4英寸單面拋光藍(lán)寶石襯底技術(shù)規(guī)格書(shū)

1、文件名稱：4英寸單面拋光藍(lán)寶石襯底技術(shù)規(guī)格書(shū)編號(hào)：XXX.XXX版本號(hào)：XXXX 頁(yè)碼1文件名稱文件編號(hào)4英寸單面拋光藍(lán)寶石襯底技術(shù)規(guī)格書(shū)xxx.xxx1目的為了標(biāo)準(zhǔn)化4英寸單面拋光藍(lán)寶石襯底的采購(gòu)和使用，特制定本技術(shù)規(guī)格。2適用范圍本技術(shù)規(guī)格規(guī)定了單面拋光藍(lán)寶石襯底的技術(shù)規(guī)格和使用要求，適用于制作4英寸圖襯和外延生長(zhǎng)使用。3技術(shù)要求3.1 規(guī)格要求NO.ItemsSpecificati onDefin iti on1SurfaceOrie ntati on0.20 ° ± 0.1 °晶格面C面往M軸由偏2Orie ntatio nFlat0°±

2、; 0.25 °平邊面為A面3Diameter100± 0.25mmSapphire 直徑4Thick ness650土 15 口 mSapphire 厚度5Primaryflat32 ± 1mmSapphire平邊長(zhǎng)度6WaferEdgeRounded7Fron tsideRough ness< 3?正面粗度是指Sapphire正面的起伏 程度8BacksideRough ness< 0.7 1.5 口 m背面粗度是指Sapphire背面的起伏 程度9TTV< 15 口m總厚度差10LTV< 10 m區(qū)段厚度差11TIR< 10 m

3、12BOW-10rr0(im取一焦平面并以Sapphire中心點(diǎn)為 基準(zhǔn)，中心點(diǎn)形狀高低點(diǎn)的比較。13Warp< 10 口mSapphire以一焦平面為基線，取晶 片彎曲的最高點(diǎn)與最低點(diǎn)的差距即 為WARP其值為正數(shù)。14EPDV 1000晶體缺陷密度/cm215LasermarkBackside非使用面3.2 外觀要求particlepitBumpScratchStain編制審核批準(zhǔn)編制日期審核日期批準(zhǔn)日期4英寸單面拋光藍(lán)寶石襯底技術(shù)規(guī)格書(shū)XXX.XXX3.3 Lasermark 要求3.3.1 打在非使用面、字跡清晰可見(jiàn)、打頭字母代表廠家3.3.2 位置、大小要求如下圖A- 11*2

4、0）OiieiiEKioi FU:Marking位置：距離Flatlength 邊緣約1mmMarking內(nèi)容：字母+數(shù)字如 ABCD1234*總體尺寸：約1mm（字高）*12mm（總寬度）文字方向：從左至右朝上如 ABCD1234*編制審核批準(zhǔn)編制日期審核日期批準(zhǔn)日期文件名稱：4英寸單面拋光藍(lán)寶石襯底技術(shù)規(guī)格書(shū)編號(hào)：xxx.xxx 版本號(hào)：xxxx頁(yè)碼2文件名稱文件編號(hào)4英寸單面拋光藍(lán)寶石襯底技術(shù)規(guī)格書(shū)xxx.xxx4使用要求4.1可直接使用于外延反應(yīng)爐生長(zhǎng)；4.2可先制作圖形加工，再使用于外延反應(yīng)爐生長(zhǎng)。5包裝要求5.1產(chǎn)品包裝：采用防靜電袋包裝兩層，內(nèi)、外層都抽真空，下圖所示，文件名稱：

5、4英寸單面拋光藍(lán)寶石襯底技術(shù)規(guī)格書(shū)編號(hào)：xxx.xxx 版本號(hào)：xxxx頁(yè)碼2文件名稱：4英寸單面拋光藍(lán)寶石襯底技術(shù)規(guī)格書(shū)編號(hào)：xxx.xxx 版本號(hào)：xxxx頁(yè)碼2標(biāo)簽上的內(nèi)容包括Spec、LOTNOWaferNO CassetteNO QTY每盒25片。并帖上標(biāo)簽，如標(biāo)簽材質(zhì)為無(wú)塵紙。編制審核批準(zhǔn)編制日期審核日期批準(zhǔn)日期文件名稱：4英寸單面拋光藍(lán)寶石襯底技術(shù)規(guī)格書(shū)編號(hào)：xxx.xxx版本號(hào)：XXXX頁(yè)碼3文件名稱文件編號(hào)4英寸單面拋光藍(lán)寶石襯底技術(shù)規(guī)格書(shū)XXX.XXX5.2運(yùn)輸包裝：外殼為紙箱包裝，內(nèi)放為間隔放置，如下圖所示,防震材料為聚苯乙烯泡沫板，保證在運(yùn)輸中不因碰撞、摔傷，而造成破裂、變形、吸潮等有害缺陷；包裝無(wú)泄漏。6每批供貨時(shí)必須有質(zhì)量書(shū)6.1抽取比例為10%6.2質(zhì)量書(shū)內(nèi)容為第3項(xiàng)中的所有項(xiàng)目，另外還需提供規(guī)格檢測(cè)結(jié)果 wafermapping圖、外觀檢測(cè) 結(jié)果 wafermapp ing 圖