guī)則 VOMDS- ., *| :!額定電就標(biāo)識(shí)尿出1它儻數(shù)字 洌如：4代衣4AJ0代農(nóng)10A, os 代 ieo.aA溝過(guò)曲件標(biāo)

6、說(shuō)N代老N溝追 川賞外曲標(biāo)識(shí) 例鉞 7:TO-220;MTO-2&1 BTO-92. 毅述耐伸.來(lái)用劉許獨(dú)字 FU ! 60/ j 0ODV.65典型特性曲線（續(xù)）山爵溫電用IM12llflFf-6.冊(cè)誦t賢牯tl ia吃塩i& DA A2 ID = 250 冉E芒石It*i耳 to耳二 OJSQi梵I100PEdtfU5CflTJfe沽軽qTJ,典型測(cè)試電路SVD1N70B/M/TTO-220-3LUNIT: mm封裝外形圖TO-251-3Lin1加旳.凱d =Mh& Nd42MTYPUNIT: mm MH叮聞22 410 2aaiozQ5KI.2U 2.0版本號(hào)：1.02009.12.16共7頁(yè)第8頁(yè)SVD1N70B/M/TTO-92-3L單位 : mm封裝外形圖（續(xù)）TO-92-3L單位：mm1 27TXP版本號(hào)：1.02009.12.16共7頁(yè)第9頁(yè)SVD1N70B/M/T聲明： 士蘭保留說(shuō)明書的更改權(quán)，恕不另行通知！客戶在下單前應(yīng)獲取最新版本資料，并驗(yàn)證相關(guān)信息是否完 整和最新。 任何半導(dǎo)體產(chǎn)品特定條件下都有一定的失效或發(fā)生故障的可能，買方有責(zé)任在使用Silan產(chǎn)品進(jìn)