半導(dǎo)體照明技術(shù)(第十章)

1、 半半 導(dǎo)導(dǎo) 體體 照照 明明 技技 術(shù)術(shù)第十章第十章 LEDLED芯片制造技術(shù)芯片制造技術(shù)本章主要介紹本章主要介紹LED芯片制造工藝流程和制造技術(shù)。芯片制造工藝流程和制造技術(shù)。 半半 導(dǎo)導(dǎo) 體體 照照 明明 技技 術(shù)術(shù)國內(nèi)外芯片公司介紹國內(nèi)外芯片公司介紹 半半 導(dǎo)導(dǎo) 體體 照照 明明 技技 術(shù)術(shù)所在城市公司名稱所在城市公司名稱上海藍(lán)寶武漢華燦藍(lán)光科技元茂大晨迪源深圳世紀(jì)晶源杭州士蘭明芯方大廊坊清芯廣州普光石家莊立德南昌聯(lián)創(chuàng)光電揚(yáng)州華夏集成晶能大連路美廈門三安濟(jì)南華光晶宇國內(nèi)國內(nèi)( (部分部分)LED Chip Company)LED Chip Company 半半 導(dǎo)導(dǎo) 體體 照照 明明 技

2、技 術(shù)術(shù)藍(lán)光藍(lán)光LED芯片基本結(jié)構(gòu)芯片基本結(jié)構(gòu)襯底層襯底層：一般為藍(lán)寶石或SiC，目前研究最熱的是Si襯底。n n型氮化鎵層型氮化鎵層：GaN的n型摻雜比較簡單，摻雜源為IV族元素Si、Ge、Se等 發(fā)光層發(fā)光層：為p型或者n型含銦的氮化鎵，或非摻雜的氮化銦鎵，可通過改變發(fā)光雜質(zhì)的種類來改變禁帶寬度，從而改變發(fā)出光的波長。p p型氮化鎵層：型氮化鎵層：多數(shù)采用p型AlGaN，摻雜主要是Mg 等II族元素p p型接觸層型接觸層：一般采用p型GaN，使之與正電極材料達(dá)到良好的歐姆接觸。 透明導(dǎo)電層：透明導(dǎo)電層：為了將電流有效地分散以達(dá)到均勻發(fā)光，避免所發(fā)的光被p型金屬電極衰減。 半半 導(dǎo)導(dǎo) 體體

3、照照 明明 技技 術(shù)術(shù)Cu Heat SinkingAg ReflectorTransparent ohmic contactP-GaNInGaN/GaN MQWN-GaNITO contact layerN-electrode padLED芯片結(jié)構(gòu)特征 之 單電極芯片基本結(jié)構(gòu):金屬襯底、垂直結(jié)構(gòu) 半半 導(dǎo)導(dǎo) 體體 照照 明明 技技 術(shù)術(shù)芯片基本結(jié)構(gòu):SiC 垂直結(jié)構(gòu)LED芯片結(jié)構(gòu)特征 之 單電極 半半 導(dǎo)導(dǎo) 體體 照照 明明 技技 術(shù)術(shù)GaN-LED芯片的基本結(jié)構(gòu)InGaN MQW active layerSapphire substratep-electrode (Ni/Au)p-elec

4、trode (Ni/Au)p-GaN layern-GaN layerGaN buffer layern-electrode(Ti/Al)LED芯片結(jié)構(gòu)特征 之 雙電極 半半 導(dǎo)導(dǎo) 體體 照照 明明 技技 術(shù)術(shù)芯片基本結(jié)構(gòu):Flip-chipLED芯片結(jié)構(gòu)特征 之 倒裝結(jié)構(gòu) 半半 導(dǎo)導(dǎo) 體體 照照 明明 技技 術(shù)術(shù)半導(dǎo)體半導(dǎo)體技術(shù)與工藝鏈技術(shù)與工藝鏈 襯底片制備襯底片制備單晶生長、磨單晶生長、磨片、拋光片、拋光 外延生長外延生長 MBE MOCVD MBE MOCVD 芯片制作芯片制作光刻、刻蝕、光刻、刻蝕、蒸發(fā)、劃片蒸發(fā)、劃片器件封裝器件封裝貼片、鍵貼片、鍵合、封包合、封包 半半 導(dǎo)導(dǎo) 體體

5、 照照 明明 技技 術(shù)術(shù)第一節(jié)第一節(jié) 制造制造LEDLED芯片的工藝流程芯片的工藝流程 半半 導(dǎo)導(dǎo) 體體 照照 明明 技技 術(shù)術(shù) 半半 導(dǎo)導(dǎo) 體體 照照 明明 技技 術(shù)術(shù)1 1、半導(dǎo)體單晶生長及襯底片加工、半導(dǎo)體單晶生長及襯底片加工 通過對高純原料熔融、化合物單晶生長、切割、磨片、拋光、真空包裝等工藝，制成外延生長用襯底片。包括單晶生長爐、拋光機(jī) 、變頻行星式球磨機(jī) 、晶體切割機(jī)等高純原料高純原料化合物單晶化合物單晶外延用襯底片外延用襯底片 半半 導(dǎo)導(dǎo) 體體 照照 明明 技技 術(shù)術(shù)n元素半導(dǎo)體的代表為硅（元素半導(dǎo)體的代表為硅（SiSi）和鍺（）和鍺（GeGe）；）；也稱為第一代半導(dǎo)體；也稱為第

6、一代半導(dǎo)體；n化合物半導(dǎo)體被稱為第二、三代半導(dǎo)體材料，化合物半導(dǎo)體被稱為第二、三代半導(dǎo)體材料，代表材料：砷化鎵（代表材料：砷化鎵（GaAsGaAs）、磷化銦（）、磷化銦（InPInP）、）、氮化鎵（氮化鎵（GaNGaN）等。）等。 半半 導(dǎo)導(dǎo) 體體 照照 明明 技技 術(shù)術(shù)n 所謂所謂“外延生長外延生長”就是在高真空條件下，采用分就是在高真空條件下，采用分子束外延（子束外延（MBEMBE）、液相外延（）、液相外延（LPELPE）、金屬有機(jī)化學(xué)）、金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積（氣相沉積（MOCVD)MOCVD)等方法，在晶體襯底上，按照某一等方法，在晶體襯底上，按照某一特定晶面生長的單晶薄膜的制備過程特定

7、晶面生長的單晶薄膜的制備過程 。n半導(dǎo)體外延生長主要采用半導(dǎo)體外延生長主要采用MBEMBE和和MOCVDMOCVD工藝。工藝。藍(lán)寶石襯底藍(lán)寶石襯底n-GaN/u-GaNLM-InGaN p-Al0.25Ga0.75NMQW u-In0.04Ga0.96Np-GaN襯底片襯底片外延片外延片2 2、外延生長、外延生長 半半 導(dǎo)導(dǎo) 體體 照照 明明 技技 術(shù)術(shù)3 3、芯片制作、芯片制作 在外延片的基礎(chǔ)上采用光刻、刻蝕、蒸發(fā)、鍍膜、電在外延片的基礎(chǔ)上采用光刻、刻蝕、蒸發(fā)、鍍膜、電極制備、劃片等半導(dǎo)體工藝制作具有一定功能的結(jié)構(gòu)單極制備、劃片等半導(dǎo)體工藝制作具有一定功能的結(jié)構(gòu)單元。主要采用光刻機(jī)、元。主要

8、采用光刻機(jī)、RIERIE、 PECVD PECVD 、離子注入、化學(xué)、離子注入、化學(xué)氣相沉積、磨片拋光、鍍膜機(jī)、劃片機(jī)等半導(dǎo)體工藝設(shè)氣相沉積、磨片拋光、鍍膜機(jī)、劃片機(jī)等半導(dǎo)體工藝設(shè)備。備。外延片外延片圓片圓片芯片芯片 半半 導(dǎo)導(dǎo) 體體 照照 明明 技技 術(shù)術(shù)基本工藝流程基本工藝流程光刻光刻刻蝕刻蝕蒸發(fā)蒸發(fā)濺射濺射退火處理退火處理解理解理MOCVDMOCVD材料外延生材料外延生長長鍍介質(zhì)膜鍍介質(zhì)膜鍍鍍 膜膜解理解理/ /劃片劃片真空包裝真空包裝 半半 導(dǎo)導(dǎo) 體體 照照 明明 技技 術(shù)術(shù)MOCVD外延藍(lán)寶石緩沖層N-GaNp-GaNMQW 半半 導(dǎo)導(dǎo) 體體 照照 明明 技技 術(shù)術(shù)清洗清洗有機(jī)物金屬

9、離子 半半 導(dǎo)導(dǎo) 體體 照照 明明 技技 術(shù)術(shù) n區(qū)光刻區(qū)光刻 半半 導(dǎo)導(dǎo) 體體 照照 明明 技技 術(shù)術(shù)刻蝕刻蝕Cl2+Bcl3+Ar 半半 導(dǎo)導(dǎo) 體體 照照 明明 技技 術(shù)術(shù)去膠去膠3#液 半半 導(dǎo)導(dǎo) 體體 照照 明明 技技 術(shù)術(shù)p電極蒸發(fā)電極蒸發(fā) 半半 導(dǎo)導(dǎo) 體體 照照 明明 技技 術(shù)術(shù)P電極光刻 半半 導(dǎo)導(dǎo) 體體 照照 明明 技技 術(shù)術(shù)P電極腐蝕KI+I2 半半 導(dǎo)導(dǎo) 體體 照照 明明 技技 術(shù)術(shù)去膠丙酮+酒精 半半 導(dǎo)導(dǎo) 體體 照照 明明 技技 術(shù)術(shù)P電極合金O2 半半 導(dǎo)導(dǎo) 體體 照照 明明 技技 術(shù)術(shù)N電極光刻 半半 導(dǎo)導(dǎo) 體體 照照 明明 技技 術(shù)術(shù)N電極蒸發(fā) 半半 導(dǎo)導(dǎo) 體體

10、照照 明明 技技 術(shù)術(shù)N剝離 半半 導(dǎo)導(dǎo) 體體 照照 明明 技技 術(shù)術(shù) N退火N2 半半 導(dǎo)導(dǎo) 體體 照照 明明 技技 術(shù)術(shù)P壓焊點光刻 半半 導(dǎo)導(dǎo) 體體 照照 明明 技技 術(shù)術(shù)P壓焊點蒸發(fā) 半半 導(dǎo)導(dǎo) 體體 照照 明明 技技 術(shù)術(shù)P壓焊點剝離 半半 導(dǎo)導(dǎo) 體體 照照 明明 技技 術(shù)術(shù)鈍化層沉積氣體，功率 半半 導(dǎo)導(dǎo) 體體 照照 明明 技技 術(shù)術(shù)鈍化層光刻 半半 導(dǎo)導(dǎo) 體體 照照 明明 技技 術(shù)術(shù)鈍化層刻蝕 半半 導(dǎo)導(dǎo) 體體 照照 明明 技技 術(shù)術(shù)鈍化層去膠丙酮 半半 導(dǎo)導(dǎo) 體體 照照 明明 技技 術(shù)術(shù)中道終測檢驗 半半 導(dǎo)導(dǎo) 體體 照照 明明 技技 術(shù)術(shù)減薄 半半 導(dǎo)導(dǎo) 體體 照照 明明 技

11、技 術(shù)術(shù)劃片 半半 導(dǎo)導(dǎo) 體體 照照 明明 技技 術(shù)術(shù)裂片 半半 導(dǎo)導(dǎo) 體體 照照 明明 技技 術(shù)術(shù)擴(kuò)膜 半半 導(dǎo)導(dǎo) 體體 照照 明明 技技 術(shù)術(shù)n劃片,裂片工作流程圖劃片前晶片背面劃片后背面劃片后,側(cè)視圖裂片后,側(cè)視圖擴(kuò)膜后,正視圖 半半 導(dǎo)導(dǎo) 體體 照照 明明 技技 術(shù)術(shù)測試分檢 半半 導(dǎo)導(dǎo) 體體 照照 明明 技技 術(shù)術(shù)總的來說，總的來說，LEDLED制作流程分為兩大部分：制作流程分為兩大部分： 1 1、首先、首先在襯低上制作氮化鎵（在襯低上制作氮化鎵（GaNGaN）基的外延片，這個過程）基的外延片，這個過程主要是在金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積外延片爐主要是在金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積外延片爐(MOCV

12、D)(MOCVD)中完成的。準(zhǔn)中完成的。準(zhǔn)備好制作備好制作GaNGaN基外延片所需的材料源和各種高純的氣體之后，按基外延片所需的材料源和各種高純的氣體之后，按照工藝的要求就可以逐步把外延片做好。照工藝的要求就可以逐步把外延片做好。 常用的襯底主要有藍(lán)寶石、碳化硅和硅襯底，還有常用的襯底主要有藍(lán)寶石、碳化硅和硅襯底，還有GaAsGaAs、AlNAlN、ZnOZnO等材料。等材料。 MOCVDMOCVD是利用氣相反應(yīng)物及是利用氣相反應(yīng)物及族的有機(jī)金屬和族的有機(jī)金屬和族的族的NHNH3 3在襯在襯底表面進(jìn)行反應(yīng)，將所需的產(chǎn)物沉積在襯底表面。通過控制溫度、底表面進(jìn)行反應(yīng)，將所需的產(chǎn)物沉積在襯底表面。通

13、過控制溫度、壓力、反應(yīng)物濃度和種類比例，從而控制鍍膜成分、晶相等品質(zhì)。壓力、反應(yīng)物濃度和種類比例，從而控制鍍膜成分、晶相等品質(zhì)。MOCVDMOCVD外延爐是制作外延爐是制作LEDLED外延片最常用的設(shè)備。外延片最常用的設(shè)備。 半半 導(dǎo)導(dǎo) 體體 照照 明明 技技 術(shù)術(shù) 2 2、然后、然后是對是對LED PNLED PN結(jié)的兩個電極進(jìn)行加工，電極加工也是結(jié)的兩個電極進(jìn)行加工，電極加工也是制作制作LEDLED芯片的關(guān)鍵工序，包括清洗、蒸鍍、黃光、化學(xué)蝕刻、芯片的關(guān)鍵工序，包括清洗、蒸鍍、黃光、化學(xué)蝕刻、熔合、研磨；然后對熔合、研磨；然后對LEDLED毛片進(jìn)行劃片、測試和分選，就可以得毛片進(jìn)行劃片、測

14、試和分選，就可以得到所需的到所需的LEDLED芯片。芯片。 如果芯片清洗不夠干凈，蒸鍍系統(tǒng)不正常，會導(dǎo)致蒸鍍出如果芯片清洗不夠干凈，蒸鍍系統(tǒng)不正常，會導(dǎo)致蒸鍍出來的金屬層（指蝕刻后的電極）會有脫落，金屬層外觀變色，來的金屬層（指蝕刻后的電極）會有脫落，金屬層外觀變色，金泡等異常。金泡等異常。 蒸鍍過程中有時需用彈簧夾固定芯片，因此會產(chǎn)生夾痕。蒸鍍過程中有時需用彈簧夾固定芯片，因此會產(chǎn)生夾痕。黃光作業(yè)內(nèi)容包括烘烤、上光阻、照相曝光、顯影等，若顯影黃光作業(yè)內(nèi)容包括烘烤、上光阻、照相曝光、顯影等，若顯影不完全及光罩有破洞會有發(fā)光區(qū)殘多出金屬。芯片在前段工藝不完全及光罩有破洞會有發(fā)光區(qū)殘多出金屬。芯片

15、在前段工藝中，各項工藝如清洗、蒸鍍、黃光、化學(xué)蝕刻、熔合、研磨等中，各項工藝如清洗、蒸鍍、黃光、化學(xué)蝕刻、熔合、研磨等作業(yè)都必須使用鑷子及花籃、載具等，因此會有芯片電極刮傷作業(yè)都必須使用鑷子及花籃、載具等，因此會有芯片電極刮傷情形發(fā)生。情形發(fā)生。 半半 導(dǎo)導(dǎo) 體體 照照 明明 技技 術(shù)術(shù)2、掩模、掩模 在薄膜、塑料或玻璃基體材料上制作各種功能圖形并在薄膜、塑料或玻璃基體材料上制作各種功能圖形并精確定位，以便用于光致抗蝕劑涂層選擇性曝光的一種結(jié)精確定位，以便用于光致抗蝕劑涂層選擇性曝光的一種結(jié)構(gòu)。構(gòu)。 3、光刻膠、光刻膠 包含有光敏材料，涂覆在襯底上，通過掩模曝光產(chǎn)生包含有光敏材料，涂覆在襯底上

16、，通過掩模曝光產(chǎn)生與掩模相同的圖案。分為正膠和負(fù)膠。與掩模相同的圖案。分為正膠和負(fù)膠。 一、光刻技術(shù)一、光刻技術(shù)1 1、定義：、定義： 在半導(dǎo)體制造中利用光學(xué)在半導(dǎo)體制造中利用光學(xué)- -化學(xué)反應(yīng)原理和化學(xué)、物化學(xué)反應(yīng)原理和化學(xué)、物理刻蝕方法，將圖形傳遞到單晶表面或介質(zhì)層上，形成有理刻蝕方法，將圖形傳遞到單晶表面或介質(zhì)層上，形成有效圖形窗口或功能圖形的工藝技術(shù)。效圖形窗口或功能圖形的工藝技術(shù)。 半半 導(dǎo)導(dǎo) 體體 照照 明明 技技 術(shù)術(shù)4 4、光刻工藝流程、光刻工藝流程 半半 導(dǎo)導(dǎo) 體體 照照 明明 技技 術(shù)術(shù)二、擴(kuò)散二、擴(kuò)散 發(fā)光的發(fā)光的PNPN結(jié)通常是將鋅熱擴(kuò)散到結(jié)通常是將鋅熱擴(kuò)散到N N型外

17、延材料中而形成的。型外延材料中而形成的。 擴(kuò)散是一種由濃度梯度造成的，以熱運(yùn)動方式進(jìn)行的雜質(zhì)擴(kuò)散是一種由濃度梯度造成的，以熱運(yùn)動方式進(jìn)行的雜質(zhì)原子是輸運(yùn)過程，擴(kuò)散方程為原子是輸運(yùn)過程，擴(kuò)散方程為22xNDtN通常的擴(kuò)散過程中片子表面的雜質(zhì)濃度不變，稱恒定表面濃通常的擴(kuò)散過程中片子表面的雜質(zhì)濃度不變，稱恒定表面濃度擴(kuò)散，上式方程的解為：度擴(kuò)散，上式方程的解為：DterfcNDtxerfNtxNss2)21 ()(1 半半 導(dǎo)導(dǎo) 體體 照照 明明 技技 術(shù)術(shù)三、歐姆接觸電極三、歐姆接觸電極1 1、歐姆接觸歐姆接觸 是指金屬與半導(dǎo)體的接觸，而其接觸面的電阻值遠(yuǎn)小于是指金屬與半導(dǎo)體的接觸，而其接觸面的

18、電阻值遠(yuǎn)小于半導(dǎo)體本身的電阻，使得組件操作時，大部分的電壓降在活半導(dǎo)體本身的電阻，使得組件操作時，大部分的電壓降在活動區(qū)而不在接觸面。動區(qū)而不在接觸面。 2 2、欲形成好的歐姆接觸，有兩個先決條件、欲形成好的歐姆接觸，有兩個先決條件（1 1）金屬與半導(dǎo)體間有低的界面能障。）金屬與半導(dǎo)體間有低的界面能障。 （2 2）半導(dǎo)體有高濃度的雜質(zhì)摻入。）半導(dǎo)體有高濃度的雜質(zhì)摻入。 半半 導(dǎo)導(dǎo) 體體 照照 明明 技技 術(shù)術(shù)3 3、發(fā)光二極管有效和可靠工作的基本條件之一是應(yīng)用低阻歐姆、發(fā)光二極管有效和可靠工作的基本條件之一是應(yīng)用低阻歐姆接觸電極，該接觸要足夠厚，以提供合適的引線健合壓點和接接觸電極，該接觸要足

19、夠厚，以提供合適的引線健合壓點和接觸材料之間最小的壓降。觸材料之間最小的壓降。4 4、歐姆接觸電極的制作、歐姆接觸電極的制作 先在晶片表面上用真空蒸發(fā)、濺射、電鍍等方法淀積一層先在晶片表面上用真空蒸發(fā)、濺射、電鍍等方法淀積一層選好的歐姆接觸材料，然后在一定溫度下合金化。選好的歐姆接觸材料，然后在一定溫度下合金化。 真空蒸發(fā)是最常用的方法，在高真空下用電阻加熱或電子真空蒸發(fā)是最常用的方法，在高真空下用電阻加熱或電子束轟擊加熱的方法，使被蒸發(fā)材料熔化。在低氣壓下，熔化了束轟擊加熱的方法，使被蒸發(fā)材料熔化。在低氣壓下，熔化了的蒸發(fā)材料表面的原子獲得足夠的能量得以脫離蒸發(fā)源，在半的蒸發(fā)材料表面的原子獲

20、得足夠的能量得以脫離蒸發(fā)源，在半導(dǎo)體表面淀積一層接觸材料。導(dǎo)體表面淀積一層接觸材料。 半半 導(dǎo)導(dǎo) 體體 照照 明明 技技 術(shù)術(shù)四、四、ITOITO透明電極透明電極1 1、應(yīng)用、應(yīng)用ITOITO透明電極的原因透明電極的原因 傳統(tǒng)的傳統(tǒng)的NiAuNiAu合金電極具有非常好的電流擴(kuò)展功能，但對合金電極具有非常好的電流擴(kuò)展功能，但對可見光的透過率僅為可見光的透過率僅為60%-70%60%-70%，因此利用氧化銦錫，因此利用氧化銦錫(Indinm-(Indinm-Tin-Oxide,ITO)Tin-Oxide,ITO)透明電極的高可見光透過率和低電阻率是透明電極的高可見光透過率和低電阻率是提高提高LED

21、LED取光效率的有效途徑之一。取光效率的有效途徑之一。2 2、ITOITO電極的制備電極的制備 ITOITO膜的制備方法有磁控濺射法、蒸發(fā)法、噴涂法、氣膜的制備方法有磁控濺射法、蒸發(fā)法、噴涂法、氣相反應(yīng)法和溶液相反應(yīng)法和溶液- -凝膠法。凝膠法。3 3、效果、效果 能提高芯片的發(fā)光功率，提升幅度達(dá)能提高芯片的發(fā)光功率，提升幅度達(dá)51.8%51.8%。 半半 導(dǎo)導(dǎo) 體體 照照 明明 技技 術(shù)術(shù)五、表面粗化五、表面粗化1 1、粗化的原因、粗化的原因 GaNGaN和空氣的折射率分別為和空氣的折射率分別為2.52.5和和1.01.0，相差較大，結(jié)果在，相差較大，結(jié)果在多量子阱內(nèi)產(chǎn)生的光，能夠出射到空氣

22、中的臨界角大約是多量子阱內(nèi)產(chǎn)生的光，能夠出射到空氣中的臨界角大約是2222度，因此取光效率很低。通過對度，因此取光效率很低。通過對GaNGaN表面進(jìn)行粗化處理，形成表面進(jìn)行粗化處理，形成不規(guī)則的凹凸，從而減少或者破壞不規(guī)則的凹凸，從而減少或者破壞GaNGaN材料與空氣界面處的全材料與空氣界面處的全反射，可以提高反射，可以提高LEDLED的取光效率。的取光效率。2 2、效果、效果 對對GaNGaN表面粗化，目前的光輸出功率能增加表面粗化，目前的光輸出功率能增加20%-50%20%-50%。 半半 導(dǎo)導(dǎo) 體體 照照 明明 技技 術(shù)術(shù)六、激光剝離（六、激光剝離（Laser Lift-off，LLO）

23、1、定義、定義 激光剝離技術(shù)是利用激光器的激光能量分解激光剝離技術(shù)是利用激光器的激光能量分解GaN/藍(lán)寶藍(lán)寶石界面處的石界面處的GaN緩沖層，從而實現(xiàn)緩沖層，從而實現(xiàn)LED外延片與藍(lán)寶石襯外延片與藍(lán)寶石襯底的分離。底的分離。2、原因、原因 可帶來的好處是可將外延片轉(zhuǎn)移到高熱導(dǎo)率的熱沉上，可帶來的好處是可將外延片轉(zhuǎn)移到高熱導(dǎo)率的熱沉上，做成銅襯底上的垂直結(jié)構(gòu)，可減少因藍(lán)寶石襯底帶來的磨做成銅襯底上的垂直結(jié)構(gòu)，可減少因藍(lán)寶石襯底帶來的磨片、劃片麻煩，而且藍(lán)寶石襯底可重復(fù)使用。片、劃片麻煩，而且藍(lán)寶石襯底可重復(fù)使用。3、該技術(shù)的發(fā)展過程、該技術(shù)的發(fā)展過程 1996年美國年美國HP公司創(chuàng)建了公司創(chuàng)建了GaN基材料的激光剝離技術(shù)?；牧系募す鈩冸x技術(shù)。2003年德國的年德國的Osram公司建立了第一條激光剝離技術(shù)的公司建立了第一條激光剝離技術(shù)的LED生產(chǎn)線。生產(chǎn)線。4、效果：、效果：發(fā)光效率可提升四倍。發(fā)光效率可提升四倍。 半半 導(dǎo)導(dǎo) 體體 照照 明明 技技 術(shù)術(shù)七、倒裝芯片技術(shù)七、倒裝芯片技術(shù)1 1、為什么要倒裝芯片？、為什么要倒裝芯片？ AlGaInNAlGaInN二極管外延片通常都生長在絕緣的藍(lán)寶石襯底二極管外延片通常都生長在絕緣的藍(lán)寶石襯底上，歐姆接觸的上，