高三化學(xué)一輪復(fù)習(xí)課后訓(xùn)練：硅單質(zhì)

1、. 硅單質(zhì)1、下列關(guān)于硅及其化合物的說(shuō)法不正確的是（）A. 水玻璃可用作木材防火劑B. 硅是制造光導(dǎo)纖維的材料C. 硅是制造太陽(yáng)能電池的常用材料D. 硅是構(gòu)成一些巖石和礦物的基本元素2、化學(xué)知識(shí)在生活中有重要意義，下列說(shuō)法不正確的是( )A. 在食品袋中放入盛有硅膠和鐵粉的透氣小袋,可防止食物受潮氧化變質(zhì)B. 燒堿可以用于治療胃酸過(guò)多C. 計(jì)算機(jī)芯片所用的材料是高純度的硅D. 純凈的二氧化硅是生產(chǎn)光纖制品的基本原料3、化學(xué)與社會(huì)、生活、科技有著密切的聯(lián)系,下列說(shuō)法正確的是（）A. 燒制陶瓷和石油的分餾均不涉及化學(xué)變化B. 明礬常用于水的凈化和消毒殺菌C. 利用高純硅制造的太陽(yáng)能電池板可將光能直

2、接轉(zhuǎn)化為電能D. 航空母艦上用于艦載機(jī)降落攔阻索的特種鋼纜，屬于新型無(wú)機(jī)非金屬材料4、化學(xué)在生活中應(yīng)用廣泛，下列物質(zhì)性質(zhì)與對(duì)應(yīng)用途錯(cuò)誤的是（）A. 明礬易水解生成膠體,可用作凈水劑B. 晶體硅熔點(diǎn)高硬度大,可用作芯片C. 氮?dú)饣瘜W(xué)性質(zhì)穩(wěn)定,可用作糧食保護(hù)氣D. 溴化銀見(jiàn)光易分解,可用作膠片感光劑5、關(guān)于硅及其化合物的敘述中，錯(cuò)誤的是（ ）A. 水玻璃可做粘合劑及耐火材料B. 硅可做半導(dǎo)體材料C. 普通玻璃以黏士和石灰石為原料D. 二氧化硅是制作光導(dǎo)纖維的原料6、2019年為國(guó)際化學(xué)年,主題為“化學(xué)-我們的生活，我們的未來(lái)”下列說(shuō)法正確的是（）A. 制作航天服的聚酯纖維和用于光纜通信的晶體硅都是

3、新型無(wú)機(jī)非金屬材料B. 金剛砂的成分是Al2O3，可用作砂紙、砂輪的磨料C. 石油化工生產(chǎn)廣泛使用過(guò)渡元素做催化劑并加入少量稀土元素改善催化劑的性能D. 福爾馬林(甲醛溶液)可用于浸泡生肉及海產(chǎn)品以防腐保鮮7、下列物質(zhì)性質(zhì)與應(yīng)用對(duì)應(yīng)關(guān)系正確的是 （ ）A. MnO2不溶于水，可用作H2O2分解的催化劑B. 過(guò)氧化鈣CaO2緩慢與水反應(yīng)能產(chǎn)生O2，可用作水產(chǎn)養(yǎng)殖中的供氧劑C. 晶體硅熔點(diǎn)高硬度大，可用于制作半導(dǎo)體材料D. Al(OH)3具有兩性，可用于做阻燃劑8、下外關(guān)于物質(zhì)用途的敘述中，不正確的是（ ）A. 硅可以用來(lái)制造變壓器的鐵芯片材料B. 二氧化硅可以用來(lái)制造光導(dǎo)纖維C. 石墨可以用來(lái)做

4、絕緣材料D. 石英玻璃可以用來(lái)制造耐高溫的化學(xué)儀器9、下列關(guān)于硅的說(shuō)法不正確的是()A. 硅是非金屬元素，但它的單質(zhì)是灰黑色有金屬光澤的固體B. 硅的導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體和絕緣體之間，是良好的半導(dǎo)體材料C. 硅的化學(xué)性質(zhì)不活潑，常溫下不與任何物質(zhì)起反應(yīng)D. 當(dāng)加熱到一定溫度時(shí)，硅能與氯氣、氫氣等非金屬反應(yīng)10、化學(xué)與科學(xué)、技術(shù)、社會(huì)、環(huán)境密切相關(guān)。下列說(shuō)法正確的是（ ）A. 計(jì)算機(jī)的芯片材料是高純度二氧化硅B. 戰(zhàn)國(guó)所著周禮中記載沿海古人“煤餅燒蠣房成灰”（“蠣房”即牡蠣殼），并把這種灰稱(chēng)為“蜃”，“蜃”的主要成分為 Ca(OH)2C. “綠水青山就是金山銀山”，礦物燃料經(jīng)過(guò)脫硫脫硝處理，可以減少

5、 SO2、 NO2 的排放D. 2M+N=2P+2Q， 2P+M=Q（M、N 為原料，Q為期望產(chǎn)品），不符合“綠色化學(xué)”的理念11、用無(wú)機(jī)礦物資源生產(chǎn)部分材料，其產(chǎn)品流程示意圖如下，下列說(shuō)法正確的是（ ）A. 制取粗硅時(shí)生成的氣體產(chǎn)物為CO2B. 生產(chǎn)鋁、銅、高純硅及玻璃的過(guò)程中都涉及氧化還原反應(yīng)C. 電解精煉銅時(shí)，當(dāng)電路中轉(zhuǎn)移0.2mol 電子時(shí)陽(yáng)極質(zhì)量減輕6.4gD. 粗硅制高純硅時(shí)，提純四氯化硅可用多次分餾的方法12、化學(xué)與生活密切相關(guān)，下列說(shuō)法正確的是（）A. 用聚乙烯塑料代替聚乳酸塑料可減少白色污染B. 用于光纜通信的光導(dǎo)纖維和制作航天服的聚酯纖維都是新型無(wú)機(jī)非金屬材料C. 用高錳酸

6、鉀溶液、酒精、氯水的強(qiáng)氧化性進(jìn)行殺菌消毒D. 高純硅廣泛應(yīng)用于太陽(yáng)能電池和半導(dǎo)體材料的制造13、化學(xué)與生活、生產(chǎn)密切相關(guān),下列有關(guān)說(shuō)法錯(cuò)誤的是（ ）A. “熬膽礬鐵釜,久之亦化為銅”，該過(guò)程發(fā)生了置換反應(yīng)B. “一帶一路” 是現(xiàn)代“ 絲綢之路”，絲綢的主要成分是纖維素C. “從沙灘到用戶(hù)”，計(jì)算機(jī)芯片的材料是晶體硅D. 硝石“外觀(guān)如雷雪，強(qiáng)燒之,紫青煙起”，該過(guò)程中利用了焰色反應(yīng)14、化學(xué)與科技、醫(yī)藥、工業(yè)生產(chǎn)均密切相關(guān)。下列有關(guān)敘述正確的是（ ）A. 2019年4月26日，中國(guó)第二艘航母舉行下水儀式，該航母使用了素有“現(xiàn)代工業(yè)的骨骼”之稱(chēng)的碳纖維。碳纖維是一種新型的有機(jī)高分子材料B. 離子交

7、換膜在工業(yè)上應(yīng)用廣泛，如氯堿工業(yè)使用陰離子交換膜C. 半導(dǎo)體行業(yè)中有一句話(huà)：“從沙灘到用戶(hù)”，計(jì)算機(jī)芯片的主要材料是經(jīng)提純的SiO2D. 獲得2019年諾貝爾生理學(xué)、醫(yī)學(xué)獎(jiǎng)的屠呦呦女士用乙醚從黃花蒿中提取出青蒿素，該技術(shù)應(yīng)用了萃取原理15、化學(xué)與人類(lèi)的生活、生產(chǎn)息息相關(guān)，下列說(shuō)法不正確的是（）A. “地溝油”禁止食用，但可以用來(lái)制肥皂或燃油B. BaCO3在醫(yī)學(xué)上可用作“鋇餐”C. 光導(dǎo)纖維的主要成分是SiO2，太陽(yáng)能電池使用的材料是單質(zhì)硅D. 臭氧、醋酸、雙氧水都能殺菌消毒16、有科學(xué)家提出硅是“21世紀(jì)的能源”“未來(lái)的石油”的觀(guān)點(diǎn)。假如硅作為一種普遍使用的新型能源被開(kāi)發(fā)利用，利用其有利因素

8、的下列說(shuō)法中，你認(rèn)為不妥的是 （ ）A.硅便于運(yùn)輸、貯存，從安全角度考慮，硅是最佳的燃料B.自然界中存在大量的單質(zhì)硅C.硅燃燒放出的熱量多，且燃燒產(chǎn)物對(duì)環(huán)境污染程度低，容易有效控制D.自然界硅的化合物易開(kāi)采，且可再生17、下列各組物質(zhì)中，不能滿(mǎn)足表中圖示物質(zhì)在一定條件下一步轉(zhuǎn)化關(guān)系的組合為（）組別XYZWAAlAICl3Al(OH)3Al2O3BNaNa2O2Na2CO3NaClCFeFeCl2FeCl3Fe(OH)3DSiNa2SiO3H2SiO3SiO218、下列各組物質(zhì)能滿(mǎn)足如圖所示轉(zhuǎn)化關(guān)系的是（圖中箭頭表示進(jìn)一步轉(zhuǎn)化）（）序號(hào)a bcdSiSiO2H2SiO3Na2SiO3AlAlCl

9、3NaAlO2Al（OH）3CuCuOCu(OH)2CuSO4Fe2O3FeCl3FeCl2FeA. B. C. D. 19、下列說(shuō)法正確的是（ ）A. Fe2O3常用于制造紅色油漆和涂料B. CO2溶于水得到的溶液能導(dǎo)電，所以CO2是電解質(zhì)C. 化學(xué)反應(yīng)必然引起物質(zhì)狀態(tài)的變化D. 硅可用來(lái)做光導(dǎo)纖維20、常溫下，下列不發(fā)生反應(yīng)的一組物質(zhì)是()硅與NaOH溶液硅與鹽酸硅與氫氟酸二氧化硅與碳酸鈉二氧化硅與NaOH溶液二氧化硅與濃硝酸ABCD21、下列關(guān)于C、Si兩種非金屬元素的說(shuō)法中，正確的是()A兩者結(jié)合形成的化合物是共價(jià)化合物B在自然界中都能以游離態(tài)存在C氫化物的熱穩(wěn)定性比較：CH4<

10、SiH4D最高價(jià)氧化物都能與水反應(yīng)生成相應(yīng)的酸22、實(shí)驗(yàn)室用H2還原SiHC13（沸點(diǎn)：31.85）制備純硅的裝置如圖所示（夾持裝置和尾氣處理裝置略去）（）A. 裝置、中依次盛裝的是濃H2SO4、冰水B. 實(shí)驗(yàn)時(shí)，應(yīng)先加熱管式爐，再打開(kāi)盛裝稀硫酸的分液漏斗C. 為簽定制得的硅中是否含微量鐵單質(zhì)，需要用到的試劑為鹽酸、雙氧水、硫氰化鉀溶液D. 該實(shí)驗(yàn)中制備氫氣的裝置夜歌用于氧氧化鈉稀溶液與氯化銨固體反應(yīng)制備氨氣23、下列各種應(yīng)用中，利用了硅元素的還原性的是（ ）A. 用硅制造集成電路、晶體管等半導(dǎo)體器件B. 在野外，用硅、石灰、燒堿的混合物制取氫氣：Si+Ca(OH)2+2NaOH=Na2SiO

11、3+CaO+2H2C. 用HF酸刻蝕玻璃：SiO2+4HF=SiF4+2H2OD. 單質(zhì)硅的制備：SiO2+2C Si+2CO24、下面關(guān)于硅的敘述中,正確的是()A.硅的非金屬性比碳的強(qiáng),只有在高溫下才能與氫氣發(fā)生化合反應(yīng)B.硅是構(gòu)成礦物和巖石的主要元素,硅在地殼中的含量在所有的元素中居第一位C.硅的化學(xué)性質(zhì)不活潑,在自然界中可以以游離態(tài)形式存在D.硅在電子工業(yè)中是重要的半導(dǎo)體材料25、下列物質(zhì)的用途錯(cuò)誤的是()A.硅是制造太陽(yáng)能電池的常用材料B.二氧化硅是制造光導(dǎo)纖維的材料C.水玻璃可用作木材防火劑D.硅是制取水泥的原料26、有科學(xué)家認(rèn)為“硅是21世紀(jì)的能源”“未來(lái)的石油”,下列有關(guān)硅可能

12、成為能源的論述不正確的是()A.自然界存在大量硅單質(zhì)B.自然界的硅易開(kāi)采且可再生C.硅燃料便于運(yùn)輸、貯存,從安全角度考慮,硅是優(yōu)質(zhì)燃料D.硅燃料燃燒放出的熱量多,其燃燒產(chǎn)物對(duì)環(huán)境的污染容易有效控制27、多晶硅是單質(zhì)硅的一種形態(tài)，是制造硅拋光片、太陽(yáng)能電池及高純硅制晶的主要原料。已知多晶硅第三代工業(yè)制取流程如圖所示：下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是（ ）A. Y、Z分別為H2、Cl2B. 制取粗硅的過(guò)程中焦炭與石英會(huì)發(fā)生副反應(yīng)生成碳化硅，在該副反應(yīng)中，氧化劑與還原劑的物質(zhì)的量之比為1：1C. SiHCl3極易水解，其完全水解的產(chǎn)物為H2SiO3、H2、HCl，據(jù)此推測(cè)SiHCl3中硅元素的化合價(jià)為+2價(jià)D. Y

13、與SiHCl3制備多晶硅的反應(yīng)屬于置換反應(yīng)28、下列離子在水溶液中能大量共存的是()A.H+、K+、HC、Ca2+B.OH-、Na+、Mg2+、HCC.Na+、H+、Cl-、ND.Na+、Si、H+、Cl-29、反應(yīng)SiCl4+2H2 Si（純）+4HCl可用于工業(yè)制取純硅該反應(yīng)屬于（）A化合反應(yīng) B復(fù)分解反應(yīng) C置換反應(yīng) D分解反應(yīng)30、國(guó)產(chǎn)自主研發(fā)芯片麒麟970是全球首款內(nèi)置神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)單元的處理器，該處理器芯片中使用的材料是 （ ）A. 硅 B. 鈦合金 C. 二氧化硅 D. 鉛合金31、實(shí)驗(yàn)室用H2還原SiHCl3（沸點(diǎn)：31.85）制備純硅的裝置如圖所示（夾持裝置和尾氣處理裝置略去）,下

14、列說(shuō)法正確的是（）A. 裝置、中依次盛裝的是濃H2SO4、冰水B. 實(shí)驗(yàn)時(shí)，應(yīng)先加熱管式爐，再打開(kāi)盛裝稀硫酸的分液漏斗C. 為鑒定制得的硅中是否含微量鐵單質(zhì)，需要用到的試劑為鹽酸、雙氧水、硫氰化鉀溶液D. 該實(shí)驗(yàn)中制備氫氣的裝置也可用于氧氧化鈉稀溶液與氯化銨固體反應(yīng)制備氨氣32、給定條件下，下列選項(xiàng)中所示的物質(zhì)間轉(zhuǎn)化均能一步實(shí)現(xiàn)的是()A. 粗硅SiCl4Si BMg(OH)2MgCl2(aq)MgCFe2O3FeCl3(aq)無(wú)水FeCl3DAgNO3(aq)Ag(NH3)2OH(aq)Ag33、工業(yè)上利用無(wú)機(jī)礦物資源生產(chǎn)部分材料的流程示意圖如下。下列說(shuō)決不正確的是()A. 在鋁土礦制備較高

15、純度Al的過(guò)程中常用到NaOH溶液、CO2氣體、冰晶石B. 石灰石、純堿，石英、玻璃都屬于鹽，都能與鹽酸反應(yīng)C. 在制粗硅時(shí)，被氧化的物質(zhì)與被還原的物質(zhì)的物質(zhì)的量之比為2：1D. 黃銅礦(CuFeS2)與O2反應(yīng)產(chǎn)生的Cu2S、FeO均是還原產(chǎn)物34、現(xiàn)有Si和Al2O3的固體混合物樣品，加入NaOH溶液使混合物完全溶解，所得溶液中c（Na+）：c（AlO2）：c（OH）=6：2：1，則原固體混合物中硅元素與氧元素的質(zhì)量比為（）A3：2 B3：1 C7：8 D7：1635、給定條件下，下列選項(xiàng)中所示的物質(zhì)間轉(zhuǎn)化均能一步實(shí)現(xiàn)的是( )A粗硅Cl2高溫SiCl4H2高溫SiBMg(OH)2鹽酸Mg

16、Cl2(aq)電解MgCFe2O3鹽酸FeCl3(aq)蒸發(fā)無(wú)水FeCl3DAgNO3(aq)NH3·H2OAg(NH3)2OH(aq)蔗糖Ag36、化學(xué)在生活中有著廣泛的應(yīng)用，下列對(duì)應(yīng)關(guān)系錯(cuò)誤的是（）選項(xiàng)物質(zhì)性質(zhì)實(shí)際應(yīng)用AAl2(SO4)3和小蘇打反應(yīng)泡沫滅火器滅火B(yǎng)元素硅處于金屬與非金屬分界線(xiàn)單質(zhì)硅常用作光導(dǎo)纖維C常溫下，鈉鉀合金熔點(diǎn)低且導(dǎo)熱性好原子反應(yīng)堆導(dǎo)熱劑DHF 與SiO2 反應(yīng)氫氟酸在玻璃器皿上刻蝕標(biāo)記37、給定條件下，下列選項(xiàng)中所示的物質(zhì)間轉(zhuǎn)化均能一步實(shí)現(xiàn)的是 （ ）A粗硅Cl2高溫SiCl4H2高溫SiBMg(OH)2鹽酸MgCl2(aq)電解MgCFe2O3鹽酸Fe

17、Cl3(aq)蒸發(fā)無(wú)水FeCl3DAgNO3(aq)NH3·H2OAg(NH3)2OH(aq)蔗糖Ag38、化學(xué)與生產(chǎn)、生活、科技、環(huán)境等密切相關(guān)，下列說(shuō)法不正確的是（ ）A和 MgO 的熔點(diǎn)均很高，可用于制作耐高溫材料B將“地溝油”制成肥皂，可以提高資源的利用率C小蘇打和氫氧化鋁膠囊，可以作內(nèi)服藥治療胃酸過(guò)多D半導(dǎo)體行業(yè)中有一句話(huà)：“從沙灘到用戶(hù)”，計(jì)算機(jī)芯片的材料是二氧化硅39、化學(xué)與環(huán)境保護(hù)、工業(yè)生產(chǎn)、生活等密切相關(guān)下列說(shuō)法正確的是 （ ）A用于制作集成電路板的酚醛樹(shù)脂是天然高分子化合物B食鹽、食醋、食用油均可用作食品添加劑，都屬于有機(jī)物C碳酸鋇、碳酸氫鈉、氫氧化鋁均可作為抗酸

18、藥物使用D. 神舟10號(hào)飛船所用太陽(yáng)能電池板的材料是單晶硅40、硅廣泛應(yīng)用于計(jì)算機(jī)技術(shù)領(lǐng)域。工業(yè)上，用焦炭在電爐中還原二氧化硅制得粗硅。某研究性學(xué)習(xí)小組在實(shí)驗(yàn)條件下對(duì)過(guò)量炭粉與二氧化硅反應(yīng)的氣體產(chǎn)物成分進(jìn)行探究。（1）提出假設(shè)該反應(yīng)的氣體產(chǎn)物是CO2；改反應(yīng)的氣體產(chǎn)物是CO；該反應(yīng)的氣體產(chǎn)物是_。（2）設(shè)計(jì)方案，利用如圖所示裝置進(jìn)行實(shí)驗(yàn)（3）查閱資料在該實(shí)驗(yàn)條件下氮?dú)獠慌c碳、硅、二氧化硅發(fā)生反應(yīng)；實(shí)驗(yàn)室可以用氯化銨飽和溶液和亞硝酸鈉（NaNO2）飽和溶液混合加熱制得氮?dú)狻５獨(dú)獾陌l(fā)生裝置可以選擇上圖中的_，反應(yīng)的化學(xué)方程式為_(kāi)。（4）實(shí)驗(yàn)步驟連接好裝置后，稱(chēng)取12.0g二氧化硅，10.0g碳粉混

19、合均勻，放入質(zhì)量為48.0g的硬質(zhì)玻璃管中。放入藥品前應(yīng)進(jìn)行的操作是_。打開(kāi)彈簧夾，向裝置中通入純凈干燥的氮?dú)?。停止通入氮?dú)夂?，夾緊彈簧夾，加熱一段時(shí)間，發(fā)現(xiàn)澄清石灰水（足量）變渾濁。待反應(yīng)結(jié)束，停止加熱，再緩緩?fù)ㄈ胍欢螘r(shí)間的氮?dú)猓鋮s至室溫，稱(chēng)得硬質(zhì)玻璃管和固體總質(zhì)量為60.0g。再緩緩?fù)ㄈ氲獨(dú)獾淖饔脼開(kāi)。將石灰水過(guò)濾、洗滌、烘干，稱(chēng)量固體質(zhì)量為10.0g。該操作中過(guò)濾、洗滌時(shí)用到的玻璃儀器是_；至少稱(chēng)量_次。（5）數(shù)據(jù)處理根據(jù)所得實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)，該實(shí)驗(yàn)中二氧化硅與碳發(fā)生反應(yīng)的化學(xué)方程式為_(kāi)。（6）實(shí)驗(yàn)優(yōu)化學(xué)習(xí)小組有同學(xué)認(rèn)為對(duì)實(shí)驗(yàn)裝置需要進(jìn)一步完善、改進(jìn)：_；將澄清石灰水換成濃氫氧化鋇溶液。41、

20、加熱條件下，硅單質(zhì)和HCl反應(yīng)生成SiHCl3是粗硅提純的重要步驟。某小組設(shè)計(jì)如圖所示裝置完成上述轉(zhuǎn)化（夾持裝置略去）。已知：SiHCl3的沸點(diǎn)為33.0°C，易溶于有機(jī)溶劑，能與水劇烈反應(yīng)，在空氣中易被氧化，CCl4的沸點(diǎn)為76.8°C。請(qǐng)回答：（1）儀器a的名稱(chēng)為 ；導(dǎo)管g的作用為 ；（2）裝置A中，濃硫酸體現(xiàn)的性質(zhì)為 ；實(shí)驗(yàn)時(shí)，需先打開(kāi)分液漏斗活塞，一段時(shí)間后，在點(diǎn)燃C處酒精燈，理由是 ； （3）裝置C中發(fā)生反應(yīng)的化學(xué)方程式為 ；（4）裝置D中所得的液態(tài)混合物的分離方法為 。（填操作名稱(chēng)）（5）反應(yīng)后的氣體通過(guò)裝置F中的NaOH溶液后，對(duì)逸出氣體的處理方法為 ；（6）

21、SiHCl3在潮濕的空氣中被氧化，生成一種氧化物和一種無(wú)氧酸，該反應(yīng)的化學(xué)方程式為 。42、單晶硅是信息產(chǎn)業(yè)中重要的基礎(chǔ)材料通常用炭在高溫下還原二氧化硅制得粗硅（含鐵、鋁、硼、磷等雜質(zhì)），粗硅與氯氣反應(yīng)生成四氯化硅（反應(yīng)溫度450500），四氯化硅經(jīng)提純后用氫氣還原可得高純硅以下是實(shí)驗(yàn)室制備四氯化硅的裝置示意圖相關(guān)信息：四氯化硅遇水極易水解；SiCl4沸點(diǎn)為57.7，熔點(diǎn)為70.0請(qǐng)回答：（1）寫(xiě)出裝置A中發(fā)生反應(yīng)的離子方程式 （2）裝置C中的試劑是 ；裝置F的作用是 ；裝置E中的h瓶需要冷卻的理由是 （3）裝置E中h瓶收集到的粗產(chǎn)物可通過(guò)精餾（類(lèi)似多次蒸餾）得到高純度四氯化硅，精餾后的殘留物

22、中含有鐵元素，為了分析殘留物中鐵元素的含量，先將殘留物預(yù)處理，使鐵元素還原成Fe2+，再用KMnO4標(biāo)準(zhǔn)溶液在酸性條件下進(jìn)行氧化還原滴定反應(yīng)的離子方程式： 滴定前是否要滴加指示劑？ （填“是”或“否”），請(qǐng)說(shuō)明理由 滴定前檢驗(yàn)Fe3+是否被完全還原的實(shí)驗(yàn)操作是 43、加熱條件下，硅單質(zhì)和HCl反應(yīng)生成SiHCl3是粗硅提純的重要步驟某小組設(shè)計(jì)如圖所示裝置完成上述轉(zhuǎn)化（夾持裝置略去）已知：SiHCl3的沸點(diǎn)為33.0°C，易溶于有機(jī)溶劑，能與水劇烈反應(yīng)，在空氣中易被氧化，CCl4的沸點(diǎn)為76.8°C請(qǐng)回答：（1）儀器a的名稱(chēng)為 ；導(dǎo)管g的作用為 ；（2）裝置A中，濃硫酸體現(xiàn)的

23、性質(zhì)為 ；實(shí)驗(yàn)時(shí)，需先打開(kāi)分液漏斗活塞，一段時(shí)間后，在點(diǎn)燃C處酒精燈，理由是 ；（3）裝置C中發(fā)生反應(yīng)的化學(xué)方程式為 ；（4）裝置D中所得的液態(tài)混合物的分離方法為 （填操作名稱(chēng)）（5）反應(yīng)后的氣體通過(guò)裝置F中的NaOH溶液后，對(duì)逸出氣體的處理方法為 ；（6）SiHCl3在潮濕的空氣中被氧化，生成一種氧化物和一種無(wú)氧酸，該反應(yīng)的化學(xué)方程式為 44、現(xiàn)有以下四種物質(zhì)：A.Si B.FeCl3 C.NaHCO3 D.Na2SiO3請(qǐng)根據(jù)題意選擇恰當(dāng)?shù)倪x項(xiàng)用字母代號(hào)填空。（1）可與KSCN溶液反應(yīng)，溶液變紅的是_；（2）常用于焙制糕點(diǎn)，也可用作抗酸藥的是_；（3）可用于制備硅膠和木材防火劑的是_；（4

24、）可用于制造計(jì)算機(jī)芯片的是_。45、晶體硅是一種重要的非金屬材料。物質(zhì)沸點(diǎn)/SiHCl333.0SiCl457.6HCl84模擬制備純硅的主要步驟如下：高溫下用碳還原二氧化硅制得粗硅；粗硅與干燥HCl氣體反應(yīng)制得SiHCl3：Si3HClSiHCl3H2；SiHCl3與過(guò)量H2在1 0001 100 反應(yīng)制得純硅?？赡苡玫降男畔⑷缦拢阂阎猄iHCl3能與H2O強(qiáng)烈反應(yīng)，在空氣中易自燃；步驟中粗硅與HCl反應(yīng)時(shí)會(huì)生成少量SiCl4。請(qǐng)回答下列問(wèn)題：(1)粗硅與HCl反應(yīng)完全后，依據(jù)上表所示沸點(diǎn)差異提純SiHCl3，該提純方法為_(kāi)。(2)用SiHCl3與過(guò)量H2反應(yīng)制備純硅的裝置如下(熱源及夾持裝

25、置略去)：依次連接的合理順序?yàn)開(kāi)(填寫(xiě)字母序號(hào))；裝置D中g(shù)管的作用是_；裝置B中的試劑是_；裝置C中的燒瓶加熱的目的是_。裝置A中發(fā)生反應(yīng)的化學(xué)方程式為_(kāi)。操作時(shí)應(yīng)先打開(kāi)裝置_(填“C”或“D”)中分液漏斗的旋塞，理由是_。(3)請(qǐng)?jiān)O(shè)計(jì)實(shí)驗(yàn)證明產(chǎn)品硅中是否含微量鐵單質(zhì)：將產(chǎn)品用稀鹽酸溶解，取上層清液后_。46、硅是最理想的太陽(yáng)能電池材料，高性能晶硅電池是建立在高質(zhì)量晶硅材料基礎(chǔ)上的。工業(yè)上可以用如圖所示的流程制取高純硅。（1）硅在周期表中的位置是_，反應(yīng)1中氧化劑與還原劑的物質(zhì)的量之比為：_（2）粗硅與HCl反應(yīng)完全后,經(jīng)冷凝得到的SiHCl3 (沸點(diǎn)31.8)中含有少量SiCl4 (沸點(diǎn)5

26、7.6)和SiH2Cl2 (沸點(diǎn)8.2)、SiH3Cl(沸點(diǎn)-30.4)提純SiHCl3采用的方法為_(kāi)，整個(gè)過(guò)程中可以循環(huán)利用的物質(zhì)X是：_（填化學(xué)式）（3）提純粗硅的過(guò)程中必須嚴(yán)格控制無(wú)水無(wú)氧，原因之一是硅的鹵化物極易水解，寫(xiě)出SiCl4遇水劇烈反應(yīng)的化學(xué)方程式_（4）硅在有HNO3存在的條件下，可以與HF生成H2SiF6，同時(shí)有不溶于水的氣體生成，該氣體遇空氣變?yōu)榧t棕色，硅單質(zhì)發(fā)生的化學(xué)方程式為_(kāi)（5）某工廠(chǎng)用100噸純度為75%的石英砂為原料經(jīng)第一步反應(yīng)制得的粗硅中含硅28噸，則該過(guò)程中硅的產(chǎn)率是：_（精確到小數(shù)點(diǎn)后兩位）47、晶體硅是一種重要的非金屬材料，制備純硅的主要步驟如下：高溫下

27、用碳還原二氧化硅制得粗硅。粗硅與干燥的Cl2反應(yīng)制得SiCl4：Si2Cl2SiCl4。SiCl4被過(guò)量的H2在1 0001 100時(shí)還原制得純硅。某同學(xué)從資料中查知：SiCl4的熔點(diǎn)為70，沸點(diǎn)為57.6，其在潮濕的空氣中能發(fā)生水解反應(yīng)。該同學(xué)設(shè)計(jì)了以下制取純硅的實(shí)驗(yàn)裝置(熱源及夾持裝置略去)。請(qǐng)回答下列問(wèn)題：(1)使SiCl4從裝置B中逸出與H2充分混合，應(yīng)采取的措施是_ _。(2)裝置C不能采用普通玻璃管的原因是_，石英的化學(xué)式是_。(3)如果從裝置A中快速向裝置B中通入氣體，可以觀(guān)察到的現(xiàn)象是_。(4)為防止空氣污染，含有SiCl4的尾氣要通入盛有_溶液的燒杯中，反應(yīng)的化學(xué)方程式為_(kāi)。

28、(5)為保證制備純硅實(shí)驗(yàn)的成功，操作的關(guān)鍵是檢查實(shí)驗(yàn)裝置的氣密性，控制好反應(yīng)溫度，還應(yīng)對(duì)該裝置進(jìn)行的改進(jìn)是_ _。48、硅單質(zhì)及其化合物應(yīng)用范圍很廣。請(qǐng)回答下列問(wèn)題:(1)制備硅半導(dǎo)體材料必須先得到高純硅,三氯甲硅烷(SiHCl3)還原法是當(dāng)前制備高純硅的主要方法,生產(chǎn)過(guò)程示意圖如下:石英砂粗硅SiHCl3(粗)SiHCl3(純)高純硅寫(xiě)出由純SiHCl3制備高純硅的化學(xué)反應(yīng)方程式:。 整個(gè)制備過(guò)程必須嚴(yán)格控制無(wú)水、無(wú)氧。SiHCl3遇水劇烈反應(yīng)生成H2SiO3、HCl和另一種物質(zhì),寫(xiě)出這一過(guò)程的化學(xué)反應(yīng)方程式: ;H2還原SiHCl3過(guò)程中若混入O2,可能引起的后果是。 (2)下列有關(guān)硅材料

29、的說(shuō)法正確的是(填字母)。 A.碳化硅化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定,可用于生產(chǎn)砂紙、砂輪的磨料B.氮化硅硬度大、熔點(diǎn)高,可用于制作高溫陶瓷和軸承C.高純度的二氧化硅可用于制造高性能通訊材料光導(dǎo)纖維D.普通玻璃是由純堿、石灰石和石英砂制成的,其熔點(diǎn)很高E.鹽酸可以與硅反應(yīng),故采用鹽酸為拋光液拋光單晶硅49、在半導(dǎo)體工業(yè)中有這樣一句行話(huà)：“從沙灘到用戶(hù)”，指的是從硅的氧化物可以制取硅單質(zhì)，主要化學(xué)反應(yīng)如下：a粗硅的制?。篠iO2（石英砂）+2C（焦炭）Si（粗硅）+2COb用粗硅與氯氣在高溫條件下反應(yīng)合成四氯化硅： ;c用氫氣在高溫條件下還原四氯化硅獲得高純硅： .（1）完成上述步驟中的反應(yīng)方程式（2）在粗硅的制

30、取中，焦炭的作用是 （3）氫氣還原四氯化硅獲得高純硅的反應(yīng)類(lèi)型為 50、A、B、C、D、E代表單質(zhì)或化合物，它們之間的相互轉(zhuǎn)換關(guān)系如下圖所示。A為地殼中含量?jī)H次于氧的非金屬元素的單質(zhì)。請(qǐng)?zhí)羁眨海?）寫(xiě)出物質(zhì)C的化學(xué)式 。（2）寫(xiě)出B和碳高溫反應(yīng)生成A和E的化學(xué)方程式是 。（3）寫(xiě)出BD反應(yīng)的離子反應(yīng)方程式 。51、某新型無(wú)機(jī)非金屬材料K由兩種非金屬元素組成，它是一種超硬物質(zhì)，具有耐磨、耐腐蝕、抗冷熱沖擊、抗氧化的特性。它是以中學(xué)化學(xué)中常見(jiàn)物質(zhì)為原料來(lái)生產(chǎn)的，圖中C、M、K均含A元素，M的分子式為A（NH2）4；E為不含A 元素的氫化物，在空氣中易形成白霧；G、F均為難溶于水的白色沉淀，H為氧化

31、物，J為氣體；其余物質(zhì)均為中學(xué)化學(xué)中常見(jiàn)物質(zhì)。（提示：NH3和H2O的化學(xué)性質(zhì)在某些方面相似）請(qǐng)回答下列問(wèn)題：（1）寫(xiě)出指定物質(zhì)的化學(xué)式：A ，C ，F(xiàn) 。（2）K的化學(xué)式為 。（3）寫(xiě)出圖中下列序號(hào)的化學(xué)方程式：反應(yīng) ；反應(yīng) 。（4）寫(xiě)出圖中反應(yīng)的離子方程式： 。*.;第 3 頁(yè)參考答案1、【答案】B2、【答案】B3、【答案】C4、【答案】B5、【答案】C6、【答案】C7、【答案】B8、【答案】C9、【答案】C10、【答案】C11、【答案】D12、【答案】D13、【答案】B14、【答案】D15、【答案】B16、【答案】B17、【答案】C18、【答案】D19、【答案】A20、【答案】D21、【

32、答案】A22、【答案】C23、【答案】B24、【答案】D25、【答案】D26、【答案】A27、【答案】B28、【答案】C29、【答案】C30、【答案】A31、【答案】C32、【答案】A33、【答案】B34、【答案】C35、【答案】A36、【答案】B37、【答案】A38、【答案】D39、【答案】D40、【答案】(1)CO2、CO的混合物 (3)d ； NH4Cl+NaNO2N2+2H2O+NaCl (4)檢查裝置的氣密性 趕出實(shí)驗(yàn)產(chǎn)生的CO2，確保CO2完全吸收 燒杯、漏斗、玻璃棒 ； 2 (5)3C+2SiO22Si+2CO+CO2(6)在尾氣出口處加一點(diǎn)燃的酒精燈（只答增加尾氣處理裝置不得分）（其他合理答案均可得分）41、【答案】（1）蒸餾燒瓶，平衡壓強(qiáng)，使?jié)饬蛩崛菀椎渭樱唬?）吸水性，排盡裝置中的空氣，避免SiHCl3與空氣中的水蒸氣反應(yīng)和被O2氧化；（3）Si+3HCl SiHCl3+H2；（4）蒸餾；（5）點(diǎn)燃；（6）2SiHCl3+O2+2H2O2SiO2+6HCl。42、【答案】（1）MnO2+4H+2ClMn