
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1、物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)精華知識(shí)點(diǎn)課本:1、熟記1-36號(hào)元素電子排布1、核電荷數(shù)從1到18的元素的原子結(jié)構(gòu)示意圖HHeO F NeNa Mg Al Si2、原子的核外電子排布式和外圍電子(價(jià)電子)排布式(原子核外電子排布時(shí),先排4s后排3d,形成離子時(shí)先失去最外層電子)核外電子排布式外圍電子排布式核外電子排布式外圍電子排布式6 226Fe: Ar3d 4s3d64s226Fe2+ : Ar3d63d626Fe3+: Ar3d 53d529CU: Ar3d 104s13d104s129Cu +: Ar3d 10103d29Cu p 軌道有 2 個(gè)未成對(duì)電子,有 P2和 P4 5 6 7 8。C:2S22
2、P2、Si:3S23P2、0: 2S22P4、S: 3&3P4 : Ar3d 93d95124Cr:Ar3d 54s13d54s13+324Cr3 Ar 3d3d ( 3S23P6 3d10)第三周期內(nèi)層電子全充滿,Cu和Zn10 230 Zn : Ar3d 4s3d104s22+ 1030 ZnAr3d103d2+222Ti Ar3d3d25225MnAr3d 4s3d 4s10 2 131 GaAr3d 4s 4P2 14s 4P10 2 232GeAr3d 4s 4P,2 24s 4P102333As: Ar3d 4s 4P2 34s 4P24Se: Ar3d 104s24P32
3、 34s 4P3、兀素周期表(對(duì)應(yīng)選擇第11題)(1)同周期,原子半徑減小,同主族原子半徑增加;對(duì)于電子層結(jié)構(gòu)相同的離子來(lái)說(shuō),核電 荷數(shù)越大,離子半徑越?。篈l3+ v Mg2+ v Na+v Lv O2-Ca2+v K+v Cv S2-(9) 氣態(tài)氫化物的穩(wěn)定性:(同周期增強(qiáng),同主族減弱)CH4< NH3< H2O <HF, SiH4< PH3< H2S <HCIHF >HCI >HBr > HIH20> H2S> H2SeNH3> PH3CH4> SiH4(10) 最高價(jià)氧化物對(duì)應(yīng)的水化物的酸性強(qiáng)弱:(同周期增強(qiáng)
4、,同主族減弱)H 2SiO3< H3PO4< H2SO4<HCIO4H2CO3 > H2SQ3(11) 最高價(jià)氧化物對(duì)應(yīng)的水化物的堿性強(qiáng)弱:(同周期減弱,同主族增強(qiáng))NaOH >Mg(OH) 2>AI(OH) 3 KOH >NaOH >LiOH4、元素周期表中區(qū)的劃分(5個(gè)區(qū))s區(qū):I A、n A p區(qū):川A四A、0族 d區(qū):川B四B、忸ds區(qū):I B、n B f區(qū):鑭系、錒系5、電離能(1 )同周期從左到右,第一電離能有逐漸增大的趨勢(shì),稀有氣體的第一電離能最大,堿金屬 的第一電離能最??;同主族從上到下,第一電離能有逐漸減小的趨勢(shì)(Be>M
5、g>Ca )。(2)熟記:第一電離能: N > 0 >C N >0 > S(3 )第一電離能:Liv Bv Bev C v O v N v F ( Be 2s2, 2S 全滿;N 2s22P3, 2P 半滿)Na v Al v Mg v Siv Sv Pv Cl( Mg 3s2 , 3S 全滿;P 3$3P3, 3P 半滿)6、電負(fù)性同周期從左到右,主族元素電負(fù)性逐漸增大;同一主族從上到下,元素電負(fù)性呈現(xiàn)減小的趨 勢(shì)。F電負(fù)性最大,電負(fù)性無(wú)反常現(xiàn)象。電負(fù)性:0 > N >C , 0 >S7、氫鍵(1) 使物質(zhì)有較高的熔沸點(diǎn):沸點(diǎn)NH3> P
6、H3 ( NH3分子間形成氫鍵) 沸點(diǎn) 出0> H2S(H2O分子間形成氫鍵)沸點(diǎn) HF> HClC2H5OH沸點(diǎn)高于CH3OCH3 ( C2H5OH分子間形 成氫鍵)CH3COOH沸點(diǎn)高于CH3C00CH 3 ( CH3COOH分子間形成氫鍵)HCOOH沸點(diǎn)高 于HCOOCH 3 ( HCOOH分子間形成氫鍵)。(2) 使物質(zhì)易溶于水:如 NH3、C2H5OH、CH3CHO、CH3COOH、H2O2等易溶于水(某分 子與水分子形成氫鍵,如 C2H5OH與水分子形成氫鍵)。(3) 解釋一些現(xiàn)象:水結(jié)冰體積膨脹(水分子間形成氫鍵,體積大,密度小)。8 .物質(zhì)溶沸點(diǎn)的比較(1 )同類晶
7、體 離子晶體的熔、沸點(diǎn)取決于離子鍵的強(qiáng)弱,通常離子半徑越小、離子所帶電荷數(shù)多,晶格能越強(qiáng),熔、沸點(diǎn)越高。如MgO > NaCI、NaCI > KCI, MgO > CaO。 原子晶體的熔、沸點(diǎn)取決于共價(jià)鍵的鍵長(zhǎng)和鍵能,鍵長(zhǎng)越短、鍵越牢固,熔、沸點(diǎn)越高。如:金剛石金剛砂晶體硅。 分子晶體的熔、沸點(diǎn)取決于分子間作用力的大小,相對(duì)分子質(zhì)量越大,熔、沸點(diǎn)越高。分子間作用力越強(qiáng),熔、沸越高(F2<Cl2<Br2<l2);有氫鍵的分子晶體,還要考慮氫鍵的強(qiáng)弱。(H2O>H2S, NH3>PH3 , HF>HCI ) 同類金屬晶體中,金屬離子半徑越小,陽(yáng)
8、離子帶電荷數(shù)越高,金屬鍵越強(qiáng),熔、沸點(diǎn)越高,如:Li > Na > K, Na v Mg v Al。(2 )不同類型的晶體(金屬晶體除外),熔、沸點(diǎn)高低順序?yàn)椋涸泳w離子晶體分子晶體。如:SO > CO2 SiO2 > NaCI > SiCl49、雜化(1) 公式:對(duì)于ABm型分子(A為中心原子,B為配位原子),分子的價(jià)電子對(duì)數(shù)可以通 過(guò)下式確定:孤電子對(duì)數(shù) =1/2(a-xb)價(jià)電子對(duì)數(shù) 即雜化軌道數(shù),雜化軌道數(shù) =b鍵+孤電子對(duì)數(shù),與n鍵無(wú)關(guān)對(duì)于離子:陰離子加上離子電荷數(shù),陽(yáng)離子減去離子電荷數(shù)。如P04一中P原子價(jià)電子數(shù)應(yīng)加上3,而NH;中N原子的價(jià)電子數(shù)應(yīng)
9、減去 1。電子對(duì)數(shù)成鍵對(duì)數(shù)電子對(duì)空間構(gòu)型孤電子對(duì)數(shù)分子空間構(gòu)型實(shí)例22直線形0直線形BeCl2 CO2 CS2 COS N333平面二角形0平面三角形 2-BF3 SO3 NO3 CO3 HCHO2三角形1V形O3 SO2 NO 244正四面體形0正四面體形+23-CH4 NH 4 CCl4 SO2 PO4 ClO4SiO443正四面體形1三角錐形NH3 H3O PH3 AsH32-PCl3 NF3 SO3 CIO 32正四面體形2V形H2O H2S NH2-(2) 常用雜化規(guī)律sp3雜化:連有四個(gè)單鍵的碳原子(飽和C) : CH4、 CH3、一 CH2 -、- CH-、烷烴、 環(huán)烷烴、CCI
10、4 連有單鍵的氧原子:H2O、H3O+、 OH、H2O2 連有單鍵的氮原子(飽和N): NH3、NH4+、 NH2 空間構(gòu)型為四面體或者正四面體的中心原子:CIO4、SO42-、PO43-、SiO44-sp $雜化:雙鍵兩端的原子:H2C= CH 2 (C = C)、HCHO(C=O)、羰基(C=O)、尿素(C=O)H2C= NH (C = N) 平面形分子中的中心原子:BF3、SO3、苯sp雜化:叁鍵兩端的原子:HC三CH (C三C)、H C三N (C三N)直線形分子中的中心原子:Be Cl2' CO2、CS210、等電子體(1)原子數(shù)相同、價(jià).電子總數(shù)相同的分子或離子,互稱為等電子
11、體。(2 )等電子體的結(jié)構(gòu)相似。(2)常見(jiàn)例子 AX10e-CO、N2、CN、C22-直線型 sp 雜化 AX 216 e-CO2、20、CS2、COS、SCN、CNO、NO?"、N3 一 直線型sp雜化 AX 432e-CCI4、SiF4、SO42-、PO43-、CIO4、SQ44-正四面體sp 3雜化 AX 48e-CH4NH4正四面體sp3雜化 AX 28e-H2OH2SNH2- V 型sp3 雜化 AX 218e-SO2、O3、NO 2一 V 型sp2 雜化 AX 324e-CO32-、NO3、SO3、COCI 2 平面三角形 sp2雜化 AX 38e-NH3、H3O+三角錐
12、形sp3雜化 AX 326 e- PCI3、NF3、SO32-、CIO3一 三角錐型 sp3雜化11、晶體結(jié)構(gòu)(1) 1 mol金剛石中,C-C鍵有2 mol, 1 mol單晶硅中,Si-Si鍵有2 moI;(2) 1 moI SiO2 晶體中,Si-O 鍵有 4moI(3) 晶體NaCI的空間結(jié)構(gòu)(面心立方,黑點(diǎn)Na+白點(diǎn)C) 每個(gè)Na+同時(shí)吸引6個(gè)C,Na+配位數(shù)為6;每個(gè)C同時(shí)吸引6個(gè)Na+, C配位數(shù)為6。 每個(gè)氯化鈉晶胞中有 4個(gè)Na+,有4個(gè)C。1 1 1(Na+8 8 6 廠4,C12 ;仁4) 每個(gè)Na+周圍與它最近的且距離相等的Na+有12個(gè),每個(gè)C周圍與它最近的且距 離相等
13、的C有12個(gè)。(4) CsCI型(體心立方):每個(gè)C吸引8個(gè)Cs+, C配位數(shù)為8; 每個(gè)Cs+吸引8_個(gè) Cl_, Cs+配位數(shù)為8。 Xo Y(5) ZnS (X 為:Zn2+, Y 為 S2-)S2-最近距離的Zn2+有4個(gè),S2-配位數(shù)為4; Zn2+-最近距離的S2-有 4 個(gè),Zn 2+配位數(shù)為4。(6) CU2O (黑點(diǎn) Cu +,白點(diǎn) O2-)Cu +最近距離的O2有2個(gè),Cu +配位數(shù)為2; O2-最近距離的Cu 有4個(gè),O2-配位數(shù)為2。(7) 常見(jiàn)金屬晶體的原子堆積模型結(jié)構(gòu)型式常見(jiàn)金屬配位數(shù)面心立方Cu、Ag、Au12體心立方Na、 K、 Fe8六方堆積Mg、Zn12(8
14、) MgB211Mg: 1223 B: 66212、配合物組成、結(jié)構(gòu)1組成(1)內(nèi)界與外界內(nèi)界是配位單元.外界是簡(jiǎn)單離子。口嚴(yán)訶 Cl3 KJCr(CN)J 內(nèi)界 外界 外界內(nèi)界可以無(wú)外界,如八 但不能沒(méi)有內(nèi)界。內(nèi)外界 之間是完全電離的° 內(nèi)界又由中心原子(或離子)和配休構(gòu)成:中右配體中心原子(或離子:多為過(guò)渡金屬配位體;是陰離子或分子。中心原子_提供空軌道電子對(duì)接受護(hù)配位棒_提供孤對(duì)電子 電子對(duì)給予體(2)配體和配位原子配位體陰離子X(jué) SCN-、中性分子H.O NH3CO 乙二胺乙二胺四乙酸(EDTA)其中2個(gè)4個(gè)-OH中的0均可配位配位像化 配位體中與中心離子(或原子)直接以配位
15、鍵結(jié)合的原子”單齒配體,一個(gè)配體中只含一個(gè)配位原子.X- OH(e基)CN SCN飛硫氤根1 CO(按基)*tt«N0(硝基)H.O NH3 NCS-(異硫氧根)« « » 名齒配體:一個(gè)配體中含有塞個(gè)配位原子二齒配體:例如* 乙二胺(en) h:n-ch;-ch.-nh;六齒配體:乙弓胺四乙酸根EDTA (屮)° H8CH£“ CHjCOOH °nchrhM丿 hooch/xch3cooh ,j配合物的類型簡(jiǎn)單配合物個(gè)中心離子,每個(gè)配體均為單齒配體. 如Fe(CN), Co(NH3)5(H2O)f螯合物:一個(gè)中心離子與多齒
16、配體成鍵形成環(huán)狀結(jié)構(gòu)的配合物。如Cu(en)22+配合物舉例Cu(NH3)4O4K3Fe(NCS)6HjPtClJ Cu(NH3)4(OH)2KPtCl5(NH3) Zn(OH)(H 2O)5NO3 co(nh3)5(h2o)ci3Fe(CO)5 Co(N02)3(NH5)3 Ca(EDTA)廣硫酸四氨合銅(II) 六異硫氤根合鐵(ni)酸鉀 六氯合鉗(W)酸 氫氧化四氨合銅(II) 五氯氨合鉗(IV)酸鉀 硝酸輕基三水合鋅(II) 三氯化五氨水合鉆(III) 五按(基)合鐵 三硝基三氨合鉆(III) 乙二胺四乙酸根合鈣(II)空間構(gòu)型Linear直線形Ag(NH3);4跟Tetrahedral四面體NiClSquare planar
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