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1、學(xué)習(xí)必備歡迎下載2015 高考磁場(chǎng)專題復(fù)習(xí)(四)(一)帶電粒子在磁場(chǎng)中的運(yùn)動(dòng)1.核聚變反應(yīng)需要幾百萬(wàn)度以上的高溫,為把高溫條件下高速運(yùn)動(dòng)的離子約束在小范圍內(nèi)(否則不可能發(fā)生核反應(yīng)),通常采用磁約束的方法(托卡馬克裝置) 。如圖 9-19 所示,環(huán)狀勻強(qiáng)磁場(chǎng)圍成中空區(qū)域,中空區(qū)域中的帶電粒子只要速度不是很大, 都不會(huì)穿出磁場(chǎng)的外邊緣而被約束在該區(qū)域內(nèi)。設(shè)環(huán)狀磁場(chǎng)的內(nèi)半徑為 r1=0.5m,外半徑 r2=1.0m,磁場(chǎng)的磁感強(qiáng)度b=1.0t ,若被束縛帶電粒子的荷質(zhì)比為q/m=4710c/,中空區(qū)域內(nèi)帶電粒子具有各個(gè)方向的速度。試計(jì)算:(1)粒子沿環(huán)狀的半徑方向射入磁場(chǎng),不能穿越磁場(chǎng)的最大速度。(
2、2)所有粒子不能穿越磁場(chǎng)的最大速度?!緦忣}】本題也屬于極值類問題,尋求“ 臨界軌跡 ” 是解題的關(guān)鍵。要粒子沿環(huán)狀的半徑方向射入磁場(chǎng),不能穿越磁場(chǎng),則粒子的臨界軌跡必須要與外圓相切;要使所有粒子都不穿越磁場(chǎng),應(yīng)保證沿內(nèi)圓切線方向射出的粒子不穿越磁場(chǎng),即運(yùn)動(dòng)軌跡與內(nèi)、外圓均相切。圖 9-19 精品學(xué)習(xí)資料 可選擇p d f - - - - - - - - - - - - - - 第 1 頁(yè),共 8 頁(yè) - - - - - - - - -學(xué)習(xí)必備歡迎下載2.如圖所示,在xoy 平面內(nèi),以o(0,r)為圓心、 r 為半徑的圓內(nèi)有垂直平面向外的勻強(qiáng)磁場(chǎng),x 軸下方有垂直平面向里的勻強(qiáng)磁場(chǎng),兩區(qū)域磁感應(yīng)
3、強(qiáng)度大小相等。 第四象限有一與x軸成 45 角傾斜放置的擋板pq,p、q 兩點(diǎn)在坐標(biāo)軸上,且op兩點(diǎn)間的距離大于2r,在圓形磁場(chǎng)的左側(cè) 0y1)的顆粒打在收集板上的位置到o 點(diǎn)的距離解析(1)設(shè)帶電顆粒的電荷量為q,質(zhì)量為 m.有 eqmg 將qm1k代入,得 ekg. (2)如圖甲所示,有qv0bmv20rr2(3d) 2(rd)2得 bkv05d. (3) 如圖乙所示,有qv0b mv02r1tan 3dr213d2y1r1r213d2y2ltan yy1y2得 yd(5 2529)3l2529. 答案見解析a b c d s o a b c d s o 精品學(xué)習(xí)資料 可選擇p d f -
4、 - - - - - - - - - - - - - 第 4 頁(yè),共 8 頁(yè) - - - - - - - - -學(xué)習(xí)必備歡迎下載7如圖甲所示,一個(gè)質(zhì)量為m,電荷量為 q 的微粒 (不計(jì)重力 ),初速度為零,經(jīng)兩金屬板間電場(chǎng)加速后,沿 y 軸射入一個(gè)邊界為矩形的勻強(qiáng)磁場(chǎng)中,磁場(chǎng)方向垂直紙面向里磁場(chǎng)的四條邊界分別是y0,ya,x 1.5a,x1.5a.兩金屬板間電壓隨時(shí)間均勻增加,如圖乙所示由于兩金屬板間距很小,微粒在電場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)時(shí)間極短,可認(rèn)為微粒加速運(yùn)動(dòng)過(guò)程中電場(chǎng)恒定(1)求微粒分別從磁場(chǎng)上、下邊界射出時(shí)對(duì)應(yīng)的電壓范圍;(2)微粒從磁場(chǎng)左側(cè)邊界射出時(shí),求微粒的射出速度相對(duì)進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí)初速度偏轉(zhuǎn)角度
5、的范圍,并確定在左邊界上出射范圍的寬度d. 解析(1)當(dāng)微粒運(yùn)動(dòng)軌跡與上邊界相切時(shí),由圖甲中幾何關(guān)系可知r1a 微粒做圓周運(yùn)動(dòng),qv1bmv2 1r1微粒在電場(chǎng)中加速,qu112mv2 1由以上各式可得u1qb2a22m所以微粒從上邊界射出的電壓范圍為u1 qb2a22m當(dāng)微粒由磁場(chǎng)區(qū)域左下角射出時(shí),由圖乙中幾何關(guān)系可知r20.75a 微粒做圓周運(yùn)動(dòng),qv2bmv2 2r2微粒在電場(chǎng)中加速,qu212mv2 2由以上各式可得 u29qb2a232m所以微粒從下邊界射出的電壓范圍為0qb2a22m0u2 9qb2a232m(2)32a 精品學(xué)習(xí)資料 可選擇p d f - - - - - - -
6、- - - - - - - 第 5 頁(yè),共 8 頁(yè) - - - - - - - - -學(xué)習(xí)必備歡迎下載8 如圖甲所示, 兩平行金屬板長(zhǎng)度l 不超過(guò) 0.2 m,兩板間電壓u 隨時(shí)間 t 變化的 ut 圖象如圖乙所示 在金屬板右側(cè)有一左邊界為mn 、右邊無(wú)界的勻強(qiáng)磁場(chǎng),磁感應(yīng)強(qiáng)度b0.01 t,方向垂直紙面向里現(xiàn)有帶正電的粒子連續(xù)不斷地以速度v0105m/s 射入電場(chǎng)中,初速度方向沿兩板間的中線oo 方向磁場(chǎng)邊界mn 與中線 oo垂直已知帶電粒子的比荷qm108c/kg,粒子的重力和粒子之間的相互作用力均可忽略不計(jì)(1)在每個(gè)粒子通過(guò)電場(chǎng)區(qū)域的時(shí)間內(nèi),可以把板間的電場(chǎng)強(qiáng)度當(dāng)做恒定的請(qǐng)通過(guò)計(jì)算說(shuō)明
7、這種處理能夠成立的理由(2)設(shè) t0.1 s 時(shí)刻射入電場(chǎng)的帶電粒子恰能從金屬板邊緣穿越電場(chǎng)射入磁場(chǎng),求該帶電粒子射出電場(chǎng)時(shí)速度的大小(3)對(duì)于所有經(jīng)過(guò)電場(chǎng)射入磁場(chǎng)的帶電粒子,設(shè)其射入磁場(chǎng)的入射點(diǎn)和從磁場(chǎng)射出的出射點(diǎn)間的距離為d,試判斷: d 的大小是否隨時(shí)間變化?若不變,證明你的結(jié)論;若變化,求出d 的變化范圍解析(1)帶電粒子在金屬板間運(yùn)動(dòng)的時(shí)間為tlv02106 s,由于 t 遠(yuǎn)小于 t(t 為電壓 u 的變化周期 ),故在 t 時(shí)間內(nèi)金屬板間的電場(chǎng)可視為恒定的另解:在t 時(shí)間內(nèi)金屬板間電壓變化 u2103 v,由于 u 遠(yuǎn)小于 100 v(100 v 為電壓 u 最大值 ),電壓變化量
8、特別小,故t 時(shí)間內(nèi)金屬板間的電場(chǎng)可視為恒定的(2)t0.1 s 時(shí)刻偏轉(zhuǎn)電壓u100 v,由動(dòng)能定理得12qu12mv2112mv20,代入數(shù)據(jù)解得v11.41 105 m/s. (3)設(shè)某一時(shí)刻射出電場(chǎng)的粒子的速度大小為v, 速度方向與oo夾角為 , 則 vv0cos , 粒子在磁場(chǎng)中有qvbmv2r,由幾何關(guān)系得d2rcos ,由以上各式解得d2mv0qb,精品學(xué)習(xí)資料 可選擇p d f - - - - - - - - - - - - - - 第 6 頁(yè),共 8 頁(yè) - - - - - - - - -學(xué)習(xí)必備歡迎下載9.如圖甲所示,帶正電粒子以水平速度v0從平行金屬板mn 之間中線oo
9、連續(xù)射入電場(chǎng)中mn板間接有如圖乙所示的隨時(shí)間t 變化的電壓 umn,兩板間電場(chǎng)可看作是均勻的,且兩板外無(wú)電場(chǎng) 緊鄰金屬板右側(cè)有垂直紙面向里的勻強(qiáng)磁場(chǎng)b,分界線為 cd,ef 為屏幕金屬板間距為d,長(zhǎng)度為 l,磁場(chǎng)的寬度為d.已知: b5 103t,ld0.2 m,每個(gè)帶正電粒子的速度v0105 m/s,比荷為qm108 c/kg,重力忽略不計(jì), 在每個(gè)粒子通過(guò)電場(chǎng)區(qū)域的極短時(shí)間內(nèi),電場(chǎng)可視作是恒定不變的試求:(1)帶電粒子進(jìn)入磁場(chǎng)做圓周運(yùn)動(dòng)的最小半徑;(2)帶電粒子射出電場(chǎng)時(shí)的最大速度;(3)帶電粒子打在屏幕上的范圍解析: (1)t0 時(shí)刻射入電場(chǎng)的帶電粒子不被加速,進(jìn)入磁場(chǎng)做圓周運(yùn)動(dòng)的半徑最
10、小粒子在磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)時(shí)qv0bmv20rmin則 帶電 粒 子進(jìn) 入磁 場(chǎng)做 圓 周運(yùn) 動(dòng)的 最 小半 徑rminmv0qb105108 5 103m0.2 m 其運(yùn)動(dòng)的徑跡如圖中曲線所示(2)設(shè)兩板間電壓為u1,帶電粒子剛好從極板邊緣射出電場(chǎng),則有d212at212u1qdm( )lv02代入數(shù)據(jù),解得u1100 v 在電壓低于 100 v 時(shí),帶電粒子才能從兩板間射出電場(chǎng),電壓高于100 v 時(shí),帶電粒子打在極板上,不能從兩板間射出 帶電粒子剛好從極板邊緣射出電場(chǎng)時(shí),速度最大, 設(shè)最大速度為vmax,則有12mv2max12mv20qu12解得 vmax2 105 m/s1.414 105
11、m/s (3)由第 (1)問計(jì)算可知, t0 時(shí)刻射入電場(chǎng)的粒子在磁場(chǎng)中做圓周運(yùn)動(dòng)的半徑rmind0.2 m 徑跡恰與屏幕相切,設(shè)切點(diǎn)為e,e 為帶電粒子打在屏幕上的最高點(diǎn)則oermin0.2 m 帶電粒子射出電場(chǎng)時(shí)的速度最大時(shí),在磁場(chǎng)中做圓周運(yùn)動(dòng)的半徑最大,打在屏幕上的位置最低設(shè)帶電粒子以最大速度射出電場(chǎng)進(jìn)入磁場(chǎng)中做圓周運(yùn)動(dòng)的半徑為rmax,打在屏幕上的位置為 f,運(yùn)動(dòng)徑跡如圖中曲線所示qvmaxbmv2maxrmax則帶電粒子進(jìn)入磁場(chǎng)做圓周運(yùn)動(dòng)的最大半徑 rmaxmvmaxqb2 105108 5 103m25m 由數(shù)學(xué)知識(shí)可得運(yùn)動(dòng)徑跡的圓心必落在屏幕上,如圖中 q 點(diǎn)所示, 并且 q 點(diǎn)
12、必與 m 板在同一水平線上則o qd20.22m0.1 m 帶電粒子打在屏幕上的最低點(diǎn)為f,則 ofrmaxo q250.1m0.18 m 即帶電粒子打在屏幕上o上方 0.2 m 到 o 下方 0.18 m 的范圍內(nèi)答案: (1)0.2 m(2)1.414 105 m/s(3)o 上方 0.2 m 到 o 下方 0.18 m 的范圍內(nèi)精品學(xué)習(xí)資料 可選擇p d f - - - - - - - - - - - - - - 第 7 頁(yè),共 8 頁(yè) - - - - - - - - -學(xué)習(xí)必備歡迎下載10 如圖所示,在直角坐標(biāo)系xoy的第一、四象限區(qū)域內(nèi)存在兩個(gè)有界的勻強(qiáng)磁場(chǎng):垂直紙面向外的勻強(qiáng)磁場(chǎng)、
13、垂直紙面向里的勻強(qiáng)磁場(chǎng),o、m、p、q 為磁場(chǎng)邊界和x 軸的交點(diǎn),om=mp =l.在第三象限存在沿y軸正向的勻強(qiáng)電場(chǎng) . 一質(zhì)量為m帶電量為q的帶電粒子從電場(chǎng)中坐標(biāo)為(-2l,-l)的點(diǎn)以速度 v0沿+x 方向射出,恰好經(jīng)過(guò)原點(diǎn)o 處射入?yún)^(qū)域又從m點(diǎn)射出區(qū)域(粒子的重力忽略不計(jì)). (1)求第三象限勻強(qiáng)電場(chǎng)場(chǎng)強(qiáng)e 的大小;(2)求區(qū)域內(nèi)勻強(qiáng)磁場(chǎng)磁感應(yīng)強(qiáng)度b 的大小;(3)如帶電粒子能再次回到原點(diǎn)o,問區(qū)域內(nèi)磁場(chǎng)的寬度至少為多少?粒子兩次經(jīng)過(guò)原點(diǎn)o 的時(shí)間間隔為多少?(1)帶電粒子在勻強(qiáng)電場(chǎng)中做類平拋運(yùn)動(dòng). tvl02,(1 分)20)2(21vlmqel(1 分)qlmve220,( 2 ) 設(shè) 到 原 點(diǎn) 時(shí) 帶 電 粒 子 的 豎 直 分 速 度 為yv:002vvlmqetmqevy(1 分)02vv方向與x軸正向成045, 粒子進(jìn)入 區(qū)域 做勻速圓周運(yùn)動(dòng), 由幾何知識(shí)可得:lr221由洛倫茲力充當(dāng)向心力:12rvmbqv( 1 分),可解得:qlmvqrmvb012(1 分)(3) 運(yùn)動(dòng)軌跡如圖,
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