晶體管原理復(fù)習(xí)(1)

1、晶體管原理復(fù)習(xí)CH2. 雙極型晶體管（BJT）1 名詞解釋基區(qū)寬度調(diào)變效應(yīng)（厄利效應(yīng)）；基區(qū)擴展效應(yīng)（kirk 效應(yīng)）；發(fā)射結(jié)電流集邊效應(yīng) 2下圖為pnp雙極型晶體管的載流子輸運示意圖）試根據(jù)圖示定義定義該晶體管的共基電流增益，共射電流增益，注入效率，基區(qū)輸運系數(shù)。）證明關(guān)系式；成立。畫出pnp晶體管四種工作狀態(tài)（放大，飽和，截止，反轉(zhuǎn)）下）少子分布示意圖。）能帶圖。3）畫出BJT的輸出特性曲線圖，并在其上標(biāo)注上述四種工作狀態(tài)的位置。下圖為一典型的npn晶體管的摻雜分布示意圖，試從圖示說明采取何種措施可提高晶體管的注入效率，基區(qū)輸運系數(shù)。 試述異質(zhì)結(jié)晶體管(HBT)相對于同質(zhì)結(jié)晶體管有哪些優(yōu)勢

2、，并說明原因。6晶體管的頻率響應(yīng)延遲時間，即信號從發(fā)射極輸入，從集電極輸出的信號延遲時間為 1)試說出每個時間因子所代表的物理含義，并寫出相關(guān)公式 2)要提高頻率響應(yīng)特性應(yīng)采取什么措施？7下圖為某BJT的電流放大倍數(shù)的頻率特性示意圖， 1）定義截止頻率，特征頻率。 2）寫出截止頻率，特征頻率之間的關(guān)系式。8雙極晶體管的開關(guān)過程即晶體管從飽和區(qū)向截止區(qū)轉(zhuǎn)換的過程，試定性描述晶體管的開關(guān)過程。9.畫出理想BJT的低頻、高頻小信號等效電路圖CH3: MOSFET1 名詞解釋：平帶電壓，閾值電壓，亞閾值電流，溝導(dǎo)電導(dǎo)，溝導(dǎo)跨導(dǎo)，短溝道效應(yīng),DIBL效應(yīng)、熱載流子效應(yīng)、本體穿通，等比例縮小，CMOS器件的閂鎖效應(yīng)。2。下圖為一MOS器件半導(dǎo)體表面電荷密度隨表面勢的變化關(guān)系示意圖，試在圖上標(biāo)出積累區(qū)，耗盡區(qū)，弱反型區(qū)，強反型區(qū)。3下圖為某半導(dǎo)體薄膜的C-V示意圖 1）判斷該半導(dǎo)體的導(dǎo)電類型 2）定性說明高頻C-V形成的物理過程。 3）低頻，高頻C-V曲線差異的形成原因。 4。簡明敘述MOSFET的工作原理。5在推導(dǎo)MOSFET的電流-電壓方程時作了哪幾點假設(shè)?對于短溝道MOSFET這些假設(shè)是否合理，為什么？6畫出n溝道增強型，n溝道耗盡型，p溝道增強型，p溝道耗盡型MOSFET的結(jié)構(gòu)示意圖，輸出特性曲線，轉(zhuǎn)移特性曲線。7已知MOSFET閾值電壓的表達(dá)式為