反激式開關(guān)電源原理

1、反激式開關(guān)電源目錄1 .開關(guān)電源總框圖：22 .原理圖33 .電源輸入44 .電源輸出45 .整流橋和濾波電路 .46 .漏極鉗位保護77 .反饋電路88 .輸出電路99 .變壓器9十.PCB11十一.元件清單12開關(guān)電源總框圖:ACDCua Q0>20KHzJlfl?1MOO6VR12 200V5%LI6 mH85-265VACC1il8p:400VC218 pF a4jOVR2”1 口R1?2MQTinySwKch-llU1TNY277PNEN/UV042.2 nF250VACTl-EEI 91>1C6剛 80 pF130D m-"Wr-|pLh>-or1N49

2、34C5R3 "OpF 110Q 50VID61N914C9K 47。pF瀏C?*1叫F10VC3 ilOuF、名 U2B16v/WL23.3 pHilOOpF16VU2A fL1W/JR5 血口I VR2Ell V2%P 12.0 V, 1,00 Af-QRTN國黑rra國三.電源輸入最小輸入交流電壓：85V最大輸入交流電壓：265V二極管導通時間：2.69 ms估計效率：？ = 78.0 %Z=0表示全部損損耗分配因子：0.46（Z表示次級損耗與總損耗的比值,耗發(fā)生在初級，Z=1表示發(fā)生在次級）四.電源輸出輸出1 ：電壓：12V電流：1A功率：12W輸出2:電壓：5V電流：0.1

3、A功率：0.5W總功率：Po = 12.5W五.整流橋和濾波電路tc為二極管導通上圖為整流橋整流后的波形，交流電 50Hz,則周期為T=20m&時間最小直流輸入電壓： Vdc(min)=根號2 * Vac(min) = 120.19V 最大直流輸入電壓：Vdc(max)=根號2 * Vac(max) = 374.71V 輸入功率：Pin = Po /? = 16W整流橋反向擊穿電壓ObrK25®maxUmax為最大交流輸入電壓Ubr >= 468.4V整流橋有效電流J一一1 RMS 一"% COS0Umin為最小輸入電壓C0s中為開關(guān)電源功率因數(shù)（0.50.7

4、,取0.7）Irms = 0.27AIAVG = (0.60.7) Irms = 0.65 * 0.27 = 0.18A2.濾波電容*C1> 18UF400 VL16 mHC218pF ；400V14>表1輸入濾波電容器容量的選擇方法u/VU H巾訪）/VPo/WA/WF/W)Cr/pF110( ±15%)3 902-3(2 3)W23)% 值85 265>9023(23)不3)P0值230(1 ±15%)>24011二Pq值Umin為最小交流輸入電壓Ulmin為最小直流輸入電壓 =Pin / Iavg = 89V取90VC1 =37uF 3.共模扼

5、流圈共模扼流圈的電感量與額定電流有關(guān)*L電當蒙建四號尼電沌的美系定位漉八AI：!&_ 他口足電感旭國甲司*口 2-*0.4-0.A 0.2-G.3 O.i-D.l) O,O-Q.Ot52RD.com陪2國M復介式KM1博濮H宛篇六.漏極鉗位保護MOS管由導通到截止時，會的初階繞組上產(chǎn)生尖峰電壓和感應電壓，具與直流 高壓疊加在MOS管的漏極上，容易損壞 MOS管，因此加了鉗位保護電路I 1VR1 200 V 5%D5FR106EtUJUBP/M輸入直流電壓的最大值 Ulmax、一次繞組的感應電壓 UOR鉗位電壓UB與UBM、 最大漏極電壓UDmax、漏一源擊穿電壓 U(BR)DS底U J

6、triRRL'h =280V200VUhR” ,JIIJTl20V儂？二_ 700V一 675VrZZZZZZZZZZZTZZvJ = 135V-375VovOV 圖3 MOSFET漏極上各電壓參數(shù)的電位分布圖u/V(AC)鉗位電壓 tVV鉗位二極管阻塞二極固定輸入：11090P6KE91 (91V/5W)BYV26B (400V/1A)通用輸入;85 265200P6KE200E2OOV/5W)UF4005(600V/1A)BYV26C(6OOV/1A)固定輸入 230(1 ±15%)200U2BLTVS1 7A七.反饋電路穩(wěn)壓管VR2利用調(diào)節(jié)流過自身的電流大?。ǘ穗妷夯?/p>

7、不變）來滿足負載電流的改變, 并和限流電阻R5配合將電流的變化轉(zhuǎn)化為電壓的變化以適應電網(wǎng)電壓的變化。輸出電壓由光耦合器中的 LED正向壓降，R5上的壓降和穩(wěn)壓管 VR2之和；R2和V R2還為12V輸出提供一個假負載，用以改善輕載時的穩(wěn)壓性能；LED正向壓降與 R5壓降在1V左右；當輸出電壓升高時，R5兩端電壓也升高，光耦合器二極管導通，導致 TNY277的MOS管關(guān)閉，即，占空比減小，輸出電壓降低。同理，輸出電壓降低時，TNY277的MOS管占空比增加，使得輸出電壓增加。八.輸出電路K4 80 pF 130 n ioovD7 1N4934C5R3 100 pF non 50 vDB 1N91

8、4C7100 |jF10 VC8* 470 uF25 V7%*v 彳L21ZJU % l.UU A3.3 pHC9100 pF16 VF 5.0 % 0.10 A Q R.TN由輸出整流二級管 D7和LC濾波電路L2、C8以及輸出電容 C9組成輸出電路;R4 C6為削尖峰電路九.變壓器EE195.00V, 5T2 X P27 T.LW.12.00 V, 6 T 2 X #27 T1W,PL 88 T 1 x #其 AWGPn =初緩繞狙T.I.W.二三層整繪線磁芯磁芯類型Pmax, WAE, on滸LE,mmAL. nHAW, mrtfEE1913.923.0039.4012503S.4骨架元

9、件編號AW,由療BW, mm方位初皴引腳次級引腳安全左側(cè)C底部兀mm安全右側(cè) 頂部,mmEE19 1 P4+S5)3649.00垂直453.203.20初級引腳4次級引腳3最小初級電感49 dH額定初級電感量965 dH磁芯截面積23.00 mm 2計算初級電感量 Lp=(Vindcmin*Dm)/(Ipk*fosc)=100*0.5 /0.297*60000=0.0028H=2.8mH;計算初級圈數(shù) Np=1000*根號下(Lp/Al)=158T;匝比 n=Vo/Vindcmin=0.18初級繞組線徑計算：a:先算初級電流均值Iprms=Ipk/1.414=0.27Ab:導線截面積S=Ipr

10、ms/JdJd一單位面積電流自然風冷式取1.54A/mmA2 ,強制Np=1000* 根號下(Lp/Al) S=Iprms/Jd式風冷時取36 取5.3 初級繞組第1部分初級繞組的取整（整數(shù)）圈數(shù) 88初級繞組線徑尺寸 30 AWG0.0507 mm2次級1繞組圈數(shù) 6次級1繞組線徑尺寸27次級2繞組圈數(shù)5次級2繞組線徑尺寸27十.PCSafely SpacingMch«d copper日母h#/ /!）修ytimua hflatslnkingInput Fitter CapacitorPHIBP1MTOP VIEWOpiocouplerIWSMIEIP莪置元伴妻考猿一說明主產(chǎn)期生產(chǎn)

11、商元件編號12C1,C218 pF18 pF ,靦 V, High Voltage Al Electrolylic, 235000 rmQ, (2Q mmw10 mm)NichiconUCY2G180MPD21C31QpF10 jjF.16 V, Electrolytic, Gen Purpose, 1060 mQ,(11 mm x5 mm)United ChemnConKME16VB10RM5X11LL31C422 nF2.2 nF, 29) VAC, Ceramic, Y ClassVis hay4J0LD22-R41C5100 pF100 pF, 50 V, Ceramic, COGTD

12、KFK18COG1H101J51_C6BO pF00 pF, 100 V, Ceramic, COGEpcosB37979N1B20J00061C7100 pF100 R "% 日電由如此5 叩孑 Low ESR, 300 m 口 J11 mm x 5 mm)United Chemi-ConKZE10VB101ME11LL71ce470 pF470 pF, 25 V, Flectrolylic, Super Low ESR,33mQ, (16 mm x 10 mm)Unded Chemi-ConKZE25VBJ71MJ16LLS1C9100 pF100 pF, 1BV, Electr

13、olytic. Low ESR, 290 mD,(116 mm x 6.3 mm)United Chemi-ConU<Z1GVB101MF11LL9401,02,00,041M0068005 1.0。 標油恢復,DM1VishayINTO1015FR106B005 1.00乩快速恢復、250俗DO.41Diodes Inc.FR106111D61N914花也U.30A快逋恢鼠4除D0-36Vis hay1N914121D71N4934100 V 1皿樂快遞恢復、200怖OCM1Vis hay1N4934131Fl1A265 VAC, 1 A, Radial TR5, Time Lag F

14、useUttaftj肥/Wickman(用37411000410141_L16 mH6 mH, 1.6 APanasonicELf1SN016151 -3.3 pH3.3 pH ,2.66 ATokcB22LYJ 田 M162-R1,R22 MO2MfU%125W橫像迪用71R3110 D11?？诜終Q25W做瞋通用1B1R4130 D130Q,5ft10.25W1W通用“91R5100DG1000 0,5%, 0.125,0通用201T1EE19NC-2H (Nicera； orEquivalenl直著姚就造腦的制觸完整的信息TDKPW0EE19-221i-UITMY277PNTinvSwitcMIl.TNWPN, DIP-9Power IntegrationsBIY277PN22i-U2LTIZASB# LTB1M,35V, CTR 80-160 %,4-DIPLil eonLTV317A231VR1P6KE200A200V