AT89c51中文說(shuō)明書(shū)

1、描述AT89C51是美國(guó)ATME公司生產(chǎn)的低電壓，高性能CMOS位單片機(jī)，片內(nèi)含4K字節(jié)的 快速可擦寫(xiě)的只讀程序存儲(chǔ)器（PERO）和128字節(jié) 的隨機(jī)存取數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器（RAM，器 件采用ATMEL公司的高密度、非易失性存儲(chǔ)技術(shù)生產(chǎn)，兼容標(biāo)準(zhǔn)MCS-51產(chǎn)品指令系統(tǒng)，片內(nèi)有通用8位中央處理器（CPU和閃存單元，功能強(qiáng)大 AT89C51單片機(jī)具有很高性價(jià) 比和應(yīng)用性，可靈活應(yīng)用于各種控制領(lǐng)域。AT89C51提供以下標(biāo)準(zhǔn)功能：4K字節(jié)閃存，128字節(jié)內(nèi)部RAM 32個(gè)I/O 口線，兩 個(gè) 16 位定時(shí)計(jì)數(shù)器，一個(gè) 5 向量?jī)杉?jí)中斷結(jié)構(gòu)，一個(gè)全雙工串行通信口，片內(nèi)振蕩器 及時(shí)鐘電路。同時(shí)，AT89C51

2、可降至0HZ的靜態(tài)邏輯操作，并支持兩種軟件可選的節(jié)電工 作模式?？臻e方式停止 CPU的工作，但允許RAM定時(shí)/計(jì)數(shù)器，串行通信口及中斷系統(tǒng) 繼續(xù)工作。掉電方式保存RAh中的內(nèi)容，但振蕩器停止工作并禁止其它所有部件工作直到 下一個(gè)硬件復(fù)位。引腳功能說(shuō)明Vcc電源電壓GND地P0 口P0 口是一組8位漏極開(kāi)路型雙向I/O 口，即地址/數(shù)據(jù)總線復(fù)位口。作為輸出口用時(shí)， 每位能吸收電流的方式驅(qū)動(dòng) 8個(gè)邏輯門(mén)電路，對(duì)端口寫(xiě)“ 1”可 作為高阻抗輸入端用。在訪問(wèn)外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器或程序存儲(chǔ)器時(shí)，這組口線分時(shí)轉(zhuǎn)換地址（低 8 位）和數(shù)據(jù)總 線復(fù)用，此時(shí)P0激活內(nèi)部的上拉電阻。P1 口P1是一個(gè)帶有內(nèi)部上拉電阻的

3、8位雙向I/O 口。P1的輸出緩沖級(jí)可驅(qū)動(dòng)（輸入或輸 出）4個(gè) TTL 邏輯門(mén)電路。對(duì)端口寫(xiě)“ 1”，通過(guò)內(nèi)部的上拉電阻把端口拉到高電平，此時(shí) 可做輸入口。因?yàn)閮?nèi)部存在上拉電阻，某個(gè)引腳被外部信號(hào)拉低時(shí)會(huì)輸出一個(gè)電流 .Flash 編程和程序校驗(yàn)期間， P1 也接受低 8 位地址。P2 口P2是一個(gè)帶有內(nèi)部上拉電阻的8位雙向I/O 口，P2的輸出緩沖級(jí)可驅(qū)動(dòng)（輸入或輸 出電流）4 個(gè) TTL 邏輯門(mén)電路。對(duì)端口寫(xiě)“ 1”，通過(guò)內(nèi)部的上拉電阻把端口拉到高電平，此時(shí)可作為輸入口。 因?yàn)閮?nèi)部存在上拉電阻， 某個(gè)引腳被外部信號(hào)拉低時(shí)會(huì)輸出一個(gè)電流。在訪問(wèn)外部程序存儲(chǔ)器獲16位地址的外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器（例如

4、執(zhí)行MOVX DPT指令） 時(shí)，P2 口送出高8位地址數(shù)據(jù)。在訪問(wèn)8位地址的外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器（如執(zhí)行 MOVX Rg 令）時(shí)，P2 口線上的內(nèi)容（也即特殊功能寄存器（SFR區(qū)中R2寄存器的內(nèi)容），在整個(gè) 訪問(wèn)期間不改變。Flash編程或校驗(yàn)時(shí)，P2也接受高地址和其它控制信號(hào)。P3 口P3 口是一組帶有內(nèi)部上拉電阻的 8位雙向I/O 口。P3 口輸出緩沖級(jí)可驅(qū)動(dòng)（輸入或 輸出）4個(gè)TTL邏輯門(mén)電路。對(duì)P3 口寫(xiě)入“ T時(shí)，他們被內(nèi)部上拉電阻拉高并可作為輸 入口。此時(shí)，被外部拉低的P3 口將用上拉電阻輸出電流。P3 口還接收一些用于閃存編程和程序校驗(yàn)的控制信號(hào)。RST復(fù)位輸入。當(dāng)振蕩器工作時(shí)，RST

5、引腳出現(xiàn)兩個(gè)機(jī)器周期以上高電平將使單片機(jī)復(fù)位。ALE/PROG當(dāng)訪問(wèn)外部程序存儲(chǔ)器或數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器時(shí)，ALE（地址鎖存允許）輸出脈沖用于鎖存地址的低8位字節(jié)。即使不訪問(wèn)外部存儲(chǔ)器，ALE仍以時(shí)鐘振蕩頻率的1/6輸出固定的正脈 沖信號(hào)，因此它可對(duì)輸出時(shí)鐘信號(hào)或用于定時(shí)。要注意的是：當(dāng)訪問(wèn)外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器時(shí)將 跳過(guò)一個(gè)ALE脈沖。閃存編程期時(shí)，該引腳還用于輸入編程脈沖。必要時(shí)，可通過(guò)對(duì)特殊功能寄存器（SFR區(qū)中的8EH單元的D0位置位，可禁止 ALE 操作。該位置位以后，只要一條 MOVX口 MOV指令A(yù)LE才會(huì)被激活。此外，該引腳會(huì)被微 弱拉高，單片機(jī)執(zhí)行外部程序時(shí)，應(yīng)設(shè)置 ALE無(wú)效。APSEN程序

6、存儲(chǔ)允許輸出是外部程序存儲(chǔ)器的讀選通信號(hào)，當(dāng)AT89C5仙外部程序存儲(chǔ)器取指令（或數(shù)據(jù)）時(shí)，每個(gè)機(jī)器周期兩個(gè)PSEN有效，即輸出兩個(gè)脈沖。在此期間，當(dāng)訪問(wèn)外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器，這兩次有效的 PSENB號(hào)不出現(xiàn)。EA/VPP外部訪問(wèn)允許。要使 CPU僅訪問(wèn)外部程序存儲(chǔ)器（地址為 OOOOH-FFFFH）, EA端必 須保持低電平（接地）。需注意的是；如果加密位LB1被編程，復(fù)位時(shí)內(nèi)部會(huì)鎖存EA端狀 態(tài)。如EA端為高電平（接VCC端），CPU則執(zhí)行內(nèi)部程序存儲(chǔ)器中的指令。閃存編程時(shí)，該引腳加上+12V的編程允許電壓VPP當(dāng)然這必須是該器件是使用12V 編程電壓 Vpp.XTAL1振蕩器反相放大器及內(nèi)部時(shí)

7、鐘發(fā)生器的輸入端。XTAL2振蕩器反相放大器的輸出端。時(shí)鐘振蕩器AT89C5忡有一個(gè)用于構(gòu)成內(nèi)部振蕩器的高增益反相放大器，引腳XTAL1和XTAL2分別是該放大器的輸入端和輸出端。這個(gè)放大器與作為反饋的片外石英晶體或陶瓷諧振器一 起構(gòu)成自激勵(lì)振蕩器。外接石英晶體（或陶瓷諧振器）及電容C1、C2 接在放大器的反饋回路中構(gòu)成并聯(lián)振蕩電路。對(duì)外接電容 C1、 C2 選擇石英晶體或陶瓷諧振器沒(méi)有十分嚴(yán)格 的要求。用戶也可以采用外部時(shí)鐘，這種情況下，外部時(shí)鐘脈沖接到XTAL1端，即內(nèi)部時(shí)鐘發(fā)生器的輸入端，XTAL2則懸空。由于外部時(shí)鐘信號(hào)是通過(guò)一個(gè) 2分頻觸發(fā)器后作為內(nèi) 部時(shí)鐘信號(hào)的，所以對(duì)外部時(shí)鐘信號(hào)

8、的占空比沒(méi)有特殊要求，但最小高電平持續(xù)時(shí)間和最 大的低電平持續(xù)時(shí)間應(yīng)符合產(chǎn)品技術(shù)要求?？臻e模式在空閑工作模式狀態(tài)，CPU保持睡眠狀態(tài)而所有片內(nèi)的外設(shè)仍保持激活狀態(tài)，這種方 式由軟件產(chǎn)生。此時(shí)，片內(nèi)RAM和所有特殊功能寄存器的內(nèi)容保持不變?？臻e模式可由任 何允許的中斷請(qǐng)求或硬件復(fù)位終止。終止空閑工作模式的方法有兩種，其一是任何一條被允許中斷的事件被激活，即可終 止空閑工作模式。程序會(huì)首先響應(yīng)中斷，進(jìn)入中斷服務(wù)程序，執(zhí)行完中斷服務(wù)程序并僅隨 終端返回指令，下一條要執(zhí)行的指令就是使單片機(jī)進(jìn)入空閑模式那條指令后面的一條指 令。其二是通過(guò)硬件復(fù)位也可將空閑工作模式終止，需要注意的是，當(dāng)由硬件復(fù)位來(lái)終止

9、空閑模式時(shí)，CPU通常是從激活空閑模式那條指令的下一條指令開(kāi)始繼續(xù)執(zhí)行程序的，要 完成內(nèi)部復(fù)位操作，硬件復(fù)位脈沖要保持兩個(gè)機(jī)器周期（ 24個(gè)時(shí)鐘周期）有效，在這種情 況下，內(nèi)部禁止CPU訪問(wèn)片內(nèi)RAM而允許訪問(wèn)其它端口。為了避免可能對(duì)端口產(chǎn)生以外 寫(xiě)入，激活空閑模式的那條指令后一條指令不應(yīng)該是一條對(duì)端口或外部存儲(chǔ)器的寫(xiě)入指 令。掉電模式 在掉電模式下，振蕩器停止工作，進(jìn)入掉電模式的指令是最后一條被執(zhí)行的指令，片 內(nèi)RAM和特殊功能寄存器的內(nèi)容在終止掉電模式前被凍結(jié)。退出掉電模式的唯一方法是硬 件復(fù)位，復(fù)位后將重新定義全部特殊功能寄存器但不改變RAM中的內(nèi)容，在VCC恢復(fù)到正常工作電壓前，復(fù)位應(yīng)

10、無(wú)效，且必須保持一定時(shí)間以使振蕩器重啟并穩(wěn)定工作。 程加密位保護(hù)功能表當(dāng)加密位LB1被編程時(shí)，在復(fù)位期間，EA端的邏輯電平被采樣并鎖存，如果單片機(jī) 上電后一直沒(méi)有復(fù)位，則鎖存起的初始值是一個(gè)隨機(jī)數(shù)，且這個(gè)隨機(jī)數(shù)會(huì)一直保持到真正 復(fù)位為止。為使單片機(jī)能正常工作，被鎖存的EA電平必須與該引腳當(dāng)前的邏輯電平一致。此外，加密位只能通過(guò)整片擦除的方法清除。閃存的編程AT89C5仲片機(jī)內(nèi)部有4K字節(jié)的閃存,這個(gè)閃存存儲(chǔ)陣列出廠時(shí)已處于擦除狀態(tài)（即 所有存儲(chǔ)單元的內(nèi)容均為FFH,用戶隨時(shí)可對(duì)其進(jìn)行編程。編程接口可接收高電平（+12V 或低電平（VCC的允許編程信號(hào)，低電平編程模式適合于用戶在線編程系統(tǒng)，而高

11、電平 編程模式可與通用EPROMS程器兼容。AT89C51的程序存儲(chǔ)器陣列是采用字節(jié)寫(xiě)入方式編程的，每次寫(xiě)入一個(gè)字節(jié)，要對(duì)整 個(gè)芯片內(nèi)的PERO程序存儲(chǔ)器寫(xiě)入一個(gè)非空字節(jié)，必須使用片擦除的方式將整個(gè)存儲(chǔ)器的 內(nèi)容清除。數(shù)據(jù)查詢AT89C51單片機(jī)用數(shù)據(jù)查詢方式來(lái)檢測(cè)一個(gè)寫(xiě)周期是否結(jié)束，在一個(gè)寫(xiě)周期中，如需 要讀取最后寫(xiě)入的那個(gè)字節(jié)，則讀出的數(shù)據(jù)的最高位（P0.7）是原來(lái)寫(xiě)入字節(jié)最高位的反碼。寫(xiě)周期完成后，有效的數(shù)據(jù)就會(huì)出現(xiàn)在所有輸出端上，此時(shí)，可進(jìn)入下一個(gè)字節(jié)的寫(xiě) 周期，寫(xiě)周期開(kāi)始后，可在任意時(shí)刻進(jìn)行數(shù)據(jù)查詢。READY/BUSY字節(jié)編程的進(jìn)度可通過(guò)“ RDY/BSY輸出信號(hào)監(jiān)測(cè)，編程期間，ALE變?yōu)楦唠娖健?H 后P3.4（RDY/BSY）端電平被拉低，表示正在編程狀態(tài)（忙狀態(tài)）。編程完成后，P3.4變?yōu)?高電平表示準(zhǔn)備就緒狀態(tài)。程序校驗(yàn)如果