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文檔簡介
1、ICP-MS主要技術(shù)指標(biāo)性能指標(biāo):1儀器應(yīng)用要求本儀器要求能適用于應(yīng)用領(lǐng)域廣泛的各種樣品的元素分析和同位素分析任務(wù).儀器要求符合美國環(huán)保署標(biāo)準(zhǔn)方法EPA200.8 , EPA6020,英國NS30等國際標(biāo)準(zhǔn)要求2 .儀器工作環(huán)境2.1工作環(huán)境溫度:15-30 C.2.2工作環(huán)境濕度:< 80% 無冷凝電源:power supply單相 200-240V, 50 Hz3 .儀器規(guī)格:3.1 儀器硬件;3.1.1 霧化器:高耐鹽,高精度,高效率同心霧化器,3.1.2 霧化室:小死體積,低記憶效應(yīng),配置 Peltier半導(dǎo)體制冷裝置對霧化室制冷控溫,霧化室制冷溫度限制要求可以到達(dá)< -1
2、0 0C3.1.3 接口: Ni材料錐口,口徑要求足夠大,以便耐樣品溶液所含的基體.樣品錐口口徑1.1 mm, 截取錐口徑 0.75 mm .3.1.4 質(zhì)量流量計:等離子體氣,輔助氣,霧化氣三路質(zhì)量流量計3.1.5 ICP源:27.12 MHz固體晶體穩(wěn)頻 RF發(fā)生器,頻率穩(wěn)定性< ±0.01%3.1.6 RF功率穩(wěn)定性 < 0.01%3.1.7 真空系統(tǒng):3.1.7.1 快速三級高真空系統(tǒng):工作時真空度<2 X10- 6毛,3.1.7.2 從大氣壓開始抽至可工作的真空度的時間小于20分鐘.3.1.8 .離子光學(xué):低背景的離軸四極桿質(zhì)譜儀系統(tǒng)3.1.9 四極桿:M
3、o 質(zhì)四極桿,RF頻率2.0 MHz3.1.10 四極桿質(zhì)譜儀是可靠的免拆洗系統(tǒng)3.1.11 脈沖模擬雙模式同時型電子倍增器,3.1.12 可以在一次樣品測試中同時完成掃描和跳峰分析3.1.13 等離子體炬位調(diào)整:由計算機(jī)三維X,Y, Z方向限制3.1.14 數(shù)據(jù)采集:擁有60000道以上的多通道數(shù)據(jù)分析系統(tǒng),以適應(yīng)瞬間信號分析要求3.1.15 .質(zhì)譜范圍:2-255amu3.1.16 儀器分辨率在一次樣品分析中可變,以便通過變化分辨率降低干擾,擴(kuò)大分析元素的濃度分析范圍3.2 軟件:3.2.1 操作系統(tǒng):Windows 2000 , 多任務(wù),多用戶系統(tǒng)軟件3.2.2 全自動分析功能啟動關(guān)閉儀
4、器,炬位調(diào)整,等離子體參數(shù),離子透鏡,其它技術(shù)模式切換等3.2.3 瞬間信號分析軟件以便與色譜或激光進(jìn)樣系統(tǒng)等連用.3.2.4 實(shí)時數(shù)據(jù)顯示,和實(shí)時報告顯示3.2.5 擁有智能化軟件包括:智能進(jìn)樣時間和智能沖洗時間,QAQC軟件,智能譜圖解釋軟彳,4 儀器功能要求4.1 定性分析4.1.1 帶智能譜圖解釋4.2 半定量分析4.2.1 要求半定量分析的內(nèi)存工作曲線可以校正*4.2.2要求樣品分析時能一次同時完成半定量和全定量分析4.3 全定量分析4.3.1 全定量分析要求符合美國EPA200.8,EPA6020,NS30等國際標(biāo)準(zhǔn)要求,4.4 等離子體炬焰屏蔽技術(shù)分析* 4.4.1等離子體炬焰屏
5、蔽技術(shù)要求包括冷焰屏蔽技術(shù),和熱焰屏蔽高靈敏度模式技術(shù)* 4.4.2屏蔽技術(shù)能自動切換,并保持穩(wěn)定* 4.4.3在一次樣品分析中能自動切換冷焰模式和標(biāo)準(zhǔn)模式,并保證樣品中所有分析元素(在二種不同模式中)一次完成分析4.5 碰撞池技術(shù)分析* 4.5.1碰撞池條件和標(biāo)準(zhǔn)條件的切換為全自動化* 4.5.2碰撞池技術(shù)配置二個質(zhì)量流量計,并能夠快速切換,切換時間小于 30秒鐘.* 4.5.3可以使用簡單碰撞氣體,反響性氣體,及混合氣體(NH3/He,H2/He),并可以在一次樣品分析中自動切換,擁有更廣泛的應(yīng)用范圍.5 .儀器通用技術(shù)指標(biāo):*5.1 靈敏度 sensitivity5.1.1 低質(zhì)量數(shù) l
6、ow mass: >40 M cps/ppm* 5.1.2 中質(zhì)量數(shù) middle mass:> 100 M cps/ppm* 5.1.3 高質(zhì)量數(shù) high mass: > 100 M cps/ppm* 5.2 隨機(jī)背景 radon background:< 0.5 cps (220amu)* 5.3 儀器信噪比 instrument signal/noise ratio:>200,000,000 (>200M )(信噪比=靈敏度/隨機(jī)背景,1ppm In 溶液計算5.4 氧化物離子 oxide ion lever MO+/M+< 2 %5.5 短期
7、穩(wěn)定性 short stability RSD: <2 % 不用內(nèi)標(biāo)*5.6長期穩(wěn)定性long stability RSD:< 3 % 4 小時不用內(nèi)標(biāo)使用1ppb標(biāo)準(zhǔn)元素溶液5.7 質(zhì)譜校正穩(wěn)定性 mass calibration drift: < 0.05 amu/ 一天,<0.1amu/ 一個月5.8 同位素比精度 isotope ratio precision:< 0.2 %107 Ag/109 Ag6.配置要求序號配置描述數(shù)量1ICP-MS臺式系統(tǒng)包括:1整體型,1600W ,固態(tài)晶控,27MHz ICP 發(fā)生器.易操作,敞開式構(gòu)件的進(jìn)樣系統(tǒng).使用室溫,
8、石英玻璃,帶撞擊球的霧化室和同心玻璃霧化器.整體型自我定位炬管,由計算機(jī)限制炬位的x,y,z三維平面調(diào)整.計算機(jī)限制全部等離子體氣體管線的質(zhì)量流量限制器(霧化器,輔助氣,冷卻氣)保護(hù)性離子提取,離子透鏡系統(tǒng),提供高的離子傳輸效率和超低的背景.離軸四極桿分析器提供杰出的傳輸效率和覆蓋全質(zhì)量數(shù)范圍(2 255amu )內(nèi)的卓越的豐度靈敏度.計算機(jī)限制的,可切換的,四極桿分辨率設(shè)置.三級真空系統(tǒng),由旋轉(zhuǎn)機(jī)械真空泵,和高性能分流式雙分子渦輪泵組成的.PC計算機(jī),專業(yè)版 Windons 系統(tǒng),19寸TFT平面顯tk器,鍵盤和鼠標(biāo)打印機(jī)2Xt接口技術(shù)提供異常的基體承受水平,擴(kuò)展了低質(zhì)量數(shù)的動態(tài)范圍,降低了
9、多原子干擾離子的形成.13PlasmaScreen Plus等離子體炬焰屏敝系統(tǒng)提供低的離子能量擴(kuò)散和局的信背比性能.14Xs鎮(zhèn)接口,包括 Ni的Xs截取錐和卸錐工具15Ni采樣錐, Xt or Xs 接口16循環(huán)冷卻水系統(tǒng)50Hz 全進(jìn)口配置17全自動第三代碰撞反響池技術(shù)一一配有二個計算機(jī)限制的氣體質(zhì)量流量限制器,任何二種氣體的結(jié)合可以被自動引入碰撞池,有效地選擇性降低分子離子的干擾.PlasmaLab儀器系統(tǒng)軟件允許利用自動調(diào)諧程序通過每次實(shí)驗(yàn)的儀器調(diào)試溶液對碰撞池氣體流速進(jìn)行自動最正確化,碰撞池技術(shù)模式與正常模式之間 的切換是全自動的,而且允許在一次樣品信號采集中完成切換檢測.18半導(dǎo)體制冷溫度限制器用于霧化室,用于精確限制霧化室溫度,消除由于實(shí)驗(yàn)室條件的波動所引起的任何漂移.19消耗品包包括如下備件1(1)Ni采樣錐,用于Xt or Xs 接口1(2)截取錐安裝鑼絲4(3)Xt接口,Ni截取錐1(4)采樣錐密封墊20(5)O 型圈 VITON 28.0mmID x 1.5mmC/S(截取錐)2(6)密封環(huán)20.51mm 進(jìn)樣泵管1(8)排液
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