原理與接口技術(shù)-第5章

1、第第5章章 存儲(chǔ)器系統(tǒng)存儲(chǔ)器系統(tǒng)l【學(xué)習(xí)目標(biāo)學(xué)習(xí)目標(biāo)】l本章首先以半導(dǎo)體存儲(chǔ)器為對(duì)象，在討論存儲(chǔ)器及其基本電路、基本知識(shí)的基礎(chǔ)上，討論存儲(chǔ)芯片及其與CPU之間的連接和擴(kuò)充問題。然后，介紹內(nèi)存技術(shù)的發(fā)展以及外部存儲(chǔ)器（如硬盤、光驅(qū)）。最后，介紹存儲(chǔ)管理技術(shù)（如虛擬存儲(chǔ)管理和高速緩存cache技術(shù)）。【學(xué)習(xí)要求】l存儲(chǔ)器的分類、組成及功能。著重理解行選與列選對(duì)1位信息的讀出。l重點(diǎn)掌握位擴(kuò)充與地址擴(kuò)充技術(shù)。l理解存儲(chǔ)器與CPU的連接方法。l了解內(nèi)存條技術(shù)的發(fā)展。l理解存儲(chǔ)器系統(tǒng)的分層結(jié)構(gòu)。l理解虛擬存儲(chǔ)技術(shù)及高速緩存cache技術(shù)的原理。51 存儲(chǔ)器的分類與組成存儲(chǔ)器的分類與組成l計(jì)算機(jī)的存儲(chǔ)器可

2、分為兩大類：一類為內(nèi)部存儲(chǔ)器，其基本存儲(chǔ)組件多以半導(dǎo)體存儲(chǔ)器芯片組成；另一類為外部存儲(chǔ)器，多以磁性材料或光學(xué)材料制造。5.1.1 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的分類半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的分類l半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的分類如圖5.2所示。按使用的功能可分為兩大類：隨機(jī)存取存儲(chǔ)器RAM（random access memory ）和只讀存儲(chǔ)器ROM（read only memory）。5.1.2半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的組成半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的組成l半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的組成框圖如圖5.3所示。它一般由存儲(chǔ)體、地址選擇電路、輸入輸出電路和控制電路組成。1存儲(chǔ)體存儲(chǔ)體l存儲(chǔ)體是存儲(chǔ)1或0信息的電路實(shí)體，它由多個(gè)存儲(chǔ)單元組成，每個(gè)存儲(chǔ)單元賦予一個(gè)編號(hào)，稱為地址

3、單元號(hào)。l每個(gè)存儲(chǔ)單元由若干相同的位組成，每個(gè)位需要一個(gè)存儲(chǔ)元件。 l地址線數(shù)與存儲(chǔ)單元數(shù)的關(guān)系列于表5.1中。 2地址選擇電路地址選擇電路l地址選擇電路包括地址碼緩沖器，地址譯碼器等。l地址譯碼器用來對(duì)地址碼譯碼。l地址譯碼方式有兩種：?jiǎn)巫g碼方式（或稱字結(jié)構(gòu)）；雙譯碼方式（或稱重合譯碼）。3讀寫電路與控制電路讀寫電路與控制電路l讀寫電路包括讀寫放大器、數(shù)據(jù)緩沖器（三態(tài)雙向緩沖器）等。它是數(shù)據(jù)信息輸入和輸出的通道。l外界對(duì)存儲(chǔ)器的控制信號(hào)有讀信號(hào)、寫信號(hào)和片選信號(hào)等，通過控制電路以控制存儲(chǔ)器的讀或?qū)懖僮饕约捌x。只有片選信號(hào)處于有效狀態(tài)，存儲(chǔ)器才能與外界交換信息。5.2 隨機(jī)存取存儲(chǔ)器隨機(jī)存取

4、存儲(chǔ)器l5.2.1 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器l1靜態(tài)RAM基本存儲(chǔ)電路l靜態(tài)RAM的基本存儲(chǔ)電路，是由6個(gè)MOS管組成的RS觸發(fā)器。每一個(gè)觸發(fā)器就構(gòu)成存儲(chǔ)體的一位。2靜態(tài)靜態(tài)RAM的組成的組成l靜態(tài)RAM的結(jié)構(gòu)一般由存儲(chǔ)體、譯碼電路和控制電路組成。一個(gè)RAM芯片的存儲(chǔ)容量是有限的，需用若干片才能構(gòu)成一個(gè)實(shí)用的存儲(chǔ)器。這樣，地址不同的存儲(chǔ)單元，可能處于不同的芯片中。一般，片選信號(hào)由地址碼的高位譯碼（通過譯碼器輸出端）產(chǎn)生。3靜態(tài)靜態(tài)RAM的讀寫過程的讀寫過程l1）讀出過程l（1） 地址碼 RAM芯片的地址輸入端 X與Y地址譯碼器譯碼，產(chǎn)生行選與列選信號(hào)，選中某一存儲(chǔ)單元，該單元中存儲(chǔ)

5、的代碼，將出現(xiàn)在I/O電路的輸入端。I/O電路對(duì)讀出的信號(hào)進(jìn)行放大、整形，送至輸出緩沖寄存器。l緩沖寄存器一般具有三態(tài)控制功能，沒有開門控制信號(hào)，所存數(shù)據(jù)還不能送到數(shù)據(jù)總線DB上。l（2） 在送上地址碼的同時(shí)，還要送上讀寫控制信號(hào)和片選信號(hào)。l2）寫入過程l（1）同上述讀出過程（1），先選中相應(yīng)的存儲(chǔ)單元，使其可以進(jìn)行寫操作。l（2）將要寫入的數(shù)據(jù)放在DB上。l（3）加上片選信號(hào)及寫入信號(hào)。這兩個(gè)有效控制信號(hào)打開三態(tài)門使DB上的數(shù)據(jù)進(jìn)入輸入電路，送到存儲(chǔ)單元的位線上，從而寫入該存儲(chǔ)單元。4靜態(tài)靜態(tài)RAM芯片舉例芯片舉例l常用的Intel 6116是CMOS靜態(tài)RAM芯片，屬雙列直插式、24引腳

6、封裝。它的存儲(chǔ)容量為2K8位，其引腳及內(nèi)部結(jié)構(gòu)框圖如圖5.7所示。5.2.2 動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器l動(dòng)態(tài)RAM芯片是以MOS管柵極電容是否充有電荷來存儲(chǔ)信息的，其基本單元電路一般由四管、三管和單管組成，以三管和單管較為常用。l1動(dòng)態(tài)基本存儲(chǔ)電路動(dòng)態(tài)基本存儲(chǔ)電路l1）三管動(dòng)態(tài)基本存儲(chǔ)電路l2）單管動(dòng)態(tài)基本存儲(chǔ)電路2. 動(dòng)態(tài)動(dòng)態(tài)RAM芯片舉例芯片舉例Intel 2116單管動(dòng)態(tài)單管動(dòng)態(tài)RAM芯片的引腳名芯片的引腳名稱稱Intel 2116單管動(dòng)態(tài)單管動(dòng)態(tài)RAM芯片的內(nèi)部結(jié)芯片的內(nèi)部結(jié)構(gòu)框圖構(gòu)框圖5.3 只讀存儲(chǔ)器只讀存儲(chǔ)器l5.3.1只讀存儲(chǔ)器存儲(chǔ)只讀存儲(chǔ)器存儲(chǔ)信息的原理和組成信息

7、的原理和組成lROM的存儲(chǔ)元件及161位的ROM機(jī)構(gòu)圖如圖所示。 5.3.2 只讀存儲(chǔ)器的分類只讀存儲(chǔ)器的分類l1不可編程掩模式不可編程掩模式MOS只讀存儲(chǔ)器只讀存儲(chǔ)器l2可編程只讀存儲(chǔ)器可編程只讀存儲(chǔ)器PROM（Programmable ROM） l3可擦除、可再編程的只讀存儲(chǔ)器可擦除、可再編程的只讀存儲(chǔ)器EPROM（erasable PROM） 5.3.3 常用常用ROM芯片舉例芯片舉例l1Intel 2716芯片芯片l1）Intel 2716的引腳與內(nèi)部結(jié)構(gòu)2716的工作方式的工作方式2716的工作方式如表所示 ：2Intel 2732芯片芯片l2732 EPROM芯片的容量為4K8位，

8、采用HNMOS-E（高速NMOS硅柵）工藝制造和雙列直插式封裝。 3. E2PROM芯片l常用的E2PROM芯片有2816/2816A、2817/2817A/2864A等。其中，以2864A的8K8b的容量為最大，它與6264兼容。l主要特點(diǎn)：能像SRAM芯片一樣讀寫操作，在寫之前自動(dòng)擦除原內(nèi)容。但它并不能像RAM芯片那樣隨機(jī)讀寫，而只能有條件地寫入。l在E2PROM的應(yīng)用中，若需讀某一個(gè)單元的內(nèi)容，只要執(zhí)行一條存儲(chǔ)器讀指令，即可讀出；若需對(duì)其內(nèi)容重新編程，可在線直接用字節(jié)寫入或頁寫入方式寫入。4. Flash ROM芯片l常用的Flash ROM芯片類型和型號(hào)很多。l在PentiumCPU以

9、上的主板中普通采用了Flash ROM芯片來作為BIOS程序的載體。Flash ROM也稱為閃速存儲(chǔ)器，在本質(zhì)上屬于EEPROM。平常情況下Flash ROM與EPROM一樣是禁止寫入的，在需要時(shí)，加入一個(gè)較高的電壓就可以寫入或擦除。為預(yù)防誤操作刪除Flash ROM中的內(nèi)容導(dǎo)致系統(tǒng)癱瘓，一般都在Flash ROM中固化了一小塊啟動(dòng)程序(BOOT BLOCK)用于緊急情況下接管系統(tǒng)的啟動(dòng)。 5.4 存儲(chǔ)器的擴(kuò)充及其與存儲(chǔ)器的擴(kuò)充及其與CPU的連接的連接l5.4.1存儲(chǔ)器的擴(kuò)充存儲(chǔ)器的擴(kuò)充l1位數(shù)的擴(kuò)充位數(shù)的擴(kuò)充2地址的擴(kuò)充地址的擴(kuò)充l當(dāng)擴(kuò)充存儲(chǔ)容量時(shí)，采用地址串聯(lián)的方法。 用用4片片16K8位

10、芯片組成位芯片組成64K8位存位存儲(chǔ)器儲(chǔ)器l用4片16K8位的存儲(chǔ)器芯片（或是經(jīng)過位擴(kuò)充的芯片組）組成64K8位存儲(chǔ)器連接線路示意圖。5.4.2 存儲(chǔ)器與存儲(chǔ)器與CPU的連接的連接l1只讀存儲(chǔ)器與只讀存儲(chǔ)器與8086CPU的連接的連接l兩片2732 EPROM與8086系統(tǒng)總線的連接示意圖。 2靜態(tài)靜態(tài)RAM與與8086 CPU的連接的連接只有兩片6116組成2K字RAM的子系統(tǒng)3EPROM、靜態(tài)、靜態(tài)RAM與與8086 CPU連接的實(shí)例連接的實(shí)例l8086 CPU組成的單處理器系統(tǒng)的典型結(jié)構(gòu)。 地址分配表地址分配表5.5 內(nèi)存條技術(shù)的發(fā)展內(nèi)存條技術(shù)的發(fā)展l1SIMM內(nèi)存內(nèi)存l最初出現(xiàn)在802

11、86主板上的“內(nèi)存條”，采用的是SIMM（Single In-lineMemory Modules，單邊接觸內(nèi)存模組）接口，容量為30線、256KB，一般見到的30線 SIMM都是4條一起使用。 圖5.24 30線 SIMM 內(nèi)存 圖5.25 72線 SIMM 內(nèi)存l在19881990年，PC 技術(shù)進(jìn)入32 位的386和486時(shí)代，推出了72線 SIMM內(nèi)存，它支持32 位快速頁模式內(nèi)存。72線 SIMM內(nèi)存單條容量一般為512KB 2MB，要求兩條同時(shí)使用。5.5 內(nèi)存條技術(shù)的發(fā)展內(nèi)存條技術(shù)的發(fā)展l2EDO DRAM內(nèi)存內(nèi)存l外擴(kuò)充數(shù)據(jù)模式動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器（Extended Data Out DR

12、AM，EDO DRAM）是19911995年之間盛行的內(nèi)存條，其速度比普通的DRAM快1530%。工作電壓為一般為5V，帶寬32位，主要應(yīng)用在486及早期的Pentium計(jì)算機(jī)中，需成對(duì)使用。l3SDRAM內(nèi)存內(nèi)存l自Intel Celeron系列以及AMD K6處理器以及相關(guān)的主板芯片組推出后，EDO DRAM內(nèi)存又被SDRAM內(nèi)存所取代。l第一代SDRAM內(nèi)存為PC66規(guī)范，之后有PC100、PC133、PC150(如圖所示)等規(guī)范。由于SDRAM的帶寬為64位，正好對(duì)應(yīng)CPU的64位數(shù)據(jù)總線寬度，因此它只需要一條內(nèi)存便可工作。5.5 內(nèi)存條技術(shù)的發(fā)展內(nèi)存條技術(shù)的發(fā)展l4Rambus DR

13、AM內(nèi)存內(nèi)存 l與SDRAM不同的是，Rambus DRAM內(nèi)存采用了新一代高速簡(jiǎn)單內(nèi)存架構(gòu)，基于RISC（精簡(jiǎn)指令集計(jì)算機(jī)）理論，可以減少數(shù)據(jù)的復(fù)雜性，使得整個(gè)系統(tǒng)性能得到提高。Intel在推出高頻Pentium以及Pentium 4 CPU的同時(shí)，推出了Rambus DRAM內(nèi)存，它曾一度被認(rèn)為是Pentium 4 的絕配。l5DDR內(nèi)存內(nèi)存l雙倍速率SDRAM（Dual Data Rate SDRAM，DDR SDRAM）簡(jiǎn)稱DDR，它實(shí)際上是SDRAM的升級(jí)版本，采用在時(shí)鐘信號(hào)上升沿與下降沿各傳輸一次數(shù)據(jù)，這使得DDR的數(shù)據(jù)傳輸速度為傳統(tǒng)SDRAM的兩倍。采用184-Pin DIMM的

14、DDR400內(nèi)存條如圖所示。5.5 內(nèi)存條技術(shù)的發(fā)展內(nèi)存條技術(shù)的發(fā)展l6DDR2內(nèi)存內(nèi)存lDDRII SDRAM同樣采用在時(shí)鐘上升/下降沿同時(shí)進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸?shù)姆绞?，但DDRII內(nèi)存擁有兩倍于DDR內(nèi)存預(yù)讀能力，DDRII內(nèi)存的引腳數(shù)為240針。LGA775接口的915/925以及945等支持DDR2內(nèi)存。l7DDR3內(nèi)存內(nèi)存lDDR3在DDR2基礎(chǔ)上采用的新型設(shè)計(jì)，包括：（1）8bit預(yù)取設(shè)計(jì)（DDR2為4bit預(yù)?。＃?）采用點(diǎn)對(duì)點(diǎn)的拓樸架構(gòu)，以減輕地址/命令與控制總線的負(fù)擔(dān)。（3）采用100nm以下的生產(chǎn)工藝，將工作電壓從1.8V降至1.5V。面向64位構(gòu)架的DDR3顯然在頻率和速度上擁有

15、更多的優(yōu)勢(shì)，在功耗方面DDR3也要出色得多。5.6外部存儲(chǔ)器外部存儲(chǔ)器l硬盤是計(jì)算機(jī)最重要的外部存儲(chǔ)設(shè)備，包括操作系統(tǒng)在內(nèi)的各種軟件、程序、數(shù)據(jù)都需要保存在硬盤上，其性能直接影響計(jì)算機(jī)的整體性能。l光盤存儲(chǔ)技術(shù)是采用磁盤以來最重要的新型數(shù)據(jù)存儲(chǔ)技術(shù)，它具有容量大、工作穩(wěn)定可靠以及耐用性強(qiáng)等優(yōu)良性能，特別適合于多媒體應(yīng)用技術(shù)發(fā)展的需要。l5.6.1硬盤硬盤l硬盤的核心部件被密封在凈化腔體內(nèi)，控制電路及外圍電路布置在硬盤背面的一塊電路板上，主要是控制硬盤讀寫數(shù)據(jù)及硬盤與計(jì)算機(jī)之間的數(shù)據(jù)傳輸。電路板上的芯片有主控芯片、緩存芯片等。常見的硬盤接口有兩種，分別是IDE接口和SATA接口。1.硬盤的組成硬

16、盤的組成l硬盤內(nèi)部的主要組成部件有記錄數(shù)據(jù)的磁頭、剛性磁片、馬達(dá)及定位系統(tǒng)、電子線路、接口等。l1）硬盤的磁頭l硬盤磁頭的發(fā)展先后經(jīng)歷了“亞鐵鹽類磁頭”、“MIG（Metal In GAP）磁頭”和“薄膜磁頭”、MR磁頭（Magneto Resistive Heads，即磁阻磁頭）等幾個(gè)階段。此外，技術(shù)更為創(chuàng)新的是采用多層結(jié)構(gòu)，用磁阻效應(yīng)更好的材料制作的GMR磁頭（Giant MagnetoResistive Heads）已經(jīng)在2000年問世。l2）硬盤的磁盤l硬盤內(nèi)部是由金屬磁盤組成的，分為單碟、雙碟與多碟。l3）硬盤的馬達(dá)l硬盤在工作時(shí)，通過馬達(dá)的轉(zhuǎn)動(dòng)將用戶需要存取的數(shù)據(jù)所在的扇區(qū)帶到磁頭

17、下方，馬達(dá)的轉(zhuǎn)速越快，等待存取記錄的時(shí)間也就越短。2.硬盤的分類硬盤的分類l按接口類型，可將硬盤分為IDE硬盤、SATA硬盤和SCSI硬盤。l1）IDE硬盤lIDE硬盤曾廣泛使用。通過專用的數(shù)據(jù)線（40芯IDE排線）與主板的IDE接口相連。 圖5.30 IDE接口硬盤、數(shù)據(jù)線與主板上的IDE接口式樣2.硬盤的分類硬盤的分類l2）SATA硬盤lSATA（Serial ATA）接口的硬盤又叫串口硬盤，是主流的硬盤接口。在傳輸方式上，SATA比PATA先進(jìn)，提高了數(shù)據(jù)傳輸?shù)目煽啃?，還具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、支持熱插拔的優(yōu)點(diǎn)。 圖5.31 SATA硬盤接口、數(shù)據(jù)線與主板上的SATA接口式樣l3）SCSI硬盤lS

18、CSI（Small Computer System Interface，小型計(jì)算機(jī)系統(tǒng)接口）接口是一種廣泛應(yīng)用于小型機(jī)上的高速數(shù)據(jù)傳輸技術(shù)。SCSI硬盤通過SCSI擴(kuò)展卡與計(jì)算機(jī)連接。3.硬盤的幾個(gè)主要參數(shù)硬盤的幾個(gè)主要參數(shù)l1）單碟容量l單碟容量是硬盤重要的參數(shù)之一，單碟容量越大技術(shù)越先進(jìn)。硬盤容量等于單碟容量之和，主流的硬盤容量為320GB、500GB等。l2）硬盤的轉(zhuǎn)速l硬盤內(nèi)主軸的轉(zhuǎn)動(dòng)速度快慢是決定硬盤內(nèi)部傳輸率的關(guān)鍵因素之一。較高的轉(zhuǎn)速可以縮短硬盤的平均尋道時(shí)間。臺(tái)式機(jī)硬盤有5400RPM（轉(zhuǎn)/分鐘）和7200RPM（轉(zhuǎn)/分鐘）兩種轉(zhuǎn)速。l3）硬盤的傳輸速率lIDE接口硬盤的傳輸速率

19、分別為66MB/s、100MB/s、133MB/s；SATA 1.0的傳輸速率為150MB/s，SATA 2.0的傳輸速率為300MB/s。l4）緩存容量l硬盤緩存的大小與速度是直接關(guān)系到硬盤的傳輸速度的重要因素，較大的緩存可提高硬盤整體性能。主流硬盤的緩存容量為8MB、16MB等，一些高端產(chǎn)品的緩存容量甚至達(dá)到了64MB。l5）平均尋道時(shí)間l平均尋道時(shí)間由轉(zhuǎn)速、單碟容量等多個(gè)因素決定，一般來說，硬盤的轉(zhuǎn)速越高，單碟容量越大，其平均尋道時(shí)間就越短。5.6.2光盤驅(qū)動(dòng)器光盤驅(qū)動(dòng)器l1光盤驅(qū)動(dòng)器的分類光盤驅(qū)動(dòng)器的分類l按照讀取方式和讀取光盤類型的不同，可將光盤驅(qū)動(dòng)器分為CD-ROM、DVD-ROM

20、和刻錄機(jī)三種。l1）CD-ROMl只讀光盤驅(qū)動(dòng)器CD-ROM，可讀取CD和VCD兩種格式的光盤，已逐漸停止生產(chǎn)。l2DVD-ROMlDVD-ROM既可讀CD光盤，也可讀DVD光盤，已成為主流的只讀光盤驅(qū)動(dòng)器。3刻錄機(jī)l刻錄機(jī)可以分為CD刻錄機(jī)、DVD刻錄機(jī)以及COMBO。l（1）CD刻錄機(jī)，可讀取和寫入CD光盤。可寫入數(shù)據(jù)的光盤有CD-R和CD-RW。l（2）DVD刻錄機(jī)，不僅可讀取DVD光盤，還可將數(shù)據(jù)刻錄到DVD或CD光盤中，是主流產(chǎn)品。l（3）COMBO刻錄機(jī)，它與DVD刻錄機(jī)的最大不同在于：COMBO只能刻錄CD光盤，而無法刻錄DVD光盤。2光驅(qū)的倍速光驅(qū)的倍速l1）刻錄數(shù)度l（1）CD刻錄速度lCD刻錄速度是指該光儲(chǔ)產(chǎn)品所支持的最大的CD-R刻錄倍速。主流內(nèi)置式CD-RW產(chǎn)品能達(dá)到52倍速的刻錄速度；外置式的CD-RW刻錄機(jī)有48倍速和52倍速等。l（2）DVD刻錄速度lDVD刻錄速度和刻錄品質(zhì)是購買DVD刻錄機(jī)的首要因素，購買時(shí)，盡可能選擇高倍速且刻錄品質(zhì)較好的DVD刻錄機(jī)。l2）讀取速度l（1）CD讀取速度，是指光存儲(chǔ)產(chǎn)品在讀取CD-ROM光盤時(shí)，所能達(dá)到最大光驅(qū)倍速。l（2）DVD讀取速度，是指光存儲(chǔ)產(chǎn)品在讀取D