核磁共振氫譜(化學(xué)位移)

1、整理ppt1整理ppt2整理ppt3(1)自旋核(I0)(2)外加磁場B0(3)外加射頻的能量hv等于自旋核磁能級的能量差：從核磁共振條件式可以看出，磁性原子核的共振頻率只和磁旋比和外加磁場強(qiáng)度B0有關(guān)。那么，在一定條件下測定時(shí)，所有1H只產(chǎn)生一條譜線，所有的13C也只產(chǎn)生一條譜線，這樣對于有機(jī)物結(jié)構(gòu)分析就沒有什么意義。0hhvEB2 01B2 整理ppt4核外電子在外加磁場作用下產(chǎn)生電子環(huán)流，電子環(huán)流產(chǎn)生相應(yīng)的感應(yīng)磁場，感應(yīng)磁場的方向與原外加磁場的方向相反，磁場強(qiáng)度等于B0，此時(shí)原子核實(shí)際受到的磁場強(qiáng)度小于原外加磁場強(qiáng)度B0，這種核外電子對原子核的影響稱為屏蔽效屏蔽效應(yīng)應(yīng)，稱為屏蔽常數(shù)屏蔽常

2、數(shù)。0hhB (1)2 修正的核磁共振條件：修正的核磁共振條件：01B (1)2 由于屏蔽效應(yīng)不同導(dǎo)致化學(xué)環(huán)境不同的原子核共振頻率不同，因而在不同的位置上出現(xiàn)吸收峰，這種現(xiàn)象稱為化學(xué)位化學(xué)位移。移。整理ppt5TMS610 樣樣品品儀儀器器整理ppt6TMS化學(xué)性質(zhì)不活潑，與樣品之間不發(fā)生化學(xué)反應(yīng)和分子間締合；TMS是一個(gè)對稱結(jié)構(gòu)，四個(gè)甲基的化學(xué)環(huán)境完全相同，不論在氫譜還是碳譜都只產(chǎn)生一個(gè)吸收峰；Si的電負(fù)性小(1.9)，TMS中氫核與碳核周圍的電子云密度高，屏蔽效應(yīng)大，產(chǎn)生NMR信號所需的磁場強(qiáng)度比一般有機(jī)物中的氫核和碳核產(chǎn)生NMR信號所需的磁場強(qiáng)度大得多，處于較高場，與絕大部分樣品信號不發(fā)生重疊和干擾；TMS沸點(diǎn)低(27)，容易去除，有利于回收樣品。整理ppt72.053.66整理ppt8CH3X中甲基和各種取代基連接后的化學(xué)位移中甲基和各種取代基連接后的化學(xué)位移-XFOCH3ClBrCH3H4.263.243.052.680.880.2整理ppt9整理ppt10環(huán)內(nèi)氫環(huán)內(nèi)氫 = -2.99環(huán)外氫環(huán)外氫 = 9.28整理ppt11整理ppt12直立鍵上的氫核處于屏蔽區(qū)，在較高場，平伏鍵上的氫核處于去屏蔽區(qū)，在較低場，化學(xué)位移值大約相差