高中化學(xué)選修三(人教版)知識(shí)要點(diǎn)

1、第一章 原子結(jié)構(gòu)與性質(zhì)第一節(jié) 原子結(jié)構(gòu)【知識(shí)點(diǎn)】 開(kāi)天辟地現(xiàn)代大爆炸宇宙學(xué)理論宇宙大爆炸之初，產(chǎn)生了氫、氦、鋰三種元素；元素不斷演變出新的元素，至今氫仍為88.6%，是宇宙中含量最高的元素。氫與氦共占宇宙元素總量的99.7%?！局R(shí)點(diǎn)】 能層和能級(jí)一、能層：按電子能量差異，將核外電子分為不同能層。 說(shuō)明：能層也就是我們常規(guī)意義上的電子層，用K、L、M等表示。二、能級(jí)：同一能層電子（會(huì)互相影響），能量不同；同一能層中的電子可以分為能級(jí)。 1、每一能層的能級(jí)都從s開(kāi)始；依次為s，p，d，f； 說(shuō)明：同一能層中能級(jí)的能量一次升高，E(ns)E(np)；但是在不同的能層中這個(gè)規(guī)律不一定成立，比如E(3

2、s)E(2p)；不同能層的同一能級(jí)的能量從內(nèi)到外依次升高，比如E(1s)E(2s)；同一能層中的同一能級(jí)的不同軌道的能量是相等的；不同能層的能級(jí)的能量大小，可以根據(jù)構(gòu)造原理進(jìn)行比較。2、每一層的能級(jí)數(shù)目就是能層序數(shù)；比如第一層只有1個(gè)s能級(jí)。3、能層不同的各能級(jí)容納電子數(shù)目為s2，p6，d10，f14。各能級(jí)所能容納的最多電子數(shù)和能層數(shù)目無(wú)關(guān)。4、每一能層最多容納電子數(shù)目為2n2?！局R(shí)點(diǎn)】 構(gòu)造原理、電子排布式、電子排布圖（上海稱(chēng)為“電子排布的軌道表示式”）一、構(gòu)造原理電子排布并不是簡(jiǎn)單的按照能層能量的大小順序進(jìn)行排布。而是按照一定的能級(jí)順序，先填滿(mǎn)低能量的能級(jí)再排滿(mǎn)高能量的能級(jí)。這個(gè)規(guī)律就

3、稱(chēng)為“構(gòu)造原理”。構(gòu)造原理示意圖（用順序代替）：1s2s2p3s3p4s3d4p說(shuō)明：電子按照構(gòu)造原理進(jìn)行排布，可以使整個(gè)原子的能量處于最低狀態(tài)。 注意：構(gòu)造原理決定的是電子排布的先后順序，不可以和原子失去電子的順序混淆。價(jià)電子電離順序?yàn)椋簄pnp（n-1）d（n-2）f（根據(jù)天津大學(xué)無(wú)機(jī)化學(xué)第三版）二、電子排布式根據(jù)構(gòu)造原理表示原子的電子排布的式子。舉例: C的電子排布式：1s22s22p2或者寫(xiě)成：He 2s22p2注意：能層低的能級(jí)寫(xiě)在左邊，而不是完全按照構(gòu)造原理的填充順序進(jìn)行書(shū)寫(xiě)。三、電子排布圖上海地區(qū)稱(chēng)為“電子排布軌道表示式”。不但可以表示出枸橘構(gòu)造原理得到的原子核外電子在能級(jí)和能層

4、中的排布，而且還可以表示出電子在軌道中的排布?！局R(shí)點(diǎn)】電子云、電子云輪廓圖、原子軌道一、電子云 根據(jù)量子力學(xué)，無(wú)法同時(shí)確定電子運(yùn)動(dòng)的時(shí)間和位置。那么表示原子核外的電子的運(yùn)動(dòng)狀態(tài)常用電子云表示。用P表示電子在某處出現(xiàn)的概率，用V表示該處的體積，那么P/V可以表示概率密度。物理意義是：?jiǎn)挝惑w積空間內(nèi)電子出現(xiàn)的概率大小。 電子云則是表示出于一定空間運(yùn)動(dòng)狀態(tài)的電子在原子核外空間的概率密度分比的形象化表示：用小黑點(diǎn)的疏密表示出現(xiàn)概率的大小。二、電子云輪廓圖因?yàn)殡娮釉茍D比較難以繪制，常用電子云的輪廓圖表示電子云的形狀。輪廓圖的大小不影響繪圖的目的，只需要在繪制不同空間狀態(tài)的電子云輪廓圖時(shí)的標(biāo)準(zhǔn)一致就可以

5、，比如都是把P=90%的空間圈起來(lái)。說(shuō)明：同樣是s能級(jí)的電子云輪廓圖，三、原子軌道電子在原子核外的一個(gè)空間運(yùn)動(dòng)狀態(tài)稱(chēng)為一個(gè)原子軌道。不同能級(jí)電子有不同的電子云輪廓圖：s-球形；p-啞鈴型。說(shuō)明：p電子軌道中的三個(gè)軌道是相互垂直的?！局R(shí)點(diǎn)】自旋、泡利原理、洪特規(guī)則一、自旋自旋是電子除了空間運(yùn)動(dòng)狀態(tài)之外的一種運(yùn)動(dòng)狀態(tài)。每個(gè)軌道可以容納兩個(gè)電子，常稱(chēng)之為電子對(duì)，一般用相反的兩個(gè)箭頭表示。這兩個(gè)的電子的運(yùn)動(dòng)狀態(tài)是相反的，一個(gè)順時(shí)針一個(gè)是逆時(shí)針。二、泡利原理在一個(gè)原子軌道中，最多可以容納2個(gè)電子，而且其自旋狀態(tài)相反。三、洪特規(guī)則電子在同一個(gè)能級(jí)中的不同軌道中，基態(tài)原子中的電子總是有限單獨(dú)占據(jù)一個(gè)軌道，

6、而且自選方向是相同的。電子的排布圖的制作要注意考慮電子的排布問(wèn)題。半充滿(mǎn)狀態(tài)的電子排布能量最低，更穩(wěn)定。比如24號(hào)元素Cr的電子排布式為Ar3d54s1，類(lèi)似的排布與構(gòu)造原理有1個(gè)電子的偏差。 第二節(jié) 原子結(jié)構(gòu)與元素的性質(zhì)（重點(diǎn)）【知識(shí)點(diǎn)】元素周期表一、價(jià)電子層這些能級(jí)上的電子數(shù)可在化學(xué)反應(yīng)中發(fā)生變化?？v列上的價(jià)電子數(shù)相等二、元素周期表的分區(qū)（了解）根據(jù)電子排布，元素周期表中的元素可以分為5個(gè)區(qū)；除了ds區(qū)以外，區(qū)的名稱(chēng)來(lái)自于按構(gòu)造原理最后填入電子的能級(jí)的符號(hào)。s區(qū)（第1，2縱列）、d區(qū)（8個(gè)縱列，310縱列）、p區(qū)（6個(gè)縱列，1318縱列）、f區(qū)（鑭系和錒系元素）、ds區(qū)（11和12縱列）。

7、ds區(qū)有2列（11列Cu和12列Zn）。【知識(shí)點(diǎn)】元素周期律一、原子半徑原子的電子層數(shù)越多，電子之間的負(fù)電排斥越大，會(huì)使原子的半徑越大；原子的核電荷數(shù)越大，對(duì)核外電子吸引力越強(qiáng)，原子的半徑越小。規(guī)律總結(jié)：比較兩個(gè)原子或者離子的半徑大小：1、首先看電子層數(shù)，電子層數(shù)大的半徑達(dá)；2、相同的電子層數(shù)，那么核電荷數(shù)大的半徑?。?、核電荷數(shù)和電子層數(shù)都相同的情況下，比較最外層電子數(shù)，電子數(shù)目大的半徑大。二、電離能定義：氣態(tài)電中性的基態(tài)原子，失去一個(gè)電子轉(zhuǎn)化為氣態(tài)基態(tài)正離子所需要的最低能量叫做第一電離能。說(shuō)明：1、對(duì)于這個(gè)概念中的關(guān)鍵詞：氣態(tài)、電中性、基態(tài)原子，都是保證最低能量的前提；2、第一電離能越大，

8、失去電子的趨勢(shì)越小，元素的非金屬性越強(qiáng)；3、同周期元素從左到右元素的第一電離能總體是變大，非金屬在變強(qiáng)；4、同主族元素從上到下，第一電離能減小，元素的金屬性變強(qiáng)，失電子的趨勢(shì)變大。5、失去一個(gè)電子后的原子變?yōu)殛?yáng)離子，帶正電，再去奪取電子就會(huì)更加困難。所以第二電離能一般要遠(yuǎn)大于第一電離能。注意：特殊的第一電離能大小比較。上面提到了一般情況下同一周期元素從左到右元素的第一電離能會(huì)變大，但是要注意一些常見(jiàn)的反例和分析方法：反例：BeB；NO；MgAl；PS；反例分析：根據(jù)hunt規(guī)則，同一能級(jí)中電子排布時(shí)，總是有限單獨(dú)占據(jù)一個(gè)軌道，而且自旋方向相同。這個(gè)狀態(tài)我們習(xí)慣稱(chēng)為半充滿(mǎn)狀態(tài)，能量比較低。N的電

9、子排布式為1s22s22p3，是一個(gè)半充滿(mǎn)的結(jié)構(gòu)，這個(gè)結(jié)構(gòu)比較穩(wěn)定，打破這個(gè)穩(wěn)定態(tài)失去1個(gè)電子需要的能量就會(huì)比較高，表現(xiàn)為第一電離能比O要略高?？偨Y(jié)：通常同周期A(yíng)族元素第一電離能A族元素；同周期A(yíng)族元素電離能A族元素。三、電負(fù)性1、原子之間形成的相互作用稱(chēng)為化學(xué)鍵，原子中用于形成化學(xué)鍵的電子稱(chēng)為鍵和電子。電負(fù)性用于描述不同元素原子對(duì)于鍵和電子的吸引力。2、規(guī)律：電負(fù)性大的原子，對(duì)鍵和電子的吸引力大；同周期元素從左到右，原子的電負(fù)性變大；同主族元素從上到下，原子的電負(fù)性變小。3、標(biāo)準(zhǔn)：電負(fù)性的計(jì)算標(biāo)準(zhǔn)：F的電負(fù)性為4，Li的電負(fù)性為1；4、應(yīng)用：一般來(lái)說(shuō)，成鍵的兩個(gè)原子的電負(fù)性的差值1.7，那么

10、兩個(gè)原子之間的鍵是共價(jià)鍵；否則，一般是離子鍵。從這一點(diǎn)出發(fā)來(lái)看，離子鍵是極性更強(qiáng)的共價(jià)鍵。成鍵的兩個(gè)原子中電負(fù)性大的，也就是吸引電子能力強(qiáng)的，通常是顯負(fù)價(jià)。金屬元素的電負(fù)性一般1.8，非金屬元素的電負(fù)性一般大禹1.8，金屬和非金屬分界線(xiàn)附近的元素的電負(fù)性在1.8左右。對(duì)角線(xiàn)規(guī)則可以用電負(fù)性的理論去解釋。根據(jù)電負(fù)性的大小判斷成鍵的兩個(gè)原子的價(jià)態(tài)正負(fù)。第二章 分子結(jié)構(gòu)與性質(zhì)第一節(jié) 共價(jià)鍵【知識(shí)點(diǎn)】共價(jià)鍵一、定義原子和原子之間同構(gòu)共用電子對(duì)形成的相互作用，稱(chēng)為共價(jià)鍵。二、性質(zhì)共價(jià)鍵具有飽和性，飽和性決定了1個(gè)原子可以形成共價(jià)鍵的最多數(shù)目；共價(jià)鍵還有方向性，參與成鍵的原子軌道，總是盡可能的沿著電子出現(xiàn)

11、概率最大的方向重疊，原子軌道重疊越多，形成的化學(xué)鍵越牢固。三、分類(lèi)共價(jià)鍵可以分為鍵和鍵。1、鍵 形成：兩個(gè)原子的s電子、兩個(gè)原子的p電子頭碰頭、一個(gè)原子的s電子和另一個(gè)原子的p電子軌道重疊而成；特征：形成的化學(xué)鍵以成鍵的兩個(gè)原子核連線(xiàn)為對(duì)稱(chēng)軸成軸對(duì)稱(chēng)，可以進(jìn)行旋轉(zhuǎn)操作且保持電子云形狀不變；強(qiáng)度比較大，相對(duì)穩(wěn)定。2、鍵形成：兩個(gè)原子的p電子肩并肩形成特征：鍵的電子云有兩部分，以成鍵的兩個(gè)原子所在平面為鏡面，成鏡面對(duì)稱(chēng)。比較容易斷裂，強(qiáng)度小。四、存在共價(jià)的單鍵一定是鍵；雙鍵和三鍵中都只有1個(gè)鍵，其余是鍵。五、總結(jié)1、共價(jià)鍵包括鍵和鍵；2、不是任意兩個(gè)原子都可以形成共價(jià)鍵，成鍵的兩個(gè)原子的電負(fù)性的差

12、別不能大于1.7，否則形成的是離子鍵?！局R(shí)點(diǎn)】鍵的參數(shù)鍵能、鍵長(zhǎng)、鍵角一、鍵能定義：氣態(tài)基態(tài)原子形成1mol化學(xué)鍵釋放的最低能量。說(shuō)明：原子失去電子會(huì)吸收能量，得到電子會(huì)釋放能量，因此兩個(gè)原子成鍵時(shí)會(huì)放出能量。拓展：鍵能的定義可以拓展為：形成或者斷開(kāi)1mol化學(xué)鍵所要釋放或吸收的最低能量。注意：鍵能越大，斷開(kāi)化學(xué)鍵所要吸收的能量就越大，化學(xué)鍵就會(huì)越穩(wěn)定。二、鍵長(zhǎng)定義：形成共價(jià)鍵的兩個(gè)原子之間的核間距。規(guī)律：一般鍵長(zhǎng)越短，鍵能越大。這個(gè)規(guī)律只適用于同類(lèi)化學(xué)鍵。三、鍵角定義：原子數(shù)超過(guò)2的分子中，兩個(gè)共價(jià)鍵之間的夾角。說(shuō)明：鍵角決定了分子的空間構(gòu)型?！局R(shí)點(diǎn)】等電子原理一、定義：原子總數(shù)相同，價(jià)

13、電子總數(shù)相同的分子具有相似的化學(xué)鍵特征，化學(xué)性質(zhì)也接近。二、說(shuō)明：1、這個(gè)原理可以拓展到原子和離子、離子和離子之間；2、相同的是價(jià)電子數(shù)，而不是總的電子數(shù)，比如硫酸根和四氯化碳是等電子體，僅僅是價(jià)電子數(shù)相同。第二節(jié) 分子的空間構(gòu)型【知識(shí)點(diǎn)】?jī)r(jià)層電子互斥理論一、定義：價(jià)層電子互斥理論認(rèn)為，分子的立體構(gòu)型是“價(jià)層電子對(duì)”相互排斥的結(jié)果。 解釋?zhuān)骸皟r(jià)層電子對(duì)”指的是中心原子的價(jià)電子對(duì)，包括鍵的電子對(duì)和孤電子對(duì)。二、應(yīng)用：根據(jù)價(jià)層電子對(duì)互斥理論來(lái)確定分子的空間構(gòu)型。1、首先確定中心原子的價(jià)電子對(duì)數(shù)目 中心原子上的價(jià)電子對(duì)數(shù)目是鍵數(shù)+孤電子對(duì)數(shù)目 鍵數(shù)=中心原子的成鍵原子數(shù) 孤電子對(duì)數(shù)目=（a-xb）/

14、2 a是中心原子的價(jià)電子數(shù)，對(duì)于主族元素來(lái)說(shuō)就是最外層電子數(shù)目； x是與中心原子結(jié)合的原子數(shù)； b是與中心原子結(jié)合的原子所最多能接受的電子數(shù)=8-價(jià)電子數(shù) 另外，對(duì)于陽(yáng)離子和陰離子來(lái)說(shuō)，a的值需要加上或者減去電荷數(shù)。 2、根據(jù)孤電子對(duì)數(shù)目和成鍵的電子的數(shù)目，根據(jù)價(jià)層電子對(duì)互斥理論，就可以知道分子或者離子的空間構(gòu)型。 說(shuō)明：孤電子對(duì)占據(jù)一定的空間，而且排斥作用更大?！局R(shí)點(diǎn)】雜化軌道理論 在以上分析的基礎(chǔ)上，根據(jù)分子的空間構(gòu)型，就可以知道分子或者離子中的中心原子的雜化軌道類(lèi)型。注意：雜化軌道是為了解釋分子的空間構(gòu)型，而提出的一套理論。該理論認(rèn)為，有s和p軌相互混雜后，得到相同數(shù)目的混合軌道，這些

15、軌道只用于形成鍵或者提供給孤電子對(duì)；且，這些混雜得到的軌道是等效的?！九浜衔锢碚摗侩娮訉?duì)給予接受鍵被稱(chēng)為配位鍵；通常把金屬離子或者原子與某些分子或者離子以配位鍵結(jié)合成的化合物稱(chēng)為配位化合物，也就是配合物。其中提供電子的分子或者離子稱(chēng)為配體。第三節(jié) 分子的性質(zhì)【知識(shí)點(diǎn)】鍵的極性和分子的極性一、極性鍵和非極性鍵形成共價(jià)鍵的兩個(gè)原子因?yàn)殡娯?fù)性的不同，共用電子對(duì)會(huì)發(fā)生一定的偏移，偏移的結(jié)果是成鍵的兩個(gè)原子一個(gè)呈正電性（表示為+），一個(gè)呈負(fù)電性（-），這樣的共價(jià)鍵是非極性共價(jià)鍵。成鍵的兩個(gè)原子是相同原子時(shí)，電子不發(fā)生偏移，形成非極性共價(jià)鍵。注意：極性共價(jià)鍵和非極性共價(jià)鍵是對(duì)共價(jià)鍵進(jìn)行的分類(lèi)。二、分子的極

16、性分子有極性分子和非極性分子之分。分子的正電荷中心和負(fù)電荷的中心如果可以重合，那么這個(gè)分子就是非極性分子；否則是極性分子。說(shuō)明：分子的極性是分子中共價(jià)鍵的極性的向量和。1、如果分子中只含有非極性鍵，那么分子一定是非極性分子；2、如果分子中含有非極性鍵，且分子結(jié)構(gòu)對(duì)稱(chēng)，那么分子沒(méi)有極性；否則分子有極性。【范德華力】一、范德華力即是分子間的作用力。二、影響因素：相對(duì)分子質(zhì)量和分子的極性。分子的極性越大，相對(duì)分子質(zhì)量越大，則分子間作用力越大。三、范德華力的大?。悍兜氯A力比分子間作用力小1-2個(gè)數(shù)量級(jí)。注意：化學(xué)鍵氫鍵范德華力四、應(yīng)用：范德華力越大，該物質(zhì)的熔沸點(diǎn)越高。【氫鍵】一、定義：是除了范德華力

17、之外的另一種分子間的作用力，通常由已經(jīng)與電負(fù)性很強(qiáng)的原子形成共價(jià)鍵的氫原子與另一個(gè)分子中電負(fù)性很強(qiáng)的原子形成。二、舉例：氫鍵普遍存在于已經(jīng)和NOF等電負(fù)性很強(qiáng)的原子形成共價(jià)鍵的H與另外的NOF等電負(fù)性很強(qiáng)的原子之間。三、應(yīng)用：可以解釋冰的密度比水小、接近水的沸點(diǎn)的水蒸氣的相對(duì)分子質(zhì)量大于理論值、誰(shuí)和液氨的沸點(diǎn)反常。溶劑和溶質(zhì)之間如果形成氫鍵，那么溶質(zhì)的溶解性會(huì)較大；四、分子內(nèi)氫鍵 了解即可；比如對(duì)羥基苯甲醛只能在分子間形成氫鍵，鄰羥基苯甲醛可以在分子間形成氫鍵，所以前者的沸點(diǎn)要高?！鞠嗨葡嗳芤?guī)律】?jī)?nèi)容：一般來(lái)說(shuō)，非極性溶質(zhì)在非極性溶劑中的溶解度較大，極性溶質(zhì)在極性溶劑中的溶解度較大。說(shuō)明：相似

18、相溶又是可以延伸到分子結(jié)構(gòu)上，分子結(jié)構(gòu)相似的兩種物質(zhì)相互溶解能力強(qiáng)，比如水和乙醇，分子中都含有相似的羥基。舉例：水是極性溶劑，所以非極性溶質(zhì)在水中的溶解度小，極性溶質(zhì)在水中的溶解度大?！緹o(wú)機(jī)含氧酸分子的酸性】略第三章 晶體的結(jié)構(gòu)和性質(zhì)第一節(jié) 晶體的常識(shí)【知識(shí)點(diǎn)】晶體和非晶體一、定義：晶體是具有明確衍射圖案的固體，反之為非晶體二、本質(zhì)差異1、微觀(guān)結(jié)構(gòu)上，晶體的原子在三維空間里呈周期性有序排列；非晶體的排列相對(duì)無(wú)序。2、晶體有自范性，可以自發(fā)呈現(xiàn)多面體的外形；非晶體不能自發(fā)呈現(xiàn)多面體外形。說(shuō)明：晶體的自范性是晶體中粒子在微觀(guān)空間里呈現(xiàn)周期型有序排列的宏觀(guān)表象。同時(shí)，晶體的物理性質(zhì)上表現(xiàn)出各向異性，

19、也可以反應(yīng)晶體內(nèi)部粒子排列的有序性。三、晶體的形成途徑1、熔融態(tài)的物質(zhì)凝固；2、氣態(tài)物質(zhì)冷卻不經(jīng)液態(tài)直接凝固，也就是凝華；3、溶質(zhì)從溶液中析出。四、鑒別晶體和非晶體的方法1、理論上可以根據(jù)固體物質(zhì)是否具有物理性質(zhì)上的各向異性來(lái)進(jìn)行判斷。2、X-射線(xiàn)衍射實(shí)驗(yàn)：晶體具有明確的衍射圖案?！局R(shí)點(diǎn)】晶胞一、定義：描述晶體結(jié)構(gòu)的基本單元叫做晶胞；說(shuō)明：1、晶體可以看成是晶胞無(wú)隙并置而成。2、無(wú)隙，也就是晶胞之間沒(méi)有任何空隙，并置，是所有晶胞都是平行排列的，取向相同。二、晶胞是8個(gè)頂角相同的最小平行六面體；晶胞的平行面、平行棱相同。三、已知晶胞的結(jié)構(gòu)示意圖，要求晶胞中含有的分子或者原子個(gè)數(shù)，那么需要注意頂

20、點(diǎn)、棱、面的共用參數(shù)。第二節(jié) 分子晶體和原子晶體【知識(shí)點(diǎn)】分子晶體一、定義：只含有分子的晶體二、構(gòu)成：晶體中分子內(nèi)部以共價(jià)鍵結(jié)合，分子之間以范德華力（可能有氫鍵）結(jié)合三、性質(zhì)：因?yàn)槭且苑肿娱g作用力結(jié)合，所有分子晶體的熔沸點(diǎn)往往比較低四、晶體結(jié)構(gòu)：分子晶體中以一個(gè)分子為中心，往往會(huì)有12個(gè)緊鄰的分子，我們成這種特征為分子密堆積。本質(zhì)上是面心立方的結(jié)構(gòu)，每一個(gè)晶胞中有4個(gè)分子。五、常見(jiàn)的分子晶體舉例：1、非金屬的氫化物；2、部分非金屬的單質(zhì)；3、部分非金屬的氧化物；4、大多數(shù)有機(jī)物的晶體；5、幾乎所有的酸。六、特殊的例子：水的晶體冰中，水分子之間的主要作用力是氫鍵，每個(gè)水分子周?chē)?個(gè)緊鄰的分子，

21、空間利用率低，冰的密度較小。冰熔化成水后密度變大，4時(shí)密度最大；溫度再高一些后，熱運(yùn)動(dòng)加劇，密度變小?！局R(shí)點(diǎn)】原子晶體一、定義：晶體的微觀(guān)結(jié)構(gòu)中沒(méi)有分子存在，只有以共價(jià)鍵結(jié)合的原子，整個(gè)晶體是一個(gè)三維的共價(jià)鍵網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，是一個(gè)巨大的分子，可以成為共價(jià)晶體。二、構(gòu)成：原子以共價(jià)鍵相互結(jié)合形成三、性質(zhì)：以共價(jià)鍵相互結(jié)合，晶體的硬度大、熔沸點(diǎn)高。第三節(jié) 金屬晶體【知識(shí)點(diǎn)】金屬鍵一、定義：在金屬晶體中，原子之間以金屬鍵相互結(jié)合。二、電子氣理論：一種解釋金屬鍵的理論，根據(jù)該理論，金屬晶體中有陽(yáng)離子和游離的電子。對(duì)于不同種類(lèi)的金屬而言，金屬鍵有強(qiáng)弱，所以金屬的熔沸點(diǎn)差別比較大。 說(shuō)明：電子氣理論還可以解釋

22、金屬的延展性，電子相當(dāng)于潤(rùn)滑劑?！局R(shí)點(diǎn)】金屬晶體的原子堆積模型一、構(gòu)造模型的前提：把金屬晶體中的原子假設(shè)為等徑球體。二、把金屬原子的球體在同一個(gè)平面內(nèi)的排布可以有兩種情況：一種是非密置層，一種是密置層。三、模型如下： 1、簡(jiǎn)單立方堆積 堆積方式：非密置層直接堆積，相鄰原子在同一條直線(xiàn)上。 典型實(shí)例：Po 晶胞：一個(gè)立方體，每個(gè)晶胞1個(gè)原子。 特點(diǎn)：配位數(shù)為6，空間利用率低。 2、體心立方堆積 堆積方式：非密置層兩層之間有錯(cuò)誤，上一層金屬原子填入下層金屬原子形成的凹穴中，并且式各層的原子稍微分離。 典型實(shí)例：堿金屬 晶胞：每個(gè)晶胞有2個(gè)原子 特點(diǎn)：配位數(shù)為8，空間利用率較高 3、六方最密堆積

23、堆積方式：密置層每?jī)蓪右粋€(gè)循環(huán)進(jìn)行堆積。 典型實(shí)例：金屬鎂 晶胞：每個(gè)晶胞有2個(gè)原子 特點(diǎn)：配位數(shù)為12，空間利用率高。 4、面心立方堆積 堆積方式：密置層每3層一個(gè)循環(huán)進(jìn)行堆積。 典型實(shí)例：金屬銅 晶胞：每個(gè)晶胞有4個(gè)原子 特點(diǎn)：配位數(shù)為12，空間利用率高。四、混合型晶體 石墨晶體第四節(jié) 離子晶體【知識(shí)點(diǎn)】離子晶體一、定義：離子晶體是由陽(yáng)離子和陰離子通過(guò)離子鍵結(jié)合而成的晶體。二、常見(jiàn)的晶型：體心的CsCl型；交替排列的NaCl型?！局R(shí)點(diǎn)】配位數(shù)一、定義：離子晶體中離子的配位數(shù)（C.N.）值的是一個(gè)離子周?chē)钹徑膸喾措姾呻x子的數(shù)目。二、離子晶體的配位數(shù)大小影響因素： 1、幾何因素：正負(fù)離子的半徑比； 2、電荷因素：正負(fù)離子的電荷比； 3、