《光電子材料與器件》-題庫

1、光電子材料與器件 - 題庫光電子材料與器件 題庫選擇題:1. 如下圖所示的兩個原子軌道沿 z軸方向接近時，形成的分子軌道類型為 （ A ）（A）* （B） （C） （D） *2. 基于分子的對稱性考慮， 屬于下列點群的分子中不可能具有偶極矩的為 （C）（A）Cn（B）Cnv（C）C2h（D）Cs3. 隨著溫度的升高，光敏電阻的光譜特性曲線的變化規(guī)律為（ B）。（A）光譜響應(yīng)的峰值將向長波方向移動（B）光譜響應(yīng)的峰值將向短波方向移動（C）光生電流減弱（D）光生電流增強4. 利用某一 CCD來讀取圖像信息時， 圖像積分后每個 CCD像元積聚的信號在 同一時刻先轉(zhuǎn)移到遮光的并行讀出 CCD 中，而后

2、再轉(zhuǎn)移輸出。則該 CCD 的類 型為（ B ）（ A）幀轉(zhuǎn)移型 CCD （B）線陣 CCD （C）全幀轉(zhuǎn)移型 CCD （D）行間轉(zhuǎn) 移 CCD5. 對于白光 LED器件，當(dāng) LED基片發(fā)射藍(lán)光時，其對應(yīng)的熒光粉的發(fā)光顏色應(yīng) 該為（D）（ A）綠光 （B）紫光（ C）紅光 （D）黃光6. 在制造高效率太陽能電池所采取的技術(shù)和工藝中，下列不屬于光學(xué)設(shè)計的為（C）（ A）在電池表面鋪上減反射膜 ;（ B）表面制絨 ;（ C）把金屬電極鍍到激光形成槽內(nèi) ;（D）增加電池的厚度以提高吸收7. 電子在原子能級之間躍遷需滿足光譜選擇定則， 下列有關(guān)躍遷允許的表述中， 不正確的是（ B ）：（ A） 總角量子

3、數(shù)之差為 1（ B） 主量子數(shù)必須相同（ C） 總自旋量子數(shù)不變2 / 13光電子材料與器件 -題庫（D）內(nèi)量子數(shù)之差不大于 28. 物質(zhì)吸收一定波長的光達(dá)到激發(fā)態(tài)之后，又躍遷回基態(tài)或低能態(tài)，發(fā)射出的 熒光波長小于激發(fā)光波長，稱為（ B）。（A）斯托克斯熒光 （B）反斯托克斯熒光 （C）共振熒光（D）熱助線熒光9. 根據(jù)H2+分子軌道理論，決定 H原子能否形成分子的主要因素為 H原子軌道的 （ A ）（A）交換積分（B）庫侖積分（C）重疊積分（D）置換積分10. 下列軌道中，屬于分子軌道的是 （ C）（A）非鍵軌道（ B）s 軌道 （C）反鍵軌道（D）p 軌道11. N2的化學(xué)性質(zhì)非常穩(wěn)定，其

4、原因是由于分子中存在（ D ）（A）強 鍵 （B）兩個鍵（C）離域的鍵 （D） N N 三鍵12. 測試得到某分子的光譜處于遠(yuǎn)紅外范圍，則該光譜反映的是分子的（ B ）能 級特性。（A）振動 （B）轉(zhuǎn)動 （C）電子運動（D）電聲子耦合 13下列的對稱元素中，所對應(yīng)的對稱操作屬于虛動作的是（C ）（A） C3 （B）E （C）h（D）C614. 某晶體的特征對稱元素為兩個相互垂直的鏡面，則其所處的晶系為（ C）（A）四方晶系（B）立方晶系（C）正交晶系（D）單斜晶系15. 砷化鎵是III V族化合物半導(dǎo)體，它的晶體結(jié)構(gòu)是 （D ）。 （） NaCl 結(jié)構(gòu)（B）纖鋅礦結(jié)構(gòu) （C）鈣鈦礦結(jié)構(gòu)（D）閃

5、鋅礦結(jié)構(gòu)16. 原子軌道經(jīng)雜化形成分子軌道時，會發(fā)生等性雜化或非等性雜化。下列物質(zhì) 中化學(xué)鍵屬于不等性雜化的是 （ B）。（A）CH4 （B）H2O （C）石墨烯（D）金剛石17. 關(guān)于金屬的特性，特魯?shù)履Ｐ筒荒艹晒忉尩氖牵ˋ ）（A）比熱（B）歐姆定律 （C）電子的弛豫時間 （D）電子的平均自由程18. 下列有關(guān)半導(dǎo)體與絕緣體在能帶上的說法中，正確的是 （B ）。 （A）在絕緣體中，電子填滿了所有的能帶（B）在0 K下，半導(dǎo)體中能帶的填充情況與絕緣體是相同的（C）半導(dǎo)體中禁帶寬度比較大（D）絕緣體的禁帶寬度比較小19. 在非本征半導(dǎo)體中，載流子（電子和空穴）的激發(fā)方式為 （ B）？ （A）

6、電（B）熱（C）磁（D）摻雜20在P型半導(dǎo)體材料中，雜質(zhì)能級被稱之為 （ C）。 （A）施主能級（B）深陷阱能級 （C）受主能級（D）淺陷阱能級4 / 13光電子材料與器件 - 題庫21. 對于自然界中鮮花的顏色，以下因素不起決定作用的是（B）。（ A）太陽光的強弱 （ B）光的吸收（ C）光的反射 （C）光的透射22. 下列有關(guān)載流子遷移率的說法，錯誤的是 （C ）（ A ）遷移率的大小反映了施加電場影響載流子運動的強度（B）對于某一特定材料，遷移率由平均自由時間決定（C）輕摻雜材料中，晶格振動散射對遷移率的影響可以忽略（D）非輕摻雜材料中，高溫時晶格振動散射是影響遷移率的主要因素23. 下

7、列關(guān)于半導(dǎo)體材料中費米能級位置的正確的說法是（ B ）（A）P型半導(dǎo)體中，費米能級靠近導(dǎo)帶（ B）在熱平衡下， PN結(jié)兩邊的半導(dǎo)體具有同一條費米能級（C）N型半導(dǎo)體中，費米能級靠近價帶（ D）在外加電壓下， PN結(jié)兩邊的半導(dǎo)體具有同一條費米能級24. 下列半導(dǎo)體對光的吸收作用中， 吸收波長位于本征吸收波長閾值短波側(cè)的是（ D ）。（ A）激子吸收 （B）自由載流子吸收（ C） 雜質(zhì)吸收 （D）基質(zhì)吸收25. 高溫下半導(dǎo)體材料中的雜質(zhì)已完全電離，此時若升高溫度，則材料的電阻率 的變化趨勢是（ C ）。（ A）升高 （B）不變 （C）下降 （D）先升高后下降26. 紅寶石激光器屬于（ A ）A.

8、固體激光器B.氣體激光器C.液體激光器D. 染料激光器27. 半導(dǎo)體激光器的縮寫是（ B ）A. LEDB.LDC.LCDD.ELD28 . 下列激光器屬于氣體激光器的是（ B ）A. 摻釹釔鋁石榴石激光器 B. Ar+激光器C. GaAs半導(dǎo)體激光器D.光解離碘原子化學(xué)激光器29. 激光與普通光源最大的區(qū)別在于（ D ）A.方向性好B.相干性好C.單色性好D.光子簡并度高30. 下列不屬于均勻加寬的類型是（ B）A.碰撞加寬B.晶格缺陷加寬C.晶格振動加寬D.壓力加寬31. 哪種物質(zhì)不是固體激光器常用的工作物質(zhì)？（B）A紅寶石 B. 摻鋱釔鋁榴石 C. 釹玻璃 D. 摻釹釔鋁石榴石32. 下

9、列的激光器中哪一個是氣體激光器？（ C ）A. 紅寶石激光器B.F-P激光器C. He-Ne激光器D.DFB 激光器33. 固體激光器與其他激光器相比的主要優(yōu)點是？（ D ）A 、 輸出光束的質(zhì)量好B、輸出能量大，峰值功率高C、功耗低、轉(zhuǎn)換效率高D、 重 量輕、體積小34. 下列哪種激光器可以應(yīng)用于光盤存貯？（ B）A. 光纖激光器B.半導(dǎo)體激光器C. CO2 激光器 D. 染料激光器35. 在光纖通信中最常用的激光器是？（ C ）A. 光纖激光器B.光纖激光器C.半導(dǎo)體激光器D.固體激光器36. LED 光源在汽車高位剎車燈上的應(yīng)用主要是利用了發(fā)光二極管 （ C ）的特 點。A、供電電壓小B

10、、對環(huán)境污染小C、響應(yīng)時間短D、穩(wěn)定性好37. LED 光源在理想情況下的發(fā)光壽命約為（ B ）。A、小時B、100000 小時C、50000小時D、1000 小時38. 下列哪一個不是高功率 GaN 基 LED 器件在藍(lán)寶石襯底上生長的限制因素 （ C ）。A 、兩種材料的晶格失配率和不同的熱脹系數(shù)B 、高的位錯密度和應(yīng)力殘存C、對生長環(huán)境的溫度要求很高D、藍(lán)寶石差的導(dǎo)熱性39. 下列哪一個不是垂直結(jié)構(gòu) LED 相對于水平結(jié)構(gòu)的優(yōu)勢（ D ）。A、避免了對 LED 器件表面的刻蝕B、提高了載流子的注入效率C、增大了器件的出光面積D、減小了對樣品邊緣的損傷40. 以 YAG 固體激光光源的 M

11、icro-area 激光剝離技術(shù)與傳統(tǒng)的 KrF 激光剝離技 術(shù)相比，優(yōu)勢在于（ A ）。A、光斑能量呈現(xiàn)高斯分布B、具有高的轉(zhuǎn)換效率C、壽命長D、譜線窄41. 現(xiàn)階段熒光 OLED 期間電子空穴發(fā)生耦合是在（ C ）層A、陰極B、陽極C、發(fā)光層D、傳導(dǎo)電子發(fā)光層42、與熒光相比，下列有關(guān)磷光的說法不正確的是（ A ）：A、磷光的波長較熒光更長B、磷光的壽命比熒光長C、磷光是由三重態(tài)躍遷到基態(tài)是所發(fā)出的光D、磷光的衰減強烈的受溫度影響43. 下列哪一項不能作為 OLED 的陰極材料：（ D ）A 低功函數(shù)金屬 B 鎂鋁合金 C 鋰鋁合金 D 金屬 Ni 、Au、PtB ）400-700nm 可

12、見光區(qū)域400-700nm 可見光區(qū)域44. 選擇發(fā)光材料時下列哪項不是應(yīng)該滿足的條件（A高量子效率的熒光特性，熒光光譜主要成分分布 B高量子效率的磷光特性，磷光光譜主要成分分布 C能夠獲得較高的電致發(fā)光效率和亮度D好的成膜特性，在幾十納米的薄層中不產(chǎn)生針孔45. 下面屬于 OLED 顯示器時的優(yōu)勢描述中哪一項是錯誤的（ C ）A.技術(shù)優(yōu)勢無輻射，超輕薄 （可達(dá)1毫米以下 ），柔軟顯示，屏幕可卷曲 B .適應(yīng)性強 能在-45 80正常顯示C.成本優(yōu)勢 OLED 制造工藝比較簡單，批量生產(chǎn)時的成本要比 LCD至少節(jié)省 20%D. 節(jié)能性強 利用背光源，因而更加節(jié)省能源 46N 型半導(dǎo)體的多數(shù)載流

13、子是（ A ）： A:電子， B：空穴， C：電子和空穴， D：聲子 47存在外場時對電流有貢獻(xiàn)的是 （ A ）： A：導(dǎo)帶，B：價帶， C：禁帶，D：導(dǎo)帶和價帶 48以下屬于固態(tài)照明的是 （ C）： （1）白熾燈，（2）節(jié)能燈，（3）蠟燭A：（1）、（2），B：（2）、（3），C:（1）、（3）,D：（1）、（2）、（3）49 下列不屬于 LED 交通信號燈的優(yōu)點的是 （ D）：A 、沒有強的反射， B、光直射下也足以分辨信號， C、效率高 ，D、發(fā)光功率 大50. 明亮環(huán)境下人的視覺對 555nm的綠光最靈敏，在這個波長上， 1W 光能能夠 產(chǎn)生多少 lm 的光度 （ A ）？A.100

14、lm B. 200 lm C. 95lm D. 50lm51. 下面哪一個不是電 - 光-電轉(zhuǎn)換器件（ D ）。A 、 光耦 B、光電隔離器 C、光電耦合器 D、光纖耦合器52. 光電耦合器有如下的幾個應(yīng)用，除了（ D ）。A、組成開關(guān)電路B、酒店的電卡C、邏輯電路組成D 光路的分路53CCD 的感光范圍是：（ A 、B ）。（多選）A、可見光 B、紅外光 C紫外光 D、X 射線 54下列哪一項不是 CCD 的特點：（ B ）。A、體積小B、功率高 C、可靠性高D、壽命長B ）。55如下為 CCD 電荷轉(zhuǎn)移的示意圖，那么正確的電荷轉(zhuǎn)移的順序是（adA、a-d-b-e-cB、c-a-d-e-bC

15、、b-a-d-e-cD、d-c-a-e-b56. 下列關(guān)于硅制備的說法錯誤的是 硅的制備主要是在電弧爐中用碳還原石英砂而成 經(jīng)過還原、提純和精煉后得到的硅被稱為冶金級硅 多晶硅錠通過單晶拉制變?yōu)閱尉Ч鑶尉Ч杼柲茈姵厥悄壳鞍l(fā)展最成熟的太陽能電池技術(shù)57. 以下對多晶硅的描述正確的是 BA 多晶硅的光學(xué)、電學(xué)性質(zhì)比單晶硅優(yōu)良B 制造多晶硅碇的主要方法是熔化澆鑄技術(shù)C 多晶硅由晶面取向相同的晶粒結(jié)合而成D 多晶硅制造成本高于單晶硅58. 關(guān)于多元化合物太陽能電池的描述錯誤的是（ A ）A 大多數(shù)已經(jīng)產(chǎn)業(yè)化B 砷化鎵電池的理論效率遠(yuǎn)高于硅光電池C 硒光電池的光電轉(zhuǎn)換效率低D 多元化合物電池指不是用單

16、一元素半導(dǎo)體材料制成的電池59. 以下對國內(nèi)太陽能產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀的描述錯誤的是（ C）A 國內(nèi)生產(chǎn)的太陽能電池產(chǎn)品 90靠出口B 我國太陽能資源較豐富的地區(qū)為西部地區(qū)C 我國多晶硅生產(chǎn)基地和太陽能光伏產(chǎn)業(yè)基地主要分布在西部地區(qū)D 國內(nèi)生產(chǎn)太陽能的核心技術(shù)主要靠進(jìn)口60. 對比幾種不同材質(zhì)的太陽能電池，正確的是（ C）A 單晶硅太陽能電池成本較低B 非晶硅電池成本較低C 多晶硅電池轉(zhuǎn)換效率比單晶硅電池高D 砷化鎵電池耐溫性比硅光電池差61. 目前全球光伏市場中，哪個國家占據(jù)最大份額（ C）A德國 B. 美國C.西班牙 D.日本62. 下列對太陽能特點的描述中，對于其開發(fā)利用不利的是（ D）A 用之不盡

17、 B. 資源豐富 C. 無污染 D. 分散性63. 到達(dá)地球的太陽輻射能主要去向是（ B ）A短波的直接反射B.直接轉(zhuǎn)化為熱能C.用于光合作用 D.被人類利用64. 太陽能的優(yōu)點之一是長久，那么太陽能可以維持多久（ B ）A6×109 年 B. 6 ×1010 年C. 6 ×1011 年D. 6 ×1012 年65. 由于太陽光光譜的能量分布較寬， 為了使不同波長的光都能被太陽能電池有 效吸收，可采取的對應(yīng)措施是 （ D）A. 表面制絨減少反射 B.聚光太陽能電池 C. 追日系統(tǒng) D 疊層太陽能電池66. 下面哪一個不是液晶顯示方式（ C ）A反射式 B

18、透射式 C. 背射式 D. 投影式67. 液晶顯示和等離子體顯示作為平板顯示技術(shù)，都具有重量輕、無閃爍、無輻 射、圖象逼真、 畫質(zhì)細(xì)膩等諸多優(yōu)點， 但下面性能中液晶顯示要強于等離子體顯 示的是（ A ）A. 亮度B. 對比度C. 色彩數(shù)D. 響應(yīng)速度68. 下面那一項不屬于熱致液晶（ D ）A. 近晶相B. 向列相C. 膽甾相D. 螺距相69. 顯示用的液晶都是一些有機(jī)化合物，液晶分子的形狀呈棒狀很像 “雪茄煙 ”， 其長和寬的尺寸量級是 （D ）。A厘米 B. 毫米 C微米 D納米70. 等離子顯示技術(shù)的成像原理是在顯示屏上排列上千個密封的小低壓氣體室， 通過電流激發(fā)使其發(fā)出（ A ），該光

19、碰擊后面玻璃上的紅、綠、藍(lán) 3 色熒光 體發(fā)出肉眼能看到的可見光，以此成像。A. 紫外光 B. 紅外光 C. 可見光 D. 復(fù)色光 71下面屬于本征型電致發(fā)光的是（ A ）A. ACEL B. LCD C. LED D.OLED 72德斯垂效應(yīng)應(yīng)用在下面哪種發(fā)光器件中（ A ）A. ACELB. DCEL C. ACTFEL D. DCTFEL73 我們平常用的 MP3， MP4 播放器的屏幕用的是哪種器件（ D ）A.LED B.OLED B.LCD D.液晶顯示屏74LED 顯示器的響應(yīng)時間為（ A ）A毫秒級 B.微秒級 C.納秒級 D.飛秒級17 / 13填空題1. 金剛石與石墨烯均是

20、由碳構(gòu)成的共價化合物，但由于二者的電子雜化類型分 別為 sp3和 _sp2 雜化，因而表現(xiàn)出截然不同的性質(zhì)。2. 離子晶體中陰陽離子的極化能力差別較大， 其中 陰離子 易于被極化而主極化能力較低， 陽離子 主極化能力較強而被極化程度較低。3. 光電二極管需在反向偏壓下工作，其原理是增加 _耗盡區(qū) 禁帶 _的寬度， 以提高光敏二極管的靈敏度。4. 激光器的激活物質(zhì)通過受激發(fā)射產(chǎn)生激光，就物質(zhì)的形態(tài)而言，其可以是 氣體、 _固體 和 液體 。5. 在光輻照下，不均勻半導(dǎo)體或半導(dǎo)體與金屬組合的不同部位之間會產(chǎn)生電位 差，其產(chǎn)生的機(jī)制為 側(cè)向光電效應(yīng) 、 光電磁效應(yīng) 和勢壘效應(yīng) 。6. 某一半導(dǎo)體材料

21、的禁帶寬度為 2.2 電子伏特，則該本征吸收的長波極限為 _564.7 納米。7. 原子軌道構(gòu)成有效的分子軌道須滿足三個條件，即 _能級高低相近 、_軌道最大重疊 和對稱性匹配 。8. 高效率太陽能電池的設(shè)計必須要對頂端電極進(jìn)行優(yōu)化，其目的是為了使_載流子造成的損耗降到最低。9. 光譜學(xué)中經(jīng)常用光譜項來表示原子所處狀態(tài)。當(dāng)兩激發(fā)態(tài)的光譜項分別寫為 32D5/2和3 2P3/2時，其對應(yīng)的四個量子數(shù) n, L, S, J分別為_3 2 1/2 5/2 和_3 1 1/2 3/2。10. 即便在沒有外界影響的情況下，原子的吸收譜線也會發(fā)生寬化，這種譜線的 寬化稱為 _自然加寬 ，其原因是由于 處于

22、同一狀態(tài)的原子， 所具有的能量有小的差別，譜線有一定的寬度 。11. 分子軌道理論模型的建立假定了三個近似，它們分別是 單原子近似 _、波思近似和 非相對論近似 12. 分子軌道中，能量高于原子軌道的是 _反鍵 軌道， 能量等于原子軌道是_非鍵 軌道。13. 同 核 雙 原 子 分 子 F2 的 分 子 軌 道 順 序 為 _a1s<a*1s<a2s<a*2s<a2pz<pi 2px=pi2Py<pi*2px。14. 紅外光譜是鑒定分子官能團(tuán)和化學(xué)鍵的常用分析手段， 但對于偶極矩 _不變 的分子則不適用，對此應(yīng)用 _拉曼 光譜來測定。15. 晶體的宏觀對稱性

23、決定了晶體中旋轉(zhuǎn)軸 n 不可能出現(xiàn) 5 及大于 6 的軸次，但 是分子的對稱性則不同，這表現(xiàn)為軸次為 _5 及大于 6的旋轉(zhuǎn)軸的出現(xiàn)。16. 等大球體進(jìn)行緊密堆積時，理論的最大空間利用率是 _74.5%，其對應(yīng)的 緊 密 堆積 方式 是 _六 方 最緊 密 堆 積 和 立方最 緊 密 堆積17離子晶體中離子半徑是指離子的 _有效 半徑，它通常是根據(jù)大量晶體測定的陰陽離子半徑和進(jìn)行比較分析得到，資料上稱之可希密德為 半徑。18. 已知Cu(NH 3)42+絡(luò)合物形成過程中， Cu2+原子軌道發(fā)生了 dsp2 雜化，則該 絡(luò)合物分子的空間構(gòu)型為 指向正方形頂角的平面分布 。19. 根據(jù)能帶理論，在

24、布里淵區(qū)附近，能帶底部電子能量與波矢的關(guān)系是_向上彎曲的拋物線 。20. 利用 Mooser -Pearson 經(jīng)驗公式來判斷材料是否可作半導(dǎo)體材料時，知道材 料的_化學(xué)成分和晶格結(jié)構(gòu) 即可。21. 本征半導(dǎo)體的電導(dǎo)率對溫度和電導(dǎo)率敏感：隨著溫度升高，電導(dǎo)率_呈指數(shù)增加 ; 隨禁帶寬度越變寬，電導(dǎo)率 _越小。22. 描述彩色的三個基本參數(shù)是 _色調(diào)、_亮度 和 飽和度。23. 在間接帶隙半導(dǎo)體中，電子由價帶頂躍遷到導(dǎo)帶底時，需要同時吸收或發(fā)射_聲子，以補償電子準(zhǔn)動量的變化。24. 在光電發(fā)射過程中， 電子首先吸收光子由 _基態(tài) 躍遷到 _能量高于基態(tài)的激發(fā)態(tài) ，然后在受激地點與其他電子(或晶格

25、)發(fā)生碰撞而到達(dá)材料表面，最后需克服對電子的束縛而從表面逸出。25. 光生伏特效應(yīng)是指光照使不均勻半導(dǎo)體或半導(dǎo)體與金屬組合的不同部位之 間產(chǎn)生電位差的現(xiàn)象， 其產(chǎn)生的機(jī)制主要有 側(cè)向光電效應(yīng) 、_光電磁效應(yīng) 和 勢壘效應(yīng) 。26 無輻射躍遷是以 聲子的形式進(jìn)行能量的轉(zhuǎn)移。27. 當(dāng)受激輻射大于受激吸收的時候，物質(zhì)對外表現(xiàn)為光 放大 ；當(dāng)受激輻射小 于受激吸收時候，物質(zhì)對外表現(xiàn)為光 吸收 。28. 形成激光的兩個基本條件是： 激活介質(zhì)處于粒子數(shù)反轉(zhuǎn)分布狀態(tài) ， 滿足光振蕩 的閾值條件 。29. 激光器的基本結(jié)構(gòu)： 工作物質(zhì) ， 諧振腔 ， 激勵源 。 30受激輻射產(chǎn)生的光的特點是： 方向性好 ，

26、相干性好 ，單色性好 。31. 激光加工分為 激光熱加工 和 光化學(xué)反應(yīng)加工 兩類。32. 激光器按工作方式區(qū)分可分為 連續(xù)型 和 脈沖型 。33. 激光器按照諧振腔類型可分為 _穩(wěn)態(tài)腔 、 非穩(wěn)腔和臨界腔。34. 眼科手術(shù)中經(jīng)常采用的是 飛秒 激光器。35. 光纖通信中最常用的激光器波長是 860 1310 1550 。36. LED 的相應(yīng)時間為 納秒 量級。37. LED 光源相比一般光源的特點是： 、 、 、 。（請說出至少 5 種） 供電電壓小、效能高、適用性強、穩(wěn)定性 高、響應(yīng)時間短、對環(huán)境污染小、顏色齊全、價格較高38. 為了解決高功率 GaN基 LED器件藍(lán)寶石襯底的熱導(dǎo)瓶頸問

27、題，我們可以采 用 或材料作為襯底。（金屬或 Si）39 Micro-area 激光剝離技術(shù)由于激光剝離瞬時的高溫以及應(yīng)力釋放將會引起 的增加。（反向漏電）B.40 改 善 Micro-area 激光 剝離 技術(shù) 反向漏電 問題 的一 個較 好方案是 。（增加 LED 器件的厚度） 41發(fā)光的方式有很多，但根據(jù)余輝的長短可將發(fā)光大致分成 _熒光 和_磷光 兩類 .42. 白光OLED結(jié)構(gòu)分為 _多重發(fā)光層結(jié)構(gòu) 和多摻雜發(fā)光層結(jié)構(gòu) _兩種類型43. 磷光OLED器件結(jié)構(gòu)中，有機(jī)板開始依次分為基板、陽極、空穴傳輸層、發(fā)光 層、 _阻擋層、傳導(dǎo)電子發(fā)光層，空穴的傳遞會被阻隔到該層與發(fā)光層之間增加了空

28、穴在界面的濃度，從而增加了電子空穴在發(fā)光層發(fā)生復(fù)合的幾率。44. 在OLED 器件中，控制兩端電極注入電流的大小就可以調(diào)節(jié)發(fā)光的強弱，而 所發(fā)出光的顏色不同則是因為 發(fā)光層材料成分不同 45. 有機(jī)電致發(fā)光過程的三個基本步驟是 、 和 。空穴和電子的注入 電荷在外部電場的驅(qū)動下傳輸 電子、空穴復(fù)合形成一 激發(fā)子 （或者是載流子的注入、載流子的運輸、載流子的復(fù)合。 ） 注：重點為講到注入、傳輸、復(fù)合。46. 獲得白光 LED 的方法有 :白色多芯片 （MC）LED 和 熒光粉轉(zhuǎn)換 （PC）LED 。47. 高壓鈉燈用作街道照明的光源而不用來做室內(nèi)照明的原因是 效率低，顯色性差48. 舉出你活動的

29、環(huán)境中，能夠看到的兩種固態(tài)的照明器件： LED 、OLED 49熒光粉轉(zhuǎn)換形白光 LED 發(fā)光效率的理論上限是： 270lm/W 。50. 固態(tài)照明技術(shù)的最終目標(biāo)是 通用照明 。51CCD 的突出特點是以 _電荷_作為信號，其基本功能是電荷的 _存儲和電荷 的轉(zhuǎn)移。52光電耦合器主要由 發(fā)光源 、_受光器_兩部分組成，分別實現(xiàn) _電光轉(zhuǎn)換 _、光電轉(zhuǎn)換 _功能53請說出至少三個光電耦合器的主要參數(shù) _輸入?yún)?shù)（即 LED 的參數(shù)） _、_輸出參數(shù)（光電流、飽和壓降 ）_、傳輸參數(shù)（電流比 CTR、隔離電阻 RISO、 極間耐壓 UISO）。54構(gòu)成 CCD 的基本單元是 MOS（金屬氧化物 半導(dǎo)體）結(jié)構(gòu)，其結(jié)構(gòu)圖是以 下哪一個？（ A ）。B55、寫出下列縮寫的含義：SCCD：表面溝道 CCD、BCCD 體溝道或埋溝道器件D56. 硅太陽能電池按材料可分為 單晶硅 多晶硅 非晶硅 三種類型。57. 在自然界中，硅主要以 SiO2形式存在于 _石英和_沙