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1會計學CIGS薄膜太陽能電池的原理及制備薄膜太陽能電池的原理及制備光致衰退效應致使其性能不穩(wěn)定,光致衰退效應,轉化率比晶硅低（最高p-Si16.5%）n化合物半導體薄膜電池：CIGS禁帶寬度1.04-1.7eV（最佳1.5eV），CdTe禁帶寬度1.45eV,GaAs目前轉化率20%。光吸收系數高，光電轉化率高，成本低。

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