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1、 電子技術(shù) 模擬電子技術(shù):信號(hào)連續(xù) 變化 數(shù)字電子技術(shù):信號(hào) 不連續(xù)變化、離散 武漢工程大學(xué)武漢工程大學(xué) 電工教研室電工教研室 第第6 6章章 半導(dǎo)體二極管與直流穩(wěn)壓電源半導(dǎo)體二極管與直流穩(wěn)壓電源 返回返回 目目 錄錄 6.1 6.1 半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí)半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí) 半導(dǎo)體:半導(dǎo)體:導(dǎo)電能力介乎于導(dǎo)體和絕緣體之導(dǎo)電能力介乎于導(dǎo)體和絕緣體之 間的間的 物質(zhì)。物質(zhì)。 半導(dǎo)體特性:半導(dǎo)體特性:熱敏特性、光敏特性、摻雜特性熱敏特性、光敏特性、摻雜特性 本征半導(dǎo)體就是完全純凈的半導(dǎo)體。本征半導(dǎo)體就是完全純凈的半導(dǎo)體。 應(yīng)用最多的本征半應(yīng)用最多的本征半 導(dǎo)體為鍺和硅,它們導(dǎo)體為鍺和硅,它們 各有四個(gè)價(jià)電子,
2、都各有四個(gè)價(jià)電子,都 是四價(jià)元素是四價(jià)元素. 硅的原子結(jié)構(gòu)硅的原子結(jié)構(gòu) 純凈的半導(dǎo)體其所有的原子基 本上整齊排列,形成晶體結(jié)構(gòu), 所以半導(dǎo)體也稱(chēng)為晶體 晶體管名稱(chēng)的由來(lái) 本征半導(dǎo)體晶體結(jié)構(gòu)中的共價(jià)健結(jié)構(gòu)本征半導(dǎo)體晶體結(jié)構(gòu)中的共價(jià)健結(jié)構(gòu) 6.1.16.1.1 本征半導(dǎo)體本征半導(dǎo)體 SiSi SiSi 共價(jià)鍵共價(jià)鍵 價(jià)電子價(jià)電子 6.1.1 6.1.1 本征半導(dǎo)體本征半導(dǎo)體 共價(jià)鍵中的電子共價(jià)鍵中的電子 在獲得一定能量在獲得一定能量 后,即可掙脫原后,即可掙脫原 子核的束縛,成子核的束縛,成 為自由電子為自由電子 同時(shí)在共價(jià)鍵中同時(shí)在共價(jià)鍵中 留下一個(gè)空穴。留下一個(gè)空穴。 空穴空穴 SiSi Si
3、Si 自由自由 電子電子 熱激發(fā)與復(fù)合現(xiàn)象熱激發(fā)與復(fù)合現(xiàn)象 由于受熱或光照由于受熱或光照 產(chǎn)生自由電子和產(chǎn)生自由電子和 空穴的現(xiàn)象空穴的現(xiàn)象- 熱激發(fā)熱激發(fā) 6.1.1 6.1.1 本征半導(dǎo)體本征半導(dǎo)體 自由電子自由電子 在運(yùn)動(dòng)中遇在運(yùn)動(dòng)中遇 到空穴后,到空穴后, 兩者同時(shí)消兩者同時(shí)消 失,稱(chēng)為復(fù)失,稱(chēng)為復(fù) 合現(xiàn)象合現(xiàn)象 溫度一定時(shí),本溫度一定時(shí),本 征半導(dǎo)體中的自由征半導(dǎo)體中的自由 電子電子空穴對(duì)的數(shù)空穴對(duì)的數(shù) 目基本不變。溫度目基本不變。溫度 愈高,自由電子愈高,自由電子 空穴對(duì)數(shù)目越多空穴對(duì)數(shù)目越多。 SiSi SiSi 自由 電子 空穴 半導(dǎo)體導(dǎo)電方式半導(dǎo)體導(dǎo)電方式 在半導(dǎo)體中,在半導(dǎo)
4、體中, 同時(shí)存在著電子同時(shí)存在著電子 導(dǎo)電和空穴導(dǎo)電,導(dǎo)電和空穴導(dǎo)電, 這是半導(dǎo)體導(dǎo)電這是半導(dǎo)體導(dǎo)電 方式的最大特點(diǎn),方式的最大特點(diǎn), 也是半導(dǎo)體和金也是半導(dǎo)體和金 屬在導(dǎo)電原理上屬在導(dǎo)電原理上 的本質(zhì)差別。的本質(zhì)差別。 載流子載流子 自由電子和空穴自由電子和空穴 因?yàn)?,溫度愈因?yàn)?,溫度?高,載流子數(shù)目愈高,載流子數(shù)目愈 多,導(dǎo)電性能也就多,導(dǎo)電性能也就 愈好,所以,溫度愈好,所以,溫度 對(duì)半導(dǎo)體器件性能對(duì)半導(dǎo)體器件性能 的影響很大。的影響很大。 6.1.1 6.1.1 本征半導(dǎo)體本征半導(dǎo)體 SiSi SiSi 自由 電子 空穴 當(dāng)半導(dǎo)體兩端當(dāng)半導(dǎo)體兩端 加上外電壓時(shí),自加上外電壓時(shí),自 由
5、電子作定向運(yùn)動(dòng)由電子作定向運(yùn)動(dòng) 形成電子電流;而形成電子電流;而 空穴的運(yùn)動(dòng)相當(dāng)于空穴的運(yùn)動(dòng)相當(dāng)于 正電荷的運(yùn)動(dòng)正電荷的運(yùn)動(dòng) 6.1.2 6.1.2 雜質(zhì)半導(dǎo)體雜質(zhì)半導(dǎo)體 N型半導(dǎo)體型半導(dǎo)體 在硅或鍺的晶體中在硅或鍺的晶體中 摻入微量的磷(或摻入微量的磷(或 其它五價(jià)元素)。其它五價(jià)元素)。 自由電子是多數(shù)自由電子是多數(shù) 載流子,空穴是載流子,空穴是 少數(shù)載流子。少數(shù)載流子。 電子型半導(dǎo)體電子型半導(dǎo)體 或或N N型半導(dǎo)體型半導(dǎo)體 SiSi P+Si 多余 電子 6.1.2 6.1.2 雜質(zhì)半導(dǎo)體雜質(zhì)半導(dǎo)體 P P型半導(dǎo)體型半導(dǎo)體 在硅或鍺晶體中在硅或鍺晶體中 摻入硼(或其它摻入硼(或其它 三價(jià)
6、元素)。三價(jià)元素)。 空穴是多數(shù)載流子,空穴是多數(shù)載流子, 自由電子是少數(shù)載自由電子是少數(shù)載 流子。流子。 空穴型半導(dǎo)體空穴型半導(dǎo)體 或或P P型半導(dǎo)體。型半導(dǎo)體。 SiSi B-Si 空穴 6.1.2 6.1.2 雜質(zhì)半導(dǎo)體雜質(zhì)半導(dǎo)體 不論不論N型半導(dǎo)體還是型半導(dǎo)體還是P型半導(dǎo)體,型半導(dǎo)體, 雖然它們都有一種載流子占多數(shù),雖然它們都有一種載流子占多數(shù), 但是整個(gè)晶體仍然是但是整個(gè)晶體仍然是不帶電不帶電的的。 返回 6.1.2 PN6.1.2 PN結(jié)結(jié) 1. PN1. PN結(jié)的形成結(jié)的形成 自由電子 P N 空穴 PN結(jié)是由擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)形成的結(jié)是由擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)形成的, 擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)和漂移運(yùn)動(dòng)達(dá)到動(dòng)態(tài)平衡。
7、擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)和漂移運(yùn)動(dòng)達(dá)到動(dòng)態(tài)平衡。 自由電子 PN 空間電荷區(qū) 內(nèi)電場(chǎng)方向 空穴 2. PN結(jié)的單向?qū)щ娦越Y(jié)的單向?qū)щ娦?1 外加正向電壓使PN結(jié)導(dǎo)通 PNPN結(jié)呈現(xiàn)低阻導(dǎo)通狀態(tài),通過(guò)結(jié)呈現(xiàn)低阻導(dǎo)通狀態(tài),通過(guò)PNPN結(jié)的電流結(jié)的電流 基本是多子的擴(kuò)散電流基本是多子的擴(kuò)散電流正向電流正向電流 + 變窄 PN 內(nèi)電場(chǎng) 方向 外電場(chǎng)方向 R I 2. PN結(jié)的單向?qū)щ娦?2 外加反向電壓使PN結(jié)截止 PNPN結(jié)呈現(xiàn)高阻狀態(tài),通過(guò)結(jié)呈現(xiàn)高阻狀態(tài),通過(guò)PNPN結(jié)的電流是少子的漂移電流結(jié)的電流是少子的漂移電流 -反向電流反向電流 特點(diǎn)特點(diǎn): : 受溫度影響大受溫度影響大 原因原因: : 反向電流是靠熱激發(fā)產(chǎn)
8、生的少子形成的反向電流是靠熱激發(fā)產(chǎn)生的少子形成的 + - 變 寬 PN 內(nèi)電場(chǎng) 方向 外電場(chǎng)方向 R I=0 2. PN結(jié)的單向?qū)щ娦?結(jié)結(jié) 論論 PN結(jié)具有單向?qū)щ娦越Y(jié)具有單向?qū)щ娦?(1) PN結(jié)加正向電壓時(shí),處在導(dǎo)通狀態(tài),結(jié)電阻很低,結(jié)加正向電壓時(shí),處在導(dǎo)通狀態(tài),結(jié)電阻很低, 正向電流較大。正向電流較大。 (2)PN結(jié)加反向電壓時(shí),處在截止?fàn)顟B(tài),結(jié)電阻很高,結(jié)加反向電壓時(shí),處在截止?fàn)顟B(tài),結(jié)電阻很高, 反向電流很小。反向電流很小。 返回 6.2 6.2 半導(dǎo)體二極管半導(dǎo)體二極管 6.3.1 基本結(jié)構(gòu)基本結(jié)構(gòu) 6.2.2 伏安特性伏安特性 6.2.3 伏安特性的折線化伏安特性的折線化 6.2
9、.4 二極管的主要參數(shù)二極管的主要參數(shù) 6.2.1 基本結(jié)構(gòu) PN結(jié) 陰極引線 鋁合金小球 金銻合金 底座 N型硅 陽(yáng)極引線 面接觸型面接觸型 引線 外殼觸絲N型鍺片 點(diǎn)接觸型點(diǎn)接觸型 表示符號(hào)表示符號(hào) 陽(yáng)極 陰極 6.2.2 6.2.2 伏安特性伏安特性 正向 O 0.4 0.8 U/V I/mA 80 60 40 20 -50 -25 I/A -20 -40 反向 死區(qū) 電壓 擊穿 電壓 半導(dǎo)體二極半導(dǎo)體二極 管的伏安特性管的伏安特性 是非線性的。是非線性的。 正向 O 0.4 0.8 U/V I/mA 80 60 40 20 -50 -25 I/A -20 -40 反向 死區(qū)電壓 擊穿電
10、壓 死區(qū)電壓:死區(qū)電壓: 硅管:硅管:0.5伏左右,鍺管:伏左右,鍺管: 0.1伏左右。伏左右。 正向壓降:正向壓降: 硅管:硅管:0.7伏左右,鍺管:伏左右,鍺管: 0.2 0.3伏。伏。 6.2.2 6.2.2 伏安特性伏安特性 1 正向特性正向特性 反向電流:反向電流: 反向飽和電流:反向飽和電流: 反向擊穿電壓反向擊穿電壓U(BR) 6.2.2 6.2.2 伏安特性伏安特性 正向 O 0.4 0.8 U/V I/mA 80 60 40 20 -50 -25 I/A -20 -40 反向 死區(qū)電 壓 擊穿電 壓 2 反向特性反向特性 6.2.4 6.2.4 主要參數(shù)主要參數(shù) 1 最大整流
11、電流最大整流電流IOM: 二極管長(zhǎng)時(shí)間使用時(shí),允許流過(guò)的最大正向平均電流。二極管長(zhǎng)時(shí)間使用時(shí),允許流過(guò)的最大正向平均電流。 2 反向工作峰值電壓反向工作峰值電壓URWM: 保證二極管不被擊穿而給出的反向峰值電壓。保證二極管不被擊穿而給出的反向峰值電壓。 3 反向峰值電流反向峰值電流IRM: 二極管上加反向工作峰值電壓時(shí)的反向電流值。二極管上加反向工作峰值電壓時(shí)的反向電流值。 6.3 6.3 二極管應(yīng)用電路二極管應(yīng)用電路 主要利用二極管的單向?qū)щ娦?。可用主要利用二極管的單向?qū)щ娦???捎?于整流、檢波、限幅、元件保護(hù)以及在于整流、檢波、限幅、元件保護(hù)以及在 數(shù)字電路中作為開(kāi)關(guān)元件。數(shù)字電路中作為開(kāi)
12、關(guān)元件。 返回 6.3 6.3 二極管應(yīng)用電路二極管應(yīng)用電路 1、 二極管限幅與嵌位電路。二極管限幅與嵌位電路。已知輸入波形畫(huà)出輸出波形。已知輸入波形畫(huà)出輸出波形。 返回 D1D2 E2 R E1 uo AB ui 在ui的正半周,當(dāng)uiE1時(shí),D1處于正 向偏置而導(dǎo)通,使輸出電壓uo 保持在等于E1值。 在ui的負(fù)半周,當(dāng)-E2uiE1時(shí), D1、D2都處于反向偏置而截止, uo=ui。當(dāng)ui E時(shí),二極管導(dǎo)通,uo= E=5V; 當(dāng)ui =E時(shí),二極管截止,uo =ui=10sint; 對(duì)(b)圖,當(dāng)ui=E時(shí), 二極管截止,uo =ui=10sint; 2、 二極管門(mén)電路。二極管門(mén)電路。
13、圖中電路,輸入端圖中電路,輸入端A的電位的電位 VA=+3V,B的電位的電位VB=0V,求輸出端,求輸出端Y的電位的電位VY。 電阻電阻R接負(fù)電源接負(fù)電源-12V。 解:解:DA優(yōu)先導(dǎo)通,優(yōu)先導(dǎo)通, DA導(dǎo)通導(dǎo)通 后,后, DB上加的是反向電上加的是反向電 壓,因而截止。壓,因而截止。 -12V A B +3V 0VDB DA Y R VY=+2.7V DA起鉗位作用,起鉗位作用, DB起隔離作用。起隔離作用。 首先假設(shè)這些二極管都處于截止?fàn)顟B(tài),然 后依次判斷各個(gè)二極管的陽(yáng)極和陰極之 間的電壓,哪個(gè)二極管陽(yáng)極和陰極的電 壓高,哪個(gè)二極管就優(yōu)先導(dǎo)通;之后根 據(jù)該二極管導(dǎo)通之后的狀態(tài)來(lái)判斷其他 二
14、極管是導(dǎo)通還是截止?fàn)顟B(tài)。 思考題思考題 例1:試判斷下圖所示電路中,當(dāng)Ui3V 時(shí)哪些二極管導(dǎo)通?當(dāng) Ui0V時(shí)哪些二極 管導(dǎo)通?設(shè)二極管正向壓降為0.7V。 解:當(dāng)Ui3V時(shí), UB=0.7V,UA=2.1V 所以D1截止,D2-D4 導(dǎo)通。 當(dāng)Ui0V時(shí),D1導(dǎo)通, D2-D4截止。 D1D2D3 D4 R1 5V R2 A B Ui 例2:試判斷下圖所示電路中,D1和D2的狀態(tài)。 設(shè)二極管正向壓降為0.7V。 解:解:U UD1o D1o=15V U =15V UON ON D D1 1導(dǎo)通導(dǎo)通 U UD20 D20=-12- =-12-(-15-15)=3V U=3V UON ON D
15、 D2 2導(dǎo)通 導(dǎo)通 U UD10 D10 U UD20D20 D D1 1優(yōu)先導(dǎo)通優(yōu)先導(dǎo)通 U UD20 D20=-12-U =-12-UA A=-12-(-0.7=-12-(-0.7)=-11.3V U=-11.3V UON ON D D2 2截止截止 故故 D D1 1導(dǎo)通 導(dǎo)通D D2 2截止截止 當(dāng)u2為正半周時(shí),二極管D承受正向電壓而導(dǎo)通,此時(shí)有電 流流過(guò)負(fù)載,并且和二極管上的電流相等,即io= id。忽略二 極管的電壓降,則負(fù)載兩端的輸出電壓等于變壓器副邊電壓, 即uo=u2 ,輸出電壓uo的波形與u2相同。 當(dāng)u2為負(fù)半周時(shí),二極管D承受反向電壓而截止。此時(shí)負(fù) 載上無(wú)電流流過(guò),
16、輸出電壓uo=0,變壓器副邊電壓u2全部 加在二極管D上。 u2為正半周時(shí),a點(diǎn)電位高于b點(diǎn)電位,二極管D1、D3承受 正向電壓而導(dǎo)通,D2、D4承受反向電壓而截止。此時(shí)電流 的路徑為:aD1RLD3b,如圖中實(shí)線箭頭所示。 u2為負(fù)半周時(shí),b點(diǎn)電位高于a點(diǎn)電位,二極管D2、D4承受 正向電壓而導(dǎo)通,D1、D3承受反向電壓而截止。此時(shí)電流 的路徑為:bD2RLD4a,如圖中虛線箭頭所示。 6.4 6.4 穩(wěn)壓管穩(wěn)壓管 一種特殊的面接觸型半導(dǎo)體硅二極管。它在電路中一種特殊的面接觸型半導(dǎo)體硅二極管。它在電路中 與適當(dāng)數(shù)值的電阻配合后能起穩(wěn)定電壓的作用。與適當(dāng)數(shù)值的電阻配合后能起穩(wěn)定電壓的作用。 1
17、 1 穩(wěn)壓管表示符號(hào)穩(wěn)壓管表示符號(hào): 正向 + - 反向 + -IZ UZ 2 2 穩(wěn)壓管的伏安特性:穩(wěn)壓管的伏安特性: 3 穩(wěn)壓管穩(wěn)壓原理:穩(wěn)壓管穩(wěn)壓原理: 穩(wěn)壓管工作于反向穩(wěn)壓管工作于反向 擊穿區(qū)。穩(wěn)壓管擊穿時(shí),擊穿區(qū)。穩(wěn)壓管擊穿時(shí), 電流雖然在很大范圍內(nèi)電流雖然在很大范圍內(nèi) 變化,但穩(wěn)壓管兩端的變化,但穩(wěn)壓管兩端的 電壓變化很小。利用這電壓變化很小。利用這 一特性,穩(wěn)壓管在電路一特性,穩(wěn)壓管在電路 中能起穩(wěn)壓作用。中能起穩(wěn)壓作用。 穩(wěn)壓管的反向特性曲線比較陡。穩(wěn)壓管的反向特性曲線比較陡。 反向擊穿 是可逆的。 U/V I/mA 0 IZ IZM UZ 6.4 6.4 穩(wěn)壓管穩(wěn)壓管 4 主
18、要參數(shù)主要參數(shù) (2)電壓溫度系數(shù))電壓溫度系數(shù) U (1)穩(wěn)定電壓)穩(wěn)定電壓 UZ 穩(wěn)壓管在正常工作下管子兩端的電壓。穩(wěn)壓管在正常工作下管子兩端的電壓。 說(shuō)明穩(wěn)壓管受溫度變化影響的系數(shù)說(shuō)明穩(wěn)壓管受溫度變化影響的系數(shù) 6.4 6.4 穩(wěn)壓管穩(wěn)壓管 (3)動(dòng)態(tài)電阻)動(dòng)態(tài)電阻 (4 4)穩(wěn)定電流)穩(wěn)定電流 (5 5)最大允許耗散功率)最大允許耗散功率 rZ 穩(wěn)壓管端電壓的變化量與相應(yīng)的電流變化量的比值穩(wěn)壓管端電壓的變化量與相應(yīng)的電流變化量的比值 IZ PZM 管子不致發(fā)生熱擊穿的最大功率損耗。管子不致發(fā)生熱擊穿的最大功率損耗。 PZM=UZIZM 6.4 6.4 穩(wěn)壓管穩(wěn)壓管 + _ U U0UZ
19、 R 穩(wěn)壓管的穩(wěn)壓作用穩(wěn)壓管的穩(wěn)壓作用 當(dāng)當(dāng)UUZ大于時(shí)大于時(shí),穩(wěn)壓管擊穿穩(wěn)壓管擊穿 R UU I Z Z 此時(shí)此時(shí) 選選R,使,使IZUON 二極管是導(dǎo)通二極管是導(dǎo)通 UD UAO =-6V 練練 習(xí)習(xí) 6V A 12V O V1 V2 二、判斷二極管是導(dǎo)通或截止二、判斷二極管是導(dǎo)通或截止 二極管的二極管的正向電壓正向電壓UD 是否大于導(dǎo)通電壓是否大于導(dǎo)通電壓UON UD2 UD1 -12V0V = -12V UON UD1= -12V-6V= -6V UONUD2= 二極管二極管D1截止截止 二極管二極管D2截止截止 18 10V 2 15V 140 10 25 5 三、三、 試判斷圖題試
20、判斷圖題 中二極管導(dǎo)通還中二極管導(dǎo)通還 是截止,為什么是截止,為什么? A )(115 14010 10 VU A B C )(5 .215 525 5 VU C )(110 182 2 VU BC BCCB UUU )(5 .315 .2V 二極管的二極管的正向電壓正向電壓UD 是否大于導(dǎo)通電壓是否大于導(dǎo)通電壓UON 設(shè)設(shè)UON =0.3(V) 二極管截止二極管截止 四、選擇判斷題四、選擇判斷題 1 1、判斷下列說(shuō)法是否正確,用、判斷下列說(shuō)法是否正確,用“”和和“”表示表示 判斷結(jié)果填入空內(nèi)。判斷結(jié)果填入空內(nèi)。 (1)在N型半導(dǎo)體中如果摻入足夠量的三價(jià)元素,可 將其改型為P型半導(dǎo)體。( )
21、(2)因?yàn)镹型半導(dǎo)體的多子是自由電子,所以它帶負(fù) 電。( ) (3)PN結(jié)在無(wú)光照、無(wú)外加電壓時(shí),結(jié)電流為零。 ( ) (4)處于放大狀態(tài)的晶體管,集電極電流是多 子漂移運(yùn)動(dòng)形成的。( ) 2 2、選擇正確答案填入空內(nèi)。選擇正確答案填入空內(nèi)。 (1)PN結(jié)加正向電壓時(shí),空間電荷區(qū)將結(jié)加正向電壓時(shí),空間電荷區(qū)將 。 A. 變窄變窄 B. 基本不變基本不變 C. 變寬變寬 (2)穩(wěn)壓管的穩(wěn)壓區(qū)是其工作在穩(wěn)壓管的穩(wěn)壓區(qū)是其工作在 。 A. 正向?qū)ㄕ驅(qū)?B.反向截止反向截止 C.反向擊穿反向擊穿 (3)當(dāng)晶體管工作在放大區(qū)時(shí),發(fā)射結(jié)電壓和集電結(jié)當(dāng)晶體管工作在放大區(qū)時(shí),發(fā)射結(jié)電壓和集電結(jié) 電壓應(yīng)為
22、電壓應(yīng)為 。 A. 前者反偏、后者也反偏前者反偏、后者也反偏 B. 前者正偏、后者反偏前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者也正偏前者正偏、后者也正偏 A B C (4)工作在放大區(qū)的某三極管,如果當(dāng))工作在放大區(qū)的某三極管,如果當(dāng)IB從從12A增大增大 到到22A時(shí),時(shí),IC從從1mA變?yōu)樽優(yōu)?mA,那么它的,那么它的約約 為為 。 A. 83 B. 91 C. 100 C (5)普)普 通通 雙雙 極極 型型 晶晶 體體 管管 是是 由由 。 (A)一一 個(gè)個(gè)PN 結(jié)結(jié) 組組 成成 (B)二二 個(gè)個(gè)PN 結(jié)結(jié) 組組 成成 (C) 三三 個(gè)個(gè)PN 結(jié)結(jié) 組組 成成 (6)測(cè)測(cè) 得得 電電
23、路路 中中 工工 作作 在在 放放 大大 區(qū)區(qū) 的的 某某 晶晶 體體 管管 三三 個(gè)個(gè) 極極 的的 電電 位位 分分 別別 為為 0V、 0.7V 和和 4.7V, 則則 該該 管管 為為 。 (A) NPN 型型 鍺鍺 管管 (B) PNP 型型 鍺鍺 管管 (C) NPN 型型 硅硅 管管 (D) PNP 型型 硅硅 管管 (7)已已 知知 放放 大大 電電 路路 中中 某某 晶晶 體體 管管 三三 個(gè)個(gè) 極極 的的 電電 位位 分分 別別 為為VE = 1.7V,VB= 1.4V ,VC = 5V, 則則 該該 管管 類(lèi)類(lèi) 型型 為為 。 (A) NPN 型型 鍺鍺 管管 (B) PN
24、P 型型 鍺鍺 管管 (C) NPN 型型 硅硅 管管 (D) PNP 型型 硅硅 管管 B A D (8)晶)晶 體體 管管 的的 主主 要要 特特 點(diǎn)點(diǎn) 是是 具具 有有 。 (A) 單單 向向 導(dǎo)導(dǎo) 電電 性性 (B) 電電 流流 放放 大大 作作 用用 (C) 穩(wěn)穩(wěn) 壓壓 作作 用用 (9)晶晶 體體 管管 處處 于于 截截 止止 狀狀 態(tài)態(tài) 時(shí),時(shí), 集集 電電 結(jié)結(jié) 和和 發(fā)發(fā) 射射 結(jié)結(jié) 的的 偏偏 置置 情情 況況 為為 。 (A) 發(fā)發(fā) 射射 結(jié)結(jié) 反反 偏,集偏,集 電電 結(jié)結(jié) 正正 偏偏(B) 發(fā)發(fā) 射射 結(jié)、集結(jié)、集 電電 結(jié)結(jié) 均均 反反 偏偏 (C)發(fā)發(fā) 射射 結(jié)、
25、集結(jié)、集 電電 結(jié)結(jié) 均均 正正 偏偏 (D)發(fā)發(fā) 射射 結(jié)結(jié) 正正 偏,集偏,集 電電 結(jié)結(jié) 反反 偏偏 (10)已已 知知 某某 晶晶 體體 管管 處處 于于 放放 大大 狀狀 態(tài),態(tài), 測(cè)測(cè) 得得 其其 三三 個(gè)個(gè) 極極 的的 電電 位位 分分 別別 為為 6V、9V 和和 6.3V, 則則 6V所所 對(duì)對(duì) 應(yīng)應(yīng) 的的 電電 極極 為為 。 (A) 發(fā)發(fā) 射射 極極 (B) 集集 電電 極極 (C) 基基 極極 B A B (11)所)所 謂謂 晶晶 體體 管管 輸輸 出出 特特 性性 曲曲 線線 中中 的的 線線 性性 區(qū)區(qū) 域域 是是 指指 。 (A) 放放 大大 區(qū)區(qū) (B)飽飽
26、和和 區(qū)區(qū) (C)截截 止止 區(qū)區(qū) (12) 如如 果果 接接 在在 電電 路路 中中 某某 晶晶 體體 管管 的的 基基 極極 與與 發(fā)發(fā) 射射 極極 短短 路,路, 則則 。 (A)管管 子子 深深 度度 飽飽 和和 (B)管管 子子 截截 止止 (C)管管 子子 工工 作作 在在 放放 大大 狀狀 態(tài)態(tài) (13)圖圖 中中 已已 標(biāo)標(biāo) 出出 各各 硅硅 晶晶 體體 管管 電電 極極 的的 電電 位,位, 判判 斷斷 處處 于于 截截 止止 狀狀 態(tài)態(tài) 的的 晶晶 體體 管管 是是 。 A D B 1V 3V 3V0V 0.5V 0.7V10V 4 V 9.7V 5.3V 6V 2.3V
27、(a)(b) (c)(d) (6)測(cè))測(cè) 得得 某某 一一 PNP 硅硅 管管 三三 個(gè)個(gè) 極極 的的 電電 位位 是:是:VB = 3.2V,VE = 2.5V,VC = 7V, 則則 該該 管管 工工 作作 在在 。 (A)線線 性性 放放 大大 狀狀 態(tài)態(tài) (B) 飽飽 和和 工工 作作 狀狀 態(tài)態(tài)(C) 截截 止止 工工 作作 狀狀 態(tài)態(tài) (15)電電 路路 如如 圖圖 所所 示,示, 晶晶 體體 管管 處處 于于 。 (A)線線 性性 放放 大大 狀狀 態(tài)態(tài) (B) 飽飽 和和 工工 作作 狀狀 態(tài)態(tài)(C) 截截 止止 工工 作作 狀狀 態(tài)態(tài) A B T 12V RE RC 五、寫(xiě)出
28、下圖所示各電路的輸出電壓值,設(shè)二 極管導(dǎo)通電壓UD0.7V。 解:解:UO11.3V,UO20,UO31.3V,UO42V, UO51.3V, UO62V。 六、已知穩(wěn)壓管的穩(wěn)壓值UZ6V,穩(wěn)定電流的 最小值IZmin5mA。求圖所示電路中UO1和UO2 各為多少伏。 解:解:UO16V,UO25V。 七、(1) 能否將1.5V的干電池以正向接法接 到二極管兩端?為什么? 解:不能。因?yàn)槎O管的正向電流與其端電壓成指數(shù)關(guān)解:不能。因?yàn)槎O管的正向電流與其端電壓成指數(shù)關(guān) 系,當(dāng)端電壓為系,當(dāng)端電壓為1.5V時(shí),管子會(huì)因電流過(guò)大而燒壞。時(shí),管子會(huì)因電流過(guò)大而燒壞。 (2)現(xiàn)有兩只穩(wěn)壓管,它們的穩(wěn)定電壓分別為6V和8V ,正向?qū)妷簽?.7V。試問(wèn): (a)若將它們串聯(lián)相接,則可得到幾種穩(wěn)壓值? 各為多少? (b)若將它們并聯(lián)相接,則又可得到幾種穩(wěn)壓值 ?各為多少? 解:(解:(a)兩只穩(wěn)壓管串聯(lián)時(shí)可得)兩只穩(wěn)壓管串聯(lián)時(shí)可得1.4V、6.7V、8.7V和和 6V等四種穩(wěn)壓值。等四種穩(wěn)壓值。 (b)兩只穩(wěn)壓管并聯(lián)時(shí)可得)兩只穩(wěn)
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