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文檔簡介

1、超聲檢測:超聲設(shè)備與器材一、是非題1超聲波探傷中,發(fā)射超聲波是利用正壓電效應(yīng),接收超聲波是利用逆壓電效應(yīng).( )2增益100dB就是信號強(qiáng)度放大100倍.( )3與鋯鈦酸鉛想比,石英作為壓電材料有性能穩(wěn)定、機(jī)電藕合系數(shù)高、壓電轉(zhuǎn)換能量損失小等優(yōu)點(diǎn).( )4與普通探頭相比,聚焦探頭的分辨力較高.( )5使用聚焦透鏡能提高靈敏度和分辨力,但減小了探測范圍.( )6點(diǎn)聚焦探頭比線聚焦探頭靈敏度高.( )7雙晶探頭只能用于縱波檢測.( )8B型顯示能夠展現(xiàn)工件內(nèi)缺陷的埋藏深度.( )9C型顯示能展現(xiàn)工件中缺陷的長度和寬度,但不能展現(xiàn)深度.( )10通用AVG曲線采用的距離是以近場長度為單位的歸一化距離

2、,適用于不同規(guī)格的探頭.( )11在通用AVG曲線上,可直接查得缺陷的實(shí)際聲程和當(dāng)量尺寸.( )12A型顯示探傷儀,利用D.G.S曲線板可直觀顯示缺陷的當(dāng)量大小和缺陷深度.( )13電磁超聲波探頭的優(yōu)點(diǎn)之一是換能效率高,靈敏度高.( )14多通道探傷儀是由多個或多對探頭同時工作的探傷儀.( )15探傷儀中的發(fā)射電路亦稱為觸發(fā)電路.( )16探傷儀中的發(fā)射電路亦可產(chǎn)生幾百伏到上千伏的電脈沖去激勵探頭晶片振動.( )17探傷儀的掃描電路即為控制探頭在 工件探傷面上掃查的電路.( )18探傷儀發(fā)射電路中的阻尼電阻的阻值愈大,發(fā)射強(qiáng)度愈弱.( )19調(diào)節(jié)探傷儀“深度細(xì)調(diào)”旋鈕時,可連續(xù)改變掃描線掃描速

3、度.( )20調(diào)節(jié)探傷儀“抑制”旋鈕時,抑制越大,儀器動態(tài)范圍越大.( )21調(diào)節(jié)探傷儀“延遲”按鈕時,掃描線上回波信號間的 距離也將隨之改變.( )22不同壓電晶體材料中聲速不一樣,因此不同壓電材料的頻率常數(shù)也不相同.( )23不同壓電材料的頻率常數(shù)不一樣,因此用不同壓電材料制作的探頭其標(biāo)稱頻率不可能相同.( )24壓電晶片的壓電應(yīng)變常數(shù)(d33)大,則說明該晶片接收性能好.( )25壓電晶片的壓電電壓常數(shù)(g33)大,則說明該晶片接收性能好.( )26探頭中壓電晶片背面加吸收塊是為了提高機(jī)械品質(zhì)因素,減少機(jī)械能損耗.( )27工件表面比較粗糙時,為防止探頭磨損和保護(hù)晶片, 宜選用硬保護(hù)膜.

4、( )28斜探頭楔塊前部和上部開消聲槽的目的是使聲波反射回晶片處,減少聲能損失.( )29由于水中只能傳播縱波,所以水浸探頭只能進(jìn)行縱波探傷.( )30雙晶直探頭傾角越大,交點(diǎn)離探測面距離愈遠(yuǎn),復(fù)蓋區(qū)愈大.( )31有機(jī)玻璃聲透鏡水浸聚焦探頭,透鏡曲率半徑愈大,焦距愈大.( )32利用IIW試塊上50mm孔與兩側(cè)面的距離,僅能測定直探頭盲區(qū)的大致范圍.( )33當(dāng)斜探頭對準(zhǔn)IIW試塊上R50曲面時,熒光屏上的多次反射回波是等距離.( )34中心切槽的半圓試塊,其反射特點(diǎn)是多次回波總是等距離出現(xiàn).( )35與IIW試塊相比CSK-1A試塊的優(yōu)點(diǎn)之一是可以測定斜探頭分辨力.( )36調(diào)節(jié)探傷儀的

5、“水平”旋鈕,將會改變儀器的水平線性.( )37測定儀器的“動態(tài)范圍”時,應(yīng)將儀器的“抑制”、“深度補(bǔ)償”旋鈕置于“關(guān)”的位置.( )38盲區(qū)與始波寬度是同一概念.( )39測定組合靈敏度時,可先調(diào)節(jié)儀器的“抑制”按鈕,使點(diǎn)噪聲電平10%,再進(jìn)行測試.( )40測定“始波寬度”時,應(yīng)將儀器的靈敏度調(diào)至最大.( )41為提高分辨力,在滿足探傷靈敏度要求情況下,儀器的發(fā)射強(qiáng)度應(yīng)盡量調(diào)得低一些.( )42在數(shù)字化智能超聲波探傷儀中,脈沖重復(fù)頻率又稱為采樣頻率.( )43雙晶探頭主要應(yīng)用于近表面缺陷的探測.( )44溫度對斜探頭折射角有影響,當(dāng)溫度升高時,折射角將變大.( )45目前使用最廣泛的測厚儀

6、是共振式測厚儀.( )46在鋼中折射角為60º的斜探頭,用于探測鋁時,其折射角將變大.( )47“發(fā)射脈沖寬度”就是指發(fā)射脈沖的持續(xù)時間.( )48軟保護(hù)膜探頭可減少粗糙表面對探傷的影響.( )49脈沖發(fā)射式和穿透式探傷,使用的探頭式同一類型、50聲束指向角較小且聲束截面較窄的探頭稱作窄脈沖探頭.( )是非題答案1 × 2 × 3 × 4 5 6 7 × 8 9 10 11 × 12 13 × 14 × 15 ×16 17 × 18 × 19 20 ×21 × 22

7、 23 × 24 × 25 26 × 27 × 28 × 29 × 30 ×31 32 33 × 34 35 36 × 37 38 × 39 × 40 ×41 42 × 43 44 45 ×46 × 47 48 49 × 50 ×二、選擇題1 A型掃描顯示中,從熒光屏上直接可獲得的信息是(C )A、缺陷的性質(zhì)和大小 B、缺陷的形狀和取向C、缺陷回波的大小和超聲傳播的時間 D、以上都是2 A型掃描顯示,“盲區(qū)”是指(C )A、近

8、場區(qū) B、聲束擴(kuò)散角以外的區(qū)域 C、始脈沖寬度和儀器阻塞恢復(fù)時間 D、以上都是3 A型掃描顯示中,熒光屏上垂直顯示大小表示(A )A、超聲回波的幅度大小 B、缺陷的位置C、被探材料的厚度 D、超聲傳播時間4 A型掃描顯示中,水平基線代表(C )A、超聲回波的幅度大小 B、探頭移動距離C、聲波傳播時間 D、缺陷尺寸大小5 脈沖反射式超聲波探傷儀中,產(chǎn)生觸發(fā)脈沖的電路單元叫做(C )A發(fā)射電路 B掃描電路 C同步電路 D顯示電路6 脈沖反射式超聲波探傷儀中,產(chǎn)生時基線的電路單元叫做(A )A掃描電路 B觸發(fā)電路 C同步電路 D發(fā)射電路7 發(fā)射電路輸出的電脈沖,其電壓通??蛇_(dá)( A)A、幾百伏到上千

9、伏 B、幾十伏 C、幾伏 D、1伏8 發(fā)射脈沖的持續(xù)時間叫(A )A、始脈沖寬度 B、脈沖周期 C、脈沖振幅 D、以上都不是9 探頭上標(biāo)的2.5MHZ是指( B)A重復(fù)頻率 B工作頻率 C觸發(fā)脈沖頻率 D以上都不對10 影響儀器靈敏度的旋紐有( D)A發(fā)射強(qiáng)度和增益旋鈕 B衰減器和抑制C深度補(bǔ)償 D以上都是11儀器水平線性的好壞直接影響(C )A缺陷性質(zhì)判斷 B缺陷大小判斷C缺陷的精確定位 D以上都對12 儀器的垂直線性好壞會影響(A )A缺陷的當(dāng)量比較 BAVG曲線面板的使用C缺陷的定位 D以上都對13 接受電路中,放大器輸入端接收的回波電壓約有( D)A幾百伏 B100伏左右 C10伏左右

10、 D0.001 1伏14 同步電路每秒鐘產(chǎn)生的觸發(fā)脈沖數(shù)為( B)A12個 B數(shù)十個到數(shù)千個 C與工作頻率有同 D以上都不對15 調(diào)節(jié)儀器面板上的“抑制”旋鈕會影響探傷儀的( D)A垂直線性 B動態(tài)范圍 C靈敏度 D以上全部16 大器的不飽和信號高度與缺陷面積成比例的范圍叫做放大器的( B)A靈敏度范圍 B線性范圍 C分辨力范圍 D選擇性范圍17 單晶片直探頭接觸法探傷中,與探測面十分接近的缺陷往往不能有效地檢出,這是因?yàn)椋?C)A近場干擾 B材質(zhì)衰減 C盲區(qū) D折射18 同步電路的同步脈沖控制是指( D)A發(fā)射電路在單位時間內(nèi)重復(fù)發(fā)射脈沖次數(shù)B掃描電路每秒鐘內(nèi)重復(fù)掃描次數(shù)C探頭晶片在單位時間

11、內(nèi)向工件重復(fù)輻射超聲波次數(shù)D以上全部都是19 表示探傷儀與探頭組合性能的指標(biāo)有(B )A水平線性、垂直線性、衰減器精度B靈敏度余量、盲區(qū)、遠(yuǎn)場分辨力C動態(tài)范圍、頻帶寬度、探測深度D垂直極限、水平極限、重復(fù)頻率20 使儀器得到滿幅顯示時Y軸偏轉(zhuǎn)板工作電壓為80V,現(xiàn)晶片接收到的缺陷信號電 壓為40mv,若要使此缺陷以50%垂直幅度顯示,儀器放大器應(yīng)有多大增益量?( C)A74dB B66dB C60dB D80dB21 脈沖反射式超聲波探傷儀同步脈沖的重復(fù)頻率決定著:( C)A掃描長度 B掃描速度 C單位時間內(nèi)重復(fù)掃描次數(shù) D鋸齒波電壓幅度22 壓電晶片的基頻是:( A)A晶片厚度的函數(shù) B施加

12、的脈沖寬度的函數(shù)C放大器放大特性的函數(shù) D以上都不對23 探頭的分辨力:( B )A與探頭晶片直徑成正比 B與頻帶寬度成正比C與脈沖重復(fù)頻率成正比 D以上都不對24 當(dāng)激勵探頭的脈沖幅度增大時:( )A儀器分辨力提高 B儀器分辨力降低,但超聲強(qiáng)度增大C聲波穿透力降低 D對試驗(yàn)無影響25 探頭晶片背面加上阻尼塊會導(dǎo)致:( D )AQ降低,靈敏度提高 BQ值增大,分辨力提高CQ值增大,盲區(qū)增大 DQ值降低,分辨力提高26 為了從換能器獲得最高靈敏度:( C )A應(yīng)減小阻尼塊 B應(yīng)使用大直徑晶片C應(yīng)使壓電晶片在它的共振基頻上激勵 D換能器頻帶寬度應(yīng)盡可能大27 超聲試驗(yàn)系統(tǒng)的靈敏度:( A)A取決于

13、探頭、高頻脈沖發(fā)生器和放大器 B取決于同步脈沖發(fā)生器C取決于換能器機(jī)械阻尼D隨分辨力提高而提高28 換能器尺寸不變而頻率提高時:( C)A橫向分辨力降低 B聲束擴(kuò)散角增大C近場長度增大 D指向性變鈍29 一般探傷時不使用深度補(bǔ)償是因?yàn)樗鼤海?B )A影響缺陷的精確定位 B影響AVG曲線或當(dāng)量定量法的使用C導(dǎo)致小缺陷漏檢 D以上都不對30 晶片共振波長是晶片厚度的( A)A2倍 B1/2倍 C1倍 D4倍31 已知PZT-4的頻率常數(shù)是2000m/s,2.5MHz的PZT-4晶片厚度約為:( A)A0.8mm B1.25mm C1.6mm D0.4mm32 在毛面或曲面工件上作直探頭探傷時,應(yīng)

14、使用:( B )A硬保護(hù)膜直探頭 B軟保護(hù)膜直探頭C大尺寸直探頭 D高頻直探頭33 目前工業(yè)超聲波探傷使用較多的壓電材料是:( C)A石英 B鈦酸鋇 C鋯鈦酸鉛 D硫酸鋰34 聯(lián)合雙直探頭的最主要用途是:( A )A探測近表面缺陷 B精確測定缺陷長度C精確測定缺陷高度 D用于表面缺陷探傷35 超聲波探傷儀的探頭晶片用的是下面哪種材料:( C )A導(dǎo)電材料 B磁致伸縮材料 C壓電材料 D磁性材料36 下面哪種材料最適宜做高溫探頭:( )A石英 B硫酸鋰 C鋯鈦酸鉛 D鈮酸鋰37 下面哪種壓電材料最適宜制作高分辨率探頭:( )A石英 B鋯鈦酸鉛 C偏鈮酸鉛 D鈦酸鋇38 下列壓電晶體中哪一種做高頻

15、探頭較為適宜( )A鈦酸鋇(CL=5470m/s) B鈦酸鋰(CL=7400m/s)CPZT(CL=4400m/s) D鈦酸鉛(CL=4200m/s)39 表示壓電晶體發(fā)射性能的參數(shù)是( C)A壓電電壓常數(shù)g33 B機(jī)電耦合系數(shù)KC壓電應(yīng)變常數(shù)d33 D以上全部40 以下關(guān)于爬波探頭的敘述,哪一條是錯誤的( )A爬波探頭的外形和結(jié)構(gòu)與橫波斜探頭類似B當(dāng)縱波入射角大于或等于第二臨界角時,在第二介質(zhì)中產(chǎn)生爬波C爬波用于探測表層缺陷D爬波探測的深度范圍與頻率f和晶片直徑D有關(guān)41 窄脈沖探頭和普通探頭相比( D)AQ值較小 B靈敏度較低 C頻帶較寬 D以上全部42 采用聲透鏡方式制作聚焦探頭時,設(shè)透

16、鏡材料為介質(zhì)1,欲使聲束在介質(zhì)2中聚焦,選用平凹透鏡的條件是( )AZ1>Z2 BC1<C2 CC1>C2 DZ1<Z43 探頭軟保護(hù)膜和硬保護(hù)膜相比,突出優(yōu)點(diǎn)是( c)A透聲性能好 B材質(zhì)衰減小 C有利消除耦合差異 D以上全部44 以下哪一條,不屬于數(shù)字化智能超聲波探傷儀的優(yōu)點(diǎn)( B)A檢測精度高,定位定量準(zhǔn) B頻帶寬,脈沖窄C可記錄存儲信號 D儀器有計算和自檢功能45 以下哪一條,不屬于雙晶探頭的優(yōu)點(diǎn)( A)A探測范圍大 B盲區(qū)小 C工件中近場長度小 D雜波少46 以下哪一條,不屬于雙晶探頭的性能指標(biāo)( D)A工作頻率 B晶片尺寸 C探測深度 D近場長度47 斜探頭

17、前沿長度和K值測定的幾種發(fā)放中,哪種方法精度最高:( A)、A半圓試法和橫孔法 B雙孔法 C直角邊法 D不一定,須視具體情況而定48 超聲探傷系統(tǒng)區(qū)別相鄰兩缺陷的能力稱為:( D)A檢測靈敏度 B時基線性 C垂直線性 D分辨力49 用以標(biāo)定或測試超聲探傷系統(tǒng)的,含有模擬缺陷的人工反射體的金屬塊叫:( C)A晶體準(zhǔn)直器 B測角器 C參考試塊 D工件50 對超聲探傷試塊材質(zhì)的基本要求是:( D)A其聲速與波探工件聲速基本一致B材料中沒有超過2mm平底孔當(dāng)量的缺陷C材料衰減不太大且均勻D以上都是51 CSK-A試塊上的1×6橫孔,在超聲遠(yuǎn)場,其反射波高隨聲程的變化規(guī)律與( D)相同A長橫孔

18、 B平底孔 C球孔 D以上B和C選擇題答案1 C2 C3 A4 C5 C6 A7 A8 A9 B10 D11 C12 A13 D14 B15 D16 B17 C18 D19 B20 C21 C22 A23 B24 B25 D26 C27 A28 C29 B30 A31 A32 B33 C34 A35 C36 D37 C38 B39 C40 B41 D42 C43 C44 B45 A46 D47 A 48 D49 C50 D51 D三、簡答題1 簡述超聲波探傷儀中同步電路的作用?2 超聲波探傷儀中發(fā)射電路中的阻尼電阻有什么作用?3 超聲波探傷儀的接收電路由哪幾部分組成?“抑制”旋鈕有什么作用?4

19、 什么是壓電晶體?舉例說明壓電晶體分為幾類?5 何謂壓電材料的居里點(diǎn)?哪些情況要考慮它的影響?6 探頭保護(hù)膜的作用是什么?對它有哪些要求?7 聲束聚焦有什么優(yōu)點(diǎn)?簡述聚焦探頭的聚焦方法和聚焦形式?8 超聲波探傷儀主要性能指標(biāo)有哪些?9 簡述超聲探傷系統(tǒng)主要性能指標(biāo)有哪些?10 窄脈沖超聲場有哪些特點(diǎn)?11 對超聲波探傷所用探頭的晶片材料有哪些要求?12 什么是試塊?試塊的主要作用是什么?13 試塊有哪幾種分類方法?我國常用的試塊有哪幾種?14試塊應(yīng)滿足哪些基本要求?使用試塊時應(yīng)注意什么?15 我國的CSK-IA試塊與IIW試塊有何不同?德國和日本對IIW試塊作了哪些修改?16 超聲波探傷儀和探

20、頭的主要性能指標(biāo)有哪些?簡答題答案1 答:同步電路又稱觸發(fā)電路,它每秒鐘產(chǎn)生數(shù)十至數(shù)千個脈沖,觸發(fā)探傷儀的掃描電路,發(fā)射電路等,使之不掉一致,有條不紊地工作,因襲,同步電路是真?zhèn)€探傷儀的指揮“中樞”。2 答:改變阻尼電阻R0的阻值可改變發(fā)射強(qiáng)度,阻值大發(fā)射強(qiáng)度高,發(fā)射的聲能多,阻尼電阻阻值小,則發(fā)射強(qiáng)度低。但改變R0阻值也會改變探頭電阻尼的大小,影響探頭分辨力。3 答:(1)接收電路由衰減器,射頻放大器,檢波器和視頻放大器等幾部分組成。(2)調(diào)節(jié)“抑制按鈕”可使低于某一電平的信號在熒光屏上不予顯示,從而減少熒光屏上的雜波。但使用“抑制”時,儀器的垂直線性和動態(tài)范圍均會下降。4 答:(1)某些晶

21、體受到拉力或壓力產(chǎn)生變形時,產(chǎn)生交變電場的效應(yīng)稱為正壓電效應(yīng)。在電場的作用下,晶體發(fā)生彈性形變的現(xiàn)象,稱為逆壓電效應(yīng)。正、逆壓電效應(yīng)統(tǒng)稱為壓電效應(yīng)。能夠產(chǎn)生壓電效應(yīng)的俄材料稱為壓電材料。由于它們多為非金屬電介質(zhì)晶體結(jié)構(gòu),故又稱為壓電晶體。(2)壓電晶體分為:單晶體:如硫酸鋰、磺酸鋰、鈮酸鋰等。多晶體:如鈦酸鋇、鈦酸鉛,鋯鈦酸鉛(PZT)等。5 答:(1)當(dāng)壓電材料的溫度達(dá)到一定值后,雅典效應(yīng)會自行消失,稱該溫度值為材料的居里溫度或居里點(diǎn),用Te表示。同一壓電晶體有不同的 上居局里溫度和下居里溫度。不同的壓電晶體,居里溫度也不一樣。(2)對高溫工作進(jìn)行探傷時,應(yīng)選用上居里點(diǎn)較高的壓電晶片制作探頭

22、。在寒冷地區(qū)探傷時,應(yīng)選用下居里點(diǎn)較低的壓電晶片做探頭。6 答:(1)保護(hù)膜加于探頭壓電晶片的前面,作用是保護(hù)壓電晶片和電極,防止其磨損和碰壞。(2)對保護(hù)膜的要求是:耐磨性好,強(qiáng)度高,材質(zhì)衰減小,聲透性好,厚度合適。7 答:(1)聚焦的聲束,聲能更為集中,中心軸線上的聲壓增強(qiáng),同時可改善聲束指向性,對提高探傷靈敏度,分辨力和信噪比均為有利。(2)聚焦方法:(3)聚焦形式:點(diǎn)聚焦和線聚焦。8 答:探傷儀性能是指僅與儀器有關(guān)的性能,主要有水平線性,垂直線性和動態(tài)范圍等。(1)水平線性:也稱時基線性或掃描線性,是指探傷儀掃描線上顯示的反射波距離與反射體距離成正比的程度。水平線性的好壞以水平線性誤差

23、表示。(2)垂直線性:也稱放大線性或幅度線性,是指探傷儀熒光屏上反射波高度與接收信號電壓成正比的程度。垂直線性的好壞以垂直線性誤差表示。(3)動態(tài)范圍:是探傷儀熒光屏上反射波高從滿幅(垂直刻度100%)降至消失時(最小可辨認(rèn)值)儀器衰減器的變化范圍。以儀器的衰減器調(diào)節(jié)量(dB數(shù))表示。9 答:系統(tǒng)性能是儀器,電纜、探頭特性的綜合反映,即探傷儀和探頭的組合性能,主要有信噪比,靈敏度余量,始波寬度,盲區(qū)和分辨力。(1)信噪比:是探傷儀熒光屏上界面反射波幅與最大雜波幅度之比。以dB數(shù)表示。(2)靈敏度余量:也稱綜合靈敏度。是指探測一定深度和尺寸的反射體,當(dāng)其反射波高調(diào)到熒光屏指定高度時,探傷儀剩余的

24、放大能力。以此時衰減器的讀數(shù)(dB值表示)。(3)始波寬度:也稱始波占寬,它是指發(fā)射脈沖的持續(xù)時間,通常以一定靈敏度條件下,熒光屏水平“0”刻度至始波后沿與垂直刻度20%線交點(diǎn)間的距離所相當(dāng)?shù)穆暡ㄔ诓牧现袀鞑ゾ嚯x來表示。(4)盲區(qū):是探測面附近不能彈出缺陷的區(qū)域。以探測面到能夠探出缺陷的最小距離表示。(5)分辨力:是在探傷儀熒光屏上能夠把兩個相鄰缺陷作為兩個反射信號區(qū)別出來的能力。分辨力可分為縱向分辨力和橫向分辨力。通常所說的分辨力是指縱向分辨力。一般以相距6mm或9mm的兩個反射面反射波幅相等時,波峰與波谷比值的dB數(shù)表示。10 答:一般以脈沖持續(xù)時間的長短來區(qū)分脈沖的寬窄。按付里葉級數(shù)將脈

25、沖波展開,窄脈沖包含的諧波頻率寬 ,因此窄脈沖又為寬頻譜脈沖,其特點(diǎn)是:(1)因脈沖持續(xù)時間短,故縱向(距離)分辨率高。(2)橫向分辨率主要是由聲束擴(kuò)散角決定,而窄脈沖的最大聲束擴(kuò)散角由它所含最低頻率成分決定,故中心頻率相同的窄脈沖比寬脈沖聲束擴(kuò)散角大,即窄脈沖的橫向分辨率較寬脈沖低。(3)脈沖所含的各諧波成份都有自己的近場、遠(yuǎn)場和聲壓分布規(guī)律。高頻成份的近場長、低頻成分的近場短,由于窄脈沖所含的頻率范圍寬,在近場區(qū),不同頻率諧波聲壓迭加,各峰值互相抵消,使近場區(qū)距離振幅曲線變得平滑,減小了干涉現(xiàn)象所造成的影響。(4)超聲波探傷時,入射波與回波有時回產(chǎn)生干涉,從而影響探傷靈敏度和準(zhǔn)確性。采用窄

26、脈沖有利于消除干涉,提高信噪比。(5)窄脈沖所含頻譜寬,有利于開展頻譜分析技術(shù)。(6)產(chǎn)生窄脈沖需要使用高阻尼探頭,并需用很窄的 電脈沖激勵,因此窄脈沖的探測靈敏度較低。11 答:對晶片材料一般有以下要求:(1)材料厚度機(jī)電耦合系數(shù)K要大,徑向機(jī)電耦合系數(shù)K要小,即K/ K值要大,從而獲得較高的轉(zhuǎn)換頻率,有利于提高探測靈敏度和信噪比。(2)材料機(jī)械品質(zhì)因數(shù)宜小一些,使晶片在激勵后能很快回到靜止?fàn)顟B(tài),使聲脈沖持續(xù)時間盡可能短,有利于提高縱向分辨力,減小盲區(qū)。(3)晶片激勵后所產(chǎn)生的聲脈沖應(yīng)具有良好的波形,其頻譜包絡(luò)線應(yīng)接近于高斯曲線,有利于改善近場區(qū)的聲壓分布。(4)晶片材料與被檢材料聲阻抗應(yīng)盡

27、量接近,在水浸探傷時,晶片材料與水的聲阻抗應(yīng)盡量接近,以利于阻抗匹配。(5)對一發(fā)一收的探頭,應(yīng)選擇壓電發(fā)射系數(shù)d大的材料做發(fā)射晶片,選擇壓電接收系數(shù)g大的材料做接收晶片。(6)高溫探傷應(yīng)選擇居里點(diǎn)高的材料做晶片。(7)制造大尺寸探頭應(yīng)選擇介電常數(shù)小的材料做晶片。12 答:按一定用途設(shè)計制作的具有簡單幾何形狀人工反射體的試樣,通常稱為試塊,試塊和儀器、探頭一樣,是超聲波探傷中的重要工具。其主要作用是:1.確定探傷靈敏度,在超聲探傷前常用試塊的某一特定的人工反射體來調(diào)整探傷靈敏度。2.測試儀器和探頭的性能,超聲波探傷儀和探頭一些重要性能,如放大線性、水平線性、動態(tài)范圍、靈敏度余量、分辨力、盲區(qū)、

28、探頭的入射點(diǎn)、K值等都是利用試塊來測試的。3.調(diào)整掃描速度,利用試塊可以調(diào)整儀器示波屏上水平刻度值與實(shí)際聲程之間的比例關(guān)系即掃描速度,以便對缺陷進(jìn)行定位。4.評定缺陷的大小,利用某些試塊繪出的距離波幅當(dāng)量曲線(即實(shí)用AVG)來對缺陷定量,是目前常用的定量方法之一。13答:(1)按試塊的來歷分:(a)標(biāo)準(zhǔn)試塊。是由權(quán)威機(jī)構(gòu)制定的試塊,試塊的材質(zhì)、形狀、尺寸及表面狀態(tài)都有權(quán)威部門統(tǒng)一規(guī)定。如國際焊接學(xué)會IIW試塊和IIW2試塊。(b)參考試塊。是由各部門按某些具體探傷對象制定的試塊,如CS1,CSKIIA試塊等。(2)按試塊上人工反射體分:(a)平底孔試塊,一般平底孔試塊上加工有底面為平面的平底孔

29、,如CS1、CS2試塊。(b)橫孔試塊。橫孔試塊上加工有與探測面平行的長橫孔或短橫孔,焊縫探傷中CSKIIA(長橫孔)和CSKIIIA(短橫孔)試塊。(c)槽形試塊。槽形試塊上加工有三角尖槽或矩形槽,如無縫鋼管探傷中所有的試塊,內(nèi)、外圓表面就加工有三角尖槽。我國常有的試塊有:(1) 機(jī)械部頒布的平底孔標(biāo)準(zhǔn)試塊,CS1和CS2試塊。(2) 壓力容器無損檢測JB473094規(guī)定的試塊,CSKIA、CSKIIA、CSKIIIA、階梯形試塊等。14 答:試塊材質(zhì)要均勻,內(nèi)部雜質(zhì)少,無影響使用的缺陷。加工容易,不易變形和腐蝕,具有良好的聲學(xué)性能。試塊的平行度、垂直度、光潔度和尺寸精度都要符合一定的要求。使用試塊時要注意:(1) 試塊要在適當(dāng)部位編號,以防混淆。(2) 試塊在使用和搬運(yùn)過程中應(yīng)注意保護(hù),防止碰傷或擦傷。(3) 使用試塊時應(yīng)注意清除反射體內(nèi)的有無和銹蝕。(4) 注意防止試塊銹蝕。(5) 注意防止試塊變形。平板試塊盡可能立放,防止重壓。15 答:我國的CSKIA試塊是在IIW試塊基礎(chǔ)上改進(jìn)后得到的。主要改進(jìn)有:(1)將直孔改為、臺階孔,以便于測定橫波斜探頭的分辨力。(2)將R100改為R100、R50階梯圓弧,以便于調(diào)整橫波掃描速度和探測范圍。(3)將試塊標(biāo)定的折射角改為K值(),從而可直接測出橫

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