開關(guān)電源EMI整改經(jīng)驗總結(jié)

1、開關(guān)電源EMI整改繞驗總結(jié)整理：柏自飛一. 1MHZ以內(nèi)，以差模干擾為主。（整改建議）1. 增大X電容量；2. 添加差模電感；3. 小功率電源可采用PI型濾波器處理（建議靠近變壓器的電解電容可 選用較大些）。二. 1MHZ-5MHZ差模共?；旌?，采用輸入端并聯(lián)一系列 X電容來濾除差摸干擾并分析出是哪種干擾超標(biāo)并以解決，（整改建議）1. 對于差模干擾超標(biāo)可調(diào)整X電容量,添加差模電感器，調(diào)差模電感量；2. 對于共模干擾超標(biāo)可添加共模電感,選用合理的電感量來抑制；3. 也可改變整流二極管特性來處理一對快速二極管如FR107 對普通整流二極管1N4007。三. 5M 以上，以共摸干擾為主，采用抑制共摸

2、的方法（整改建議）1. 對于外殼接地的，在地線上用一個磁環(huán)串繞2-3圈會對10MHZ以上干 擾有較大的衰減作用；可選擇緊貼變壓器的鐵芯粘銅箔，銅箔閉環(huán). 處理后端輸出整流管的吸收電路和初級大電路并聯(lián)電容的大小。四. 20-30MHZ ,（整改建議）1. 對于一類產(chǎn)品可以采用調(diào)整對地Y2電容量或改變 Y2電容位置；2. 調(diào)整一二次側(cè)間的 Y1電容位置及參數(shù)值；3. 在變壓器外面包銅箔；變壓器最里層加屏蔽層；調(diào)整變壓器的各繞 組的排布。4. 改變 PCB LAYOUT5. 輸出線前面接一個雙線并繞的小共模電感；6. 在輸出整流管兩端并聯(lián) RC濾波器且調(diào)整合理的參數(shù)；7. 在變壓器與MOSFE之間加

3、BEAD CORE8. 在變壓器的輸入電壓腳加一個小電容。9. 可以用增大 MOS驅(qū)動電阻.五. 30-50MHZ普遍是MOS管高速開通關(guān)斷引起。（整改建議）1. 可以用增大 MOS驅(qū)動電阻；2. RCD緩沖電路采用1N4007慢管；3. VCC供電電壓用1N4007慢管來解決；4. 或者輸出線前端串接一個雙線并繞的小共模電感；5. 在MOSFET勺D-S腳并聯(lián)一個小吸收電路；6. 在變壓器與MOSFET間加BEAD CORE7. 在變壓器的輸入電壓腳加一個小電容；8. PCB心LAYOUT寸大電解電容，變壓器，MOS構(gòu)成的電路環(huán)盡可能的 小;9. 變壓器，輸出二極管，輸出平波電解電容構(gòu)成的電

4、路環(huán)盡可能的小。10. 50-100MHZ普遍是輸出整流管反向恢復(fù)電流引起。11. 可以在整流管上串磁珠；12. 調(diào)整輸出整流管的吸收電路參數(shù)；13. 可改變一二次側(cè)跨接 Y電容支路的阻抗，如 PIN腳處加BEAD CORE 或串接適當(dāng)?shù)碾娮瑁?4. 也可改變MOSFET輸出整流二極管的本體向空間的輻射（如鐵夾卡 MOSFET鐵夾卡DIODE改變散熱器的接地點）；15. 增加屏蔽銅箔抑制向空間輻射。200MHZ以上，開關(guān)電源已基本輻射量很小，一般均可過EMI標(biāo)準(zhǔn)。補充說明:開關(guān)電源咼頻變壓器初次間一般是屏蔽層的，以上未加綴述。開關(guān)電源是咼頻產(chǎn)品，PCB的元器件布局對 EMI有直接關(guān)系，MOS漏極銅箔走線環(huán)路盡可 能短粗，開關(guān)電源若有機