模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)課案

1、模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)1半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)1.1半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識1.1.1半導(dǎo)體半導(dǎo)體是介于導(dǎo)體和絕緣體之間的材料，半導(dǎo)體材料有硅和鍺。1.1.2本征半導(dǎo)體本征半導(dǎo)體就是純凈且晶格方向一致的半導(dǎo)體晶體。本征激發(fā)指在外界激發(fā)的情況下， 少數(shù)價電子獲得一定的能量，掙脫共價鍵成為自由電子。 本征半導(dǎo)體存在 空穴和自由電子 兩種載流子。硅和鍺在常溫時導(dǎo)電性能弱，自由電子和空穴濃度隨溫度的升高而增大，導(dǎo)電能力隨之上升。半導(dǎo)體材料對溫度的這種敏感性，既可用來制作熱敏和光敏器件，又可造成半導(dǎo)體器件溫度穩(wěn)定性差。而且半導(dǎo)體的自由電子和空穴數(shù)量及其有限，故不能直接用來作為半導(dǎo)體材料。1.1.3雜質(zhì)半導(dǎo)體圖匚扌iv型半導(dǎo)休示

2、就圖在本征半導(dǎo)體中摻入微量的三價元素或者五價元素，其導(dǎo)電性發(fā)生明顯變化， 成為雜志半導(dǎo)體。p型半導(dǎo)體通過在本征半導(dǎo)體中摻入三價元素得到，此類半導(dǎo)體空穴數(shù)為多數(shù)載流子（簡稱多子），自由電子為少子；N型半導(dǎo)體通過在本征半導(dǎo)體中摻入五價元素得到，此 類半導(dǎo)體自由電子為多子，空穴為少子。1.2 PN結(jié)與半導(dǎo)體二極管應(yīng)該注意的是，不管是 整塊半導(dǎo)體保持電中性。1.2.1 PN結(jié)的形成P型半導(dǎo)體還是 N型半導(dǎo)體，半導(dǎo)體中正負電荷數(shù)是相等的,E-So OQ匹OCt tLo.oiooooQo0Q O O O1 lr -J ip區(qū)t1丁.礦一(4區(qū)_電U空冗如舄子I 空問電哥區(qū) 十疋離子由于存在濃度差，所以 P

3、區(qū)的空穴向N區(qū)擴散，N區(qū)的電子向P區(qū)擴散。這種由于存 在濃度差引起的載流子從高濃度區(qū)域向低濃度區(qū)域的運動稱為擴散運動， 所形成的電流稱為 擴散電流。擴散后就會在耗盡層出現(xiàn)一個由N區(qū)指向P區(qū)的內(nèi)電場，在內(nèi)電場作用下空穴向P區(qū)漂移，電子向 N區(qū)漂移。載流子的這種運動叫做 漂移運動，所形成的電流稱為 漂移電流。 漂移運動取決于少數(shù)載流子的濃度，受溫度影響較大。1.12.2 PN結(jié)正向?qū)щ娦訮N結(jié)正向偏置，多子擴散加強，少子偏移進一步減弱，PN結(jié)導(dǎo)通；PN結(jié)反向偏置,多子擴散減弱，少子漂移增強，但由于P區(qū)電子和N區(qū)的少子數(shù)目有限，因此漂移電流很小，故PN結(jié)截止。1.2.3 PN結(jié)的伏安特性PN結(jié)的反向

4、當(dāng)PN結(jié)的反向電壓增大到一定值時，反向電流急劇增大，這種現(xiàn)象稱為擊穿，這種情況可分為齊納擊穿和雪崩擊穿。124半導(dǎo)體二極管死區(qū)電壓（門檻電壓）：當(dāng)半導(dǎo)體二極管的正向電壓超過這一數(shù)值時，正向電流明顯增 加；硅管0.5V，鍺管0.1V。正向?qū)▔航担汗韫?0.7V，鍺管0.2V。1.3穩(wěn)壓二極管穩(wěn)壓二極管在反向擊穿（故反向連接）時，在一定的電流范圍內(nèi)（Izmin到-max）,端電壓幾乎不變，表現(xiàn)出穩(wěn)壓特性。當(dāng)Ui升高時，Uz增大Uz變大導(dǎo)致Iz急劇增大，那么UR也隨之變大；由于Uo=Ui-UR， 從而抵消了 Ui增大導(dǎo)致Uo增大的趨勢，使 Uo電壓穩(wěn)定。14半導(dǎo)體三極管1.4.1三極管的構(gòu)成三極管

5、由于是多子和少子共同參與導(dǎo)電，又稱為雙極型晶體管，按結(jié)構(gòu)可分為 NPN型和PNP型。發(fā)射極的箭頭指向，表示發(fā)射結(jié)正向偏置時電流方向。不管是哪種型號，為了 獲得良好的特性，都是 發(fā)射區(qū)重摻雜，基區(qū)薄而且摻雜低，集電區(qū)面積盡量大。142三極管的工作原理根據(jù)公共端不同，三極管有共基極電路、共發(fā)射極電路和共集電極電路。 以共射極（NPN ） 電路為例，分析其處于放大區(qū)（發(fā)射極正偏，集電極反偏）的工作情況。1）發(fā)射結(jié)正偏，那么發(fā)射區(qū)電子（重摻雜）大量地擴散至基區(qū)，形成電流Ie ；2）基區(qū)的空穴復(fù)合了少數(shù)電子（低摻雜），形成了 lb ;大部分通過基區(qū)（?。╇娮拥竭_集電區(qū)；3）集電結(jié)反偏，故發(fā)射區(qū)到達集電結(jié)

6、邊緣的電子順利通過集電結(jié)被集電區(qū)吸收，形成Icn。同時，由于反向電壓，基區(qū)的空穴漂移至集電區(qū)，而集電區(qū)電子漂移至基區(qū)，形成反向飽和電流Icbo。那么有l(wèi)e=lb+lcn+lcbo，由于大部分電子到達了集區(qū)，故設(shè)lc=ale+lcbo，于是求得：lc=qlb+（1+q）lcbo其中q稱為共發(fā)射極電流放大系數(shù)，一般為幾十到幾百。而上式則體現(xiàn)了三極管電流 控制的能力。1.4.3三極管的工作原理1.4.3.1輸入特性曲線以Uce為參變量，表示輸入電流lb和輸入電壓Ube之間的關(guān)系lb=f（Ube），稱為共射組 態(tài)的三極管輸入特性。Uce為0, lb隨著Ube的變大而變大，與二極管的特性相類似；隨著Uc

7、e的增大，集電結(jié)反偏，集電區(qū)將發(fā)射區(qū)擴散的電子拉至集電區(qū)，故相同Ube作用下lb減小，曲線右移；當(dāng)Uce1時，集電區(qū)已將所有電子都吸收過去，故曲線重合。1.4.3.2輸出特性曲線以lb為參變量，表示輸出電流Ic和輸出電壓Uce之間的關(guān)系lb=f（Ube），稱為共射組態(tài) 的三極管輸出特性。輸出特性曲線可分為4個區(qū)域：截止區(qū)、飽和區(qū)、放大區(qū)和擊穿區(qū)。?當(dāng)lb 0時，發(fā)射結(jié)反偏（Ube0），集電結(jié)反偏（Ubc0時，則包括了以下三種狀態(tài)：1）飽和區(qū)，發(fā)射結(jié)正偏（Ube0），集電結(jié)正偏（Ubc=Ube-Uce0 ）。這時除發(fā)射區(qū)電子流入集電區(qū)外，還有集電區(qū)注入基區(qū)而形成的集電極電流。電流方向相反，此時集

8、電極電流為兩者之差。當(dāng)Uce變大后，集電區(qū)注入基區(qū)電子變少，集電極電流增大。但此時lb與Ic不成比例關(guān)系，且lc0）,集電結(jié)反偏（Ubc=Ube-Uce0 ）。工程上認為此時是一組間隔均勻、近似平行的直線。當(dāng)Uce在一定范圍內(nèi)變大時，lc幾乎不變，它僅取決于lb并滿足lc=qlb+lceo，這體現(xiàn)了 lb對lc的控制作用。3）擊穿區(qū)，發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏。但是Uce過大導(dǎo)致三極管反向擊穿，lc急劇上升。三極管的作用有放大（放大區(qū)）和開關(guān)（截止區(qū)和飽和區(qū)）。一般在模擬電路中，三極管通常工作在放大區(qū)；在數(shù)字電路中，三極管通常工作在截止區(qū)和飽和區(qū)。在數(shù)電中，查看三極管是否導(dǎo)通，只要看發(fā)射結(jié)（公共端

9、）是否導(dǎo)通既可。1.5場效應(yīng)晶體管場效應(yīng)晶體管是利用電場效應(yīng)來控制電流的有源器件，它僅靠半導(dǎo)體中的多數(shù)載流子導(dǎo) 電，又稱為單級型晶體管，也叫場效應(yīng)管。按照結(jié)構(gòu)來分，場效應(yīng)管可分為兩大類：結(jié)型場效應(yīng)管（JFET）和絕緣柵型場效應(yīng)管（IG-FET ）。1.5.1結(jié)型場效應(yīng)管圖i.4 1 K溝結(jié)型場效應(yīng)管利用 耗盡層的寬度改變導(dǎo)電溝道的寬窄來控制漏極電流的大小。兩個PN結(jié)耗盡層之間的 N型區(qū)域成為導(dǎo)電溝道。結(jié)型場效應(yīng)管與二極管類似，柵極上的箭頭方向 指向內(nèi)部，既由P區(qū)指向N區(qū)。1.5.2絕緣柵型場效應(yīng)管絕緣柵型場效應(yīng)管利用半導(dǎo)體 表面的電場效應(yīng)，由感應(yīng)電荷的多少改變導(dǎo)電溝道的寬窄來控制電流的大小。絕

10、緣柵型場效應(yīng)管中，常用二氧化硅作為金屬柵極和半導(dǎo)體的絕緣層， 所以又稱為 金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)管，簡稱 MOS管。MOS管分為增強型和耗盡型，每 種又包括N溝道和P溝道兩類：在Ugs=O時，如果已經(jīng)存在導(dǎo)電溝道， 那么就是耗盡型（實 線；如果不存在，則為增強型（虛線）。下面重點介紹下 N溝道增強型絕緣柵型場效應(yīng)管。絕緣柵型場效應(yīng)管符號很形象，其中兩豎間的空白指絕緣層，而虛線則表示Ugs=O時未形成導(dǎo)電溝道（增強型），再由B的箭頭可知為N溝道。與二極管類似，想象一個從柵極 到源極的指向，那么開啟電壓上詼為大于0，那么只要Ugs比它大就可以導(dǎo)通了。P型的則用相同的分析方法。1.6場效應(yīng)管和三

11、極管比較1）場效應(yīng)管的柵極 G、漏極D、源極S分別對應(yīng)三極管的基極 B、集電極C、發(fā)射極E。2）場效應(yīng)管是 電壓控制 器件；而三極管是 電流控制器件。在作放大器件 時，結(jié)型場效應(yīng)管 PN結(jié)反向偏置，MOS場效應(yīng)管有 絕緣層，柵極電流極小，相應(yīng)的輸入電阻大（107Q、 109Q ）;三極管輸入端PN結(jié)正向偏置，基極電流大，響應(yīng)的輸入電阻小。3）場效應(yīng)管僅有多子導(dǎo)電， 故又稱為單極型晶體管， 而晶體管靠多子和少子導(dǎo)電，故又稱為雙極型晶體管。由于少子的濃度易受溫度與輻射 等外界條件影響，故場效應(yīng)管的熱穩(wěn) 定性和抗輻射能力都比三極管強。4）場效應(yīng)管可以在 低電壓和小電流 下面工作，且制造工藝簡單，易用

12、于制作大規(guī)模集成電 路。2放大電路基礎(chǔ)2.1放大器的概念與技術(shù)指標(biāo)2.1.1放大器的基本概念放大器也就是放大電路。模擬信號放大器中放大的概念就是將信號的幅度由小放大，它是基本的電子電路， 在廣播、通信和測量等方面有著廣泛應(yīng)用，根據(jù)電路結(jié)構(gòu)不同，放大器 可分為直流耦合放大器和交流耦合放大器；根據(jù)放大器級數(shù)的多少， 放大器又可分為 單級放大器和多級放大器。在單級放大器中，三極管放大器可分為共射、共基和共集放大器；場效應(yīng)管放大器則可分為共源、共柵和共漏放大器。直葩電源和相 應(yīng)的偏掘電蹦楠入佶號邏輸入輜合電路精岀耕合電踣圖乙1放大器的基車組戒一個放大器應(yīng)該包括以下幾個部分：輸入信號源（電壓源或者電流源

13、）、有源器件（三極管或者場效應(yīng)管）、輸入/輸出耦合電路、負載以及直流電源和相應(yīng)的偏置電路。直流源和相應(yīng)的偏置電路為晶體三極管或場效應(yīng)管提供靜態(tài)工作點，以保證三極管工作在放大區(qū)或場效應(yīng)管工作在飽和區(qū)。輸入信號源是待放大的輸入信號。輸入耦合電路將輸入信號耦合到放 大器上；輸出耦合電路將放大后的信號耦合到負載。在輸入信號作用下， 通過晶體三極管或場效應(yīng)管的控制作用，在負載上得到所需要的輸入信號。ps：元器件工作時內(nèi)部必須存在電源，這種器件叫有源器件， 可分為分立器件和集成電路兩大類，其中分立器件包括二極管、三極管等。元器件工作時無需電源便可顯示其特性， 這種器件叫無源器件，比如電阻、電容、電感等。2

14、.1.2放大器的主要技術(shù)指標(biāo)對于放大器，通常用 放大倍數(shù)、輸入電阻、輸出電阻和通頻帶等技術(shù)指標(biāo)來衡量。?放大倍數(shù)放大倍數(shù)又稱為 增益，是衡量放大器放大能力的指標(biāo)。當(dāng)輸入正弦信號時， 放大倍數(shù)可 用輸出量與輸入量的正弦相量之比來表示。電壓放大倍數(shù) Au=Uo/Ui ；電流放大倍數(shù) Ai=lo/li。?輸入電阻Ri輸入電阻是用來衡量放大器 對信號源索取能力 的一個性能指標(biāo)。輸入電阻越大，表明放 大器從信號源取的電流越小，放大器輸入端得到的信號電壓也越大，即信號源電壓衰減的少。理論基礎(chǔ)：Us= （Rs+Ri ）x I。 Rs為信號源內(nèi)阻，Ri為放大器輸入電阻。因此作為測量信號電壓的示波器、電壓表等儀

15、器的放大電路應(yīng)當(dāng)具有較大的輸入電阻。對于一般的放大電路來說，輸入電阻當(dāng)然是越大越好。 如果想從信號源取得較大的電流， 則應(yīng)該使放大器具有較 小的輸入電阻。?輸出電阻Ro輸出電阻用來衡量放大器在不同負載條件下維持輸出信號電壓（或電流）恒定能力的強弱，稱為其帶負載能力。當(dāng)放大器將放大了的信號輸出給負載電阻RL時，對負載RL來說,放大器可以等效為具有內(nèi)阻 Ro的信號源，由這個信號源向RL提供輸出信號電壓和輸出信號電流。Ro稱為放大器的輸出電阻，它是從放大器輸出端向放大器本身看入的交流等效電阻。如果輸出電阻 Ro很小，滿足RoU-時，輸出最大正向飽和電平 Uoh；當(dāng)U+U-時，輸出最大負向飽和電平 U

16、ol。 并且 UOH 不等于 UOL。? 輸入電流等于零 。4 信號運算與處理電路集成運算放大器的基本應(yīng)用電路， 從功能上看有信號的運算、 處理與產(chǎn)生電力等。 本章 主要討論模擬信號運算電路與信號處理電路。 信號運算電路 包括比例運算、 求和運算、積分 與微分運算等。信號處理電路 包括 有源濾波器和電壓比較器。4.1基本運算電路4.1.1比例運算電路4.1.1.1反相與同相比例運算電路一凱扎a_4 %廠iA +丄K4.1.1.2差動比例運算電路4.1.2積分和微分運算電路4.1.2.1積分運算電路（反相）4.1.2.1微分運算電路4.2有源濾波器421濾波電路的作用濾波器是一種具有頻率選擇功能

17、的電路，它能使有用頻率信號通過而同時抑制 （或衰減） 不需要傳送的頻率范圍內(nèi)的信號 。根據(jù)組成可分為無源濾波器和有源濾波器，無源濾波器由電阻和電容組成，有源濾波器由集成運放、R和C構(gòu)成。集成運放工作在線性區(qū)，主要用于提高通帶增益和帶負載能力。422有源濾波器的分類對于濾波器的幅頻響應(yīng)，常把能夠通過的頻率范圍定義為 通帶，而把受阻或衰減信號的 頻率范圍稱為 阻帶，通帶和阻帶的界限頻率叫做截止頻率。濾波器在 通帶內(nèi)應(yīng)具有零衰減的幅頻響應(yīng)和線性的相頻特性 ，而在阻帶內(nèi)應(yīng)具有無限大的幅度衰減。按通帶和阻帶的分布位 置，濾波器通?？煞譃?低通濾波器、高通濾波器、帶通濾波器和帶阻濾波器。4.3電壓比較器電

18、壓比較器的功能是用來判斷輸入電壓信號與參考電平之間的相對大小，比較器的輸出信號只有兩種狀態(tài)：高電平輸出和低電平輸出。電壓比較器中的集成運放工作在非線性區(qū)，即當(dāng)U+大于u-時輸出最大正向飽和電平 Uoh，當(dāng)U+小于u-時輸出最大負向飽和電平 Uol。 在運放的輸入端，一個是模擬信號，另一個是基準(zhǔn)參考電壓， 或者兩個都是模擬信號。 這樣, 由輸出電壓的高低就可以判定輸入電壓的大小。對電壓比較器的要求主要有 靈敏度高、響應(yīng)時間短、鑒別電平準(zhǔn)確、抗干擾能力強。根據(jù)電壓比較器的傳輸特性，常用的電壓比較器有 單門限電壓比較器、遲滯電壓比較器、窗口電壓比較器等。431單門限電壓比較器只有一個門限電平 的比較

19、器，當(dāng)輸入電壓等于此門限電平時，輸出的狀態(tài)立即發(fā)生跳變。4.3.1.1過零比較器當(dāng)比較器的輸出電壓由一種狀態(tài)跳變?yōu)榱硪环N狀態(tài)時，相應(yīng)的輸入電壓通常稱為閾值電壓或門限電平。這種比較器的門限電平一般為零，因此叫做過零比較器。 只有一個集成運放的過零比較器電路簡單，但是輸出電壓幅值較高，可以通過穩(wěn)壓管增加限幅電路。4.3.1.2任意門限電平比較器由放大器的虛短虛短可知，門限電平UT為Ut=-UrefX R1/R2i，） iLBSAl H14.4A任門電甲比校432遲滯比較器單門限比較器具有電路簡單、 靈敏度高等優(yōu)點， 但缺點是 抗干擾能力 差。利用具有遲滯 傳輸特性的比較器可避免上述問題，這種遲滯比

20、較器常稱為施密特觸發(fā)器。使Uo由+Uz跳變?yōu)?Uz，以及由-Uz跳變?yōu)?Uz所對應(yīng)的輸入電壓值是不同的。 也就是說，這種比較器有兩 個不同的門限電壓(Ut+和U)，故傳輸特性 呈滯回形狀。通常將上述兩個門限電平值 Ut+ 和U之差稱為門限寬度或回差。5. 放大器的頻率響應(yīng)頻率響應(yīng)是描述 放大器 對不同頻率信號的適應(yīng)能力 。耦合電容和旁路電容 所在回路為 高 通回路， 在低頻段使放大倍數(shù)下降并使相位超前； 級間電容 所在回路為 低通回路， 在高頻段 使放大倍數(shù)下降并使相位滯后。5.1 頻率響應(yīng)概述Au=Au(jf)=Au(f) e ，式中Au(f)表示放大倍數(shù)的模和頻率 f的關(guān)系，即幅頻特性；

21、0 (f)表示放大器輸出電壓和輸入電壓的相位差與頻率f的關(guān)系，稱為相頻特性。放大電路中由于電抗 (由于電容和電感在電路中對電流引起的阻礙作用， 定義類似于電 阻)元件存在，對多頻信號可能會引起頻率失真，叫線性失真，包括幅值失真和相位失真。 將頻率失真控制在允許范圍內(nèi)，要求放大電路的通頻帶略寬于待放大信號所占據(jù)的頻帶。放大器的頻率特性采用波特圖來表示。 波特圖指繪制在兩張半對數(shù)坐標(biāo)紙上的幅頻特性 和相頻特性曲線，它們的橫坐標(biāo)采用對數(shù)刻度 lg ，縱坐標(biāo)采用線刻度。其中幅頻特性的縱 軸用20lg (f )表示，單位是dB (分貝)；相頻特性用0 (f)表示，單位是度()或者弧度 ( rad )。5

22、.2 各種基本放大電路的頻率響應(yīng)密勒倍增 效應(yīng)：在反相放大電路 中，輸入與輸 出之間的分布電容或者寄生電容由于 放大 器的作用，其等效到 輸入端的電容值 會擴大 1+K 倍，其中 K 是該級放大電路的電壓放大倍 數(shù)。共射放大電路輸入電阻大，受米勒倍增效應(yīng)影響重，輸出電阻大，所以頻率上限低； 共集電路不存在米勒倍增效應(yīng)，輸入電容小，且輸出電阻也小，頻率上限遠高于共射；共基電路。OOOOOOOOOOOOOOO,且輸入。5.3 共射 -共基和共集 -共射組合電路提高增益和加大上限頻率是矛盾的， 利用增益帶寬積 衡量電路這兩方面的能力。 對于三 種基本電路來說，晶體管選定之后，增益帶寬積是常數(shù)?？梢圆?/p>

23、用共射-共基和共集 -共射 的組合電路予以解決。5.3多級放大電路的頻率響應(yīng)繪制多級放大電路頻率響應(yīng)波特圖時，只需將各放大器的幅頻特性曲線和相頻特性曲線在同一橫坐標(biāo)上的縱坐標(biāo)值疊加起來就可以了；上限截止頻率取各級電路中最低值，下限截止頻率取各級電路中的最高值。6. 反饋放大電路及其穩(wěn)定性6.1反饋的基本概念與分類6.1.1反饋的基本概念反饋是指將放大電路輸出信號（電壓或者電流）的一部分或全部，通過反饋網(wǎng)絡(luò)（反饋通路）回送到放大電路輸入端（或輸入回路）的一種工作方式。開環(huán)放大倍數(shù)及閉環(huán)放大倍數(shù)。6.1.2反饋的框圖及表達式x；卿荻黒ftAf（1+AF ）稱為反饋深度，指的是開環(huán)放大倍數(shù)比上閉環(huán)放

24、大倍數(shù)。 如果（1+AF ）大于1,那么放大倍數(shù)變小，故引入了負反饋。其中當(dāng)其遠大于1時,相應(yīng)的負反饋稱為深度負反饋，那么閉環(huán)放大倍數(shù)A1約為1/F，與開環(huán)放大倍數(shù) A2無關(guān)。 如果（1+AF ）小于1,那么放大倍數(shù)變大，故引入了正反饋。正反饋雖然增大放大 倍數(shù)，但是電路的性能不穩(wěn)定。 如果（1+AF ）等于1,說明放大電路在沒有輸入信號的情況下，能有信號輸出，此 時電路處于自激振蕩狀態(tài)。6.1.2反饋的分類6.1.2.1正反饋和負反饋根據(jù)反饋的極性不同， 可以分為正反饋和負反饋。引入反饋后，通過增強輸入信號使放大倍數(shù)得到提高，這樣的反饋稱為正反饋；引入反饋后，削弱了原輸入信號使放大電路的放，

25、稱為負大倍數(shù)降低，但改善了放大電路其他性能指標(biāo)（犧牲放大倍數(shù)改善電路其他性能） 反饋?？刹捎盟矔r極性法判斷。6.1.2.2直流反饋和交流反饋引入的反饋信號對直流量起作用稱為直流反饋；引入的反饋信號只對交流量起作用稱為交流反饋。直流負反饋主要用來穩(wěn)定放大電路的靜態(tài)工作點，交流負反饋用于改善放大電路 的性能指標(biāo)。6.1.2.3電壓反饋和電流反饋根據(jù)反饋信號在 輸出端采樣方式 不同，可分為電壓反饋和電流反饋： 電壓反饋的反饋信 號與輸出電壓成正比，一般電壓反饋網(wǎng)絡(luò)與基本放大器輸出端 并聯(lián)；電流反饋的反饋信號與 輸出電流成正比，一般電流反饋網(wǎng)絡(luò)與基本放大器輸出端串聯(lián)。6.1.2.4串聯(lián)反饋與并聯(lián)反饋根據(jù)反饋網(wǎng)絡(luò)與輸入端的連接方式不同，可分為串聯(lián)反饋和并聯(lián)反饋：串聯(lián)反饋的反饋 網(wǎng)絡(luò)串聯(lián)在基本放大器的輸入回路中；并聯(lián)反饋的反饋網(wǎng)絡(luò)并聯(lián)在基本放大器的輸入回路 中。6.1.3負反饋的組態(tài)判斷對于負反饋來說，根據(jù)反饋信號在放大電