福州靶材生產(chǎn)建設(shè)項目可行性研究報告范文模板

1、泓域咨詢/福州靶材生產(chǎn)建設(shè)項目可行性研究報告福州靶材生產(chǎn)建設(shè)項目可行性研究報告泓域咨詢承諾書申請人鄭重承諾如下：“福州靶材生產(chǎn)建設(shè)項目”已按國家法律和政策的要求辦理相關(guān)手續(xù)，報告內(nèi)容及附件資料準(zhǔn)確、真實、有效，不存在虛假申請、分拆、重復(fù)申請獲得其他財政資金支持的情況。如有弄虛作假、隱瞞真實情況的行為，將愿意承擔(dān)相關(guān)法律法規(guī)的處罰以及由此導(dǎo)致的所有后果。公司法人代表簽字：xxx投資公司（蓋章）xxx年xx月xx日項目概要超大規(guī)模集成電路制造過程中要反復(fù)用到的濺射（Sputtering）工藝屬于物理氣相沉積（PVD）技術(shù)的一種，是制備電子薄膜材料的主要技術(shù)之一，它利用離子源產(chǎn)生的離子，在高真空中經(jīng)

2、過加速聚集，而形成高速度能的離子束流，轟擊固體表面，離子和固體表面原子發(fā)生動能交換，使固體表面的原子離開固體并沉積在基底表面，被轟擊的固體是用濺射法沉積薄膜的原材料，稱為濺射靶材。靶材是濺射薄膜制備的源頭材料，又稱濺射靶材。是制備晶圓、面板、太陽能電池等表面電子薄膜的關(guān)鍵材料。該靶材項目計劃總投資3583.21萬元，其中：固定資產(chǎn)投資2996.81萬元，占項目總投資的83.63%；流動資金586.40萬元，占項目總投資的16.37%。達(dá)產(chǎn)年營業(yè)收入4486.00萬元，總成本費用3468.92萬元，稅金及附加57.23萬元，利潤總額1017.08萬元，利稅總額1214.60萬元，稅后凈利潤762

3、.81萬元，達(dá)產(chǎn)年納稅總額451.79萬元；達(dá)產(chǎn)年投資利潤率28.38%，投資利稅率33.90%，投資回報率21.29%，全部投資回收期6.20年，提供就業(yè)職位98個。堅持節(jié)能降耗的原則。努力做到合理利用能源和節(jié)約能源，根據(jù)項目建設(shè)地的地理位置、地形、地勢、氣象、交通運輸?shù)葪l件及“保護(hù)生態(tài)環(huán)境、節(jié)約土地資源”的原則進(jìn)行布置，做到工藝流程順暢、物料管線短捷、公用工程設(shè)施集中布置，節(jié)約資源提高資源利用率，做好節(jié)能減排；從而實現(xiàn)節(jié)省項目投資和降低經(jīng)營能耗之目的。報告主要內(nèi)容：項目承擔(dān)單位基本情況、項目技術(shù)工藝特點及優(yōu)勢、項目建設(shè)主要內(nèi)容和規(guī)模、項目建設(shè)地點、工程方案、產(chǎn)品工藝路線與技術(shù)特點、設(shè)備選型

4、、總平面布置與運輸、環(huán)境保護(hù)、職業(yè)安全衛(wèi)生、消防與節(jié)能、項目實施進(jìn)度、項目投資與資金來源、財務(wù)評價等。第一章 項目承辦單位基本情況一、公司概況本公司奉行“客戶至上，質(zhì)量保障”的服務(wù)宗旨，樹立“一切為客戶著想” 的經(jīng)營理念，以高效、優(yōu)質(zhì)、優(yōu)惠的專業(yè)精神服務(wù)于新老客戶。 公司始終堅持“人本、誠信、創(chuàng)新、共贏”的經(jīng)營理念，以“市場為導(dǎo)向、顧客為中心”的企業(yè)服務(wù)宗旨，竭誠為國內(nèi)外客戶提供優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品和一流服務(wù)，歡迎各界人士光臨指導(dǎo)和洽談業(yè)務(wù)。公司引進(jìn)世界領(lǐng)先的技術(shù)，匯聚跨國高科技人才以確保公司產(chǎn)業(yè)的穩(wěn)定發(fā)展和保持長期的競爭優(yōu)勢。為了確保研發(fā)團(tuán)隊的穩(wěn)定性，提升技術(shù)創(chuàng)新能力，公司在研發(fā)投入、技術(shù)人員激勵等方面

5、實施了多項行之有效的措施。公司自成立以來，一直奉行“誠信創(chuàng)新、科學(xué)高效、持續(xù)改進(jìn)、顧客滿意”的質(zhì)量方針，將產(chǎn)品的質(zhì)量控制貫穿研發(fā)、采購、生產(chǎn)、倉儲、銷售、服務(wù)等整個流程中。公司依靠先進(jìn)的生產(chǎn)、檢測設(shè)備和品質(zhì)管理系統(tǒng)，確保了品質(zhì)的穩(wěn)定性，贏得了客戶的肯定。公司以生產(chǎn)運行部、規(guī)劃發(fā)展部等專業(yè)技術(shù)人員為主體，依托各單位生產(chǎn)技術(shù)人員，組建了技術(shù)研發(fā)團(tuán)隊。研發(fā)團(tuán)隊現(xiàn)有核心技術(shù)骨干 十余人，均有豐富的科研工作經(jīng)驗及實踐經(jīng)驗。二、所屬行業(yè)基本情況靶材材料的技術(shù)發(fā)展趨勢與下游應(yīng)用產(chǎn)業(yè)的薄膜技術(shù)發(fā)展趨勢息息相關(guān)，隨著應(yīng)用產(chǎn)業(yè)在薄膜產(chǎn)品或元件上的技術(shù)改進(jìn)，靶材技術(shù)也應(yīng)隨之變化。鍍膜靶材是通過磁控濺射、多弧離子鍍或

6、其他類型的鍍膜系統(tǒng)在適當(dāng)工藝條件下濺射在基板上形成各種功能薄膜的濺射源。簡單說的話，靶材就是高速荷能粒子轟擊的目標(biāo)材料，用于高能激光武器中，不同功率密度、不同輸出波形、不同波長的激光與不同的靶材相互作用時，會產(chǎn)生不同的殺傷破壞效應(yīng)。例如：蒸發(fā)磁控濺射鍍膜是加熱蒸發(fā)鍍膜、鋁膜等。更換不同的靶材(如鋁、銅、不銹鋼、鈦、鎳靶等)，即可得到不同的膜系(如超硬、耐磨、防腐的合金膜等)。濺射靶材是利用物理氣相沉積技術(shù)制備電子薄膜材料的被轟擊材料，廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體芯片、太陽能電池、平板顯示、信息存儲等領(lǐng)域，其中半導(dǎo)芯片用濺射靶材技術(shù)要求最高，具有規(guī)?；a(chǎn)能力的企業(yè)數(shù)量也相對較少，主要分布在美國、日本等國家

7、和地區(qū)。三、公司經(jīng)濟(jì)效益分析上一年度，xxx有限責(zé)任公司實現(xiàn)營業(yè)收入4332.00萬元，同比增長32.50%（1062.45萬元）。其中，主營業(yè)業(yè)務(wù)靶材生產(chǎn)及銷售收入為3932.14萬元，占營業(yè)總收入的90.77%。上年度主要經(jīng)濟(jì)指標(biāo)序號項目第一季度第二季度第三季度第四季度合計1營業(yè)收入909.721212.961126.321083.004332.002主營業(yè)務(wù)收入825.751101.001022.36983.033932.142.1靶材(A)272.50363.33337.38324.401297.612.2靶材(B)189.92253.23235.14226.10904.392.3靶材

8、(C)140.38187.17173.80167.12668.462.4靶材(D)99.09132.12122.68117.96471.862.5靶材(E)66.0688.0881.7978.64314.572.6靶材(F)41.2955.0551.1249.15196.612.7靶材(.)16.5122.0220.4519.6678.643其他業(yè)務(wù)收入83.97111.96103.9699.97399.86根據(jù)初步統(tǒng)計測算，公司實現(xiàn)利潤總額991.80萬元，較去年同期相比增長235.94萬元，增長率31.21%；實現(xiàn)凈利潤743.85萬元，較去年同期相比增長137.20萬元，增長率22.62

9、%。上年度主要經(jīng)濟(jì)指標(biāo)項目單位指標(biāo)完成營業(yè)收入萬元4332.00完成主營業(yè)務(wù)收入萬元3932.14主營業(yè)務(wù)收入占比90.77%營業(yè)收入增長率（同比）32.50%營業(yè)收入增長量（同比）萬元1062.45利潤總額萬元991.80利潤總額增長率31.21%利潤總額增長量萬元235.94凈利潤萬元743.85凈利潤增長率22.62%凈利潤增長量萬元137.20投資利潤率31.22%投資回報率23.42%財務(wù)內(nèi)部收益率23.07%企業(yè)總資產(chǎn)萬元8841.46流動資產(chǎn)總額占比萬元26.95%流動資產(chǎn)總額萬元2382.67資產(chǎn)負(fù)債率25.07%第二章 項目技術(shù)工藝特點及優(yōu)勢一、技術(shù)方案（一）技術(shù)方案選用方向

10、1、對于生產(chǎn)技術(shù)方案的選用，遵循“自動控制、安全可靠、運行穩(wěn)定、節(jié)省投資、綜合利用資源”的原則，選用當(dāng)前較先進(jìn)的集散型控制系統(tǒng)，由計算機(jī)統(tǒng)一控制整個生產(chǎn)線的各項工藝參數(shù)，使產(chǎn)品質(zhì)量穩(wěn)定在高水平上，同時可降低物料的消耗。嚴(yán)格按行業(yè)規(guī)范要求組織生產(chǎn)經(jīng)營活動，有效控制產(chǎn)品質(zhì)量，為廣大顧客提供優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品和良好的服務(wù)。2、遵循“高起點、優(yōu)質(zhì)量、專業(yè)化、經(jīng)濟(jì)規(guī)模”的建設(shè)原則。積極采用新技術(shù)、新工藝和高效率專用設(shè)備，使用高質(zhì)量的原輔材料，穩(wěn)定和提高產(chǎn)品質(zhì)量，制造高附加值的產(chǎn)品，不斷提高企業(yè)的市場競爭能力。3、在工藝設(shè)備的配置上，依據(jù)節(jié)能的原則，選用新型節(jié)能型設(shè)備，根據(jù)有利于環(huán)境保護(hù)的原則，優(yōu)先選用環(huán)境保護(hù)型

11、設(shè)備，滿足項目所制訂的產(chǎn)品方案要求，優(yōu)選具有國際先進(jìn)水平的生產(chǎn)、試驗及配套等設(shè)備，充分顯現(xiàn)龍頭企業(yè)專業(yè)化水平，選擇高效、合理的生產(chǎn)和物流方式。4、生產(chǎn)工藝設(shè)計要滿足規(guī)?；a(chǎn)要求，注重生產(chǎn)工藝的總體設(shè)計，工藝布局采用最佳物流模式，最有效的倉儲模式，最短的物流過程，最便捷的物資流向。5、根據(jù)該項目的產(chǎn)品方案，所選用的工藝流程能夠滿足產(chǎn)品制造的要求，同時，加強(qiáng)員工技術(shù)培訓(xùn)，嚴(yán)格質(zhì)量管理，按照工藝流程技術(shù)要求進(jìn)行操作，提高產(chǎn)品合格率，努力追求產(chǎn)品的“零缺陷”，以關(guān)鍵生產(chǎn)工序為質(zhì)量控制點，確保該項目產(chǎn)品質(zhì)量。6、在項目建設(shè)和實施過程中，認(rèn)真貫徹執(zhí)行環(huán)境保護(hù)和安全生產(chǎn)的“三同時”原則，注重環(huán)境保護(hù)、職業(yè)

12、安全衛(wèi)生、消防及節(jié)能等法律法規(guī)和各項措施的貫徹落實。（三）工藝技術(shù)方案選用原則1、在基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)和工業(yè)生產(chǎn)過程中，應(yīng)全面實施清潔生產(chǎn)，盡可能降低總的物耗、水耗和能源消費，通過物料替代、工藝革新、減少有毒有害物質(zhì)的使用和排放，在建筑材料、能源使用、產(chǎn)品和服務(wù)過程中，鼓勵利用可再生資源和可重復(fù)利用資源。2、遵循“高起點、優(yōu)質(zhì)量、專業(yè)化、經(jīng)濟(jì)規(guī)?！钡慕ㄔO(shè)原則，積極采用新技術(shù)、新工藝和高效率專用設(shè)備，使用高質(zhì)量的原輔材料，穩(wěn)定和提高產(chǎn)品質(zhì)量，制造高附加值的產(chǎn)品，不斷提高企業(yè)的市場競爭力。（四）工藝技術(shù)方案要求1、對于生產(chǎn)技術(shù)方案的選用，遵循“自動控制、安全可靠、運行穩(wěn)定、節(jié)省投資、綜合利用資源”的原則

13、，選用當(dāng)前較先進(jìn)的集散型控制系統(tǒng)，控制整個生產(chǎn)線的各項工藝參數(shù)，使產(chǎn)品質(zhì)量穩(wěn)定在高水平上，同時可降低物料的消耗；嚴(yán)格按照電氣機(jī)械和器材制造行業(yè)規(guī)范要求組織生產(chǎn)經(jīng)營活動，有效控制產(chǎn)品質(zhì)量，為廣大顧客提供優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品和良好的服務(wù)。2、建立完善柔性生產(chǎn)模式；本期工程項目產(chǎn)品具有客戶需求多樣化、產(chǎn)品個性差異化的特點，因此，產(chǎn)品規(guī)格品種多樣，單批生產(chǎn)數(shù)量較小，多品種、小批量的制造特點直接影響生產(chǎn)效率、生產(chǎn)成本及交付周期；益而益（集團(tuán)）有限公司將建設(shè)先進(jìn)的柔性制造生產(chǎn)線，并將柔性制造技術(shù)廣泛應(yīng)用到產(chǎn)品制造各個環(huán)節(jié)，可以在照顧到客戶個性化要求的同時不犧牲生產(chǎn)規(guī)模優(yōu)勢和質(zhì)量控制水平，同時，降低故障率、提高性價比

14、，使產(chǎn)品性能和質(zhì)量達(dá)到國內(nèi)領(lǐng)先、國際先進(jìn)水平。二、項目工藝技術(shù)設(shè)計方案（一）技術(shù)來源及先進(jìn)性說明項目技術(shù)來源為公司的自有技術(shù)，該技術(shù)達(dá)到國內(nèi)先進(jìn)水平。（二）項目技術(shù)優(yōu)勢分析本期工程項目采用國內(nèi)先進(jìn)的技術(shù)，該技術(shù)具有資金占用少、生產(chǎn)效率高、資源消耗低、勞動強(qiáng)度小的特點，其技術(shù)特性屬于技術(shù)密集型，該技術(shù)具備以下優(yōu)勢：1、技術(shù)含量和自動化水平較高，處于國內(nèi)先進(jìn)水平，在產(chǎn)品質(zhì)量水平上相對其他生產(chǎn)技術(shù)性能費用比優(yōu)越，結(jié)構(gòu)合理、占地面積小、功能齊全、運行費用低、使用壽命長；在工藝水平上該技術(shù)能夠保證產(chǎn)品質(zhì)量高穩(wěn)定性、提高資源利用率和節(jié)能降耗水平；根據(jù)初步測算，利用該技術(shù)生產(chǎn)產(chǎn)品，可提高原料利用率和用電效率

15、，在裝備水平上，該技術(shù)使用的設(shè)備自動控制程度和性能可靠性相對較高。2、本期工程項目采用的技術(shù)與國內(nèi)資源條件適應(yīng)，具有良好的技術(shù)適應(yīng)性；該技術(shù)工藝路線可以適應(yīng)國內(nèi)主要原材料特性，技術(shù)工藝路線簡潔，有利于流程控制和設(shè)備操作，工藝技術(shù)已經(jīng)被國內(nèi)生產(chǎn)實踐檢驗，證明技術(shù)成熟，技術(shù)支援條件良好，具有較強(qiáng)的可靠性。3、技術(shù)設(shè)備投資和產(chǎn)品生產(chǎn)成本低，具有較強(qiáng)的經(jīng)濟(jì)合理性；本期工程項目采用本技術(shù)方案建設(shè)其主要設(shè)備多數(shù)可按通用標(biāo)準(zhǔn)在國內(nèi)采購。4、節(jié)能設(shè)施先進(jìn)并可進(jìn)行多規(guī)格產(chǎn)品轉(zhuǎn)換，項目運行成本較低，應(yīng)變市場能力很強(qiáng)。第三章 背景及必要性一、靶材項目背景分析濺射靶材是利用物理氣相沉積技術(shù)制備電子薄膜材料的被轟擊材料

16、，廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體芯片、太陽能電池、平板顯示、信息存儲等領(lǐng)域，其中半導(dǎo)芯片用濺射靶材技術(shù)要求最高，具有規(guī)?；a(chǎn)能力的企業(yè)數(shù)量也相對較少，主要分布在美國、日本等國家和地區(qū)。中國濺射靶材行業(yè)起步較晚，目前仍然屬于一個較新的行業(yè)，受益于國家戰(zhàn)略的支持，已經(jīng)開始出現(xiàn)少量專業(yè)從事高純?yōu)R射靶材研發(fā)和生產(chǎn)的企業(yè)(如江豐電子，有研新材等)，并成功開發(fā)出一批高端應(yīng)用領(lǐng)域的濺射靶材，為高純?yōu)R射靶材大規(guī)模產(chǎn)業(yè)化提供了良好的研發(fā)基礎(chǔ)和市場化條件。靶材全球市場預(yù)計16-19復(fù)合增速13%。2016年全球濺射靶材市場容量達(dá)113.6億美元，相比于2015年的94.8億美元增長20%。預(yù)測2016-2019年均復(fù)合增長率

17、達(dá)13%，到2019年全球高純?yōu)R射靶材市場規(guī)模將超過163億美元。2016年全球靶材市場的下游結(jié)構(gòu)中，半導(dǎo)體占比10%、平板顯示占34%、太陽能電池占21%、記錄媒體占29%，靶材性能要求依次降低。市場集中度高，日、美占據(jù)80%高端靶材市場。濺射靶材由于其高技術(shù)、高投資、高客戶壁壘，具有規(guī)?；a(chǎn)能力企業(yè)較少，以霍尼韋爾、日礦金屬、東曹、普萊克斯等為代表的靶材龍頭企業(yè)2017年占據(jù)全球約80%靶材市場。美、日等跨國企業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈較為完整，囊括金屬提純、靶材制造、濺射鍍膜和終端應(yīng)用各個環(huán)節(jié)，主導(dǎo)高端的半導(dǎo)體靶材市場；韓國、新加坡及中國臺灣地區(qū)擅長磁記錄及光學(xué)薄膜領(lǐng)域，原料多從國外進(jìn)口；中國靶材產(chǎn)業(yè)正

18、處于起步階段，逐步切入以原料以進(jìn)口為主的全球主流半導(dǎo)體、顯示、光伏等龍頭企業(yè)客戶。預(yù)計2018-2020年國內(nèi)顯示靶材需求增速維持20-25%增速。中國大陸從上世紀(jì)80年代開始進(jìn)入液晶顯示領(lǐng)域，在政府政策導(dǎo)向和產(chǎn)業(yè)扶植下，我國大陸液晶顯示產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展，成為平板顯示行業(yè)發(fā)展速度最快的地區(qū)。2016年中國平板顯示器件產(chǎn)業(yè)整體規(guī)模達(dá)到1500億元，同比增長25.99%；2012-2016年國內(nèi)平板顯示增速基本保持在25%以上。此外考慮到國內(nèi)LCD國產(chǎn)替代進(jìn)程加速、再加上OLED滲透率有望快速提升，預(yù)計2018-2020年國內(nèi)平板顯示產(chǎn)業(yè)增速將至少維持在20-25%；對應(yīng)到國內(nèi)顯示靶材的需求也將相應(yīng)增

19、加。靶材應(yīng)用的戰(zhàn)略高地17-20年全球半導(dǎo)體增速有望超預(yù)期，17年國內(nèi)半導(dǎo)體增速24.81%。半導(dǎo)體靶材性能要求位居各類應(yīng)用之首。半導(dǎo)體行業(yè)所需濺射靶材主要用于晶圓制造材料和封裝測試材料。芯片制造對濺射靶材純度要求很高，通常需達(dá)99.9995%（5N5）甚至99.9999%（6N）以上。2017全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)超預(yù)期增速21.62%，從下游需求結(jié)構(gòu)看，17年增長主要源于半導(dǎo)體的主要應(yīng)用是集成電路中的存儲器，增速達(dá)到61.49%，增量來源于人工智能、大數(shù)據(jù)、汽車電子等領(lǐng)域?qū)Ω咝阅苄酒枨罂焖偬嵘?5年開始國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)維持20%左右增速，漸成常態(tài)。半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)從臺灣向國內(nèi)轉(zhuǎn)移的趨勢比較確定，國內(nèi)

20、政策、資金、稅收等各方面也在扶持半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)。國家集成電路產(chǎn)業(yè)基金第一期規(guī)模1,387億元。，至少帶動省市地方基金共4,651億元，拉動國內(nèi)企業(yè)內(nèi)生增長和海外并購。未來第二期基金計劃啟動，也將持續(xù)拉動國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)增長。2011-2016全球半導(dǎo)體用靶材年復(fù)合增長率3.17%，預(yù)計2018-2020國內(nèi)半導(dǎo)體靶材需求增速在20%左右。國際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(SEMI)全球半導(dǎo)體用濺射靶材銷售額從2011年的10.1億美元到2016年為11.7億美元，年均復(fù)合增長率為3.17%，其中晶圓制造用濺射靶材年均復(fù)合增長率為2.07%，封裝測試用濺射靶材年均復(fù)合增長率為4.65%。2016年我國集成電路用濺射

21、靶材市場規(guī)模約14億元，年增速達(dá)20%。供給端，隨著國產(chǎn)濺射靶材技術(shù)成熟，尤其是國產(chǎn)濺射靶材具備一定性價比優(yōu)勢，并且符合濺射靶材國產(chǎn)化的政策導(dǎo)向；需求端，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)向國內(nèi)轉(zhuǎn)移的趨勢已基本確立，國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)崛起將推動國內(nèi)半導(dǎo)體靶材需求的提升。預(yù)計2018-2020年我國濺射靶材的市場規(guī)模有望持續(xù)擴(kuò)大，復(fù)合增速將維持在2016年20%左右增速水平。2011-2016全球太陽能用靶材增速保持20%以上。太陽能光伏產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展給太陽能電池用濺射靶材市場帶來了可觀的成長空間，2016年全球太陽能電池用濺射靶材市場規(guī)模23.4億美元，在全球靶材市場中占比約21%。2011-2016年全球太陽能靶材規(guī)模

22、增速一直保持在20%以上。國內(nèi)靶材需求和供給反差懸殊，國產(chǎn)替代進(jìn)程加速。2015國內(nèi)靶材需求全球占比近25%，年速約20%；但國內(nèi)靶材企業(yè)市場份額不到2%，供需比例反差明顯。隨著國內(nèi)濺射靶材技術(shù)的成熟和高純鋁生產(chǎn)技術(shù)的提高，我國靶材生產(chǎn)成本優(yōu)勢明顯，靶材原料之一高純鋁的國內(nèi)進(jìn)出口量差距也在逐步縮小。隨著2019年國家進(jìn)口靶材免稅期結(jié)束，國內(nèi)靶材企業(yè)優(yōu)勢更加突出。預(yù)計2018-2020年國內(nèi)靶材需求將維持20%以上高速增長，市場份額有望進(jìn)一步擴(kuò)大。二、鼓勵中小企業(yè)發(fā)展國家發(fā)改委出臺關(guān)于鼓勵和引導(dǎo)民營企業(yè)發(fā)展戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)的實施意見，對各地、各部門在鼓勵和引導(dǎo)民營企業(yè)發(fā)展戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)方面提出了十

23、條要求，包括清理規(guī)范現(xiàn)有針對民營企業(yè)和民間資本的準(zhǔn)入條件、戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)扶持資金等公共資源對民營企業(yè)同等對待、支持民營企業(yè)充分利用新型金融工具，等等。這一系列的措施，目的是鼓勵和引導(dǎo)民營企業(yè)在節(jié)能環(huán)保、新一代信息技術(shù)、生物、高端裝備制造、新能源、新材料、新能源汽車等戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域形成一批具有國際競爭力的優(yōu)勢企業(yè)。改革開放以來，我國非公有制經(jīng)濟(jì)發(fā)展迅速，在支撐增長、促進(jìn)就業(yè)、擴(kuò)大創(chuàng)新、增加稅收，推動社會主義市場經(jīng)濟(jì)制度完善等方面發(fā)揮了重要作用，已成為我國經(jīng)濟(jì)社會發(fā)展的重要基礎(chǔ)。但部分民營企業(yè)經(jīng)營管理方式和發(fā)展模式粗放，管理方式、管理理念落后，風(fēng)險防范機(jī)制不健全，先進(jìn)管理模式和管理手段應(yīng)用不夠

24、廣泛，企業(yè)文化和社會責(zé)任缺乏，難以適應(yīng)我國經(jīng)濟(jì)社會發(fā)展的新常態(tài)和新要求。公有制為主體、多種所有制經(jīng)濟(jì)共同發(fā)展,是我國的基本經(jīng)濟(jì)制度；毫不動搖鞏固和發(fā)展公有制經(jīng)濟(jì)，毫不動搖鼓勵、支持和引導(dǎo)非公有制經(jīng)濟(jì)發(fā)展，是黨和國家的大政方針。今天，我們對民營經(jīng)濟(jì)的包容與支持始終如一，人們在市場經(jīng)濟(jì)中創(chuàng)造未來的激情也澎湃如昨。工業(yè)和信息化部近日發(fā)布了促進(jìn)中小企業(yè)發(fā)展規(guī)劃(2016-2020年)，提出了“十三五”期間促進(jìn)中小企業(yè)發(fā)展的總體思路、發(fā)展目標(biāo)、主要任務(wù)和關(guān)鍵工程與專項行動，為促進(jìn)中小企業(yè)發(fā)展提供指引，為中小企業(yè)主管部門履行職責(zé)提供依據(jù)。隨著規(guī)劃的深入貫徹落實，逐步實現(xiàn)“整體水平進(jìn)一步提高、創(chuàng)新能力進(jìn)一步

25、增強(qiáng)、企業(yè)素質(zhì)進(jìn)一步提升、發(fā)展環(huán)境進(jìn)一步優(yōu)化”的發(fā)展目標(biāo)?！笆濉逼陂g，我國經(jīng)濟(jì)仍將處于新常態(tài)，增長速度將維持在中高速水平，制造業(yè)發(fā)展進(jìn)一步受到發(fā)達(dá)國家振興制造業(yè)和東南亞國家低成本競爭的雙重壓力，整體經(jīng)濟(jì)發(fā)展困難較大，特別是隨著部分行業(yè)去產(chǎn)能，另一些行業(yè)大力推行智能制造、大規(guī)模應(yīng)用“機(jī)器替人”，中小企業(yè)的經(jīng)營壓力可能進(jìn)一步加大，發(fā)展空間進(jìn)一步受限，就業(yè)壓力持續(xù)存在期甚至加大。在這種情況下，發(fā)展中小企業(yè)不僅有助于促進(jìn)經(jīng)濟(jì)發(fā)展、提升就業(yè)吸納能力，而且還能夠進(jìn)一步發(fā)揮我國經(jīng)濟(jì)規(guī)模優(yōu)勢，助推制造業(yè)競爭力提升。三、宏觀經(jīng)濟(jì)形勢分析中央經(jīng)濟(jì)工作會議再次強(qiáng)調(diào)“堅定不移建設(shè)制造強(qiáng)國”“推動制造業(yè)高質(zhì)量發(fā)展”

26、，使我們深受鼓舞，信心倍增。他強(qiáng)調(diào)，要貫徹落實中央對當(dāng)前經(jīng)濟(jì)運行的重大決策。四、靶材項目建設(shè)必要性分析超大規(guī)模集成電路制造過程中要反復(fù)用到的濺射（Sputtering）工藝屬于物理氣相沉積（PVD）技術(shù)的一種，是制備電子薄膜材料的主要技術(shù)之一，它利用離子源產(chǎn)生的離子，在高真空中經(jīng)過加速聚集，而形成高速度能的離子束流，轟擊固體表面，離子和固體表面原子發(fā)生動能交換，使固體表面的原子離開固體并沉積在基底表面，被轟擊的固體是用濺射法沉積薄膜的原材料，稱為濺射靶材。一般來說，濺射靶材主要由靶坯、背板等部分構(gòu)成，其中，靶坯是高速離子束流轟擊的目標(biāo)材料，屬于濺射靶材的核心部分，在濺射鍍膜過程中，靶坯被離子撞

27、擊后，其表面原子被濺射飛散出來并沉積于基板上制成電子薄膜；由于高純度金屬強(qiáng)度較低，而濺射靶材需要安裝在專用的機(jī)臺內(nèi)完成濺射過程，機(jī)臺內(nèi)部為高電壓、高真空環(huán)境，因此，超高純金屬的濺射靶坯需要與背板通過不同的焊接工藝進(jìn)行接合，背板起到主要起到固定濺射靶材的作用，且需要具備良好的導(dǎo)電、導(dǎo)熱性能。在濺射靶材應(yīng)用領(lǐng)域中，半導(dǎo)體芯片對濺射靶材的金屬材料純度、內(nèi)部微觀結(jié)構(gòu)等方面都設(shè)定了極其苛刻的標(biāo)準(zhǔn)，需要掌握生產(chǎn)過程中的關(guān)鍵技術(shù)并經(jīng)過長期實踐才能制成符合工藝要求的產(chǎn)品，因此，半導(dǎo)體芯片對濺射靶材的要求是最高的，價格也最為昂貴；相較于半導(dǎo)體芯片，平面顯示器、太陽能電池對于濺射靶材的純度和技術(shù)要求略低一籌，但隨

28、著靶材尺寸的增大，對濺射靶材的焊接結(jié)合率、平整度等指標(biāo)提出了更高的要求。此外，濺射靶材需要安裝在濺射機(jī)臺內(nèi)完成濺射過程，濺射機(jī)臺專用性強(qiáng)，對濺射靶材的形狀、尺寸和精度也設(shè)定了諸多限制。高純度乃至超高純度的金屬材料是生產(chǎn)高純?yōu)R射靶材的基礎(chǔ)，以半導(dǎo)體芯片用濺射靶材為例，若濺射靶材雜質(zhì)含量過高，則形成的薄膜無法達(dá)到使用所要求的電性能，并且在濺射過程中易在晶圓上形成微粒，導(dǎo)致電路短路或損壞，嚴(yán)重影響薄膜的性能。通常情況下，高純金屬提純分為化學(xué)提純和物理提純，為了獲得更高純度的金屬材料，最大限度地去除雜質(zhì)，需要將化學(xué)提純和物理提純結(jié)合使用。在將金屬提純到相當(dāng)高的純度后，往往還需配比其他金屬元素才能投入使

29、用，在這個過程中，需要經(jīng)過熔煉、合金化和鑄造等步驟：通過精煉高純金屬，去除氧氣、氮氣等多余氣體；再加入少量合金元素，使其與高純金屬充分結(jié)合并均勻分布；最后將其鑄造成沒有缺陷的錠材，滿足生產(chǎn)加工過程中對金屬成份、尺寸大小的要求。濺射靶材制造環(huán)節(jié)首先需要根據(jù)下游應(yīng)用領(lǐng)域的性能需求進(jìn)行工藝設(shè)計，然后進(jìn)行反復(fù)的塑性變形、熱處理，需要精確地控制晶粒、晶向等關(guān)鍵指標(biāo)，再經(jīng)過焊接、機(jī)械加工、清洗干燥、真空包裝等工序。濺射靶材制造所涉及的工序精細(xì)且繁多，工序流程管理及制造工藝水平將直接影響到濺射靶材的質(zhì)量和良品率。濺射鍍膜是指物體被離子撞擊時，被濺射飛散出，因被濺射飛散的物體附著于目標(biāo)基板上而制成薄膜的過程，

30、濺射靶材就是高速荷能粒子轟擊的目標(biāo)材料。此環(huán)節(jié)是在濺射靶材產(chǎn)業(yè)鏈條中對生產(chǎn)設(shè)備及技術(shù)工藝要求最高的環(huán)節(jié)，濺射薄膜的品質(zhì)對下游產(chǎn)品的質(zhì)量具有重要影響。在濺射鍍膜過程中，濺射靶材需要安裝在機(jī)臺中完成濺射反應(yīng)，濺射機(jī)臺專用性強(qiáng)、精密度高，市場長期被美國、日本跨國集團(tuán)壟斷，主要設(shè)備提供商包括AMAT（美國）、ULVAC（日本）、ANELVA（日本）、Varian（美國）等行業(yè)內(nèi)知名企業(yè)。終端應(yīng)用是針對各類市場需求利用封裝好的元器件制成面向最終用戶的產(chǎn)品，包括汽車電子、智能手機(jī)、平板電腦、家用電器等終端消費電子產(chǎn)品。通常情況下，在半導(dǎo)體靶材濺射鍍膜后，需要將鍍膜硅片切割并進(jìn)行芯片封裝。封裝是指將電路用導(dǎo)

31、線連接到外部接頭處，以便與其他器件連接的工序，不僅能夠起到保護(hù)芯片的作用，還將芯片與外界隔離，防止空氣中的雜質(zhì)對芯片電路造成腐蝕而損害導(dǎo)電性能。此外，終端應(yīng)用也包括制備太陽能電池、光學(xué)鍍膜、工具改性、高檔裝飾用品等，此環(huán)節(jié)技術(shù)面較寬，呈現(xiàn)多樣化特征。全球范圍內(nèi)，濺射靶材產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)參與企業(yè)數(shù)量基本呈金字塔型分布，高純?yōu)R射靶材制造環(huán)節(jié)技術(shù)門檻高、設(shè)備投資大，具有規(guī)?；a(chǎn)能力的企業(yè)數(shù)量相對較少，主要分布在美國、日本等國家和地區(qū)，其中，部分企業(yè)同時開展金屬提純業(yè)務(wù)，將產(chǎn)業(yè)鏈延伸到上游領(lǐng)域；部分企業(yè)只擁有濺射靶材生產(chǎn)能力，高純度金屬需要上游企業(yè)供應(yīng)。濺射靶材最高端的應(yīng)用是在超大規(guī)模集成電路芯片制造領(lǐng)

32、域，這個領(lǐng)域只有美國和日本的少數(shù)公司（日礦金屬、霍尼韋爾、東曹、普萊克斯等）從事相關(guān)業(yè)務(wù)，是一個被跨國公司壟斷的行業(yè)。作為濺射靶材客戶端的濺射鍍膜環(huán)節(jié)具有規(guī)?；a(chǎn)能力的企業(yè)數(shù)量相對較多，但質(zhì)量參差不齊，美國、歐洲、日本、韓國等知名企業(yè)居于技術(shù)領(lǐng)先地位，品牌知名度高、市場影響力大，通常會將產(chǎn)業(yè)鏈擴(kuò)展至下游應(yīng)用領(lǐng)域，利用技術(shù)先導(dǎo)優(yōu)勢和高端品牌迅速占領(lǐng)終端消費市場，如IBM、飛利浦、東芝、三星等。終端應(yīng)用環(huán)節(jié)是整個產(chǎn)業(yè)鏈中規(guī)模最大的領(lǐng)域，其產(chǎn)品的開發(fā)與生產(chǎn)分散在各個行業(yè)領(lǐng)域，同時，此環(huán)節(jié)具有突出的勞動密集性特點，參與企業(yè)數(shù)量最多，機(jī)器設(shè)備投資一般，主要分布在日本、中國臺灣和中國大陸等，并逐漸將生產(chǎn)

33、工廠向人力成本低的國家和地區(qū)轉(zhuǎn)移。濺射靶材產(chǎn)業(yè)分布具有一定的區(qū)域性特征，美國、日本跨國集團(tuán)產(chǎn)業(yè)鏈完整，囊括金屬提純、靶材制造、濺射鍍膜和終端應(yīng)用各個環(huán)節(jié)，具備規(guī)?；a(chǎn)能力，在掌握先進(jìn)技術(shù)以后實施壟斷和封鎖，主導(dǎo)著技術(shù)革新和產(chǎn)業(yè)發(fā)展；韓國、新加坡及中國臺灣地區(qū)在磁記錄及光學(xué)薄膜領(lǐng)域有所特長。另外由于上述地區(qū)芯片及液晶面板產(chǎn)業(yè)發(fā)展較早，促使服務(wù)分工明確，可以為產(chǎn)業(yè)鏈下游的品牌企業(yè)提供如焊接、清洗、包裝等專業(yè)代工服務(wù)，將上游基礎(chǔ)材料和下游終端應(yīng)用對接，起到承上啟下的作用，并在一定程度上推動上游濺射靶材的產(chǎn)品開發(fā)和市場擴(kuò)展。但是上述地區(qū)的靶材服務(wù)廠商缺少核心技術(shù)及裝備，不能夠在金屬的提純、組織的控制

34、等核心技術(shù)領(lǐng)域形成競爭力濺射靶材的材料即靶坯依然依賴美國和日本的進(jìn)口。超高純金屬材料及濺射靶材在我國還屬于較新的行業(yè)，以芯片制造廠商、液晶面板制造企業(yè)為代表的下游濺射鍍膜和終端用戶正在加大力度擴(kuò)展產(chǎn)能。從全球來看，芯片及液晶面板行業(yè)制造向中國大陸轉(zhuǎn)移趨勢愈演愈烈，中國正在迎來這一領(lǐng)域的投資高峰。為此高端濺射靶材的應(yīng)用市場需求正在快速增長。由于濺射鍍膜工藝起源于國外，所需要的濺射靶材產(chǎn)品性能要求高、專業(yè)應(yīng)用性強(qiáng)，因此，長期以來全球濺射靶材研制和生產(chǎn)主要集中在美國、日本少數(shù)幾家公司，產(chǎn)業(yè)集中度相當(dāng)高。以霍尼韋爾（美國）、日礦金屬（日本）、東曹（日本）等跨國集團(tuán)為代表的濺射靶材生產(chǎn)商較早涉足該領(lǐng)域，

35、經(jīng)過幾十年的技術(shù)積淀，憑借其雄厚的技術(shù)力量、精細(xì)的生產(chǎn)控制和過硬的產(chǎn)品質(zhì)量居于全球濺射靶材市場的主導(dǎo)地位，占據(jù)絕大部分市場份額。這些企業(yè)在掌握濺射靶材生產(chǎn)的核心技術(shù)以后，實施極其嚴(yán)格的保密措施，限制技術(shù)擴(kuò)散，同時不斷進(jìn)行橫向擴(kuò)張和垂直整合，將業(yè)務(wù)觸角積極擴(kuò)展到濺射鍍膜的各個應(yīng)用領(lǐng)域，牢牢把握著全球濺射靶材市場的主動權(quán)，并引領(lǐng)著全球濺射靶材行業(yè)的技術(shù)進(jìn)步。受到發(fā)展歷史和技術(shù)限制的影響，濺射靶材行業(yè)在我國起步較晚，目前仍然屬于一個較新的行業(yè)。與國際知名企業(yè)生產(chǎn)的濺射靶材相比，我國濺射靶材研發(fā)生產(chǎn)技術(shù)還存在一定差距，市場影響力相對有限，尤其在半導(dǎo)體芯片、平板顯示器、太陽能電池等領(lǐng)域，全球高純?yōu)R射靶材

36、市場依然被美國、日本的濺射靶材生產(chǎn)廠商所控制或壟斷。隨著濺射靶材朝著更高純度、更大尺寸的方向發(fā)展，我國濺射靶材生產(chǎn)企業(yè)只有不斷進(jìn)行研發(fā)創(chuàng)新，具備較強(qiáng)的產(chǎn)品開發(fā)能力，研制出適用不同應(yīng)用領(lǐng)域的濺射靶材產(chǎn)品，才能在全球濺射靶材市場中占得一席之地。半導(dǎo)體芯片、平板顯示器、太陽能電池等下游工業(yè)對產(chǎn)品的品質(zhì)和穩(wěn)定性等方面有較高的要求，為了嚴(yán)格控制產(chǎn)品質(zhì)量，下游客戶尤其是全球知名廠商在選擇供應(yīng)商時，供應(yīng)商資格認(rèn)證壁壘較高，且認(rèn)證周期較長。我國高純?yōu)R射靶材企業(yè)要進(jìn)入國際市場，首先要通過部分國際組織和行業(yè)協(xié)會為高純?yōu)R射靶材設(shè)置的行業(yè)性質(zhì)量管理體系標(biāo)準(zhǔn)，例如，應(yīng)用于汽車電子的半導(dǎo)體廠商普遍要求上游濺射靶材供應(yīng)商能

37、夠通過ISO/TS16949質(zhì)量管理體系認(rèn)證，應(yīng)用于電器設(shè)備的濺射靶材生產(chǎn)商需要滿足歐盟制定的RoHS強(qiáng)制性標(biāo)準(zhǔn)；其次，半導(dǎo)體芯片、平板顯示器、太陽能電池等下游知名客戶均建立了十分完善的客戶認(rèn)證體系，在高純?yōu)R射靶材供應(yīng)商滿足行業(yè)性質(zhì)量管理體系認(rèn)證的基礎(chǔ)上，下游客戶往往還會根據(jù)自身的質(zhì)量管理要求再對供應(yīng)商進(jìn)行合格供應(yīng)商認(rèn)證。認(rèn)證過程主要包括技術(shù)評審、產(chǎn)品報價、樣品檢測、小批量試用、批量生產(chǎn)等幾個階段，認(rèn)證過程相當(dāng)苛刻，從新產(chǎn)品開發(fā)到實現(xiàn)大批量供貨，整個過程一般需要2-3年時間。為了降低供應(yīng)商開發(fā)與維護(hù)成本，保證產(chǎn)品質(zhì)量的持續(xù)性，濺射靶材供應(yīng)商在通過下游客戶的資格認(rèn)證后，下游客戶會與濺射靶材供應(yīng)商

38、保持長期穩(wěn)定的合作關(guān)系，不會輕易更換供應(yīng)商，并在技術(shù)合作、供貨份額等方面向優(yōu)質(zhì)供應(yīng)商傾斜。近年來，受益于國家從戰(zhàn)略高度持續(xù)地支持電子材料行業(yè)的發(fā)展及應(yīng)用推廣，我國國內(nèi)開始出現(xiàn)不少專業(yè)從事高純?yōu)R射靶材研發(fā)和生產(chǎn)的企業(yè)，并成功開發(fā)出一批能適應(yīng)高端應(yīng)用領(lǐng)域的濺射靶材，為高純?yōu)R射靶材大規(guī)模產(chǎn)業(yè)化提供了良好的研發(fā)基礎(chǔ)和市場化條件。通過將濺射靶材研發(fā)成果產(chǎn)業(yè)化，積極參與濺射靶材的國際化市場競爭，我國濺射靶材生產(chǎn)企業(yè)在技術(shù)和市場方面都取得了長足的進(jìn)步，改變了高純?yōu)R射靶材長期依賴進(jìn)口的不利局面。目前，包括長沙鑫康在內(nèi)的一些國內(nèi)企業(yè)已經(jīng)掌握了高純?yōu)R射靶材生產(chǎn)的關(guān)鍵技術(shù)，積累了較為豐富的產(chǎn)業(yè)經(jīng)驗，擁有了一定的市場

39、知名度，獲得了全球知名客戶的認(rèn)可。五、靶材行業(yè)分析靶材是濺射薄膜制備的源頭材料，又稱濺射靶材。是制備晶圓、面板、太陽能電池等表面電子薄膜的關(guān)鍵材料。高純度濺射靶材主要應(yīng)用于電子元器件制造的物理氣相沉積（PhysicalVaporDeposition，PVD）工藝。PVD鍍膜目前主要有三種形式，分別是濺射鍍膜、蒸發(fā)鍍膜以及離子鍍膜。為推動國內(nèi)靶材產(chǎn)業(yè)發(fā)展，增強(qiáng)產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新能力和國際競爭力，帶動傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)改造和產(chǎn)品升級換代，我國制定了一系列靶材行業(yè)相關(guān)支持政策。靶材行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈主要包括金屬提純、靶材制造、濺射鍍膜和終端應(yīng)用等環(huán)節(jié)。其中，靶材制造和濺射鍍膜環(huán)節(jié)是整個靶材產(chǎn)業(yè)鏈中的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。靶材產(chǎn)業(yè)下游包括半

40、導(dǎo)體、光伏電池、平板顯示器等等，其中，半導(dǎo)體芯片行業(yè)用的金屬靶材，主要種類包括：銅、鉭、鋁、鈦、鈷和鎢等高純靶材，以及鎳鉑、鎢鈦等合金類的靶材。銅靶和鉭靶通常配合起來使用。靶材主要應(yīng)用在平板顯示、記錄媒體、光伏電池、半導(dǎo)體等領(lǐng)域。其中，在靶材應(yīng)用領(lǐng)域中，半導(dǎo)體芯片對靶材的金屬材料純度、內(nèi)部微觀結(jié)構(gòu)等方面都設(shè)定了極其苛刻的標(biāo)準(zhǔn)，需要掌握生產(chǎn)過程中的關(guān)鍵技術(shù)并經(jīng)過長期實踐才能制成符合工藝要求的產(chǎn)品。因此，半導(dǎo)體芯片對靶材的要求是最高的，價格也最為昂貴。半導(dǎo)體芯片行業(yè)是金屬濺射靶材的主要應(yīng)用領(lǐng)域之一，也是對靶材的成分、組織和性能要求最高的領(lǐng)域。目前晶圓的制造正朝著更小的制程方向發(fā)展，銅導(dǎo)線工藝的應(yīng)用

41、量在逐步增大，因此，銅和鉭靶材的需求將有望持續(xù)增長。鋁靶和鈦靶通常配合起來使用。目前，在汽車電子芯片等需要110nm以上技術(shù)節(jié)點來保證其穩(wěn)定性和抗干擾性的領(lǐng)域，仍需大量使用鋁、鈦靶材。目前，全球的靶材制造行業(yè)，特別是高純度的靶材市場，呈現(xiàn)寡頭壟斷格局，主要由幾家美日大企業(yè)把持，如日本的三井礦業(yè)、日礦金屬、日本東曹、住友化學(xué)、日本愛發(fā)科，以及美國霍尼韋爾、普萊克斯等。日礦金屬是全球最大的靶材供應(yīng)商，靶材銷售額約占全球市場的30%，霍尼韋爾在并購JohnsonMattey、整合高純鋁、鈦等原材料生產(chǎn)廠后，占到全球市約20%的份額，此外，東曹和普萊克斯分別占20%和10%。目前，國內(nèi)靶材廠商主要聚焦

42、在低端產(chǎn)品領(lǐng)域，在半導(dǎo)體、平板顯示器和太陽能電池等市場還無法與國際巨頭全面競爭。但是，依靠國內(nèi)的巨大市場潛力和利好的產(chǎn)業(yè)政策，以及產(chǎn)品價格優(yōu)勢，它們已經(jīng)在國內(nèi)市場占有一定的市場份額，并逐步在個別細(xì)分領(lǐng)域搶占了部分國際大廠的市場空間。近年來，我國政府制定了一系列產(chǎn)業(yè)政策，如863計劃、02專項基金等來加速濺射靶材供應(yīng)的本土化進(jìn)程，推動國產(chǎn)靶材在多個應(yīng)用領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)從無到有的跨越。這些都從國家戰(zhàn)略高度扶植并推動著濺射靶材產(chǎn)業(yè)的發(fā)展壯大。六、靶材市場分析預(yù)測靶材材料的技術(shù)發(fā)展趨勢與下游應(yīng)用產(chǎn)業(yè)的薄膜技術(shù)發(fā)展趨勢息息相關(guān)，隨著應(yīng)用產(chǎn)業(yè)在薄膜產(chǎn)品或元件上的技術(shù)改進(jìn)，靶材技術(shù)也應(yīng)隨之變化。鍍膜靶材是通過磁控濺

43、射、多弧離子鍍或其他類型的鍍膜系統(tǒng)在適當(dāng)工藝條件下濺射在基板上形成各種功能薄膜的濺射源。簡單說的話，靶材就是高速荷能粒子轟擊的目標(biāo)材料，用于高能激光武器中，不同功率密度、不同輸出波形、不同波長的激光與不同的靶材相互作用時，會產(chǎn)生不同的殺傷破壞效應(yīng)。例如：蒸發(fā)磁控濺射鍍膜是加熱蒸發(fā)鍍膜、鋁膜等。更換不同的靶材(如鋁、銅、不銹鋼、鈦、鎳靶等)，即可得到不同的膜系(如超硬、耐磨、防腐的合金膜等)。各種類型的濺射薄膜材料在半導(dǎo)體集成電路(VLSI)、光碟、平面顯示器以及工件的表面涂層等方面都得到了廣泛的應(yīng)用。20世紀(jì)90年代以來，濺射靶材及濺射技術(shù)的同步發(fā)展，極大地滿足了各種新型電子元器件發(fā)展的需求。

44、例如，在半導(dǎo)體集成電路制造過程中，以電阻率較低的銅導(dǎo)體薄膜代替鋁膜布線：在平面顯示器產(chǎn)業(yè)中，各種顯示技術(shù)(如LCD、PDP、OLED及FED等)的同步發(fā)展，有的已經(jīng)用于電腦及計算機(jī)的顯示器制造;在信息存儲產(chǎn)業(yè)中，磁性存儲器的存儲容量不斷增加，新的磁光記錄材料不斷推陳出新這些都對所需濺射靶材的質(zhì)量提出了越來越高的要求，需求數(shù)量也逐年增加。日本。就美國而言.約有50家中小規(guī)模的靶材制造商及經(jīng)銷商，其中最大的公司員工大約有幾百人。不過為了能更接近使用者，以便提供更完善的售后服務(wù)，全球主要靶材制造商通常會在客戶所在地設(shè)立分公司。近段時間，亞洲的一些國家和地區(qū)，如臺灣.韓國和新加坡，就建立了越來越多制造

45、薄膜元件或產(chǎn)品的工廠，如IC、液晶顯示器及光碟制造廠。對靶材廠商而言，這是相當(dāng)重要的新興市場。中國靶材產(chǎn)業(yè)發(fā)展也是與日俱增，不斷的擴(kuò)大自己的規(guī)模和生產(chǎn)技術(shù)，國內(nèi)一線生產(chǎn)制造靶材的品牌已經(jīng)達(dá)到國外最頂尖的技術(shù)水平。2010年，日本三菱公司就在中國臺灣地區(qū)建立了光碟塒靶材的生產(chǎn)基地，可以滿足臺灣50%的靶材需要。BCC(BusinessCommunicationsCompany，商業(yè)咨詢公司)最新的統(tǒng)計報告指出，全球靶材市場將以8.8%的年平均增長率(AAGR)在今后的5年內(nèi)持續(xù)增長，估計銷售額將從1999年的7.2億美元增加到2004年的11億美元。靶材是一種具有高附加價值的特種電子材料，主要使

46、用在微電子，顯示器，存儲器以及光學(xué)鍍膜等產(chǎn)業(yè)上，用以濺射用于尖端技術(shù)的各種薄膜材料。BCC的報告顯示：全球的上述產(chǎn)業(yè)在1999年使用了2.88百萬公斤靶材。換算為面積，則濺射了363百萬平方米的薄膜。而若以單位靶材來計算，全球在1999年則大約使用了37400單位的靶材。這里所要指出的是，隨著應(yīng)用產(chǎn)業(yè)的不同，靶材的形狀與大小也有所差異，其直徑從15Gm到3m都有，而上述的統(tǒng)計資料，則是平均化后的結(jié)果。在所有應(yīng)用產(chǎn)業(yè)中，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)對靶材濺射薄膜的品質(zhì)要求是最苛刻的。如今12英寸(300衄口)的硅晶片已制造出來.而互連線的寬度卻在減小。硅片制造商對靶材的要求是大尺寸、高純度、低偏析和細(xì)晶粒，這就要

47、求所制造的靶材具有更好的微觀結(jié)構(gòu)。靶材的結(jié)晶粒子直徑和均勻性已被認(rèn)為是影響薄膜沉積率的關(guān)鍵因素。另外，薄膜的純度與靶材的純度關(guān)系極大，過去99.995%(4N5)純度的銅靶，或許能夠滿足半導(dǎo)體廠商0.35pm工藝的需求，但是卻無法滿足如今0.25um的工藝要求，而未米的0.18um藝甚至0.13m工藝，所需要的靶材純度將要求達(dá)到5甚至6N以上。平面顯示器(FPD)這些年來大幅沖擊以陰極射線管(CRT)為主的電腦顯示器及電視機(jī)市場，亦將帶動ITO靶材的技術(shù)與市場需求。如今的iTO靶材有兩種.一種是采用納米狀態(tài)的氧化銦和氧化錫粉混合后燒結(jié)，一種是采用銦錫合金靶材。銦錫合金靶材可以采用直流反應(yīng)濺射制

48、造ITO薄膜，但是靶表面會氧化而影響濺射率，并且不易得到大尺寸的臺金靶材。如今一般采取第一種方法生產(chǎn)ITO靶材，利用LIRF反應(yīng)濺射鍍膜.靶材具有沉積速度快.且能精確控制膜厚，電導(dǎo)率高，薄膜的一致性好，與基板的附著力強(qiáng)等優(yōu)點l。但是靶材制作困難，這是因為氧化銦和氧化錫不容易燒結(jié)在一起。一般采用ZrO2、Bi2O3、CeO等作為燒結(jié)添加劑，能夠獲得密度為理論值的93%98%的靶材，這種方式形成的ITO薄膜的性能與添加劑的關(guān)系極大。在儲存技術(shù)方面，高密度、大容量硬盤的發(fā)展，需要大量的巨磁阻薄膜材料，CoFCu多層復(fù)合膜是如今應(yīng)用廣泛的巨磁阻薄膜結(jié)構(gòu)。磁光盤需要的TbFeCo合金靶材還在進(jìn)一步發(fā)展，

49、用它制造的磁光盤具有存儲容量大，壽命長，可反復(fù)無接觸擦寫的特點。如今開發(fā)出來的磁光盤，具有TbFeCo/Ta和TbFeCo/Al的層復(fù)合膜結(jié)構(gòu)，TbFeCo/AI結(jié)構(gòu)的Kerr旋轉(zhuǎn)角達(dá)到58，而TbFeCofFa則可以接近0.8。經(jīng)過研究發(fā)現(xiàn)，低磁導(dǎo)率的靶材高交流局部放電電壓l抗電強(qiáng)度?；阪N銻碲化物的相變存儲器(PCM)顯示出顯著的商業(yè)化潛力,是NOR型閃存和部分DRAM市場的一項替代性存儲器技術(shù)，不過,在實現(xiàn)更快速地按比例縮小的道路上存在的挑戰(zhàn)之一,便是缺乏能夠生產(chǎn)可進(jìn)一步調(diào)低復(fù)位電流的完全密閉單元。降低復(fù)位電流可降低存儲器的耗電量,延長電池壽命和提高數(shù)據(jù)帶寬,這對于當(dāng)前以數(shù)據(jù)為中心的、高

50、度便攜式的消費設(shè)備來說都是很重要的特征。第四章 項目建設(shè)主要內(nèi)容和規(guī)模（一）用地規(guī)模該項目總征地面積10098.38平方米（折合約15.14畝），其中：凈用地面積10098.38平方米（紅線范圍折合約15.14畝）。項目規(guī)劃總建筑面積11209.20平方米，其中：規(guī)劃建設(shè)主體工程8676.79平方米，計容建筑面積11209.20平方米；預(yù)計建筑工程投資972.68萬元。（二）設(shè)備購置項目計劃購置設(shè)備共計84臺（套），設(shè)備購置費1201.55萬元。二、產(chǎn)值規(guī)模項目計劃總投資3583.21萬元；預(yù)計年實現(xiàn)營業(yè)收入4486.00萬元。第五章 項目建設(shè)地點一、靶材項目建設(shè)選址原則為了更好地發(fā)揮其經(jīng)濟(jì)效

51、益并綜合考慮環(huán)境等多方面的因素，根據(jù)靶材項目選址的一般原則和靶材項目建設(shè)地的實際情況，“靶材項目”選址應(yīng)遵循以下原則：1、布局相對獨立，便于集中開展科研、生產(chǎn)經(jīng)營和管理活動。2、與靶材項目建設(shè)地的建成區(qū)有較方便的聯(lián)系。3、地理條件較好，并有足夠的發(fā)展?jié)摿Α?、城市基礎(chǔ)設(shè)施等配套較為完善。5、以城市總體規(guī)劃為依據(jù)，統(tǒng)籌考慮用地與城市發(fā)展的關(guān)系。6、兼顧環(huán)境因素影響，具有可持續(xù)發(fā)展的條件。二、靶材項目選址方案及土地權(quán)屬（一）靶材項目選址方案1、靶材項目建設(shè)單位通過對靶材項目擬建場地縝密調(diào)研，充分考慮了靶材項目生產(chǎn)所需的內(nèi)部和外部條件：距原料產(chǎn)地的遠(yuǎn)近、企業(yè)勞動力成本、生產(chǎn)成本以及擬建區(qū)域產(chǎn)業(yè)配套情

52、況、基礎(chǔ)設(shè)施條件及土地成本等。2、通過對可供選擇的建設(shè)地區(qū)進(jìn)行比選，綜合考慮后選定的靶材項目最佳建設(shè)地點靶材項目建設(shè)地，所選區(qū)域完善的基礎(chǔ)設(shè)施和配套的生活設(shè)施為靶材項目建設(shè)提供了良好的投資環(huán)境。福州，簡稱榕，別稱榕城，是福建省省會，國務(wù)院批復(fù)確定的中國海峽西岸經(jīng)濟(jì)區(qū)中心城市之一、濱江濱海生態(tài)園林城市。截至2018年，全市下轄6個區(qū)、6個縣、和1個縣級市，總面積11968平方千米，建成區(qū)面積357平方公里，2019年常住人口780萬人，城鎮(zhèn)化率70.5%。福州地處中國華東地區(qū)、福建東部、閩江下游及沿海地區(qū)，中國東部戰(zhàn)區(qū)陸軍機(jī)關(guān)駐地，是中國東南沿海重要都市、首批對外開放的沿海開放城市、海洋經(jīng)濟(jì)發(fā)展

53、示范區(qū)，海上絲綢之路門戶以及中國（福建）自由貿(mào)易試驗區(qū)組成部分；是近代中國最早開放的五個通商口岸之一。福州是國家歷史文化名城，最早在秦漢時期名為冶，而后因為境內(nèi)一座福山而更名福州。建城于公元前202年，歷史上曾長期作為福建的政治中心。福州馬尾是中國近代海軍的搖籃、中國船政文化的發(fā)祥地；曾獲中國優(yōu)秀旅游城市、國家衛(wèi)生城市、濱江濱海生態(tài)園林城市、國家環(huán)保模范城、全國雙擁模范城市、全國文明城市等稱號。2019年實現(xiàn)地區(qū)生產(chǎn)總值9392.30億元，比上年增長7.9%。（二）工程地質(zhì)條件1、根據(jù)建筑抗震設(shè)計規(guī)范（GB50011）標(biāo)準(zhǔn)要求，靶材項目建設(shè)地?zé)o活動斷裂性通過，無液化土層及可能震陷的土層分布，地

54、層均勻性密實較好，因此，本期工程靶材項目建設(shè)區(qū)處于地質(zhì)構(gòu)造運動相對良好的地帶，地下水為上層滯水，對混凝土無腐蝕性，各土層分布穩(wěn)定、均勻而適宜建筑。2、擬建場地目前尚未進(jìn)行地質(zhì)勘探，參考臨近建筑物的地質(zhì)資料，地基土層由第四系全新統(tǒng)（Q4）雜填土、粉質(zhì)粘土、淤泥質(zhì)粉土、圓礫卵石層組成，圓礫卵石作為建筑物的持力層，Pk=300.00Kpa；建設(shè)區(qū)域地質(zhì)抗風(fēng)化能力較強(qiáng)，地層承載力高，工程地質(zhì)條件較好，不會受到滑坡及泥石流等次生災(zāi)害的影響，無不良地質(zhì)現(xiàn)象，地殼處于穩(wěn)定狀態(tài)，場地地貌簡單適應(yīng)本期工程靶材項目建設(shè)。三、靶材項目用地總體要求（一）靶材項目用地控制指標(biāo)分析1、“靶材項目”均按照項目建設(shè)地建設(shè)用地

55、規(guī)劃許可證及建設(shè)用地規(guī)劃設(shè)計要求進(jìn)行設(shè)計，同時，嚴(yán)格按照建設(shè)規(guī)劃部門與國土資源管理部門提供的界址點坐標(biāo)及用地方案圖布置場區(qū)總平面圖。2、建設(shè)靶材項目平面布置符合輕工產(chǎn)品制造行業(yè)、重點產(chǎn)品的廠房建設(shè)和單位面積產(chǎn)能設(shè)計規(guī)定標(biāo)準(zhǔn)，達(dá)到工業(yè)靶材項目建設(shè)用地控制指標(biāo)（國土資發(fā)【2008】24號）文件規(guī)定的具體要求。（二）靶材項目建設(shè)條件比選方案1、靶材項目建設(shè)單位通過對可供選擇的建設(shè)地區(qū)進(jìn)行縝密比選后，充分考慮了靶材項目擬建區(qū)域的交通條件、土地取得成本及職工交通便利條件，靶材項目經(jīng)營期所需的內(nèi)外部條件：距原料產(chǎn)地的遠(yuǎn)近、企業(yè)勞動力成本、生產(chǎn)成本以及擬建區(qū)域產(chǎn)業(yè)配套情況、基礎(chǔ)設(shè)施條件等，通過建設(shè)條件比選最

56、終選定的靶材項目最佳建設(shè)地點靶材項目建設(shè)地，本期工程靶材項目建設(shè)區(qū)域供電、供水、道路、照明、供汽、供氣、通訊網(wǎng)絡(luò)、施工環(huán)境等條件均較好，可保證靶材項目的建設(shè)和正常經(jīng)營，所選區(qū)域完善的基礎(chǔ)設(shè)施和配套的生活設(shè)施為靶材項目建設(shè)提供了良好的投資環(huán)境。2、由靶材項目建設(shè)單位承辦的“靶材項目”，擬選址在靶材項目建設(shè)地，所選區(qū)域土地資源充裕，而且地理位置優(yōu)越、地形平坦、土地平整、交通運輸條件便利、配套設(shè)施齊全，符合靶材項目選址要求。（三）靶材項目用地總體規(guī)劃方案本期工程項目建設(shè)規(guī)劃建筑系數(shù)55.30%，建筑容積率1.11，建設(shè)區(qū)域綠化覆蓋率7.55%，固定資產(chǎn)投資強(qiáng)度197.94萬元/畝。（四）靶材項目節(jié)約

57、用地措施1、土地既是人類賴以生存的物質(zhì)基礎(chǔ)，也是社會經(jīng)濟(jì)可持續(xù)發(fā)展必不可少的條件，因此，靶材項目建設(shè)單位在利用土地資源時，嚴(yán)格執(zhí)行國家有關(guān)行業(yè)規(guī)定的用地指標(biāo)，根據(jù)建設(shè)內(nèi)容、規(guī)模和建設(shè)方案，按照國家有關(guān)節(jié)約土地資源要求，合理利用土地。2、在靶材項目建設(shè)過程中，靶材項目建設(shè)單位根據(jù)總體規(guī)劃以及項目建設(shè)地期對本期工程靶材項目地塊的控制性指標(biāo)，本著“經(jīng)濟(jì)適宜、綜合利用”的原則進(jìn)行科學(xué)規(guī)劃、合理布局，最大限度地提高土地綜合利用率。第六章 工程方案一、工程設(shè)計條件靶材項目建設(shè)地屬于建設(shè)用地，其地形地貌類型簡單，巖土工程地質(zhì)條件優(yōu)良，水文地質(zhì)條件良好，適宜本期工程靶材項目建設(shè)。二、建筑設(shè)計規(guī)范和標(biāo)準(zhǔn)1、砌體結(jié)構(gòu)設(shè)計規(guī)范（GB50003-2001）。2、建筑地基基礎(chǔ)設(shè)計規(guī)范（GB50007-2002）。3、建筑結(jié)構(gòu)荷載規(guī)范（GB50009-2001）。三、主要材料選用標(biāo)準(zhǔn)要求（一）混凝土要求根據(jù)混凝土結(jié)構(gòu)耐久性設(shè)計規(guī)范（GB/T50476）之規(guī)定，確定構(gòu)筑物結(jié)構(gòu)構(gòu)件最低混凝