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1、廣東工業(yè)大學(xué)考試試卷 ( )課程名稱: 模擬電子技術(shù)(A) 試卷滿分 100 分考試時間:2008年 10月 12日 (第 6周 星期日)題 號一二三四五六七八九十總分評卷得分1、(4分)(1)測得工作在放大電路中幾個半導(dǎo)體三極管三個電極電位、分別為下列各組數(shù)值,試判斷它們是型還是型?是硅管還是鍺管?并確定e、b、c。 ,; ,; ,; ,(4分)(2)電路如圖所示。設(shè)輸入信號,二極管導(dǎo)通壓降可以忽略不計,試畫出輸出電壓的波形。2、(10分)電路如圖所示,晶體管的100,UBE0.7 V,飽和管壓降UCES0.4 V;穩(wěn)壓管的穩(wěn)定電壓UZ4V,正向?qū)妷篣D0.7 V,穩(wěn)定電流IZ5 mA,
2、最大穩(wěn)定電流IZM25 mA。試問:(1)當uI為0 V、1.5 V、25 V時uO各為多少?(2)若Rc短路,將產(chǎn)生什么現(xiàn)象?學(xué) 院: 專 業(yè): 學(xué) 號: 姓 名: 裝 訂 線3、(8分) 試問圖示各電路能否實現(xiàn)電壓放大?若不能,請指出電路中的錯誤。圖中各電容對交流可視為短路。圖(a)
3、; 圖(b)圖(c) 圖(d)4、(10分) 單級放大電路如圖所示,已知Vcc=15V,, 此時調(diào)到,晶體管飽和壓降UCES為1V
4、,晶體管的結(jié)電容可以忽略。試求: (1)靜態(tài)工作點,: (2)中頻電壓放大倍數(shù)、輸出電阻、輸入電阻; (3)動態(tài)范圍=?輸入電壓最大值Ui p=? (4)當輸入電壓的最大值大于Ui p時將首先出現(xiàn)什么失真?5、(8分) 電路如圖所示。晶體管T為3DG4A型硅管,其、rbb'=80。電路中的VCC=24V、RB = 96k、RC =RE=2.4k、電容器C1、C2、C3 的電容量均足夠大、正弦波輸入信號的電壓有效值Ui=1V。試求: (1) 輸出電壓Uo1、Uo2的有效值; (2) 用內(nèi)阻為1
5、0k的交流電壓表分別測量uo1、uo2時,交流電壓表的讀數(shù)各為多少?6、(6分)放大電路如圖(a)所示,晶體管的輸出特性和交、直流負載線如圖(b)所示。已知,。試求: (1)電路參數(shù)、的數(shù)值。 (2)在輸出電壓不產(chǎn)生失真的條件下,最大輸入電壓的峰值。圖(a) 圖(b) 7、(10分)電路如圖(a)所示。已知:
6、RB=300k,RE=5.1k,負載電阻RL=5.1k,信號源內(nèi)阻RS=10k,VCC=12V,C1、C2足夠大,T為硅管,其rbb'=100、=50。試求: (1) 電路靜態(tài)工作點的數(shù)值; (2) 電路動態(tài)指標Au、Ri、Aus(=Uo/Us)的數(shù)值; (3) 電路輸出電阻Ro的數(shù)值。 圖(a) 8、(10分) 有一共基極放大電路如圖所示。其中VCC= 24V、RB1 = 90k、RB
7、2=48k、RC =RE=2.4k、負載電阻RL=2.2k,電容器C1、C2、C3 的電容量均足夠大。晶體管T為3DG4A型硅管,其rbb'=80、。 (1) 試估算靜態(tài)工作點ICQ、UCEQ值; (2) 計算、Ri及Ro值。9、(14分)放大電路如圖所示,已知晶體管 100, , , 。試求放大電路的輸入電阻、輸出電阻及電壓放大倍數(shù) 。10、(15分) 電路如圖所示。已知晶體管T1、T2、T3為特性相同的同型號硅管,它們的UBEQ均為0.7V,rbb'均為80, 均為50;電路中的
8、VCC= 12V,R1 = 10k、R2= 5.1k、R3= 1k、R4= 1.2k、R5 = 3k、R6= 12k、R7 = 20k、R8= 1.2k、R9= 12k、R10 = 5k、R11 = 1.2k、RL=10k;各電容器的電容量均足夠大。試求該多級放大電路的 (1) 電壓放大倍數(shù) ; (2) 輸入電阻Ri及輸出電阻Ro值。 1 (2) 電路如圖(a)所示。設(shè)輸入信號,二極管導(dǎo)通壓降可以忽略不計,試分別畫出輸出電壓的波形。圖 (a)【解題過程】
9、; 在圖(a)所示電路中,當二極管斷開時,二極管兩端的電壓等于。所以 當時,二極管截止, 當時,二極管導(dǎo)通, 由此畫出輸出電壓的波形如圖(b)所示。圖 (b)2 電路如圖所示,晶體管的100,UBE0.7 V,飽和管壓降UCES0.4 V;穩(wěn)壓管的穩(wěn)定電壓UZ4V,正向?qū)妷篣D0.7 V,穩(wěn)定電流IZ5 mA,最大穩(wěn)定電流IZM25 mA。試問:(1)當uI為0 V、1.5 V、2.5 V時uO各為多少?(2)若Rc短路,將產(chǎn)生什么現(xiàn)象?【相關(guān)知識】晶體管工作狀態(tài)的判斷,穩(wěn)壓管是否工作在穩(wěn)壓狀態(tài)的判斷以及限流電阻的作用?!窘忸}思路】(1) 根據(jù)uI的值判斷晶體管的工作狀態(tài)。(2) 根據(jù)穩(wěn)壓
10、管的工作狀態(tài)判斷uO的值?!窘忸}過程】(1)當uI0時,晶體管截止;穩(wěn)壓管的電流 在IZ和IZM之間,故uOUZ4 V。 當uI1.5V時,晶體管導(dǎo)通,基極電流 假設(shè)晶體管工作在放大狀態(tài),則集電極電流 由于uOUCES0.4 V,說明假設(shè)成立,即晶體管工作在放大狀態(tài)。 值得指出的是,雖然當uI為0 V和1.5 V時uO均為4 V,但是原因不同;前者因晶體管截止、穩(wěn)壓管工作在穩(wěn)壓區(qū),且穩(wěn)定電壓為4 V,使uO4 V;后者因晶體管工作在放大區(qū)使uO4 V,此時穩(wěn)壓管因電流為零而截止。 當uI2.5 V時,晶體管導(dǎo)通,基極電流 假設(shè)晶體管工作在放大狀態(tài),則集電極電流 在正電源供電的情況下,uO不可能
11、小于零,故假設(shè)不成立,說明晶體管工作在飽和狀態(tài)。 實際上,也可以假設(shè)晶體管工作在飽和狀態(tài),求出臨界飽和時的基極電流為 IB=0.18 mAIBS,說明假設(shè)成立,即晶體管工作在飽和狀態(tài)。 (2)若Rc短路,電源電壓將加在穩(wěn)壓管兩端,使穩(wěn)壓管損壞。若穩(wěn)壓管燒斷,則uOVCC12 V。 若穩(wěn)壓管燒成短路,則將電源短路;如果電源沒有短路保護措施,則也將因輸出電流過大而損壞3 試問圖示各電路能否實現(xiàn)電壓放大?若不能,請指出電路中的錯誤。圖中各電容對交流可視為短路。圖(a) &
12、#160; 圖(b)圖(c)
13、0; 圖(d)【相關(guān)知識】放大電路的組成原理?!窘忸}思路】放大電路的作用是把微弱的電信號不失真地放大到負載所需要的數(shù)值。即要求放大電路既要有一定的放大能力,又要不產(chǎn)生失真。因此,首先要檢查電路中的晶體管(非線性器件)是否有合適的直流偏置,是否工作在放大狀態(tài)(線性狀態(tài)),其次檢查信號源、放大器和負載之間的信號傳遞通道是否暢通,并具有電壓放大的能力?!窘忸}過程】 圖(a)電路不能實現(xiàn)電壓放大。電路缺少集電極電阻,動態(tài)時電源相當于短路,輸出端沒有交流電壓信號。 圖(b)電路不能實現(xiàn)電壓放大。電路中缺少基極偏置電阻,動態(tài)時電源相當
14、于短路,輸入交流電壓信號也被短路。 圖(c) 電路也不能實現(xiàn)電壓放大。電路中晶體管發(fā)射結(jié)沒有直流偏置電壓,靜態(tài)電流,放大電路工作在截止狀態(tài)。 圖(d)電路能實現(xiàn)小信號電壓放大。為了保證輸出信號不失真(截止、飽和),當輸入信號為正時,應(yīng)不足以使三極管飽和;當輸入信號為負時,應(yīng)不會使三極管截止。4 單級放大電路如圖所示,已知Vcc=15V,, 此時調(diào)到,晶體管飽和壓降UCES為1V,晶體管的結(jié)電容可以忽略。試求: (1)靜態(tài)工作點,: (2)中頻電壓放大倍數(shù)、輸出電阻、輸入電阻; (3)動態(tài)范圍=?輸入電壓最大值Ui p=? (4)當輸入電壓的最大值大于Ui p時將首先出現(xiàn)什么失真?【解題思路】(
15、1)根據(jù)直流通路可求得放大電路的靜態(tài)工作點。(2)根據(jù)交流通路可求得放大電路的、。(3)根據(jù)靜態(tài)工作點及交流負載線的斜率可求得動態(tài)范圍,同時可判斷電路出現(xiàn)失真的狀況(4)根據(jù)電壓放大倍數(shù)和動態(tài)范圍可求出Ui p?!窘忸}過程】(1)采用估算法求解靜態(tài)工作點。由圖可知 故 (2)利用微變等效電路法,求解放大電路的動態(tài)指標。 (3)由于,即電路的最大不失真輸出電壓受截止失真的限制,故電路的動態(tài)范圍 輸入電壓最大
16、值(4)由上述分析可知,當輸入電壓的最大值大于U ip時,電路將首先出現(xiàn)截止失真。5 電路如圖所示。晶體管T為3DG4A型硅管,其、rbb'=80。電路中的VCC=24V、RB = 96k、RC =RE=2.4k、電容器C1、C2、C3 的電容量均足夠大、正弦波輸入信號的電壓有效值Ui=1V。試求: (1) 輸出電壓Uo1、Uo2的有效值; (2) 用內(nèi)阻為10k的交流電壓表分別測量uo1、uo2時,交流電壓表的讀數(shù)各為多少?【解題思路】 (1)根據(jù)共射極、共集電極放大電路的開路電壓放大倍數(shù)
17、求。 (2)根據(jù)時共射極、共集電極放大電路的電壓放大倍數(shù)求?!窘忸}過程】 (1)
18、; (2) 設(shè)表內(nèi)阻為RL,則 由以上計算結(jié)果可見,信號由發(fā)射極輸出時,因電路
19、輸出電阻小而帶負載能力強?!境R婂e誤】 容易忽視電壓表內(nèi)阻對被測電路的負載效應(yīng)。6 放大電路如圖(a)所示,晶體管的輸出特性和交、直流負載線如圖(b)所示。已知,。試求: (1)電路參數(shù)、的數(shù)值。 (2)在輸出電壓不產(chǎn)生失真的條件下,最大輸入電壓的峰值。圖(a)
20、 圖(b) 【解題思路】 (1)由直流負載線可獲得放大電路的靜態(tài)工作點; (2)由交流負載線可獲得放大電路的一些動態(tài)參數(shù)及輸出電壓不失真時最大的輸入電壓。【解題過程】 (1)從輸出特性和直流負載線可以看出,。由交流負載線可看出最大不失真輸出電壓幅值受截止失真的限制,輸出電壓幅值的最大值 由 可以算出 由 可以算出 由 可以算出 (2)由圖 (b)看出 , 則
21、 所以 輸出電壓不產(chǎn)生失真時的最大輸入電壓的峰值【另一種解法】在計算最大不失真輸入電壓峰值時,還可通過計算確定,然 后利用的關(guān)系求解。 由圖(b)可知,當輸入信號增大時,放大電路將首先產(chǎn)生截止失真。而電路不產(chǎn)生截止失真的臨界條件是: 即
22、160; 而 故7 電路如圖(a)所示。已知:RB=300k,RE=5.1k,負載電阻RL=5.1k,信號源內(nèi)阻RS=10k,VCC=12V,C1、C2足夠大,T為硅管,其rbb'=100、=50。試求: (1) 電路靜態(tài)工作點的數(shù)值;
23、60;(2) 電路動態(tài)指標Au、Ri、Aus(=Uo/Us)的數(shù)值; (3) 電路輸出電阻Ro的數(shù)值。 圖(a) 【相關(guān)知識】 共集電極電路的靜、動態(tài)分析方法?!窘忸}思路】 (1)根據(jù)放大電路的直流通路求靜態(tài)工作點的數(shù)值。 (2)根據(jù)放大電路的微變等效電路求Au、Ri、Ro?!窘忸}過程】 (1) 求靜態(tài)工作點。畫出直流通路如圖 (b)所示。圖(b) 對于晶體管的發(fā)射結(jié)組成的回路,有 取UBEQ=0.7V,代入上式,可求得 (2) 畫出放大電路的微變等效電路如圖 (c
24、)所示。圖(c) 因,故 代入數(shù)據(jù),得 畫出求Ro的等效電路如圖(d)所示,由于該放大電路所輸入的信號源有內(nèi)阻,所以在畫求Ro的
25、等效電路時,將Us短路,但保留RS。圖(d) 由圖可見: 令 ,有
26、160; 代入上式,得
27、; 代入有關(guān)參數(shù),可求得電路的輸出電阻 8 有一共基極放大電路如圖所示。其中VCC= 24V、RB1 = 90k、RB2=48k、RC =RE=2.4k、負
28、載電阻RL=2.2k,電容器C1、C2、C3 的電容量均足夠大。晶體管T為3DG4A型硅管,其rbb'=80、。 (1) 試估算靜態(tài)工作點ICQ、UCEQ值; (2) 計算、Ri及Ro值?!鞠嚓P(guān)知識】 共基極放大電路、戴維寧定理?!窘忸}思路】 (1)根據(jù)放大電路的直流通路求靜態(tài)值。 (2)根據(jù)放大電路的微變等效電路求Au、Ri、Ro?!窘忸}過程】 (1) 本題電路中,基極電流較大,應(yīng)利用戴維南定理等效,并考慮偏置電阻的影響后,計算靜態(tài)工作點。
29、 UCEQVCCICQ (RC +RE)=241.87×(2.4+2.4)=15V (2)
30、60; Ro=RC = 2.4 kW9 放大電路如圖所示,已知晶體管 100, , , 。試求放大電路的輸入電阻、輸出電阻及電壓放大倍數(shù) ?!鞠嚓P(guān)知識】 共集共射和共射共集組合放大電路。【解題過程】 該電路為共集、共射和共集三級直接耦合放大電路,也可看作共集共射共集組合放大電路。 為了保證輸入和輸出端的直流電位為零,電路采用了正、負電源,并且用穩(wěn)壓管Dz和二極管D1分別墊高T2、T3管的射極電位。在動態(tài)分析時,因Dz和D1的動態(tài)電阻很小,可視為短路。 (1)多級放大電路的輸入電阻由第一級
31、電路的輸入電阻決定。 (2)多級放大電路的輸出電阻由最后一級電路的輸出電阻決定。 (3)電壓放大倍數(shù)Aus等于各級電路電壓放大倍數(shù)的乘積。10 電路如圖所示。已知晶體管T1、T2、T3為特性相同的同型號硅管,它們的UBEQ均為0.7V,rbb'均為80, 均為50;電路中的VCC= 12V,R1 = 10k、R2= 5.1k、R3= 1k、R4= 1.2k、R5 = 3k、R6= 12k、R7 = 20k、R8= 1.2k、R9= 12k、R10 = 5k、R11 = 1.2k、RL=10k;各電容器的電容量均足夠大。試求該多級放大電路的 (1) 電
32、壓放大倍數(shù) ; (2) 輸入電阻Ri及輸出電阻Ro值?!窘忸}思路】 (1)對放大電路進行靜態(tài)方法,求得各晶體管的輸入電阻rbe。 (2)根據(jù)多級放大電路的動態(tài)分析方法,求得 、Ri及Ro?!窘忸}過程】 (1) 先求各級的IEQ 及rbe &
33、#160;
34、0;
35、 求各級的等效負載電阻
36、0; R'L2= R8/ Ri3= R8/ R9/ R10/rbe3+(1+3)( R11/ RL) = 1.2/12/5/0.64+(1+50)×(1.2/10)=0.88 k
37、60; R'L3= R11/ RL= 1.2/10 =1.07 k 求各級的電壓放大倍數(shù)及整個電路的電壓放大倍數(shù)
38、0; =(1.16) ×66.7×0.99 =
39、76.6 (2) Ri= Ri1= R1/ R2/ rbe1= 10/5.1/0.56=0.48 k 第二級的輸出電阻Ro2(= R8)是第三級的信號源內(nèi)阻,故【例2-20】圖示電路是由共集電極電路與共射極電路組成的共集共射放大電路。這種電路既具有高的輸入電阻,又具有高的電壓放大倍數(shù)。已知 , , 。試求電路的電壓放大倍數(shù) 、輸入電阻 和輸出電阻 ?!窘忸}過程】 阻容耦合放大多級放大電路的動態(tài)、靜態(tài)分析放大法?!窘忸}思路】 (1)對放大電路進行靜態(tài)分析,求出兩個晶
40、體管的輸入電阻 和 。 (2)根據(jù)放大電路的微變等效電路可求得放大電路的 、 和 。【解題過程】 (1)估算兩級電路的靜態(tài)工作點,計算兩個晶體管的輸入電阻 和 第一級 第二級 對基極回路進行戴維寧等效,得 故 (2)計算電路的電壓放大倍數(shù)及輸入、輸出電阻 因為電路第一級為共集電極放大電路,第二級為共射極放大電路。故 又因為第二級電路的輸入電阻 整個電路的輸入電阻 整個電路的輸出電阻【例2-21】 某多級放大電路如圖所示。圖中兩級放大器之間采用了直接耦合方式。(1)設(shè) , , , , 。計算放大電路的輸入電阻 和輸出電阻 ;(2)如果兩只管子的 均近似為零,
41、,其余參數(shù)不變。在 斷開后,求 和 。【相關(guān)知識】 多級放大電路的動態(tài)分析方法。【解題思路】 根據(jù)放大電路的微變等效電路可求得放大電路的 和 ?!窘忸}過程】 (1)由于放大電路是由兩級共集電級放大電路組成。所以電路的輸入電阻 式中 為第二級放大電路的輸入電阻, 。 代入有關(guān)參數(shù)得 電路的輸出電阻 式中, 為第一級的輸出電阻 代入有關(guān)參數(shù)得 (2)在 斷開,并且 均近似為零時,由于 電路的輸入電阻 又由于 電路的輸出電阻【例2-23】電路如圖所示。已知:晶體管的、rbb、C、f均相等,所有電容的容量均相等;靜態(tài)時所有電路中晶體管的發(fā)射極電流IEQ均相等。定性分析各電路,將結(jié)論填入空
42、內(nèi)。(1)低頻特性最差即下限頻率最高的電路是_;(2)低頻特性最好即下限頻率最低的電路是_;(3)高頻特性最差即上限頻率最低的電路是_?!鞠嚓P(guān)知識】 單管放大電路的耦合方式,放大電路的頻率特性,電容所在回路的時間常數(shù)【解題思路】 (1) 確定各電路各耦合電容和極間電容C所在回路。 (2) 分析各耦合電容所在回路等效電阻的大小,從而確定下限截止頻率的大小。 (3) 分析各極間電容C的
43、大小及其所在回路等效電阻的大小,從而確定上限截止頻率的大小?!窘忸}過程】 放大電路中任何一個電容所確定的截止頻率的表達式均為 為該電容所在回路的時間常數(shù),求解本題的關(guān)鍵是正確判斷各電容所在回路等效電阻的大小。 此外,須知以下基本知識:晶體管的跨導(dǎo)、be極間電容和be間等效電容的表達式,為gmIEQ/UT 放大電路輸入端耦合電容所在回路的等效電阻為(Rs+Ri),Ri為輸入電阻;輸出端耦合電容所在回路的等效電阻為(Ro+RL),Ro為輸入電阻;圖(a)所示電路中發(fā)射極旁路電容所在回路的等效電阻為 ,相當于射極輸出器的輸出電阻。 圖示四個電路的耦合電容、旁路電容均為10 F,輸出電阻均為5 k,信號源內(nèi)阻均為1 k; 由于C、f均相等,C均相等;由于IEQ均相等,各電路中晶體管的gm均相等。電路(a)、(b)、(d)的輸入電阻均約為1 k。由于電路(d)空載,它的C是其它三個電路的兩倍。 (1)由于電路(a)中的Ce所在回路的等效電阻最小,因而下限頻率最高。 (2)由于電路(c)和(d)均只有一個耦合電容,比較兩個電容所在回路的等效電阻,電路(c)的更大些,故電路(c)的下限頻率最低。 (3)由于電路(a)
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