腦電圖的基本內(nèi)容1[1]文檔資料

1、腦電的歷史 1875年caton首次描記出動(dòng)物大腦皮層的電位 1890年back證明腦電活動(dòng)是獨(dú)立存在的 1912年kaufman證明腦電是一種自發(fā)電位，并通過動(dòng)物實(shí)驗(yàn)癲癇模型記錄了癲癇放電 1924年hans berger首次使用頭皮電極描記了人類的腦電活動(dòng) 1936年以后隨著腦電圖技術(shù)的完善在臨床得到廣泛的應(yīng)用腦電圖的適應(yīng)證 中樞神經(jīng)系統(tǒng)疾病，特別是發(fā)作性疾病，如癲癇 癲癇手術(shù)治療的術(shù)前定位 圍產(chǎn)期異常的新生兒監(jiān)測(cè) 腦外傷及大腦手術(shù)后監(jiān)測(cè) 危重病人監(jiān)測(cè) 睡眠障礙 腦死亡的判定 eeg是用來建立癲癇診斷的僅有的2種客觀手段之一（另外是meg，但不作為常規(guī)檢查使用），可以通過異常放電的表現(xiàn)確定

2、癲癇發(fā)作的類型，有助于對(duì)局灶性癲癇進(jìn)行定位。還有助于觀察抗癲癇藥物的有效性腦電圖的禁忌證 顱腦外傷及顱腦手術(shù)后頭皮破裂或手術(shù)切口未愈合時(shí) 對(duì)正在服用抗癲癇藥物的病人進(jìn)行常規(guī)腦電圖檢查時(shí)，一般不應(yīng)減藥、停藥，避免導(dǎo)致病情反復(fù)及可能出現(xiàn)的癲癇持續(xù)狀態(tài) 苯二氮卓類藥物可能使eeg產(chǎn)生大量快波而影響判讀，可在eeg檢查前一天停藥，而繼續(xù)服用其他抗癲癇藥物 例外的情況是在進(jìn)行外科手術(shù)前的癲癇源定位時(shí)，需要減藥甚至停藥以獲得發(fā)作期eeg為目的，并非常規(guī)檢查 電極的安裝 10-20國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)系統(tǒng) 在矢狀位上以鼻根（nasion）和枕后粗隆（inion）作為基準(zhǔn) 在冠狀位以雙側(cè)的外耳孔為基準(zhǔn)，通過頭頂正中點(diǎn)（c

3、z）的連線各分為兩個(gè)10%和四個(gè)20%加以分割 以cz為中心，在頭頂形成數(shù)個(gè)同心圓，電極均勻放置并標(biāo)記各電極的名稱 在安放時(shí)左側(cè)的f3為f7與fz的中點(diǎn)，p3為t5與pz的中點(diǎn)，右側(cè)的f4與p4也以同樣方法安放 前額區(qū)（fp）：位于雙眼瞳孔的上方，其連線與鼻根部的距離占矢狀位聯(lián)線的10% 中額區(qū)（f）：位于前額區(qū)和中央?yún)^(qū)等距離之點(diǎn)，各占矢狀位連線的20% 中央?yún)^(qū)（c）：位于鼻根與枕后粗隆形成的連線與雙側(cè)外耳孔形成的連線的交會(huì)點(diǎn)（即百會(huì)穴）旁開3cm 頂區(qū)（p）：位于枕區(qū)與中央?yún)^(qū)等距離之點(diǎn)，各占20% 枕區(qū)（o）：位于枕后粗隆上方（占10%）并旁開各3cm 前顳區(qū)（ta）：位于眼外眥與耳屏水平等

4、距離之點(diǎn) 中顳區(qū)（tm）：位于外耳孔上方(距外耳孔的距離占雙外耳孔連線的10%) 后顳區(qū)（tp）：位于枕區(qū)與中顳區(qū)等距離之點(diǎn) 額中央（fz）：位于額部中線位置，距雙側(cè)中額區(qū)各3cm 中央（cz）：位于鼻根與枕后粗隆形成的連線與雙側(cè)外耳孔形成的連線的交會(huì)點(diǎn)（即百會(huì)穴） 頂中央（pz）：位于頂部中線位置，距離雙側(cè)頂區(qū)各3cm 導(dǎo)聯(lián)耳極導(dǎo)聯(lián)平均導(dǎo)聯(lián)耳極導(dǎo)聯(lián)平均導(dǎo)聯(lián)1fp1-a1fp1-avfp1-a1fp1-av2fp2-a2fp2- avfp2-a2fp2- av3f3-a1f3- avf3-a1f3- av4f4-a2f4- avf4-a2f4- av5c3-a1c3- avc3-a1c3- a

5、v6c4-a2c4- avc4-a2c4- av7p3-a1p3-avp3-a1p3-av8p4-a2p4-avp4-a2p4-av9o1-a1o1-avo1-a1o1-av10o2-a2o2-avo2-a2o2-av11f7-a1f7-avf7-a1f7-av12f8-a2f8-avf8-a2f8-av13t5-a1t5-avt5-a1t5-av14t6-a2t6-avt6-a2t6-av15t7-a1t7-avt7-a1t7-av16t8-a2t8-avt8-a2t8-av17pz-a2pz-av18cz-a2cz-av18導(dǎo)聯(lián)16導(dǎo)聯(lián)單極導(dǎo)聯(lián)導(dǎo)聯(lián)123456789101112131415

6、161718縱聯(lián)fp1-f7f7-t3t3-t5fp1-f3f3-c3c3-p3p3-o1fz-czcz-pzfp2-f8f8-t4t4-t6fp2-f4f4-c4c4-p4p4-o2o2-o1o1-t5橫聯(lián)a1-f7f7-f3f3-fzfz-f4f4-f8f8-a2a1-t3t3-c3c3-czcz-c4c4-t4t4-a2t5-p3p3-pzpz-p4p4-t6fp1-fp2o1-o2環(huán)聯(lián)o1-t5t5-t3t3-f7f7-fp1fp1-fp2fp2-f8f8-t4t4-t6t6-o2o2-o1fz-f7f7-f8f8-fzcz-t3t3-t4t4-czfz-czcz-pz縱聯(lián)fp1-f7

7、f7-t3t3-t5fp1-f3f3-c3c3-p3p3-o1fz-czcz-pzfp2-f8f8-t4t4-t6fp2-f4f4-c4c4-p4p4-o2橫聯(lián)a1-f7f7-f3f3-fzfz-f4f4-f8f8-a2a1-t3t3-c3c3-czcz-c4c4-t4t4-a2t5-p3p3-pzpz-p4p4-t6環(huán)聯(lián)o1-t5t5-t3t3-f7f7-fp1fp1-fp2fp2-f8f8-t4t4-t6t6-o2o2-o1fz-f7f7-f8f8-fzcz-t3t3-t4t4-cz18導(dǎo)聯(lián)16導(dǎo)聯(lián)雙極導(dǎo)聯(lián)腦電圖的基本內(nèi)容頻率波幅波形位相出現(xiàn)方式出現(xiàn)部位生理反應(yīng)性腦電圖的基本內(nèi)容 頻率（次

8、/秒，hz） 頻帶：0.5-3hz，額部（少量） 頻帶：4-7hz，顳部（少量） 頻帶：8-13hz，頂枕 頻帶：14-17hz，額 頻帶：18-30hz，額、中央 頻帶：30hz，額，前中央 14hz波可統(tǒng)稱波或快波 這些頻帶均可見于正常人。腦電圖的基本內(nèi)容 波幅（微伏，v） 低波幅：25微伏 中波幅：25-50或25-75微伏 高波幅：50（快波）或75微伏 一般常用的定標(biāo)為1mm1 v腦電圖的基本內(nèi)容 波形 1 單型波 正弦樣波：上升支及下降支光滑對(duì)稱。正常波、波、波的主要波形，波也可以為正弦樣波 棘波：上升支陡峭，下降支稍有坡度，周期小于80ms，紙速為30mm/s時(shí)小于2mm 尖波：

9、波形與棘波相似，時(shí)限80-200ms。棘波和尖波為異常波，最常見于癲癇，但不能稱之為癲癇波。 三相波：頻率常為2-3hz，常見于代謝性腦病。 波：出現(xiàn)于注視復(fù)雜圖形時(shí)，常位于枕部，3-5hz，高波幅的正相三角波，閉目時(shí)消失。 2 復(fù)合波 復(fù)形波：波上重疊有或頻帶內(nèi)的小波，常見于皮層下病變。 復(fù)合波： 棘(尖)慢波綜合：由一個(gè)棘（尖）波與一個(gè)2-5hz的慢波組成。異常波。 多棘慢波綜合：一個(gè)以上棘（尖）波與一個(gè)慢波組成。異常波。 k-綜合波：一個(gè)高波幅1hz左右的慢波。繼之以12-14hz節(jié)律，出現(xiàn)于深睡中。 手套型波：睡眠中額部最后一組睡眠紡錘組成，其最后一個(gè)波為6-12hz，類似手套之拇指，

10、其前方的睡眠紡錘相當(dāng)于其它各指。也可見于錐體外系疾患。含義有爭(zhēng)議，目前的腦電圖分析中，已很少提及。 梳型節(jié)律：7-11hz，中央?yún)^(qū)明顯，為正常節(jié)律。腦電圖的基本內(nèi)容 位相 同步或同時(shí)相 負(fù)相（陰性） 正相（陽性） 位相倒置（慢波） 針鋒相對(duì)（尖波）只有在雙極導(dǎo)聯(lián)出現(xiàn)腦電圖的基本內(nèi)容 出現(xiàn)方式 波：?jiǎn)蝹€(gè)形式出現(xiàn) 活動(dòng)：數(shù)個(gè)相鄰的波有相似之處時(shí)稱為活動(dòng)。 節(jié)律：3個(gè)以上相同波連續(xù)出現(xiàn)。按持續(xù)時(shí)間分短程（3s)。 散在：?jiǎn)蝹€(gè)波的形式無規(guī)則的出現(xiàn)。 偶見：在全部描記中僅出現(xiàn)1-2次。 周期性：某種腦波有規(guī)則的間隔反復(fù)出現(xiàn)。 同步性或非同步性 爆發(fā)性：某種腦波突然出現(xiàn)、突然消失并突出于背景活動(dòng)。 高度失率：異常波既不對(duì)稱也不同步。腦電圖的基本內(nèi)容 出現(xiàn)部位 廣泛性：遍布兩側(cè)半球各區(qū)，基本對(duì)稱。 彌散性：遍布兩側(cè)半球各區(qū)