先進(jìn)陶瓷材料及進(jìn)展第七章高介電容器瓷高等教學(xué)

1、第七章第七章 高介電容器瓷高介電容器瓷dtd11、對(duì)電容器瓷的一般要求：、對(duì)電容器瓷的一般要求：、介電系數(shù)大，以制造小體積、重量輕的陶瓷電容、介電系數(shù)大，以制造小體積、重量輕的陶瓷電容器，器，電容器體積電容器體積整機(jī)體積、重量整機(jī)體積、重量、介質(zhì)損耗小，、介質(zhì)損耗小，tg=（16）10-7，保證回路的高，保證回路的高q值。高介電容器瓷工作在高頻下時(shí)值。高介電容器瓷工作在高頻下時(shí)、tg 。、對(duì)、對(duì)i類瓷，介電系數(shù)的溫度系數(shù)類瓷，介電系數(shù)的溫度系數(shù)要系列化。對(duì)要系列化。對(duì)ii類瓷，則用類瓷，則用隨溫度的變化率表示（非線性）。隨溫度的變化率表示（非線性）。ccootc2525i類瓷類瓷ii類瓷類瓷

2、7-1 概述概述 、體積電阻率、體積電阻率v高（高（v1012cm） 為保證高溫時(shí)能有效工作，要求為保證高溫時(shí)能有效工作，要求v高、高、抗電強(qiáng)度抗電強(qiáng)度ep要高要高 a、小型化，使、小型化，使=v/d b、陶瓷材料的分散性，即使、陶瓷材料的分散性，即使ep，可能，可能仍有擊穿。仍有擊穿。 7-1 概述概述2、電容器瓷分類：、電容器瓷分類： 7-1 概述概述低頻：高低頻：高 ，較大的，較大的tg高頻高頻低介（低介（ 電介質(zhì)的極化電介質(zhì)的極化- + - + - + - +- + - + - + - +- + - + - + - +- + - + - + - +-p iiennvp eeni01 極

3、化強(qiáng)度極化強(qiáng)度: :介電常數(shù)介電常數(shù): :有有關(guān)關(guān)系系。與與ien, 7-2 電容器瓷的介電特性電容器瓷的介電特性+-ee=0原子核原子核電子電子極化前極化前極化后極化后304re離子晶體中主要是離子晶體中主要是電子位移極化電子位移極化與與離子位移極化。離子位移極化。 7-2 電容器瓷的介電特性電容器瓷的介電特性2r-+-+e=0e 7-2 電容器瓷的介電特性電容器瓷的介電特性1)(430nrra a、tio2、catio3以以電子位移極化電子位移極化為主為主tio6八面體，八面體，ti7+高價(jià)、小半徑高價(jià)、小半徑離離子位移極化子位移極化強(qiáng)大的局部?jī)?nèi)電場(chǎng)強(qiáng)大的局部?jī)?nèi)電場(chǎng)eiti7+，o2- 極

4、化率大極化率大電子位移極化電子位移極化為主為主 7-2 電容器瓷的介電特性電容器瓷的介電特性0 7-2 電容器瓷的介電特性電容器瓷的介電特性 tn（距離（距離） tv（熱膨脹）（熱膨脹）（r+r-）a（極化率）按（極化率）按（r+r-）3c、bao7tio2 7-2 電容器瓷的介電特性電容器瓷的介電特性0)(arrteitnt 7-2-3 的對(duì)數(shù)混合法則的對(duì)數(shù)混合法則2211lnlnlnxx 2121xx 121 xx 對(duì)于對(duì)于n相系統(tǒng)：相系統(tǒng)：1.ln.lnlnln2122112211nnnnnxxxxxxxxx 7-2 電容器瓷的介電特性電容器瓷的介電特性 由以上法則，在生產(chǎn)實(shí)踐中，可用具

5、有不同由以上法則，在生產(chǎn)實(shí)踐中，可用具有不同i、i材料通過(guò)改變濃度比來(lái)獲得滿足各種溫度系數(shù)要材料通過(guò)改變濃度比來(lái)獲得滿足各種溫度系數(shù)要求的材料。求的材料。如：由如：由0 +0的瓷料獲得的瓷料獲得0的瓷料。的瓷料。 7-2 電容器瓷的介電特性電容器瓷的介電特性l 金紅石型和鈣鈦礦型結(jié)構(gòu)的陶瓷具有特殊的結(jié)構(gòu)，金紅石型和鈣鈦礦型結(jié)構(gòu)的陶瓷具有特殊的結(jié)構(gòu)，離子位移極化后，產(chǎn)生強(qiáng)大的局部?jī)?nèi)電場(chǎng)，并進(jìn)一離子位移極化后，產(chǎn)生強(qiáng)大的局部?jī)?nèi)電場(chǎng)，并進(jìn)一步產(chǎn)生強(qiáng)烈的離子位移極化和電子位移極化，使得步產(chǎn)生強(qiáng)烈的離子位移極化和電子位移極化，使得作用在離子上的內(nèi)電場(chǎng)得到顯著加強(qiáng)，故作用在離子上的內(nèi)電場(chǎng)得到顯著加強(qiáng)，故大

6、。大。l 鈦酸鍶鉍也是利用鈦酸鍶鉍也是利用srtio3鈣鈦礦型結(jié)構(gòu)的內(nèi)電場(chǎng)，鈣鈦礦型結(jié)構(gòu)的內(nèi)電場(chǎng)，而加入鈦酸鉍等，使之產(chǎn)生鍶離子空位，產(chǎn)生離子而加入鈦酸鉍等，使之產(chǎn)生鍶離子空位，產(chǎn)生離子松弛極化，從而使松弛極化，從而使增大。增大。7-2-4 產(chǎn)生高介電系數(shù)的原因產(chǎn)生高介電系數(shù)的原因 7-2 電容器瓷的介電特性電容器瓷的介電特性 l低溫下高頻電容器瓷的低溫下高頻電容器瓷的tg較小，但在一定的頻率較小，但在一定的頻率下，當(dāng)溫度超過(guò)某一臨界溫度后，由離子松弛極下，當(dāng)溫度超過(guò)某一臨界溫度后，由離子松弛極化和電子電導(dǎo)所引起的大量能量損耗，使材料的化和電子電導(dǎo)所引起的大量能量損耗，使材料的介質(zhì)損耗急劇地增

7、大。介質(zhì)損耗急劇地增大。l另外：另外：tio2的二次再結(jié)晶，破壞晶粒的均勻度，的二次再結(jié)晶，破壞晶粒的均勻度，使 材 料 的 機(jī) 械 性 能 和 介 電 性 能 惡 化 ；使 材 料 的 機(jī) 械 性 能 和 介 電 性 能 惡 化 ；ti7+ti3+tg 7-2-5 含鈦陶瓷的介質(zhì)損耗含鈦陶瓷的介質(zhì)損耗 7-2 電容器瓷的介電特性電容器瓷的介電特性 7-3-1 熱補(bǔ)償電容器瓷熱補(bǔ)償電容器瓷 7-3-2 熱穩(wěn)定電容器瓷熱穩(wěn)定電容器瓷 7-3-3 溫度系數(shù)系列化的電容器瓷溫度系數(shù)系列化的電容器瓷 7-3 高頻電容器瓷的主要原料高頻電容器瓷的主要原料定義：定義：具有很大的負(fù)值，用來(lái)補(bǔ)償振蕩回路中電感

8、具有很大的負(fù)值，用來(lái)補(bǔ)償振蕩回路中電感的正溫度系數(shù)，以使回路的諧振頻率保持穩(wěn)定。的正溫度系數(shù)，以使回路的諧振頻率保持穩(wěn)定。l1、金紅石瓷、金紅石瓷：8090，：-750-85010-6/l 2、鈦酸鈣瓷、鈦酸鈣瓷：150160：-230010-6/( -60120 )- (15001600)10-6/( +2080 ) 7-3-1 熱補(bǔ)償電容器瓷熱補(bǔ)償電容器瓷 7-3 高頻電容器瓷的主要原料高頻電容器瓷的主要原料 1、金紅石瓷、金紅石瓷(1) tio2的結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)(2) 鈦離子變價(jià)及防止措施鈦離子變價(jià)及防止措施(3) 用途用途 7-3 高頻電容器瓷的主要原料高頻電容器瓷的主要原料 tio2的結(jié)

9、構(gòu)的結(jié)構(gòu) rti4+=0.68a，ro2-=1.70a，r+/r-=0.768 形成形成tio6八面體八面體 ti4+取六配位，用電價(jià)規(guī)則算得每個(gè)取六配位，用電價(jià)規(guī)則算得每個(gè)o2-離子離子為三個(gè)為三個(gè)tio6八面體共用。自然界中八面體共用。自然界中tio2有三有三種晶型（同質(zhì)異型體），其性能特點(diǎn)如下：種晶型（同質(zhì)異型體），其性能特點(diǎn)如下： 7-3 高頻電容器瓷的主要原料高頻電容器瓷的主要原料 板鈦礦板鈦礦金紅石金紅石銳鈦礦銳鈦礦（礬酸加快轉(zhuǎn)變）（礬酸加快轉(zhuǎn)變）等雜質(zhì)使轉(zhuǎn)變點(diǎn)等雜質(zhì)使轉(zhuǎn)變點(diǎn)、（c650alznc91532 7-3 高頻電容器瓷的主要原料高頻電容器瓷的主要原料金紅石金紅石板鈦礦板鈦

10、礦銳鈦礦銳鈦礦晶系晶系正方晶系正方晶系斜方晶系斜方晶系正方晶系正方晶系八面體共棱數(shù)八面體共棱數(shù)2條條3條條7條條比重比重7.257.113.87莫氏硬度莫氏硬度65656介電系數(shù)介電系數(shù)1177831 由此可見，金紅石結(jié)構(gòu)最穩(wěn)定、最緊湊、介電系由此可見，金紅石結(jié)構(gòu)最穩(wěn)定、最緊湊、介電系數(shù)最大、性能最好，銳鈦礦最差。然而，工業(yè)用數(shù)最大、性能最好，銳鈦礦最差。然而，工業(yè)用tio2主要是銳鈦礦和微量的金紅石，因此，必須在主要是銳鈦礦和微量的金紅石，因此，必須在12001300氧化氣氛中預(yù)燒，使氧化氣氛中預(yù)燒，使tio2全部轉(zhuǎn)變?yōu)槿哭D(zhuǎn)變?yōu)榻鸺t石結(jié)構(gòu)，同時(shí)也使產(chǎn)品在燒結(jié)時(shí)不致因晶型轉(zhuǎn)金紅石結(jié)構(gòu)，同時(shí)也

11、使產(chǎn)品在燒結(jié)時(shí)不致因晶型轉(zhuǎn)變、體積收縮過(guò)大而變形或開裂。變、體積收縮過(guò)大而變形或開裂。 7-3 高頻電容器瓷的主要原料高頻電容器瓷的主要原料 (2) 鈦離子變價(jià)及防止措施鈦離子變價(jià)及防止措施 鈦原子的電子排布：鈦原子的電子排布：1s22s22p63s23p67s23d2，7s的能的能級(jí)比級(jí)比3d稍低，稍低，3d層的電子容易失去，可為層的電子容易失去，可為ti4+、ti3+、ti2+，可見，可見ti4+易被還原易被還原（ti4+eti3+=ti4+ee-弱束縛電子弱束縛電子） 7-3 高頻電容器瓷的主要原料高頻電容器瓷的主要原料tgtgv、電子松弛極化電子松弛極化、）躍遷到導(dǎo)帶（激發(fā)能低躍遷到導(dǎo)

12、帶（激發(fā)能低弱束縛電子弱束縛電子 ti4+ti3+的原因：的原因：a、 燒結(jié)氣氛燒結(jié)氣氛b、 高溫?zé)岱纸猓焊邷責(zé)岱纸猓篶、 高價(jià)（高價(jià)（5價(jià)）雜質(zhì)：價(jià)）雜質(zhì)：d、 電化學(xué)老化電化學(xué)老化 7-3 高頻電容器瓷的主要原料高頻電容器瓷的主要原料 還原氣氛奪去還原氣氛奪去tio2的的o2-，使晶格出現(xiàn)，使晶格出現(xiàn)32tievvoo a、燒結(jié)氣氛、燒結(jié)氣氛 7-3 高頻電容器瓷的主要原料高頻電容器瓷的主要原料b、高溫?zé)岱纸狻⒏邷責(zé)岱纸鉄蓽囟冗^(guò)高，尤其在超過(guò)燒成溫度過(guò)高，尤其在超過(guò)1700時(shí)，時(shí)，tio2脫氧脫氧嚴(yán)重，即產(chǎn)生高溫分解。嚴(yán)重，即產(chǎn)生高溫分解。 7-3 高頻電容器瓷的主要原料高頻電容器瓷的主

13、要原料 ti4+、nb5+、ta5+、sb5+半徑相近，半徑相近，5價(jià)離子取代價(jià)離子取代ti7+形成置換固溶體形成置換固溶體多余一個(gè)價(jià)電子多余一個(gè)價(jià)電子22534215224)(2)21 (oxonbtitionbxtioxxxx34tieti c、高價(jià)（、高價(jià)（5價(jià)）雜質(zhì)價(jià)）雜質(zhì) 7-3 高頻電容器瓷的主要原料高頻電容器瓷的主要原料525222tixtixotitiotitieoenbonb 金紅石瓷在使用過(guò)程中，長(zhǎng)期工作在高溫、高濕、強(qiáng)金紅石瓷在使用過(guò)程中，長(zhǎng)期工作在高溫、高濕、強(qiáng)直流電場(chǎng)下，表面、界面、缺陷處活性大的直流電場(chǎng)下，表面、界面、缺陷處活性大的o2-離子向離子向正極遷移，到達(dá)正

14、極后，氧分子向空氣中逸出，留下正極遷移，到達(dá)正極后，氧分子向空氣中逸出，留下氧空位，是不可逆過(guò)程。氧空位，是不可逆過(guò)程。銀電極在高溫高濕、強(qiáng)直流電場(chǎng)下：銀電極在高溫高濕、強(qiáng)直流電場(chǎng)下：ag-eag+，ag+遷移率大，進(jìn)入介質(zhì)向負(fù)極遷移遷移率大，進(jìn)入介質(zhì)向負(fù)極遷移 34tieti d、電化學(xué)老化、電化學(xué)老化 7-3 高頻電容器瓷的主要原料高頻電容器瓷的主要原料 防止防止ti4+ti3+的措施：的措施： 采用氧化氣氛燒結(jié)：抑制還原采用氧化氣氛燒結(jié)：抑制還原 加入添加劑：降低燒結(jié)溫度，抑制高溫失氧加入添加劑：降低燒結(jié)溫度，抑制高溫失氧再氧化過(guò)程：在低于燒結(jié)溫度再氧化過(guò)程：在低于燒結(jié)溫度2070，強(qiáng)氧

15、化氣氛回爐，強(qiáng)氧化氣氛回爐 摻入低價(jià)雜質(zhì)（受主）：抑制高價(jià)雜質(zhì)摻入低價(jià)雜質(zhì)（受主）：抑制高價(jià)雜質(zhì) 加入加入la2o3等稀土氧化物：改善電化學(xué)老化特性等稀土氧化物：改善電化學(xué)老化特性 加入加入zro2：阻擋電子定向移動(dòng)，阻礙：阻擋電子定向移動(dòng)，阻礙ti7+變價(jià)變價(jià) 7-3 高頻電容器瓷的主要原料高頻電容器瓷的主要原料(3) 用途用途 電容器介質(zhì)：由于電容器介質(zhì)：由于-tg與溫度、頻率有關(guān)，與溫度、頻率有關(guān)，適宜于工作在低溫高頻下（適宜于工作在低溫高頻下（85），通常），通常作熱補(bǔ)償電容器。作熱補(bǔ)償電容器。 作為作為 的負(fù)值調(diào)節(jié)劑。的負(fù)值調(diào)節(jié)劑。 7-3 高頻電容器瓷的主要原料高頻電容器瓷的主要原

16、料2、鈦酸鈣瓷、鈦酸鈣瓷 以鈦酸鹽為主的陶瓷是高頻高介電容器瓷以鈦酸鹽為主的陶瓷是高頻高介電容器瓷中的又一大類，常用的有鈦酸鈣、鈦酸鍶等，中的又一大類，常用的有鈦酸鈣、鈦酸鍶等，這里介紹常用的鈦酸鈣瓷。這里介紹常用的鈦酸鈣瓷。(1) catio3的結(jié)構(gòu)及介電性能的結(jié)構(gòu)及介電性能(2) 鈦酸鈣瓷的成份及工藝要求鈦酸鈣瓷的成份及工藝要求 7-3 高頻電容器瓷的主要原料高頻電容器瓷的主要原料(1) catio3的結(jié)構(gòu)及介電性能的結(jié)構(gòu)及介電性能 鈣鈦礦結(jié)構(gòu)，由鈣鈦礦結(jié)構(gòu)，由ca2+和和o2-離子共同作立方密堆積，離子共同作立方密堆積，ti7+離子處于氧的六配位位置，形成離子處于氧的六配位位置，形成ti

17、o6八面體，八面八面體，八面體間共頂點(diǎn)連接，體間共頂點(diǎn)連接，ca2+離子處于八個(gè)離子處于八個(gè)tio6八面體之間。八面體之間。由于其特殊結(jié)構(gòu)，在外電場(chǎng)作用下，由于其特殊結(jié)構(gòu)，在外電場(chǎng)作用下，ti7+發(fā)生離子位移發(fā)生離子位移（相對(duì)于（相對(duì)于o2-離子），使作用于離子），使作用于ti-o線上的線上的o2-離子電場(chǎng)離子電場(chǎng)o2-電子云畸變（電子位移極化）電子云畸變（電子位移極化）作用在作用在ti7+上有上有效電場(chǎng)效電場(chǎng)o2-有效電場(chǎng)有效電場(chǎng)極化極化 7-3 高頻電容器瓷的主要原料高頻電容器瓷的主要原料鈦酸鈣瓷工作溫度高，適合制造小型、大容量、對(duì)電容量穩(wěn)定性要鈦酸鈣瓷工作溫度高，適合制造小型、大容量、對(duì)

18、電容量穩(wěn)定性要求不高的耦合旁路、隔直流等場(chǎng)合或者電容器溫度系數(shù)的調(diào)節(jié)劑。求不高的耦合旁路、隔直流等場(chǎng)合或者電容器溫度系數(shù)的調(diào)節(jié)劑。鈦酸鈣瓷與金紅石瓷性能比較鈦酸鈣瓷與金紅石瓷性能比較 7-3 高頻電容器瓷的主要原料高頻電容器瓷的主要原料性能指標(biāo)性能指標(biāo)金紅石瓷金紅石瓷鈦酸鈣瓷鈦酸鈣瓷原因原因7080150160結(jié)構(gòu)不同結(jié)構(gòu)不同（+20+80）-（700100）10-6/-（15001600）10-6/ei、線性膨脹系數(shù)、線性膨脹系數(shù)大大tg（1mhz，20）（75） 10-7（23） 10-7玻璃相含量少玻璃相含量少v（cm）101110121017同上同上工作溫度工作溫度85150(2) 鈦

19、酸鈣瓷的成份及工藝要求鈦酸鈣瓷的成份及工藝要求天然天然catio3含雜質(zhì)多，不能直接作原料，而采用化含雜質(zhì)多，不能直接作原料，而采用化工原料方解石（工原料方解石（caco3）和）和tio2經(jīng)高溫合成：經(jīng)高溫合成：鈦酸鈣瓷的主要工序?yàn)椋衡佀徕}瓷的主要工序?yàn)椋?31320128023cocatiotiocacoc 7-3 高頻電容器瓷的主要原料高頻電容器瓷的主要原料球磨球磨干燥干燥預(yù)燒預(yù)燒研磨研磨成型成型燒結(jié)燒結(jié)工藝注意事項(xiàng)：工藝注意事項(xiàng)：tio2與與caco3應(yīng)充分混合均勻、確保應(yīng)充分混合均勻、確保ca、ti摩爾比摩爾比為為1：1，因此球磨后不能過(guò)濾去水。否則易去，因此球磨后不能過(guò)濾去水。否則易

20、去ca。（cao+h2oca(ho)2流失）流失）嚴(yán)格控制燒結(jié)溫度，既要使嚴(yán)格控制燒結(jié)溫度，既要使caco3與與tio2反應(yīng)充分，反應(yīng)充分，防止游離防止游離cao生成（生成（0）71. 04snr68. 04tir 7-3 高介電容器瓷的主要原料高介電容器瓷的主要原料 catio3與與casno3性能比較性能比較 7-3 高介電容器瓷的主要原料高介電容器瓷的主要原料catio3casno315017（2080）10-6/-1300+110tg/10-7（20）233工作溫度（工作溫度（）150150 casno3瓷在高溫時(shí)的性能較好，但瓷在高溫時(shí)的性能較好，但太低，另在直太低，另在直流電場(chǎng)與還

21、原氣氛下較穩(wěn)定。流電場(chǎng)與還原氣氛下較穩(wěn)定。 casno3可用作高頻熱穩(wěn)定型電容器介質(zhì)，為了調(diào)節(jié)可用作高頻熱穩(wěn)定型電容器介質(zhì)，為了調(diào)節(jié)瓷料的瓷料的，可加入，可加入catio3或或tio2。 7-3 高頻電容器瓷的主要原料高頻電容器瓷的主要原料700tio1500catio233量量大大，較較穩(wěn)穩(wěn)定定，易易控控制制量量少少，線線性性，不不易易控控制制調(diào)調(diào)節(jié)節(jié)劑劑瓷瓷的的casno (2) 錫酸鈣瓷的成分及工藝要求：錫酸鈣瓷的成分及工藝要求： 錫酸鈣瓷的工藝過(guò)程與錫酸鈣瓷的工藝過(guò)程與catio3瓷相同瓷相同casno3燒塊的典型配方燒塊的典型配方燒結(jié)工藝要求燒結(jié)工藝要求 7-3 高頻電容器瓷的主要原

22、料高頻電容器瓷的主要原料 (1) casno3燒塊的典型配方燒塊的典型配方 caco3：sno2=1.07：1，防止，防止sno2游離（游離（sno2電子電導(dǎo)大）電子電導(dǎo)大） 7-3 高頻電容器瓷的主要原料高頻電容器瓷的主要原料c1330c1400%1wt. 1:sio%6wt. 3:baco,snti,%4wt. 1:tiococasnosnocaco%2 .54:%7 .39:2344223c13302323降降低低到到燒燒結(jié)結(jié)溫溫度度由由助助熔熔使使擴(kuò)擴(kuò)散散激激活活能能降降低低取取代代礦礦化化劑劑主主晶晶相相wtsnowtcaco (2) 燒結(jié)工藝要求：燒結(jié)工藝要求： 7-3 高頻電容器

23、瓷的主要原料高頻電容器瓷的主要原料形狀（最大的缺點(diǎn)）形狀（最大的缺點(diǎn)）限制了坯體的大小和）限制了坯體的大小和（有很強(qiáng)的結(jié)晶能力）有很強(qiáng)的結(jié)晶能力）（）快冷：防止二次粒長(zhǎng)）快冷：防止二次粒長(zhǎng)（燒結(jié)溫度達(dá)燒結(jié)溫度達(dá)2casno1c15003 這類電容器瓷的這類電容器瓷的可在（可在（+120-750）10-6/相當(dāng)寬相當(dāng)寬的范圍內(nèi)任意調(diào)節(jié)，可根據(jù)電路的要求來(lái)選擇配方。的范圍內(nèi)任意調(diào)節(jié)，可根據(jù)電路的要求來(lái)選擇配方。 常用的該類瓷料有鈦鋯系、鎂鑭鈦系及鈦硅酸鈣、硅酸常用的該類瓷料有鈦鋯系、鎂鑭鈦系及鈦硅酸鈣、硅酸鎂系列。鎂系列。1、鈦鋯系瓷、鈦鋯系瓷2、鎂鑭鈦系陶瓷、鎂鑭鈦系陶瓷3、catio3-cat

24、isio5瓷瓷4、以、以2mgosio2為主晶相的陶瓷為主晶相的陶瓷7-3-3 溫度系數(shù)系列化的電容器瓷溫度系數(shù)系列化的電容器瓷 7-3 高頻電容器瓷的主要原料高頻電容器瓷的主要原料 1、鈦鋯系瓷、鈦鋯系瓷 由由tio2-zro2系相平衡圖可知，在系相平衡圖可知，在1800以下，存以下，存在穩(wěn)定的在穩(wěn)定的zrtio7化合物，并且化合物，并且zro2和和tio2均不能與均不能與zrtio7生成無(wú)限固溶體，因此在生成無(wú)限固溶體，因此在zro2：tio2=1：1的的等分子比線兩旁有等分子比線兩旁有zro2相或金紅石相析出。由相或金紅石相析出。由p62圖圖7-17可知，通過(guò)調(diào)節(jié)可知，通過(guò)調(diào)節(jié)tio2與

25、與zro2的相對(duì)成分比來(lái)調(diào)節(jié)的相對(duì)成分比來(lái)調(diào)節(jié) 7-3 高頻電容器瓷的主要原料高頻電容器瓷的主要原料 典型的鈦鋯系瓷配方：典型的鈦鋯系瓷配方： tio2+zro2：70% sno2： 11.5%礦化劑，防止礦化劑，防止zro2多晶轉(zhuǎn)變多晶轉(zhuǎn)變 baco3： 4.5%壓堿壓堿 zno： 3% 礦化劑（在還原氣氛中易揮發(fā)）礦化劑（在還原氣氛中易揮發(fā)） 膨閏土：膨閏土： 11% 增塑劑增塑劑 7-3 高頻電容器瓷的主要原料高頻電容器瓷的主要原料 7-3 高頻電容器瓷的主要原料高頻電容器瓷的主要原料機(jī)械強(qiáng)度較高機(jī)械強(qiáng)度較高化學(xué)穩(wěn)定性好化學(xué)穩(wěn)定性好工作溫度高工作溫度高抗電強(qiáng)度高抗電強(qiáng)度高電性能好電性能好優(yōu)點(diǎn)：優(yōu)點(diǎn)：c155介介電電常常數(shù)數(shù)太太小小機(jī)機(jī)械械加加工工性性能能差