靜電放電測(cè)試規(guī)范

1、交換式電源供應(yīng)器靜電放電測(cè)試規(guī)範(fàn)Electrostatic Discharge Test of Regulation6 / 7文檔可自由編輯打印1. 測(cè)試目的：為使靜電干擾耐受性測(cè)試時(shí),能有一統(tǒng)一之規(guī)範(fàn)及流程可供依循,特訂定本程序書,本試驗(yàn)的目的是模擬靜電對(duì)電子產(chǎn)品所造成的干擾,並判別其耐受性。2. 適用範(fàn)圍：執(zhí)行靜電干擾耐受性測(cè)試時(shí),適用之。3. 名詞定義：3.1 ESD：electrostatic discharge(靜電放電),當(dāng)兩個(gè)不同電位的物體,直接接觸或非?？拷鼤r(shí)所產(chǎn)生的電荷放電現(xiàn)象。3.2 RGP：一個(gè)平坦之導(dǎo)電表面並以其電位作為共同的基準(zhǔn)。3.3 Contact dischar

2、ge：接觸放電,直接的靜電放電試驗(yàn)方法的一種,由產(chǎn)生器的電極尖端直接接觸EUT,並以產(chǎn)生器之放電開關(guān)實(shí)施靜電放電。3.4 Air discharge：空間放電, 直接的靜電放電試驗(yàn)方法的一種,由產(chǎn)生器的圓形充電電極快速接近EUT,而產(chǎn)生火花的靜電放電。3.5 EUT：待測(cè)設(shè)備。3.6 Degradation：劣化為EUT受電磁干擾所造成的產(chǎn)品功能障礙。3.7 HCP：水平耦合面,用以模凝鄰近EUT的物體對(duì)EUT的靜電放 電所使用的水平金屬面板。3.8 VCP：垂直耦合面,用以模凝鄰近EUT的物體對(duì)EUT的靜電放電所使用的垂直金屬面板。4. 職責(zé)：4.1 測(cè)試服務(wù)，案件執(zhí)行。 4.2 場(chǎng)地維護(hù)。

3、 4.3 提供相關(guān)資訊於測(cè)試服務(wù)上。5. 辦法：5.1 試驗(yàn)等級(jí)：試驗(yàn)等級(jí)如下試驗(yàn)等級(jí)接觸放電電壓空間放電電壓12 KV2 KV24 KV4 KV36 KV8 KV48 KV15 KVX特定值特定值 X：此等級(jí)依廠商需求而定 5.1.2 接觸放電為優(yōu)先採(cǎi)用的測(cè)試方法，空氣放電必須是接觸放電不能使用時(shí)才使用。依不同的放電測(cè)試方法而有不同的電壓，其嚴(yán)酷度是不相同的。 5.2 ESD產(chǎn)生器之特性 - Rc充電電阻：50 M100M. - Cs 儲(chǔ)能電容：150pF±10%。- Rd 放電電阻：330±10%。- 輸出電壓極性:正與負(fù)。- 輸出電壓指示值之容許誤差值：±5

4、%。- 具有圓形放電電極及尖形放電電極。- 放電迴路電纜,長(zhǎng)2m。- 具有接觸放電開關(guān)及空間放電開關(guān)。- 可調(diào)整之放電操作模式如單擊放電極及每秒20次之重複放電?？煞螮N61000-4-2之放電電流波形，如下圖一所示。5.3 實(shí)驗(yàn)室之測(cè)試場(chǎng)地配置：實(shí)驗(yàn)室之地面應(yīng)有一銅或鋁製的金屬GRP,其厚度至少0.25mm。如果使用別種金屬材料，其厚度至少應(yīng)有0.65mm。GRP尺寸至少1m×1m，依EUT大小而定。其每一面應(yīng)超出EUT或HCP、VCP至少0.5m並連接至接地系統(tǒng)。EUT依使用狀態(tài)架設(shè)及連接。EUT與實(shí)驗(yàn)室牆面及其他金屬結(jié)構(gòu)的距離至少1m。EUT除了所規(guī)定接地系統(tǒng)外，不可再有其他

5、之接地。ESD產(chǎn)生器的放電迴路電纜長(zhǎng)度為2m，需連接至GRP，測(cè)試時(shí)放電迴路電纜距離其他導(dǎo)電部分至少0.2m。HCP、VCP之材質(zhì)與厚度應(yīng)與GRP相同且使用兩端接有470K之接地線連接至GRP。其他規(guī)定如下：5.3.1 EUT為桌上型設(shè)備之場(chǎng)地配置：使用高0.8m之木桌立於RGP作測(cè)試，並使用一長(zhǎng)1.6m×寬0.8m之HCP置於桌面，EUT及電纜以0.5mm絕緣墊與HCP隔離。EUT距離HCP各邊至少0.1m。若EUT過大可使用相同之HCP以較短邊相距0.3m連接，可用較大尺寸之桌面或兩組桌子，此兩組HCP不可搭在一起，並由兩端各接470K電阻之接地線個(gè)別接至RGP。如下圖所示。5.

6、3.2 EUT屬於沒有接地系統(tǒng)之設(shè)備的測(cè)試方法：EUT 是屬於設(shè)備或設(shè)備的一部份、其裝設(shè)規(guī)格或設(shè)計(jì)是不可連接至任何接地系統(tǒng)設(shè)備、包括可攜式、電池操作雙重絕緣設(shè)備(class II equipment)。其一般性配置與5.3.1相同，但為了模凝單一靜電放電，在每次放電前必須將EUT的電荷消去，EUT的金屬部分，例如連接器的外殼、電池充電點(diǎn)、金屬天線等，在實(shí)施放電前必須將電荷消除。因此需使用具有470K的洩放電阻器之電纜，類似HCP、VCP所用之接地電纜。其中一顆電阻需盡量靠近EUT的測(cè)試點(diǎn)，最好小於20mm的距離連接，第二顆電阻需連接在電纜靠近HCP的末端(桌上型)或RGP的末端(落地型)。使用

7、具有洩放電阻器之電纜，會(huì)影響某些EUT的測(cè)試結(jié)果。有爭(zhēng)議時(shí)，在測(cè)試中如果電荷在連續(xù)放電之間有足夠的衰減，則優(yōu)先考慮以電纜不連接的狀況作測(cè)試?？梢允褂孟铝械奶鎿Q方法：- 在連續(xù)放電間的時(shí)間間隔，必須延長(zhǎng)到容許從待測(cè)物的電荷自然衰減所需的時(shí)間。- 在接地電纜中有碳纖維刷的洩放電阻器(例如2×470K)。- 使用空氣離子器以加速待測(cè)物在其環(huán)境的自然放電過程(使用空氣放電作測(cè)試時(shí)，空氣離子器必須關(guān)閉)。任何一種替換方法的使用必須紀(jì)錄於測(cè)試報(bào)告中。ESD產(chǎn)生器的尖端必須和待測(cè)設(shè)備的表面垂直握著。5.3.2.1 桌上型設(shè)備：EUT置於HCP的0.5mm厚絕緣墊上，測(cè)試可接觸之金屬放電點(diǎn)時(shí)需使用有

8、洩放電阻器的電纜連接到HCP上，如圖所示。5.4 試驗(yàn)程序 5.4.1 測(cè)試前應(yīng)建立測(cè)試計(jì)劃，其內(nèi)容需包含- EUT的典型使用狀態(tài)。- EUT為桌上型或落地型之測(cè)試狀態(tài)。- 需要進(jìn)行放電測(cè)試的點(diǎn)。- 放電點(diǎn)執(zhí)行接觸放電測(cè)試或空間放電測(cè)試。- 實(shí)施放電的等級(jí)。- 每一放電測(cè)試點(diǎn)的放電次數(shù)。- 是否需要於安裝後執(zhí)行測(cè)試。建立計(jì)劃之前可先執(zhí)行一些研究性質(zhì)之測(cè)試。5.5 測(cè)試方法:5.5.1 直接放電法：- contact discharge(接觸放電):對(duì)待測(cè)物所能接觸到的導(dǎo)電表面或點(diǎn)實(shí)施接觸放電至少正負(fù)各10次。- Air discharge(空氣放電):對(duì)待測(cè)物所能接觸到的絕緣表面和點(diǎn)或接觸放電無法測(cè)試的點(diǎn)實(shí)施空氣放電至少正負(fù)各10次。5.5.2 間接放電法：對(duì)放置或裝設(shè)靠近EUT的物體放電，是由一耦合平面以接觸放電模式加以模擬。(5)-2-1 HCP：以接觸放電方式對(duì)待測(cè)設(shè)備下的水平耦合面實(shí)施單擊放電至少正負(fù)各10次,必須對(duì)待測(cè)物所有的面作測(cè)試。對(duì)HCP的放電，必須在HCP的邊緣水平的放電。相對(duì)EUT的每一邊中心點(diǎn)，必須在每一個(gè)HCP的前緣實(shí)施至少10次的單擊放電，且距EUT前緣0.1m，在放電期間放電電極的長(zhǎng)軸必須在HCP的平面且和其前緣垂直。放電電極必須接觸HCP的邊緣。另外需考慮對(duì)EUT所有暴露的面做測(cè)試。(5)-2-2 VCP：以接觸放電方式對(duì)待測(cè)設(shè)備