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文檔簡介
1、溫度對多晶硅太陽電池性能影響的研究賀 煒1, 2,郭愛娟1,孟凡英1,馮仕猛1(1.上海交通大學(xué)物理系太陽能研究所,上海 200240;2.上海風(fēng)光能源科技有限公司,上海 201412)摘 要:對商業(yè)用冶金級和太陽能級多晶硅太陽電池不同溫度下的性能參數(shù)做了分析,驗證了太陽能級硅電池的性能優(yōu)勢。實驗結(jié)果表明,隨著溫度t的升高,開路電壓voc,最大輸出功率pm,轉(zhuǎn)換效率近似線性下降,短路電流isc近似線性上升,填充因子ff的實驗值和理論值變化趨勢一致,當(dāng)t40c時,ff隨t升高明顯下降。對開路電壓voc隨溫度t升高的線性下降速率dvoc/dt進(jìn)行定量分析。disc/dt變化量與dvoc/dt相比可
2、以忽略。關(guān)鍵詞:太陽電池;多晶硅;組件;溫度中圖分類號:tm615 文獻(xiàn)標(biāo)識碼:a0 引 言硅太陽電池由于可靠性高、壽命長、能承受各種環(huán)境變化等優(yōu)點,成為太陽電池的主要品種,而多晶硅材料以澆鑄代替了單晶硅的拉制過程,生產(chǎn)時間縮短,成本下降,是一種較廉價的太陽電池材料。arora等1研究表明,在低溫區(qū)域(100250k)內(nèi),多晶硅電池的串聯(lián)電阻rs比單晶硅電池的rs隨溫度下降得更快。deshmukh2發(fā)現(xiàn)理想因子n隨溫度升高而下降。soto等3給出了一個五參數(shù)模型,使用制造商提供的參數(shù),吸收的太陽光輻射和電池溫度,結(jié)合半經(jīng)驗公式來預(yù)測i-v曲線。本文通過實驗測得不同溫度下多晶硅太陽電池單體和組件
3、的各項性能參數(shù),具體分析了各參數(shù)隨溫度的變化關(guān)系及相互之間的影響。1 實 驗本實驗的樣品選用商業(yè)用冶金級(純度為9599)多晶硅太陽電池和太陽能級(純度在99. 99999以上)多晶硅電池(本文中也分別稱為1#和2#電池),面積為156mm156mm。實驗所用的小型組件分別由10片這兩種電池串聯(lián)而成。太陽電池單體及組件性能參數(shù)測試儀器采用秦皇島博碩光電設(shè)備有限公司生產(chǎn)的太陽能電池測試儀。在標(biāo)準(zhǔn)測試條件下(am1.5,溫度為25c),分別測試電池單體和組件的性能參數(shù),包括開路電壓voc,短路電流isc,最大輸出功率pm,最大功率點電壓vm,最大功率點電流im,填充因子ff,以及電池單體的串聯(lián)電阻
4、rs、并聯(lián)電阻rsh和轉(zhuǎn)換效率。將樣品加熱至65c左右,在降溫過程中用紅外測溫儀監(jiān)測樣品溫度,同時用太陽能電池測試儀測量樣品的性能參數(shù)。2 結(jié)果與討論2.1 isc、voc隨溫度t的變化根據(jù)禁帶寬度與溫度的關(guān)系4, 5 (1)20()gteet溫度升高,禁帶寬度減小,光吸收增加,短路電流isc 也隨之上升。由 isc和 voc之間的關(guān)系可推導(dǎo)出 isc隨溫度的變化率 disc/dt6 (2)00()/1()/0()()ggq voc vktrrq voc vktgdiscqarteatdtktvocvdvocedtt (3)00/ggveq式中,a與溫度無關(guān)的常數(shù);eg0用線性外推方法得到的零
5、度時制造太陽電池所用半導(dǎo)體材料的禁帶寬度,eg01.2ev;kboltzman常數(shù);r包含確定二極管反向飽和電流i0的其余參數(shù)中與溫度有關(guān)的因素,通常在14范圍內(nèi);t電池溫度;q電子電量。理論上,disc/dt與公式的其他項相比可以忽略。在忽略disc/dt的情況下,voc對于溫度t的變化率dvoc/dt記作6: (4)0(/ )gvvocr ktqdvocdtt 對于由10片電池組成的小型實驗組件,。0010ggvv表1 電池單體和組件dvoc/dt與disc/dt的比較table1 comparison between dvoc/dt and disc/dt of both solar c
6、ells and modules1#單體 2#單體 1#組件 2#組件voc/mv 618.2 620.9 6119 6104/mvc-1 -3.13 -2.85 -20.20 -19.40dvocdt/c-1 0.51% 0.46% 0.33% 0.32%/dvoc dtvocisc/ma 6436.9 7670.5 7948 9253 /mac-1 12.19 5.61 7.41 3.43discdt/c-1 0.12% 0.07% 0.09% 0.04%/disc dtisc表1給出了標(biāo)準(zhǔn)測試條件下測得的電池單體和組件的voc、isc,以及用minitab軟件對各溫度下測得的voc、is
7、c線性擬合所得到的disc/dt和dvoc/dt值,并計算dvoc/dt和disc/dt與標(biāo)準(zhǔn)測試條件下voc、isc的比值。由表1可以看出,溫度升高導(dǎo)致voc下降,isc升高。由于冶金級硅比太陽級硅的雜質(zhì)、缺陷含量高,#1電池的voc和isc隨溫度的改變比#2電池劇烈。對于電池單體,雖然dvoc/dt的絕對值比disc/dt小,但是dvoc/dt占voc的百分比要大于disc/dt占isc的百分比,也就是說isc隨溫度的上升量與voc隨溫度的下降量相比可以忽略。同樣對于組件,disc/dt與dvoc/dt相比也可以忽略。將vg01.2v,r3,k=1.3810-23j/k, q=1.610-
8、19c, t取實驗所測得的溫度值,voc取對應(yīng)溫度下測得的開路電壓值,代入公式(4)計算得到dvoc/dt的理論值,并列入表2。表2中電池單體的dvoc/dt實驗測量值下降速率大于理論計算值,而且低溫區(qū)實驗值與理論值的差異比高溫區(qū)大3到4個百分點。電池組件的dvoc/dt實驗測量值與理論計算值差異在1%2%。用minitab軟件對不同溫度下測得的#1和#2電池單體和組件的voc值進(jìn)行線性擬合,結(jié)果如圖1所示。 對于電池單體,由于冶金級電池的雜質(zhì)和缺陷含量大于太陽能級電池,所以#1電池的voc值較小,且隨溫度的下降速率比#2電池快。而兩者的組件voc表2 dvoc/dt的理論計算值與實驗線性擬合
9、值的比較table2 comparison between theoretical values and experiment values of dvoc/dt in the experiment temperature溫度范圍/c /mvc-1 /mvc-1dvocdtdvocdt 理論計算值 實驗線性擬合值#1單體 25.165.1 -2.25 -2.37 -3.13#2單體 25.266.2 -2.22 -2.32 -2.85#1組件 23.163.2 -19.74 -19.74 -20.202#組件 22.758.0 -19.68 -19.72 -19.407060504030206
10、20600580560540520500480度 度 t/ c開路電壓 voc/mv#1單體#2單體a60504030206200610060005900580057005600550054005300溫度 t/c開路電壓 voc/mv#1組件#2組件b圖1 #1和#2電池voc隨t變化實驗值的線性回歸直線對比圖 (a)電池單體;(b)電池組件fig.1 comparison of linear regression line of experimental voc values between #1 and #2 solar cells(a) cells; (b) modules差異則不是很
11、明顯,可能是因為組件封裝材料的影響。決定voc的主要因素是半導(dǎo)體材料的復(fù)合,復(fù)合率越高,voc越低。根據(jù)公式(1) ,溫度升高,禁帶寬度減小,導(dǎo)帶與價帶間載流子的直接復(fù)合概率增大,而且,帶間的俄歇復(fù)合在窄禁帶寬度及高溫情況下起重要的作用7。另外,多晶硅的表面和晶粒邊界由于晶體周期性排列的中斷,在晶體能隙中會產(chǎn)生表面態(tài)和界面態(tài),晶界內(nèi)的雜質(zhì)富集亦會在帶隙中形成缺陷態(tài)8,因此,溫度升高使得以雜質(zhì)和缺陷態(tài)為復(fù)合中心的間接復(fù)合概率增大。這些原因?qū)е聉oc隨溫度的升高而下降,從而影響了太陽能電池的性能。2.2 rs、rsh、ff 隨溫度的變化關(guān)系根據(jù)實驗所測數(shù)據(jù),電池單體的串聯(lián)電阻 rs基本不隨溫度 t
12、 改變。并聯(lián)電阻 rsh隨溫度升高而下降,可能是由于 p-n 結(jié)區(qū)存在的晶體缺陷和雜質(zhì)沉淀引起的內(nèi)部漏電隨著溫度的升高而加重。rsh的下降也是導(dǎo)致 voc隨溫度 t 下降的原因。7060504030767574737271706968溫度 t/c填充因子 ff/%#1單體實驗值#1單體理論值(a)70605040302079787776757473727170溫度 t/c填充因子 ff/%#2單體實驗值#2單體理論值(b)圖 2 ff 理論值和實驗值隨溫度 t 的變化關(guān)系fig.2 theoretical values and experimental values of ff influen
13、ced by temperature t填充因子 ff 的值受到很多參數(shù)的制約,priyanka9給出 (5)(/) /1(/)(im) /(im/)(1/)(/ im)thffvm vocnvvmrs iscvmm iscvm rshrsh vmrs (6)/thvktq其中,n二極管理想因子;mrs隨電壓 v 的變化因子。取 n=1,m=0,則 (7)(/) /1(/)(im) /(1/)(/ im)thffvm vocvvmrs iscvmrsh vmrs將實驗所測得的相關(guān)參數(shù)值帶入到公式(7)中計算出相應(yīng)溫度 t 下的 ff 理論值。ff 理論值和實驗值隨溫度 t 的變化關(guān)系如圖 2。
14、由圖 2 可知,ff 隨溫度 t 變化趨勢的實驗測量值與理論計算值吻合較好。理論計算值稍大于實驗測量值??紤]到公式(7)中各種因素對 ff 的影響,在40c 之前,ff 隨溫度 t 的變化并沒有明顯的規(guī)律可循,當(dāng)溫度 t40c,ff 隨 t 升高明顯下降。2.3pm、 隨溫度的變化電池單體的最大輸出功率 pm和轉(zhuǎn)換效率 以及組件的 pm隨溫度 t 的升高也是近似線性下降的,如圖 3 所示。7060504030203.63.43.23.02.82.62.42.215141312111098溫度 t/c最大輸出功率 pm/w效率 /%#1單體pm#2單體pm#1單體#2單體(a)605040302
15、042403836343230溫度 t/c最大輸出功率 pm/w#1組件pm#2組件pm(b)圖3 電池單體pm、及組件pm隨t變化實驗值的線性回歸直線對比圖。fig.3 comparison of linear regression line of pm and influenced by t根據(jù)太陽電池轉(zhuǎn)換效率公式=pm/p0,當(dāng)入射光p0恒定時,pm和成正比。如圖3(a) ,pm和的下降速率基本一致。而且,無論是電池單體還是組件,冶金級電池最大輸出功率pm和轉(zhuǎn)換效率分別要低于太陽能級電池的相應(yīng)值,所以,用雜質(zhì)及缺陷含量少的太陽級硅制造電池可以獲得較好的電池性能。3結(jié)論隨著溫度t升高,除了
16、isc近似線性上升,voc,pm,都近似線性下降。isc的上升量disc/dt與voc的下降量dvoc/dt相比可以忽略。ff的實驗值與理論值吻合較好,在t40c時,ff隨t升高明顯下降。冶金級多晶硅太陽電池由于雜質(zhì)和缺陷含量比較多,電池的各項性能不如太陽能級多晶硅太陽電池。參考文獻(xiàn)1 arora j d, verma a v, mala bhatnagar. variation of series resistance with temperature and illumination level in diffused junction poly- and single- crystall
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